DE69206331T2

DE69206331T2 - Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen.

Info

Publication number: DE69206331T2
Application number: DE69206331T
Authority: DE
Inventors: Morikuni Fujisawa-Shi Kanagawa-Ken Hasebe; Shinichi Hiratsuka-Shi Kanagawa-Ken Ishiwata; Kazushige Hiratsuka-Shi Kanagawa-Ken Iwamoto; Kenji Atsugi-Shi Kanagawa-Ken Mougi; Koji Hiratsuka-Shi Kanagawa-Ken Nakayama; Eiji Kitakyushu-Shi Fukuoka-Ken Shiramatsu
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1991-06-28
Filing date: 1992-06-29
Publication date: 1996-08-29
Anticipated expiration: 2012-06-30
Also published as: MY111332A; EP0520515A3; DE69206331D1; KR0162103B1; TW215453B; EP0520515A2; EP0520515B1; KR930000642A

Description

GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Klebeband, das in einer Fertigungslinie verschiedener Halbleiter verwendet wird, und genauer ein strahlungshärtbares Klebeband zur Befestigung von Halbleiterplättchen, das Z.B. verwendet wird, wenn ein Plättchen mit darauf gebildeten Schaltkreismustern in die einzelnen Muster zerschnitten wird, wodurch separate Halbleiterchips gebildet werden.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Bisher wurde zum Durchführen des Plättchenschneidens zum Zerschneiden eines Halbleiterplättchens mit darauf gebildeten Schaltkreismustern in separate Chips ein System entwickelt, das ein strahlungshärtbares Klebeband verwendet.
Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips aus einem Plättchen wird z.B. wie folgt dargestellt:
(1) Plättchenschneiden (ein Plättchen wird durch eine starke Haftkraft eines Klebebandes befestigt und dann in separate Chips zerschnitten),
(2) Bestrahlen (die Filmseite der Basis wird bestrahlt, um die Haftkraft des Klebebandes herabzusetzen),
(3) Expandieren (das Klebeband wird radial gestreckt, um den Zwischenraum zwischen den Chips zu vergrößern),
(4) Aufnehmen (jeder chip wird von der Oberfläche des Klebebandes unter Verwendung eines Ansaugsammlers und Durchstoßen des Klebebandes von dessen Rückseite aufgenommen).
Es gibt weiterhin ein Verfahren, bei dem das Expandieren (3) zwischen dem Plättchenschneiden (1) und dem Bestrahlen (2) durchgeführt wird.
Bei diesem System wird als Klebeband ein Klebeband zum Befestigen eines Halbleiterplättchens verwendet, das aus einem Trägerfilm hergestellt ist, durch welchen Strahlung, wie Licht, einschließlich ultravioletter Strahlen oder ionisierender Strahlung, wie einem Elektronenstrahl, weitergeleitet werden kann, und eine Klebeschicht, die auf den Trägerfilm geschichtet ist und kennzeichnenderweise durch Bestrahlung aushärtbar ist. Entsprechend dem System ist die Haftkraft des Klebebands zum Befestigen von Chips beim Plättchenschneiden zur Herstellung von Chips größer und nachdem das Halbleiterplättchen zerschnitten und in Chips unterteilt ist, wird die Haftkraft herabgesetzt. Nach dem Zerschneiden und Unterteilen in Chips wird die Filmseite des Trägers nämlich bestrahlt, um die strahlungshärtbare Haftschicht auszuhärten, wodurch die chipbefestigende Haftkraft beträchtlich herabgesetzt wird, so daß, unabhangig von der Größe der Chips, Chips mit einer Größe z.B. von 25 mm² oder darüber leicht aufgenommen werden können. Der Grund hierfür ist, weil eine in der Haftschicht des Halbleiterplättchen befestigenden Klebebandes, das durch Aufbringen eines strahlungshärtbaren Haftmittels auf einen Trägerfilm gebildet ist, wobei durch den Trägerfilm Strahlung Übertragen werden kann, enthaltene strahlungshärtbare Verbindung durch Bestrahlen zum Herbeiführen einer dreidimensionalen Struktur des Haftmittels ausgehärtet wird, wodurch das Fließvermögen des Haftmittels bedeutend herabgesetzt wird.
Aufgrund der dreidimensionalen Struktur geht die gummiähnliche Elastizität des Klebebandes, die dieses zur Zeit des Plättchenschneidens besitzt, schließlich fast vollständig zur Zeit des Expandierens nach dem Aushärten verloren. Nachfolgend entsteht ein Problem, dadurch daß die auf gewöhnliche Weise durchgeführte Vergrößerung der Abstände zwischen den Chips durch radiales Expandieren des Klebebandes schwierig wird.
Zur Lösung des Problems wurde die Verwendung eines weichen Polyvinylchlorids (PVC) als Mittelschicht in einem Trägerfilm bereits in die Praxis umgesetzt. Da Polyvinylchloridharze Chlor und ferner Stabilisatoren, einschließlich Metallverbindungen und Plastifizierern, enthalten und manchmal Chloridionen, Metallionen, Plastifizierer und dergleichen ausbluten, bewirken sie eine Kontaminierung der Oberfläche der Halbleiterplättchen.
Es werden daher, wie in der Japanischen Patentanmeldung (OPI) Nr. 215528/1990 offenbart, Klebebänder vorgeschlagen, die einen Trägerfilm verwenden, der einen laminierten Film mit einer aus einem thermoplastischen Harz mit gummiähnlicher Elastizität hergestellten Mittelschicht besitzen, wie ein Polybuten-1, ein Polyurethan, ein Polyesterelastomer, ein 1,2-Polybutadien, ein hydriertes Styrol/Isopren/Styrol-Copolymer und ein Styrol/Ethylen/Buten/Styrol (SEBS)-Copolymer. Obwohl jedes dieser Klebebänder durch Expandieren vor dem Bestrahlen vergrößert werden kann, um sicherzustellen, daß der Abstand zwischen den Chips nur den Kontakt der Chips vermeidet, entstehen folgende Probleme. Das heißt, große und einheitliche Abstände zwischen den Chips sind bei einer Aufnahmevorrichtung erforderlich, die eine Bilderkennung nach dem Bestrahlen einschließt. Aber keines der obengenannten Klebebänder aus dem Stand der Technik befriedigt dieses Erfordernis ausreichend, weil derartige Probleme, wie das Auftreten von Einschnürungen des Trägerfilms selbst (das Auftreten einer teilweisen Ausdehnung aufgrund einer nicht erfolgten Kraftübertragung zur Zeit des Expandierens des Films) und der Verlust der gummiähnlichen Elastizität, der von der Zerstörung des Trägerfilms aufgrund der Bestrahlung resultiert, entstehen.
Im einzelnen neigen ein Polybuten-1, ein Polyesterelastomer und ein 1,2-Polybutadien zu einem Einschnüren, wodurch die Vergrößerung der Abstände zwischen den Chips (wie PVC) unmöglich gemacht wird; ein Polyurethan ist von zu hoher gummiähnlicher Elastizität, was zum Fehlen von Einheitlichkeit in den Abständen zwischen den Chips führt; und obwohl hydrierte Styrol/Isopren/Styrol-Copolymere hervorragend und besser in den Eigenschaften als obige Polymere sind, können sie immer noch nicht das Problem des Einschnürens überwinden und sie sind mit dem Nachteil behaftet, daß die Expansion zwischen den Chips unbefriedigend ist. In der Japanischen Patentanmeldung (OPI) Nr. 215528/1990 wird als ein Styrol/Ethylen/Buten/- Styrol(SEBS)-Copolymer RABALON, hergestellt von Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd., in einem Beispiel verwendet, wobei RABALON aber eine Mischung von SEBS mit einem Molekulargewicht von 100.000 oder mehr mit einem Polypropylen oder Ethylen/Propylen/Dien-Copolymeren ist und ein Kompatibilisierungsmittel in die Haftschicht blutet, wodurch die Haftkraft unstabil gemacht wird, was zu derartigen Problemen wie das Auftreten von Aufnahmefehlern und Kontaminierung des Plättchens führt. Weiterhin treten, in dem Fall, bei dem nur SEBS anstelle seiner Mischung in der Mittelschicht verwendet wird, abhängig von dem Styrolgehalt und dem Molekulargewicht, derartige Probleme auf, wie z.B. durch Einschnürungen hervorgerufene unzureichende Abstände zwischen den Chips, ungenügendes Herabsetzen der Haftkraft nach dem Bestrahlen oder die Übertragung von Strahlung wird schlecht.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen bereitzustellen, das frei von obigen Problemen ist.
Das heißt, es ist zuerst Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen bereitzustellen, bei dem das Klebeband eine ausreichend hohe Haftkraft zur Befestigung eines Halbleiterplättchens vor dem Bestrahlen besitzt, wobei die Haftkraft zur Befestigung von Chips nach dem Bestrahlen bedeutend herabgesetzt werden kann; das Klebeband nach dem Bestrahlen seine gummiähnliche Elastizität (Flexibilität) beibehält; und das Expandieren des Klebebands nach dem Bestahlen die Abstände zwischen den Chips ausreichend und einheitlich vergrößern kann.
Die zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen bereitzustellen, bei dem solcher Abrieb, wie faserige Späne, nicht beim Plättchenschneiden des Halbleiterplättchens auftritt und die Haftschicht des Klebebandes die Halbleiterchips nicht kontaminiert.
Die dritte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen bereitzustellen, bei dem das Klebeband eine gute interlaminare Stabilität besitzt, die Fehler beim Aufnehmen von Chips herabsetzen kann, die durch eine teilweise Schichtablösung des Trägerfilms beim Expandieren des Klebebands hervorgerufen werden, und das Klebeband eine gute Wärmebeständigkeit besitzt, die ein Brechen des Trägerfilms nicht hervorruft.
Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung deutlich, die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen zu sehen ist.

KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN

Fig. 1 und Fig. 2 sind jeweils dreieckige Koordinatendiagramme, die den Bestandteilsbereich der die Mittelschicht des Trägerfilms des erfindungsgemäßen Klebebands bildenden Harzzusammensetzung darstellen.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Das vorliegende Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen umfaßt
(1) ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen mit einer strahlungshärtbaren Klebeschicht auf einer Fläche eines Trägerfilms, wobei sich der Trägerfilm aus einem Schichtfilm aufbaut, der als Mittelschicht einen Film mit einem Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp mit einer Styrolpolymerblockkomponente (A) und mit einer Ethylen/Buten/Mischpolymerblockkomponente (B) umfaßt, wobei die Komponente (A) 10 bis 30 Gew.-% der Komponenten (A) + (B) ausmacht und mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 35.000 bis 90.000; und mit einer klebenden Befestigungsschicht direkt oder mittels einer Bindungsschicht auf einer Fläche der Mittelschicht auf der Seite, auf der die strahlungshärtbare Klebeschicht vorgesehen ist, und mit einer Übertragungshemmschicht auf der anderen Seite der Mittelschicht und
(2) ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen mit einer strahlungshärtbaren Klebeschicht auf einer Seite eines Trägerfilms, wobei der Trägerfilm aus einem Schichtfilm aufgebaut ist, der als Mittelschicht einen Film mit einem Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp mit einer Styrolpolyinerblockkomponenten (A) und einer Ethylen/Penten-Mischpolymerblockkomponenten (C) umfaßt, wobei die Komponente (A) + (C) ausmacht, und mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 150.000 bis 500.000, und mit einer Schicht zum Klebebeschichten direkt oder mittels einer Bindungsschicht auf einer Fläche der Mittelschicht auf der Seite, auf der die strahlungshärtbare Klebemittelschicht vorgesehen ist, und mit einer Übertragungshemmschicht auf der anderen Seite der Mittelschicht.
In dieser Beschreibung und den Ansprüchen bedeutet der Ausdruck "Klebeband" ein druckempfindliches Klebeband, und der Ausdruck "Haftmittel" bedeutet ein druckempfindliches Haftmittel. Ferner bezieht sich der Ausdruck "Strahlung" auf Licht, wie ultraviolette Strahlen oder ionisierende Strahlung, wie ein Elektronenstrahl.
In der ersten Ausführungsform besteht der Film der Mittelschicht im wesentlichen aus dem Styrol/Ethylen/Buten/Styrol- Mischpolymer vom Blocktyp oder dem Styrol/Ethylen/Penten/- Styrol-Blockcopolymer.
Bei dem erfindungsgemäßen Styrol/Ethylen/Buten- oder Penten/Styrol-Blockcopolymer ist es, zur Vergrößerung der Abstände zwischen den Chips durch radiales Expandieren nach dem Aushärten des Haftmittels durch Bestrahlung, erforderlich, daß der Gehalt der Styrolpolymerblockkomponenten (A) in dem Bereich von 10 bis 30 Gew.-% ist. Wenn der Gehalt der Komponente (A) geringer als 10 Gew.-% ist, kann ein Einschnüren auftreten, da die Eigenschaften des Copolymers nahe denen eines Polyethylens sind, wodurch ein einheitliches Expandieren unmöglich gemacht wird, so daß die Abstände zwischen den Chips nicht vergrößert werden können. Wenn der Gehalt der Komponente (A) 30 Gew.-% überschreitet, konnen ultraviolette Strahlen nicht durch das Blockcopolymer Übertragen werden, so daß die Haftkraft nach der Bestrahlung nicht herabgesetzt werden kann. Als Ergebnis treten Fehler beim Aufnehmen auf, oder Plättchen oder Chips werden kontaminiert. Weiterhin ist die gummiähnliche Elastizität gering und es wird schwierig, die Abstände zwischen den Chips durch einheitliches Expandieren zu vergrößern.
Bevorzugt ist die Glasübergangstemperatur der Styrolpolymerblockkomponenten (A) 20 ºC oder höher, und bevorzugt ist die Glasübergangstemperatur der Ethylen/Buten/Copolymerblockkomponente (B) oder der Ethylen/Penten-Copolymerblockkomponente (C) -20 ºC oder niedriger.
In der vorliegenden Erfindung können als das Styrol/Ethylen/- Buten- oder Penten/Styrol-Copolymer vom Blocktyp, Styrol/Ethylen/Buten- oder Penten/Styrol-Blockcopolymere, die durch Zugabe oder Substitution von 1 % oder weniger einer niedermolekularen Verbindung modifiziert worden sind, wie Maleinsäure, die eine funktionelle Gruppe wie eine Carboxylgruppe enthalten, verwendet werden.
Im Fall des Copolymers der Komponenten (A) und (B) beträgt das gewichtsgemittelte Molekulargewicht des Copolymers 35 bis 90.000, bevorzugt 40.000 bis 80.000, stärker bevorzugt 45.000 bis 70.000. Wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht niedriger als 35.000 ist, ist die Zugscherfestigkeit gering und es besteht eine Gefahr, daß ein Brechen des Copolymerfilms auftritt; während wenn es 90.000 überschreitet, die Formbarkeit des Films zerstört wird, weil die Moleküle sich verwirren und ein Expandieren des Films schwierig wird.
Im Fall des Copolymers der Blockkomponenten (A) und (C) beträgt das gewichtsgemittelte Molekulargewicht 150.000 bis 500.000, bevorzugt 170.000 bis 400.000, stärker bevorzugt 180.000 bis 3.000.000. Der Grund dafür ist, daß wenn das gewichtsgemittelte Molekulargewicht niedriger als 150.000 ist, die Zugscherfestigkeit gering ist und eine Gefahr des Brechens des Copolymerfilms auftritt; wohingegen wenn es 500.000 überschreitet, die Formbarkeit des Films zerstört wird, weil die Moleküle sich ineinander verschlingen und ein Expandieren des Films schwierig wird.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der Film der Mittelschicht eine Harzzusammensetzung des Styrol/Ethylen/Buten/Styrol/ (SEBS)-Mischpolymers vom Blocktyp oder Styrol/Ethylen/Penten/Styrol (SEPS)-Mischpolymers vom Blocktyp auf: 15 bis 45 Gew.-%, Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp: 15 bis 80 Gew.-% und Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp: 5 bis 70 Gew.-%.
Bei dieser Ausführungsform können hervorragende Effekte erhalten werden, wobei keine faserigen Späne beim Plättchenschneiden erzeugt werden und die Haftkraft hoch genug zum Befestigen eines Halbleiterplättchens ist und nach dem Bestrahlen vermindert ist, während die Flexibilität beibehalten wird. Weiterhin können andere Effekte erreicht werden, wobei Fehler bei der Aufnahme von Chips vermindert werden, weil die teilweise Schichtablösung vermieden wird und ein Brechen des Films aufgrund von Wärme bei der Aufnahme nicht auftritt, mit dem Ergebnis, daß Chips leicht und ohne beschädigt zu werden aufgenommen werden können.
Die Harzzusammensetzung des Films, der die Mittelschicht des strahlungshärtbaren Klebebands dieser Ausführungsform bildet, kann durch das vierseitige Viereck, das durch die durchgehenden Linien in Fig. 1 umgeben ist, dargestellt werden. Fig. 1 ist ein dreieckiges Koordinatendiagramm, das die Zusammensetzung der drei Bestandteile zeigt, wobei jede Ecke A, B und C des Dreiecks jeweils 100 % Styrol/Ethylen/Buten oder Pentencopolymer (Komponente a), 100 % Ethylen/Acrylatcopolymer (Komponente b) und 100 % Polyamid/Polyestercopolymer (Komponente c) darstellt und die Punkte D, E, F und G jeweils eine Grenzzusammensetzung wiedergeben. Das bedeutet,
