DE69328657T2

DE69328657T2 - Magneto-optisches Aufzeichnungsverfahren

Info

Publication number: DE69328657T2
Application number: DE69328657T
Authority: DE
Inventors: Masanori Kosuda; Hajime Utsunomiya
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1992-09-30
Filing date: 1993-03-16
Publication date: 2001-01-11
Anticipated expiration: 2013-03-17
Also published as: JP2960824B2; DE69328657D1; EP0590230B1; EP0590230A2; EP0590230A3; US5552237A; JPH06111400A

Description

TECHNISCHES GEBIET:

Die vorliegende Erfindung betrifft ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG:

Unter den optischen Aufzeichnungsmedien werden die magnetooptischen Aufzeichnungsmedien aufgrund ihrer Aufnahmekapazität für Information als vielversprechend angesehen, und große Anstrengungen werden nun auf deren Erforschung konzentriert. Die magnetooptischen Aufzeichnungsmedien beinhalten im allgemeinen eine Aufzeichnungsschicht in Form eines magnetischen Films, der auf einem transparenten Substrat durch eine dielektrische Schicht gebildet wurde. In einer weiter entwickelten Form wird eine zweite dielektrische Schicht auf der Aufzeichnungsschicht gebildet, so daß die Aufzeichnungsschicht zwischen einem Paar dielektrischer Schichten liegt. Auch eine Metallreflexionsschicht wird als oberste Schicht angeordnet, um den Output der reproduzierten Signale zu erhöhen.
Unter den Metallreflexionsschichten sind diejenigen aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen vom Standpunkt des optischen Reflexionsvermögens und Kosten am vielversprechendsten. Zum Beispiel offenbart die USP 4,717,628 eine Al- Ni-Legierung mit 2 bis 10 Atom-% Nickel, die im Hinblick auf die Aufnahmeempfindlichkeit und Reproduzierbarkeit von C/N vorteilhaft ist. Ebenso offenbaren die japanischen Patentanmeldungen Kokai (JP-A) Nr. 292753/1990, 285533/1990 und 267752/1990 jeweils Al-Ta-Legierungen, Al-Re-Legierungen und Al-Nb- Legierungen.
Wo eine derartige Metallreflexionsschicht bereitgestellt wird, ist die zweite dielektrische Schicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Metallreflexionsschicht oft aus Nitriden, wie Siliciumnitrid und Aluminiumnitrid. Insbesondere von Siliciumnitrid mit einem Brechungsindex von ungefähr 2 wird angenommen, daß es einen guten Verstärkungseffekt erzeugt, wenn es unterhalb der Metallreflexionsschicht angeordnet ist. Jedoch haben sowohl die Metallreflexionsschicht als auch die zweite dielektrische Schicht aus Nitriden eine ausreichend hohe Wärmeleitfähigkeit um während des Aufzeichnens die Wärmeverteilung aus der Aufzeichnungsschicht zu fördern. Dies führt zu mehreren Nachteilen einschließlich einer geringen Aufzeichnungsempfindlichkeit, insbesondere einem geringen Schwellenwert der Aufzeichnungsleistung bzw. -stärke (Pth), bei welchem die Aufzeichnung gestartet wird, was wiederum die Aufzeichnung bei niederen Werten negiert (invertiert).
Ein optische Aufzeichnung benötigt nicht nur einen niedrigen Schwellenwert für die Aufzeichnungsleistung bzw. -stärke, sondern auch eine geringe Fehlerrate und im Falle der Aufzeichnung nach dem Lichtmodulationsverfahren z. B. auch eine geringe Mindestaufzeichnungsleistung (Pmin), bei der die Byte-Fehlerrate (BER) 5 · 10&supmin;&sup5; oder weniger erreicht. Jedoch ist auch der Aufbau im Stand der Technik ungenügend bezüglich der Mindestaufzeichnungsleistung (Pmin).