D repräsentiert einen Punkt a = 15, b = 15 und c = 70 Gew.-%,
E repräsentiert einen Punkt a = 15, b = 80 und c = 5 Gew.-%,
F repräsentiert einen Punkt a = 45, b = 50 und c = 50 Gew.-% und
G repräsentiert einen Punkt a = 451, b = 15 und c = 40 Gew.-% und das vierseitige Viereck, das durch sukzessives Verbinden dieser Punkte erhalten wird, zeigt den Bereich der Harzzusammensetzung durch seine Innenfläche.
Als Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymer vom Blocktyp (SEBS) oder Styrol/Ethylen/Penten/Styrolcopolymer vom Blocktyp (SEPS) können die oben als SEBS und SEPS genannten Copolymere verwendet werden.
In dieser Ausführungsform ist der Gehalt an SEBS oder SEPS auf einen Bereich von 15 bis 45 Gew.-% beschränkt, weil, wenn der Gehalt kleiner als 15 Gew.-% ist, faserige Späne beim Plättchenschneiden auftreten können, die an den Chips anhaften können, und wenn der Gehalt 45 Gew.-% überschreitet, kann ein Brechen des Films aufgrund von Wärme beim Aufnehmen der Chips auftreten.
Als Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp können Copolymere mit 5 mol% oder mehr Acrylatbestandteil, wie ein Ethylen/Acrylsäurecopolymer, ein Ethylen/Methylacrylatcopolymer, ein Ethylen/Ethylacrylatcopolymer, ein Ethylen/2-ethylhexylacrylatcopolymer, ein Ethylen/Glycidylacrylatcopolymer und ein Ethylen/2-hydroxyethylacrylatcopolymer genannt werden; Copolymere, bei denen das Acrylat der obigen Copolymere zu Methacrylat verändert ist; ein vernetztes Polymer, wie ein Ionomer; obengenannte Copolymere, die, wenn erforderlich, durch Zugabe oder Substitution einer niedermolekularen Verbindung, wie Maleinsäure, die eine funktionelle Gruppe, wie eine Carboxylgruppe, enthält, modifiziert werden können; und eine durch Mischen des obigen Copolymers mit einer herkömmlich bekannten Verbindung gebildeten Mischung.
Bei dem obigen Ethylen/Acrylatcopolymer wird das Brechen des Films beim Expandieren desselben oder beim Aufnehmen der Chips unwahrscheinlich im Verhältnis zur Größenordnung von Ethylen/Acrylat- oder Ethylen/Methacrylatcopolymer, Ethylen/Acrylatestercopolymer, Ethylen/Methacrylatestercopolymer zu Ionomer und der Gehalt von Acrylat in dem Copolymer ist bevorzugt von 20 bis 40 Gew.-%, aber es kann auch Gebrauch gemacht werden von einem Acrylatgehalt außerhalb dieses Bereichs.
In dieser Ausführungsform ist der Gehalt an Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp auf einen Bereich von 15 bis 80 Gew.-% beschränkt, weil, wenn der Gehalt geringer als 15 % ist, Fehler bei der Aufnahme von Chips aufgrund einer partiellen Schichtablösung beim Expandieren des Films zunehmen; und wenn der Gehalt 80 Gew.-% überschreitet, faserige Späne beim Plättchenschneiden auftreten, die an den Chips anhaften und diese kontaminieren, oder das Brechen des Films aufgrund von Wärme beim Aufnehmen der Chips auftritt. Weiter werden andere Effekte, wie die Kompatibilität des Styrol/Ethylen/Buten oder Blockcopolymer vom Pententyp mit dem Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp und die Übertragung von Strahlung, beide besser und können durch Beifügung von Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp erreicht werden.
Das Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp schließt jede Art Copolymer ein, wie ein Pfropfcopolymer, ein Blockcopolymer oder dergleichen und jede Art einer Mischform, wie einer Legierung von Polyamid und Polyether, IPN oder dergleichen. Der Strekkungsgrad ist bevorzugt 150 Gew.-% oder mehr. Hierin bedeutet "Polyamid" ein Homopolyamid und ein Copolyamid mit Lactam als Hauptbestandteil, z.B. dargestellt durch ein Polycaproamid, Polyundecanamid und Polydodecanamid und es schließt ein Polyetheramid und ein Polyesteramid ein, welches Copolymere mit einem anderen Monomer als Polyamidmonomer sind. "Polyether" bedeutet ein Polymer von Diolen, wie Polyethylenglycol, Polypropylenglycol, Polybutylenglycol und Polytetramethylenglycol. Ferner können obige Copolymere modifiziert werden, wenn erforderlich, durch Addition oder Substitution mit einer niedermolekularen Verbindung, wie Maleinsäure, die eine funktionelle Gruppe enthält, wie eine Carboxylgruppe, und sie können selbst oder als Mischung mit einer herkömmlich bekannten Verbindung verwendet werden.
Die bevorzugte Shore-Härte D liegt in dem Bereich von 30 bis 70.
In der Harzzusammensetzung ist der Gehalt des Copolymers vom Polyamid/Polyethertyp auf einen Bereich von 5 bis 70 Gew.-% beschränkt, weil, wenn der Gehalt niedriger als 5 Gew.-% ist, das Brechen des Films aufgrund von Wärme beim Aufnehmen von Chips auftreten kann, und wenn der Gehalt 70 Gew.-% überschreitet, Fehler bei der Aufnahme von Chips aufgrund einer teilweisen Schichtablösung beim Expandieren des Films zunehmen, oder faserige Späne beim Plättchenschneiden auftreten können.
Bei der Harzzusammensetzung des Films, der die Mittelschicht dieser Ausführungsform bildet, ist der Gehalt von SEBS- oder SEPS-Copolymer bevorzugt 22 bis 42 Gew.-%, stärker bevorzugt 27 bis 42 Gew.-%; der Gehalt an Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp ist bevorzugt 20 bis 55 Gew.-%, stärker bevorzugt 20 bis 35 Gew.-%; und der Gehalt von Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp ist bevorzugt 20 bis 60 Gew.-%, stärker bevorzugt 30 bis 60 Gew.-%.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform dieser Erfindung weist der Film der Mittelschicht eine Harzzusammensetzung des SEBS- Blockcopolymers oder SEPS-Blockcopolymers: 15 bis 45 Gew.-%, amorphes Poly α-Olefin: 10 bis 70 Gew.-% und Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp: 20 bis 70 Gew.-% auf.
Bei dieser Ausführungsform können hervorragende Wirkungen erzielt werden, wobei die faserigen Späne nicht beim Plättchenschneiden erzeugt werden, die Haftkraft zur Befestigung der Halbleiterplättchen hoch genug ist und nach dem Bestrahlen unter Beibehaltung der Flexibilität vermindert wird. Weitere andere Wirkungen können erzielt werden, wobei Fehler bei der Aufnahme von Chips vermindert werden, weil die teilweise Schichtablösung und das Brechen des Films aufgrund von Wärme beim Aufnehmen vermieden werden, was darin resultiert, daß Chips leicht und ohne beschädigt zu werden aufgenommen werden.
Die Harzzusammensetzung dieser Ausführungsform kann durch das durch die durchgezogenen Linien in Fig. 2 umgebene Fünfeck dargestellt werden. Fig. 2 ist ein dreieckiges Koordinatendiagramm, wie Fig. 1, und jede Ecke A, B und C des Dreiecks hat dieselbe Bedeutung wie in Fig.1, außer daß B ein amorphes Poly α-Olefin anstelle des Ethylen/Acrylat-Copolymers in Fig.
1 wiedergibt. Fünf durch H, I, J, K und L bezeichnete Punkte geben jeweils eine Grenzzusammensetzung an. Das bedeutet:
H repräsentiert einen Punkt a = 15, b = 10 und c = 75 Gew.-%,
I repräsentiert einen Punkt a = 15, b = 45 und c = 40 Gew.-%,
J repräsentiert einen Punkt a = 35, b = 45 und c = 20 Gew.-%,
K repräsentiert einen Punkt a = 45, b = 35 und c = 20 Gew.-%,
und
L repräsentiert einen Punkt a = 45, b = 10 und c = 45 Gew.-% und das durch sukzessives Verbinden dieser Punkte erhaltene Fünfeck gibt durch seine Innenfläche den Bereich der Harzzusammensetzung an.
Bei dieser Ausführungsform haben SEBS oder SEPS und das Polyamid/Polyethercopolymer dieselbe Bedeutung wie oben angegeben.
"Amorphes Poly α-Olefin" bedeutet hierin ein Polymer mit einem relativ niedrigen Molekulargewicht, z.B. ein mit Propylen, Ethylen oder Buten-1 copolymerisiertes Polymer. Das obengenannte Poly α-Olefincopolymer kann durch Zugabe oder Substitution durch eine niedermolekulare Verbindung, wie Maleinsäure, die eine funktionelle Gruppe enthält, wie eine Carboxylgruppe, modifiziert werden; und eine durch Mischen des obigen Copolymers init einer herkömmlich bekannten Verbindung gebildeten Mischung kann verwendet werden. Wenn die Mischung des obengenannten Poly α-Olefins mit Polypropylen verwendet wird, wird die Handhabbarkeit hervorragend, da das Verblocken beschränkt wird; und wenn ein durch Maleinsäure oder dergleichen modifiziertes Polymer des obengenannten Harzes verwendet wird, kann die Kompatibilität mit SEBS oder SEPS verbessert werden.
Der Gehalt an amorphem Poly α-Olefin ist auf einen Bereich von 10 bis 45 Gew.-% beschränkt, weil, wenn der Gehalt niedriger als 10 Gew.-% ist, Fehler beim Aufnehmen von Chips aufgrund einer teilweisen Schichtablösung beim Expandieren des Films zunehmen; und wenn der Gehalt 45 Gew.-% überschreitet, das Brechen des Films aufgrund von Wärme wahrscheinlich beim Aufnehmen des Chips auftritt.
Weitere andere Effekte, wie die Kompatibilität von SEBS oder SEPS mit Copolymeren vom Polyamid/Polyethertyp und die Übertragung von Strahlung, können durch Beifügen von amorphem α- Olefin erzielt werden, wodurch beides besser wird.
Bei der Harzzusammensetzung dieser Ausführungsform beträgt der Gehalt an SEBS- oder SEPS-Blockcopolymer bevorzugt 22 bis 42 Gew.-%, stärker bevorzugt 22 bis 37 Gew.-%; der Gehalt an amorphem Poly α-Olefin bevorzugt 10 bis 30 Gew.-%, stärker bevorzugt 11 bis 21 Gew.-%; und der Gehalt an Copolymer vom Polyamid-Polyethertyp bevorzugt 25 bis 65 Gew.-%, stärker bevorzugt 35 bis 55 Gew.-%.
Weiterhin, in einer weiteren Ausführungsforin dieser Erfindung, weist der Film der Mittelschicht eine Harzzusammensetzung auf von SEBS- oder SEPS-Blockcopolymer: 15 bis 45 Gew.-%; Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp: 15 bis 50 Gew.-%; amorphes Poly α-Olefin: 3 bis 30 Gew.-%; und Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp: wenigstens 20 Gew.-%.
In dieser Ausführungsform besitzen SEPS- oder SEPS-Blockcopolymer, Ethylen/Acrylatcopolymer, amorphes Poly α-Olefin und Polyamid/Polyethercopolymer dieselbe Bedeutung wie oben bei den anderen Ausführungsformen erwähnt.
Bei dieser Ausführungsform können hervorragende Wirkungen erzielt werden, wobei faserige Spane nicht beim Plättchenschneiden erzeugt werden, die Haftkraft zur Befestigung der Halbleiterplättchen hoch genug ist und nach dem Bestrahlen unter Beibehaltung der Flexibilität vermindert wird. Weitere andere Effekte können erreicht werden, wobei Fehler bei der Aufnahme von Chips verringert werden, weil die teilweise Schichtablösung vermieden wird und das Brechen des Films aufgrund von Wärme bei der Aufnahme der Chips nicht auftritt, mit dem Ergebnis, daß Chips leicht und ohne beschädigt zu werden aufgenommen werden können.
Bei der Harzzusammensetzung des Films der Mittelschicht in dieser Ausführungsforin beträgt der Gehalt an SEBS- oder SEPS- Blockcopolymer bevorzugt 16 bis 30 Gew.-%, stärker bevorzugt 17 bis 27 Gew.-%; der Gehalt an Copolymer vom Ethylen/Acrylattyp beträgt bevorzugt 20 bis 45 Gew.-%, stärker bevorzugt 25 bis 40 Gew.-%; der Gehalt an amorphem Poly α-Olefin beträgt bevorzugt 5 bis 20 Gew.-%, stärker bevorzugt 5 bis 15 Gew.-% und der Gehalt an Copolymer vom Polyamid/Polyethertyp beträgt bevorzugt 25 bis 50 Gew.-%, stärker bevorzugt 25 bis 40 Gew.-%.
Als Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Laminatfilms kann z.B. ein herkömmlich bekanntes Co-Extrusionsverfahren oder Laminierungsverfahren verwendet werden, wobei ein Bindemittel zwischen den Filmen eingefügt werden kann, wie es herkömmlicherweise bei der bekannten Herstellung von laminierten Filmen bewirkt wird. Als Bindemittel können herkömmlich bekannte Bindemittel benutzt werden, wie ein Ethylen/- Vinylacetatcopolymer oder ein Maleinsäure-modifiziertes Ethylen/Vinylacetatcopolymer.
Als das in der vorliegenden Erfindung für die Haftbeschichtung zu verwendende Harz, das auf der Seite der strahlungshärtbaren Klebeschicht aufgebracht werden soll, ist z.B. ein Harz, das Strahlung Übertragen kann, das kaum ein Halbleiterplättchen kontaminieren kann und das eine hohe Haftkraft zu dem strahlungshärtbaren Haftmittel besitzt, bevorzugt, wie Ethylenharze, einschließlich herkömmlicher, z.B. einem Niederdruckpolyethylen, einem gradkettigen Niederdruckpolyethylen, einem Ethylen/Vinylacetat-Copolymer, einem Ethylen/Methylmethacrylatcopolymer, einem Ethylen/Ethylmethacrylat-copolymer, einem Ethylen/Methacrylatsäurecopolymer und einem Ethylen/Acrylsäurecopolymer oder Mischung von diesen, die willkürlich ausgewählt werden, abhängig von der Haftung zu dem strahlungshärtbaren Haftmittel, das verwendet werden wird. Diese Schicht zur Haftbeschichtung verhindert, daß der Stoff, der aus der Mittelschicht ausblutet, die Halbleiterplättchen kontaminiert und vergrößert gleichzeitig die Haftkraft zwischen dem Haftmittel und dem Trägerfilm, wodurch vermieden wird, daß das Halbleiterplättchen durch Delamination des Haftmittels zur Zeit des Expandierens des Klebebandes kontaminiert wird.
Als Harz, das für die Übertragungshemmende Schicht bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, sind Z.B. Ethylenharze bevorzugt, einschließlich herkömmlich bekannter, Z.B. ein Niederdruckpolyethylen, ein gradkettiges Niederdruckpolyethylen, ein Ethylen/Vinylacetatcopolymer, ein Ethylen/Methylmethacrylatcopolymer, ein Ethylen/Ethylmethacrylatcopolymer, ein Ethylen/Methacrylsäurecopolymer und ein Ethylen/Acrylsäurecopolymer oder Mischungen von diesen. Diese Übertragungshemmende Schicht ist eine Schicht, die die Flexibilität des Klebebandes erhält; sie verhindert, daß der Trägerfilm verblockt; und sie verhindert, während der Lagerung des Trägerfilms oder des Klebebandes in einem gerollten Zustand, daß die Substanz, die aus der Mittelschicht ausblutet, in die strahlungshärtbare Haftschicht oder in die Schicht zur Haftbeschichtung Übertragen wird, wobei diese Übertragung schließlich das Halbleiterplättchen kontaminieren würde.