Andererseits wird die Auflösung zwischen den Aufzeichnungssignalen verringert, wenn die Aufnahmeleistung erhöht wird. Beim Lichtmodulationsverfahren wird der Bereich der Aufzeichnungsleistung als (Pmax - Pmin) definiert, worin Pmax die Maximalaufzeichnungsleistung, bei der eine bestimmte Auflösung erreicht werden kann, ist; z. B. nimmt die Auflösung zwischen 3T und 8T-Signalen bei einer Umdrehungszahl zwischen 1.800 und 3.600 Umdrehungen pro Minute gemäß ISO- Standard § 24.1 um 40% ab. Bei jeder Art von Aufzeichnungsverfahren ist ein möglichst großer Bereich der Aufzeichnungsleistung erwünscht. Jede Aufzeichnungs-/Vervielfältigungs- bzw. Wiedergabevorrichtung hat bei den Aufzeichnungs- /Reproduktionsbedingungen eine Anzahl variabler Faktoren. Insbesondere variiert die Leistung des Aufzeichnungslasers bei jeder Laufwerkseinheit und auch optische und Detektions- bzw. Erkennungssysteme haben ihre eigenen Faktoren. Darüber hinaus erfährt die Vorrichtung Temperaturänderungen und mit der Dauer der Laserleistung eine Verschlechterung, eine zeitabhängige Verschlechterung der optischen und Detektions- bzw. Erkennungssysteme, Änderungen des Neigungswinkel der Disk bei der Beladung, Streuung aufgrund von Staub und dergleichen. Die Austauschbarkeit zwischen Laufwerkseinheiten der verschiedenen Typen ist ebenso notwendig. Aus diesen Gründen ist eine breiterer Bereich der Aufzeichnungsleistung bzw. -stärke erwünscht, um immer einen stabilen Aufzeichnungs-/Reproduktionsbetrieb unabhängig von den variierenden Faktoren bzw. Einflußgrößen in einer Vorrichtung, oder zwischen einer unterschiedlichen Vorrichtung oder zwischen verschiedenen Typen von Vorrichtungen sicherzustellen. Dies erleichtert die Konstruktion und Steuerung der Laufwerkseinheit. Jedoch hat der Aufbau im Stand der Technik einen engen Bereich der Aufzeichnungsleistung.
Um die Aufzeichnungsempfindlichkeit und den Bereich der Aufzeichnungsleistung von magnetooptischen Aufzeichnungsmedien für den stabilen Aufzeichnungs- und Wiedergabe- bzw. Reproduktionsbetrieb zu erhöhen, ist daher in der Erfindung eine zweite dielektrische Schicht vorgeschlagen, die auf der Seite der Metallreflexionsschicht der Aufzeichnungsschicht gebildet ist, die wenigstens eines der Oxide der Seltenerdmetallelemente einschließlich Y, Siliciumoxid und Siliciumnitrid enthält (japanische Patentanmeldung Nr. 40277/1992). Die Verwendung einer derartigen zweiten dielektrischen Schicht führt besonders beim Lichtmodulationsbetrieb zu einer signifikant erhöhten Aufzeichnungsempfindlichkeit. Unter den Aufnahmeempfindlichkeiten wird insbesondere der Schwellenwert der Aufnahmeleistung (Pth), bei der die Aufzeichnung gestartet wird, signifikant erniedrigt. Von der Absenkung dieses Schwellenwerts (Pth) wird aufgrund der Tatsache angenommen, daß die zweite dielektrische Schicht eine genügend niedrige Wärmeleitfähigkeit hat, um sogar in Anwesenheit einer Metallreflexionsschicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit an der Aufnahmeschicht eine Wärme stauende Wirkung zu erzeugen. Außerdem erniedrigt auch dieser Vorschlag unter den Aufzeichnungsempfindlichkeiten signifikant die Minimalaufzeichnungsleistung (Pmin), bei der die Byte-Fehlerrate (BER) 5,0 · 10&supmin;&sup5; oder weniger beim Lichtmodulationsverfahren erreicht und der Bereich der Aufzeichnungsleistung (Pmax-Pmin) zwischen der Maximalaufzeichnungsleistung (Pmax), bei der eine Auflösung von wenigstens 40% zu erreichen ist, und Pmin im wesentlichen erhöht ist.