Um die Reibung zwischen dem Klebeband und einem Montagetisch zur Zeit des Expandierens des Klebebandes herabzusetzen und zu vermeiden, daß der Trägerfilm eingeschnürt wird, ist die Schicht zur Übertragungshemmung aus einem Niederdruckpolyethylen oder einem Ethylen/Vinylacetatcopolymer hergestellt, wobei das Ethylen/Vinylacetatcopolyer bevorzugt einen Vinylacetatgehalt von bis 5 Gew.-% besitzt. Als Bindemittel zum Binden der Mittelschicht an die Klebeschicht oder an die Übertragungshemmende Schicht können herkömmlich bekannte Verbindungen zum Binden verwendet werden, wie ein Ethylen/Vinylacetatcopolymer, ein Maleinsäure-modifiziertes Ethylen/Vinylacetatcopolymer, ein Maleinsäure-modifiziertes Ethylen/α-Olefincopolymer und ein Copolymerpolyesterharz, als auch Mischungen von diesen.
Das Ethylen/Vinylacetatcopolymer und das Maleinsäure-modifizierte Ethylen/Vinylacetatcopolymer, die als Bindemittel verwendet werden, besitzen bevorzugt einen Vinylacetatgehalt von 20 % oder mehr, so daß die Haftkraft hoch ist und ein Delaminieren (Schichtablösung) kaum auftritt. Als Verfahren für die Herstellung des laminierten Films wird ein bekanntes Verfahren, wie das Coextrusionsverfahren und das Laminierverfahren verwendet.
Geeigneterweise ist die Dicke des Trägersfilms allgemein 30 bis 300 µm, angesichts der gewünschten Stabilitäts- /Streckungseigenschaften und der gewünschten strahlungsübertragenden Eigenschaften. Obwohl das Verhältnis der Dicke der Mittelschicht willkürlich in Abhängigkeit von den für den Trägerfilm erforderlichen Eigenschaften festgelegt wird, ist das Verhältnis der Dicke der Mittelschicht allgemein bevorzugt 30 % oder mehr, stärker bevorzugt 50 bis 90 %, in bezug auf die Gesamtdicke des Trägerfilms. Wenn beides, eine Schicht zur Haftbeschichtung und eine Übertragungshemmende Schicht vorgesehen sind, wird die Struktur des Trägerfilms symmetrisch und die Enden des Trägerfilms werden sich daher nicht einrollen, was im Hinblick auf die Handhabung bevorzugt ist.
Bevorzugt ist die der Seite gegenüberliegende Seite, auf der das strahlungshärtbare Haftmittel aufgebracht ist, geprägt oder mit einem Gleitmittel beschichtet, weil ein Verblocken vermieden werden kann und die Reibung zwischen dem Klebeband und dem Montagetisch zur Zeit des Expandierens des Klebebands herabgesetzt wird, wodurch ein Einschnüren des Trägerfilms vermieden wird.
Als das strahlungshärtbare Haftmittel kann z.B. ein herkömmlich bekanntes Haftmittel verwendet werden. Bevorzugt wird ein Haftmittel, das 100 Gewichtsteile eines Acrylhaftmittels, 10 bis 200 Gewichtsteile von wenigstens einer Verbindung aus der Gruppe, bestehend aus Cyanuratverbindungen und Isocyanuratverbindungen mit einer Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung ausgewählt ist, und 5 bis 100 Gewichtsteile eines gradkettigen Polyesters oder Polyolurethanacrylats mit zwei Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen. Das Haftmittel kann die gummiähnliche Elastizität der Haftschicht nach dem Bestrahlen beibehalten, so daß die Wirkung der Beibehaltung der gummiähnlichen Elastizität (Flexibilität) in dem Klebeband nach dem Bestrahlen besonders hoch ist.
Wenn das erfindungsgemäße Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen durch Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen ausgehärtet wird, kann, wenn ein Photopolymerisationsinitiator, wie Isopropylbenzomether, Isobutylbenzomether, Benzophenon, Michler's Keton, Chlorthioxanthon, Dodecylthioxanthon, Dimethylthioxanthon, Diethylthioxanthon, Benzyldimethylketal, α-hydroxycyclohexylphenylketon und 2-Hydroxymethylphenylpropan zugegeben werden, die Aushärtungsreaktion wirksam zum Herabsetzen der Klebekraft zum Festigen der Chips fortschreiten, sogar wenn die Reaktionszeit zum Aushärten kurz oder die Menge der Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen klein ist. Falls notwendig, kann ein strahlungshärtbares Siliconacrylat oder Siliconmethacrylat zugegeben werden, um vorteilhafterweise die Haftkraft zur Befestigung der Chips nach dem Bestrahlen herabzusetzen; oder es können z. B. ein Maskierungsmittel, ein Klebriginacher, ein Haftregler, ein oberflächenaktives Mittel, andere Modifikatoren und herkömmliche Komponenten gleicherweise zu der besonders behandelten Oberfläche zugegeben werden, die mit einer metallischen Substanz an der Oberfläche des Halbleiterplättchens beschichtet ist, wobei die metallische Substanz anhaftet, so daß Z.B. die Haftkraft zur Befestigung der Chips herabgesetzt wird. Die Dicke dieser strahlungshärtbaren Haftschicht beträgt allgemein 20 bis 50 µm.
Wenn das vorliegende Klebeband zum Befestigen von Halbleitern bei dem Zerschneiden eines Halbleiterplättchens oder dergleichen verwendet wird, besitzt das Klebeband eine Haftkraft zur Befestigung der Chips, die hoch genug ist, die Chips zu befestigen ohne zu erlauben, daß die Chips abfallen oder verschoben werden, wenn das Plättchen durch eine rotierende runde Klinge in Chips geschnitten wird und weiterhin, da der Trägerfilm gut Strahlung Überträgt, das Haftmittel nach dem Bestrahlen eine dreidimensionale Struktur annimmt und die Haftkraft zum Befestigen der Chips herabgesetzt werden kann, wenn die Chips aufgenommen werden. Weiterhin, da das Klebeband die Flexibilität beibehält und hervorragend in der Expandierbarkeit nach dem Bestrahlen ist, ermöglicht das Klebeband, daß die Abstände zwischen den Chips ausreichend und einheitlich vergrößert werden.
Es besteht daher der hervorragende Effekt, daß die Chips leicht und ohne beschädigt zu werden aufgenommen werden können. Da der Trägerfilm keine Chlor enthaltende Verbindung enthält, einen Stabilisator vom Metallverbindungstyp und einen Plastifizierer oder dergleichen, die das Halbleiterplättchen beschädigen würden, oder ein Halbleiterplättchen kontaminieren, werden Halbleiterchips nicht mit dem strahlungshärtbaren Haftmittel kontaminiert, so daß ein hervorragender Effekt dadurch gezeigt wird, daß die Ausbeute der Chips erhöht wird.
Weiterhin können exzellente Wirkungen erzielt werden, wobei faserige Späne nicht beim Plättchenschneiden erzeugt werden und die Haftkraft zum Befestigen des Halbleiterplättchens hoch genug ist und nach dem Bestrahlen herabgesetzt wird, während die Flexibilität beibehalten wird. Weiterhin können andere Effekte erzielt werden, wobei Fehler bei der Aufnahme von Chips herabgesetzt werden, weil die Schichtablösung vermieden wird und das Brechen des Films aufgrund von Hitze beim Aufnehmen nicht auftritt, mit dem Ergebnis, daß Chips leicht aufgenommen werden können ohne beschädigt zu werden.
Die vorliegende Erfindung wird nun mit Bezug auf Beispiele beschrieben, wobei die Erfindung aber nicht darauf beschränkt ist.
In den Beispielen wurden Eigenschaften untersucht und wie folgt bewertet:

(1) Haftkraft (g/25 mm)

Die Haftkraft ist ein Index zum Überprüfen des Ausmaßes der Haftkraft zur Befestigung der Chips vor und nach der Bestrahlung.
Ein Si-Plättchen mit einem Durchmesser von 5 Zoll wurde an das hergestellte strahlungshärtbare Klebeband angeheftet und die Haftkraft vor und nach der Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen wurde gemäß JIS Z-0237 gemessen (Ablösen: bei 90 ºC, und Ablösestärke: bei 50 mm/min). Hierbei wurde die Oberfläche des Plättchens, die an das Klebeband geheftet werden sollte, in zwei Zuständen hergestellt, d.h. in dem Zustand der polierten Oberfläche und einer #600-Oberfläche, die durch Läppen fertiggestellt wurde (die Oberfläche besaß eine feine Körnung entsprechend US Mesh #600). Die Haftkraft wurde wie folgt bewertet.
Vor der Bestrahlung mit UV: gut: ≥ 120 (g/25 mm) schadhaft: < 120 (g/25 mm)
Nach der Bestrahlung mit UV: gut: ≤ 30 (g/25 mm) schadhaft: > 30 (g/25 mm)

(2) Abstände zwischen Chips (µm)

Die Abstände zwischen Chips sind ein Index zur Überprüfung des Ausmaßes und der Einheitlichkeit der Abstände zwischen Chips in longitudinaler/transversaler Richtung zur Zeit des Expandierens des Klebebands.
Ein Plättchen wurde vollständig in Chips der Größe 3 mm x 3 mm zerschnitten, danach, nachdem das Klebeband mit ultravioletten Strahlen ausgehärtet worden war, wurde das Klebeband durch eine Plättchenstreckvorrichtung (Luftdruck 2,0 kg/cm²) gestreckt und die Größe der Abstände zwischen den Chips in longitudinaler/transversaler Richtung gemessen, um das Ausmaß und die Einheitlichkeit der Abstände zwischen den Chips herauszufinden. Die Größe der Abstände zwischen den Chips schloß 40 µm ein, was die Stärke des beim Plättchenschneiden verwendeten Messers war.
Das Ausmaß der Abstände zwischen den Chips (q):
q ≥ 200 µm: das Bild der Chips kann gut erkannt werden.
200 > q ≥ 100 µm: das Bild der Chips kann erkannt werden.
100 > q ≥ 80 µm: das Bild der Chips ist schwierig zu erkennen.
q < 80 µm: das Bild der Chips ist unmöglich zu erkennen.
Die Einheitlichkeit:
Longitudinale/Transversale Richtung ≤ 1,5: gut
Longitudinale/Transversale Richtung > 1,5: fehlerhaft.

(3) Kontamination eines Si-Plättchens

Die Kontamination eines Si-Plättchens ist ein Index zur Überprüfung des Ausmaßes der Kontamination eines Halbleiterplättchens mit dem strahlungshärtbaren Haftmittel (die Haftung zwischen dem strahlungshärtbaren Haftmittel und dem Trägerfilm) und auch einen Index zur Überprüfung des Ausmaßes des Vorhandenseins von Verbindungen, die das Halbleiterplättchen beschädigend beeinflussen oder kontaminieren.
Ein Si-Plättchen wurde auf einem Trägerfilm befestigt, bei dem ein acrylisches Haftmittel verwendet wurde, dessen anfängliche Haftstärke zum Plättchen 300 bis 350 g/Breite von 25 mm betrugt und dessen Haftstärke zu dem Plättchen nach dem Aushärten 10 bis 15 g/Breite von 25 mm betrug und wobei der Trägerfilm bei 40 ºC gerollt und gelagert worden war, wobei die Kontamination des Si-Plättchens gemäß den folgenden Kriterien bewertet wurde. Nur eine "≥ 4 W" ist akzeptabel.
≥ 4W: nicht kontaminiert, sogar nach 4 Wochen
3W: nicht kontaminiert innerhalb 3 Wochen
2W: nicht kontaminiert innerhalb 2 Wochen
1W: nicht kontaminiert innerhalb 1 Woche
< 1W: kontaminiert vor Ablauf einer Woche
(4) Der Zustand zu der Zeit, wenn das Klebeband auf einmal 30 mm expandiert wurde.
O: nicht gebrochen
X: gebrochen