Die Aufzeichnungsverfahren für magnetooptische Aufzeichnungsdisks beinhalten Licht- und Magnetfeldmodulationsverfahren. Das Lichtmodulationsverfahren vollzieht die Aufzeichnung unter Verwendung eines modulierten Lichts eines Aufzeichnungslasers. Beim Magnetfeldmodulationsverfahren wird die Aufzeichnung dadurch ausgeführt, daß das Licht des Aufzeichnungslasers von einem optischen Kopf auf die Aufzeichnungsschicht der Platte in einer DC-Weise gerichtet wird, um dessen Temperatur zu erhöhen, und gleichzeitig ein moduliertes Magnetfeld von einem Magnetkopf, der dem optischen Kopf gegenüber angeordnet ist, an die Aufzeichnungsschicht angelegt wird. Daher ermöglicht dieses letztere Verfahren die überschreibende Aufzeichnung, und bedeutet somit einen Fortschritt in Richtung der kommerziellen Anwendung von wiederbeschreibbaren Disks, wie es für Mini-Disks (MD) kennzeichnend ist.
Da kontinuierliches Laserlicht eingestrahlt wird, wird jedoch beim Magnetfeldmodulationsverfahren Wärme in einer anderen Weise als beim Lichtmodulationserfahren auf der Disk aufgebracht, was zu einem erhöhten Auftreten von Signalinstabilitäten (Jitter) führt. Der MD-Standard legt die optimale Leistung als 1,4 · Pmin und den Bereich der Aufzeichnungsleistung als (Pmax - Pmin)/2 fest, worin Pmin und Pmax jeweils die Minimal- bzw. Maximalleistung sind, bei denen die Signalinstabilität (Jitter) der 3 T-Signale weniger als 40 nsec beträgt, wenn EFM- Signale mit einer linearen Umlaufsgeschwindigkeit (CLV) von 1,4 m/s unter Anlegung eines Magnetfelds von 15,9 kA/m (200 Oe) aufgezeichnet werden. Wie im vorstehenden Fall ist es erwünscht, eine geringere optimale Leistung und einen weiteren Bereich zu haben.
Jedoch wurde herausgefunden, daß alle für eine niedrige optimale Leistung und einen weiteren Bereich der Aufnahmeleistung konstruierten Schichtanordnungen bei Aufzeichnung im Lichtmodulationsverfahren keine(n) angemesse(n) optimale Leistung und Bereich für die Aufnahmeleistung liefern, wenn im Magnetfeldmodulationsverfahren aufgezeichnet wird.
Aus der EP-A-0 509 467, die nur bezüglich der Neuheit gemäß Artikel 54(3) und (4) EPÜ berücksichtigt werden muß, kann ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit einer Schichtstruktur hergeleitet werden, die aus einer ersten dielektrischen Schicht, einer Magnetaufzeichnungsschicht, einer zweiten dielektrischen Schicht und einer Reflexionsschicht besteht, die nacheinander auf einer transparenten Substratplatte gebildet werden, die in dem Verfahren gemäß dem Oberbegriff der vorliegenden Anmeldung verwendet werden sollte. Die besondere beanspruchte Aufzeichnung mit Magnetfeldmodulation kann aus diesen besagten Dokument hergeleitet nicht werden.
Die EP-A-0 387 420 beschreibt ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, das ähnlich dem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 der vorliegenden Anmeldung eingesetzt wird. Aus diesem Dokument kann weder die Dicke der ersten dielektrischen Schicht, noch die beanspruchte Aufzeichnung mit Magnetfeldmodulation hergeleitet werden.
Die EP-A-0 487 275 offenbart ein magnetooptisches Datenspeicher(ungs)medium zur Speicherung und Wiederauffindung von Daten durch Exposition mit einem Strahl polarisierten Lichts, das aus einer ersten dielektrischen Schicht, einer magnetooptischen Schicht, einer zweiten dielektrischen Schicht und einer Metallreflexionsschicht besteht, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen magnetooptischen Mediums.