Beispiele 1 bis 7 und Vergleichsbeispiele 1 bis 3

Trägerfilme mit dem in Tabelle 1 gezeigten Schichtaufbau wurden durch Co-Extrusion einzelner Harze oder gekneteter Mischungszusammensetzungen durch einen Extruder hergestellt. Die Dicke aller Trägerfilme betrug 100 µm. Die Oberfläche von jeder der erhaltenen Trägerfläche wurde auf der Seite, auf der die Haftbeschichtung aufgetragen wurde, einer Koronabehandlung unterworfen und ein Haftmittel wurde so darauf geschichtet, daß die Dicke der Haftschicht nach dem Trocknen ungefähr 10 µm ist, wodurch jedes strahlungshärtbare Klebeband hergestellt wurde. Die physikalischen Eigenschaften des Klebebands wurden untersucht wie oben beschrieben und die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
Die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen verwendeten Verbindungen sind unten angegeben.
Wo die für die Mittelschicht des Klebebands verwendeten Materialen ein Molekulargewicht von 90.000 oder darüber hatten und alleine verwendet wurden, konnte aus ihnen kein Film gebildet werden, so daß sie nicht bewertet werden konnten.
Material A (SEBS):
KRATON G-1650, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von der Shell Chemical Company.
Styrol: 29 %; Molekulargewicht: 70.000
Material B (SEBS):
KRATON G-1657X, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Shell Chemical Company. Styrol: 13 %; Molekulargewicht: 80.000
Material C (Maleinsäure-modifiziertes SEBS):
TUFTEC M 1943, hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.
Styrol: 20 %; Molekulargewicht: 50.000
Material D (SEBS):
TUFTEC H 1041, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.
Styrol: 30 %; Molekulargewicht 50.000
Material E (SEBS):
TUFTEC H 1031, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.
Styrol: 20 %; Molekulargewicht 30.000
Material F (SEBS): TUFTEC H 1051, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Asahi Chemical Industry Co., Ltd.
Styrol: 40 %; Molekulargewicht: 50.000
Material G (eine Mischung vom SEBS-Copolymer vom Blocktyp mit einem Molekulargewicht von 10.000 oder darüber und einem Styrolgehalt von 30 % mit EPDM): RABALON ME 5302 C, hergestellt durch Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd.
Haftmittel A:
Acrylhaftmittel 100 Gewichtsteile
Isocyanuratverbindung 80 Gewichtsteile
Urethanacrylatverbindung 20 Gewichtsteile
Photopolymerisationsinitiator 1 Gewichtsteil
Haftmittel B:
Acrylhaftmittel 100 Gewichtsteile
Cyanuratverbindung 40 Gewichtsteile
Urethanacrylatverbindung 10 Gewichtsteile
Haftmittel C:
Acrylhaftmittel 100 Gewichtsteile
Isocyanuratverbindung 80 Gewichtsteile
Photopolymerisationsinitator 1 Gewichtsteil
EVA-15 (ein Ethylen/Vinylacetatcopolymer mit einem Vinylgehalt von 10 %):
EVATATE H 2021 F, hergestellt von Sumitomo Chemical Co., Ltd.
EVA-3 (ein Ethylen/Vinylacetat-Copolymer mit einem Vinylgehalt von 3 %): MITSUBISHI POLYETHY-EVA V 113 K, hergestellt von Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Tabelle 1 Diese Erfindung Vergleich Trägerfilmbestandteil Härtbare Haftschicht (10 µm) Schicht zur Haftbeschichtung Mittelschicht Übertragungshemmende Schicht Haftkraft Spiegel vor Bestrahlung Nach Bestrahlung Abstand zwischen Chip's¹) Ausmaß Einheitlichkeit Kontamination Expandierter Zustand bei einer Dehnung von 30 mm Anmerkung: 1) Expandierung betrug 2) Die Werte der Haftkraft variieten 3) Eine Mishung von A und EPR von 50:50 im Gewichtsverhältnis
Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 1 offensichtlich wird, wird, bei den Beispielen dieser Erfindung, ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen erhalten, bei dem die Haftkraft gut vor und nach dem Bestrahlen ist, der Abstand zwischen den Chips nach dem Expandieren groß genug ist und einheitlich und die Kontamination von Plättchen durch Haftmittel akzeptierbar klein. Im Gegensatz dazu wird bei den Vergleichsbeispielen ein Brechen des Films gefunden (Vergleich 1), eine nicht ausreichende Herabsetzung der Haftkraft nach dem Bestrahlen, geringere Abstände zwischen den Chips und Kontamination durch Haftmittel (Vergleich 2) und eine Haftkraft mit streuenden Ergebnissen und Kontamination durch das Haftmittel (Vergleich 3).

Beispiel 8 und vergleichsbeispiele 4 und 5

Strahlungshärtbare Klebebänder wurden auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, daß Trägerfilme mit dem in Tabelle 2 gezeigten Schichtaufbau verwendet wurden. Die physikalischen Eigenschaften von jedem der Klebebänder wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 getestet und die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Die in dem Beispiel und den Vergleichsbeispielen verwendeten Verbindungen waren wie folgt:
Material H:
SEPTON 2043, SEPS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Kuraray Co., Ltd.
Styrol: 13 %; Molekulargewicht: ungefähr 200.000
Material I (SEPS):
SEPTON 2063, SEPS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Kuraray Co., Ltd.
Styrol: 13 %; Molekulargewicht: ungefähr 100.000
Material J (SEPS):
SEPTON 2103, SEPS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Kuraray Co., Ltd.
Styrol: 50 %; Molekulargewicht ungefähr 200.000
Haftmittel A:
Haftmittel vom Acryltyp 100 Gewichtsteile
Isocyanuratverbindung 80 Gewichtsteile
Urethanacrylatverbindung 20 Gewichtsteile
Photopolymerisationsinitiator 1 Gewichtsteil
EVA-10 (Ethylen/Vinylacetatcopolymer mit einem Vinylacetatgehalt von 10 %):
EVATATE H 2021 F, hergestellt von Sumitomo Chemical Co., Ltd.
EVA-3 (Ethylen/Vinylacetatcopolymer mit einem Vinylacetatgehalt von 3 %):
MITSUBISHI POLYETHY-EVA B 113 K, hergestellt von Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Tabelle 2 Diese Erfindung Vergleich Trägerfilmbestandteil Härtbare Haftschicht Schicht zur Haftbeschichtung Mittelschicht Übertragungshemmende Schicht Haftkraft Spiegel Vor Bestrahlung Nach Bestrahlung Abstand zwischen Chips Ausmaß Einheitlichkeit Kontamination Expandierter Zustand bei einer Dehnung von 30 mm Haftmittel Material
Wie aus den Ergebnissen von Tabelle 2 offensichtlich wird, zeigt das Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen aus Beispiel 8 dieser Erfindung dieselben guten Eigenschaften wie die Beispiele 1 bis 7 in Tabelle 1, aber bei den Vergleichsbeispielen 4 und 5 wird das Brechen des Films, eine unzureichende Vergrößerung des Abstandes zwischen den Chips und Kontamination durch Haftmittel gefunden.

Beispiel 9 bis 13 und vergleichsbeispiele 6 bis 8

Strahlungshärtbare Klebebänder wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, daß die Trägerfilme mit dem Schichtaufbau, wie in Tabelle 3 dargestellt, verwendet wurden. Die physikalischen Eigenschaften von jedem der Klebebänder wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 untersucht, außer, daß die Stärke beim Aufnehmen, Schichtablösung und das Fehlerverhältnis beim Aufnehmen getestet wurden und die Ergebnisse in Tabelle 3 dargestellt sind.
Die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen verwendeten Verbindungen sind unten angegeben.
Harz I (SEBS):
KRATON G-1675X, SEBS-Copolymer vom Blocktyp, hergestellt von Shell Chemical Company.
Styrol: 13 %; Molekulargewicht: 80.000
Harz II (Styrol/Ethylacrylatcopolymer)
PRIMACOL 5980, hergestellt von Dow Chemicals.
Harz III (Polyamid/Polyethercopolymer):
ELY 2742, hergestellt von EMS JAPAN CORPORATION.
EVA-10: Dasselbe wie EVA-10 in Beispiel 8
EVA-3: Dasselbe wie EVA-3 in Beispiel 1
In den Beispielen wurden die Eigenschaften wie folgt untersucht und bewertet:
(1) Haftkraft (g/25 mm):
Derselbe Test und dieselbe Bewertung wie in Beispiel 1 wurden durchgeführt.
(2) Abstände zwischen den Chips (µm):
Derselbe Test und dieselbe Bewertung wie in Beispiel 1 wurden durchgeführt.
(3) Der Zustand zur Zeit, wenn das Klebeband auf einmal um 30 mm expandiert wurde:
Derselbe Text und dieselbe Bewertung wie in Beispiel 1 wurden durchgeführt.
(4) Anteil defekter Chips (Kontamination eines Si-Plattchens):
Die Anzahl der Chips, an denen Späne von 100 µm oder mehr in der Länge anhafteten, wurde aufgezeichnet. Eine Zahl von weniger als 5 bei 10.000 aufgenommenen Chips ist akzeptabel.
(5) Der Zustand zu der Zeit, als die Chips aufgenommen wurden:
O: nicht gebrochen
X: gebrochen
(6) Schichtablösung:
O: keine Ablösung
X: Ablösung
(7) Fehler bei der Aufnahme von Chips
Die Anzahl von Aufnahmefehlern wurde aufgezeichnet. Eine Zahl kleiner 5 pro 5 Plättchen von 5 Zoll (10.000 Chips) ist akzeptabel. Dieses Verhältnis wird groß, wenn die Bilderkennung aufgrund kleiner Intervalle zwischen den Chips schwierig wird, oder wenn Chips sich aufgrund einer Schichtablösung nicht vom Trägerfilm lösen. Tabelle 3 Diese Erfindung Vergleich Trägerfilmbestandteil Härtbare Haftschicht Schicht zur Haftbeschichtung Mittelschicht Material Übertragungshemmende Schicht Haftraft Vor Bestrahlung Nach Bestrahlung Abstand zwischen Chips Ausmaß Einheitlichkeit Kraft beim Expandieren des Films Kraft bei der Aufnahme von Chips Schichtablösung Fehler bei der Aufnahme von Chips Anteil defekter Chips Hartmittel
Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 3 offensichtlich wird, wird in den Beispielen dieser Erfindung ein Klebeband zur Befestigung von Halbleiterplättchen erhalten, bei dem die Haftkräfte vor und nach der Bestrahlung gut sind, die Abstände zwischen den Chips nach dem Expandieren groß genug sind und einheitlich, die Filmstärken beim Expandieren und Aufnehmen von Chips und die interlaminare Stärke alle gut sind (kein Brechen und keine Schichtablösung) und das Fehlerverhältnis beim Aufnehmen und der Anteil defekter Chips beide akzeptabel klein sind. Im Gegensatz dazu wird in den Vergleichsbeispielen das Brechen des Films und eine unzureichende Vergrößerung des Abstands zwischen Chips gefunden und das Fehlerverhältnis beim Aufnehmen und der Anteil defekter Chips ist nicht so gut.

Beispiele 14 bis 18 und vergleichsbeispiele 9 bis 12

Strahlungshärtbare Klebebänder wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 9 hergestellt, außer, daß Trägerfilme mit dem in Tabelle 4 dargestellten Schichtaufbau verwendet wurden. Die physikalischen Eigenschaften von jedem der Klebebänder wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 9 untersucht und die Ergebnisse sind in Tabelle 4 dargestellt.
Die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen verwendeten Verbindung sind dieselben wie in Beispiel 9, außer, daß Harz II wie unten angegeben verändert wurde.
Harz II (amorphes Poly-α-Olefin):
APAO RT 2780, hergestellt von UBE-LEXENE Tabelle 4 Diese Erfindung Vergleich Trägerfilmbestandteil Härtbare Haftschicht Schicht zur Haftbeschichtung Mittelschicht Material Übertragungshemmende Schicht Haftraft Vor Bestrahlung Nach Bestrahlung Abstand zwischen Chips Ausmaß Einheitlichkeit Kraft beim Expandieren des Films Kraft bei der Aufnahme von Chips Schichtablösung Fehler bei der Aufnahme von Chips Anteil defekter Chips Hartmittel
Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 4 offensichtlich wird, zeigen die Klebebänder zum Befestigen von Halbleiterplättchen der Beispiele dieser Erfindung gute Eigenschaften, während in den Vergleichsbeispielen ein Brechen des Films und eine teilweise Schichtablösung gefunden werden.

Beispiele 19 bis 21

Strahlungshärtbare Klebebänder wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 9 hergestellt, außer, daß Trägerfilme mit dem in Tabelle 5 dargestellten Schichtaufbau verwendet wurden. Die physikalischen Eigenschaften von jedem der Klebebänder wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 9 untersucht und die Ergebnisse sind in Tabelle 5 dargestellt. Tabelle 5 Diese Erfindung Trägerfumbestandteil Härtbare Haftschicht Schicht zur Haftbeschichtung Mittelschicht Material Übertragungsverhindernde Schicht Haftkraft Vor Bestrahlung Nach Bestrahlung Abstand zwischen Chips Ausmaß Einheitlichkeit Expandierter Zustand bei einer Dehnung von 30 mm Zustand bei der Aufnahme des Films Schichtablösung Fehler bei der Aufnahme des Films Anteil defekter Chips Anmerkung: Material I : SEBS-Copolymer vom Blocktyp Material II : Ethylen/Acrylsäurecopolymer Material III: Amorphes Poly-a-Olefin Material IV : Polyamid/Polyethercopolymer
Wie aus den Ergebnissen in Tabelle 5 offensichtlich wird, wird in den Beispielen dieser Erfindung ein Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen mit hervorragenden Eigenschaften erhalten.
Mit der erfolgten Beschreibung der Erfindung in bezug auf die vorliegenden Ausführungsformen wird nicht beabsichtigt, daß die Erfindung durch irgendeines der Einzelheiten der Beschreibung beschränkt wird, außer es ist anders angegeben, sondern breit innerhalb seines Gedankens und Rahmens ausgelegt wird, wie in den beigefügten Ansprüchen.

Claims

1. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen mit

- einer strahlungshärtbaren Klebeschicht auf einer Fläche eines Trägerfilms, wobei sich der Trägerfilm aus einem Schichtfilm aufbaut, der als Mittelschicht einen Film mit einem Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp mit einer Styrolpolymerblockkkomponenten (A) und mit einer Ethylen/Buten-Mischpolymerblockkompenten (B) umfaßt, wobei die Komponente (A) 10 - 30 Gew.-% der Komponenten (A) + (B) ausmacht und mit einem Gewichtsmittel des Nolekulargewichts von 35.000 bis 95.000; und mit

- einer klebenden Beschichtungsschicht direkt oder mittels einer Bindungsschicht auf einer Fläche der Mittelschicht auf der Seite, auf der die strahlungshärtbare Klebeschicht vorgesehen ist, und mit

- einer Übertragungshemmschicht auf der anderen Seite der Mittelschicht.

2. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen mit

- einer strahlungshärtbaren Klebeschicht auf einer Seite eines Trägerfilms, wobei der Trägerfilm aus einem Schichtfilm aufgebaut ist, der als Mittelschicht einen Film mit einem Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp mit einer Styrolpolymerblockkomponenten (A) und einer Ethylen/Penten-Mischpolymerblockkomponenten (C) umfaßt, wobei die Komponente {A) 10 bis 30 Gew.-% der Komponenten (A) + (C) ausmacht und mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 150.000 bis 500.000, und mit

- einer Schicht zum Klebebeschichten direkt oder mittels einer Bindungsschicht auf einer Fläche der Mittelschicht auf der Seite, auf der die strahlungshärtbare Klebemittelschicht vorgesehen ist, und mit

- einer Übertragungshemmschicht auf der anderen Seite der Mittel schicht.

3. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 1, wobei die Mittelschicht ein Film aus im wesentlichen einem Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp ist.

4. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 2, wobei die Mittelschicht ein Film aus im wesentlichen einem Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeren vom Blocktyp ist.

5. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 1, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 40 Gew.-%), ein Ethylen/Acrylat-Mischpolymeres (15 bis 80 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (5 bis 70 Gew.-%) umfaßt.

6. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 2, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 45 Gew.-%), ein Ethylen/Acrylat-Mischpolymeres (15 bis 80 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (5 bis 70 Gew.-%) umfaßt.

7. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 1, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 45 Gew.-%), ein armorphes Poly-α-olefin (10 bis 45 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (20 bis 70 Gew.-%) umfaßt.

8. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 2, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 45 Gew.-%), ein armorphes Poly-α-olefin (10 bis 45 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (20 bis 70 Gew.-%) umfaßt.

9. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 1, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Buten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 45 Gew.-%), ein Ethylen/Acrylat-Mischpolymeres (15 bis 50 Gew.-%), ein armorphes Poly-α-olefin (3 bis 30 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (mindestens 20 Gew.-%) umfaßt.

10. Klebeband zum Befestigen von Halbleiterplättchen nach Anspruch 2, wobei die Mittelschicht ein Film ist, der ein Styrol/Ethylen/Penten/Styrol-Mischpolymeres vom Blocktyp (15 bis 45 Gew.-%), ein Ethylen/Acrylat-Mischpolymeres (15 bis 50 Gew.-%), ein armorphes Poly-α-olefin (3 bis 30 Gew.-%) und ein Polyamid/Polyether-Mischpolymeres (mindestens 20 Gew.-%) umfaßt.