Aus der EP-A-0 473 785 ist ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit einer dielektrischen Schicht, einer Aufzeichnungsschicht, einer zweiten dielektrischen Schicht, einer Reflexionsschicht, und einer Schutzbeschichtung auf einem Substrat in der beschriebenen Reihenfolge bekannt. Das bekannte Aufzeichnungsmedium wird einer magnetfeldmodulierten Aufzeichnung unterworfen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine primäre Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Aufzeichnungsverfahren bereitzustellen, das ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium verwendet, das eine niedrige optimale Leistung und einen breiteren Bereich der Aufzeichnungsleistung bereitstellt, wenn im Magnetfeldmodulationsverfahren aufgezeichnet wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Aufzeichnungsverfahren bereitgestellt, das ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium verwendet, enthaltend eine erste dielektrische Schicht, eine Aufzeichnungsschicht, eine zweite dielektrische Schicht, eine Metallreflexionsschicht und eine Schutzbeschichtung auf einem Substrat in der beschriebenen Reihenfolge, worin das magnetooptische Aufzeichnen unter Verwendung eines Aufzeichnungslichts mit vorgegebener Wellenlänge durchgeführt wird.
Die erste dielektrische Schicht ist dünner als die Dicke Tmin, die dem primären minimalen Reflexionsvermögen in der bei dieser Wellenlänge gemessenen Reflexionsvermögen-zu-Dicke Kurve der dielektrischen Schicht entspricht.
Vorzugsweise hat die erste dielektrische Schicht eine Dicke im Bereich von 30 nm bis 0,99 Tmin und einen Brechungsindex von 1,8 bis 3,0. Sie ist überwiegend aus Siliciumnitrid aufgebaut. Vorzugsweise hat die zweite dielektrische Schicht auch einen Brechungsindex von 1,8 bis 3,0 und eine Dicke von bis zu 80 nm. Sie ist überwiegend aus Siliciumnitrid aufgebaut oder enthält wenigstens eines der Oxide der Seltenmetallerdelemente, einschließlich Yttrium, Siliciumdioxid und Siliciumnitrid. Ebenso vorzugsweise enthält die Aufzeichnungsschicht ein Seltenerdmetallelement und Eisen. Sie kann darüber hinaus 5 bis 15 Atom-% Co und 2 bis 10 Atom- % Cr in einem Atomverhältnis Co/Cr von 1 /2 bis 5/1 enthalten. Sie ist 10 bis 1.000 nm dick.

VORTEILE

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die erste dielektrische Schicht dünner als die Dicke Tmin, die dem primären minimalen Reflexionsvermögen in der Reflexionsvermögen-zu-Dicke-Kurve entspricht, so daß sie ein zufriedenstellendes Reflexionsvermögen und eine ausreichend niedere Wärmeleitfähigkeit aufweist, um zuzulassen, daß das darunter liegende Harzsubstrat eine größere Wärme stauende Wirkung ausüben kann, was zu einer verbesserten Empfindlichkeit führt. Dieser Anstieg der Empfindlichkeit führt zu einer verringerten Minimalleistung bzw. -stärke Pmin und einer verringerten optimalen Aufnahmeleistung Po und ganz unerwartet gleichzeitig zu einem vergrößerten Bereich der Aufzeichnungsleistung. Dieser Vorteil wurde bei herkömmlichen Medien nie erreicht, bei denen die erste dielektrische Schicht immer eine größere Dicke als Tmin hat.
Da die erste dielektrische Schicht im Vergleich zu der entsprechenden dielektrischen Schicht der herkömmlichen Medien eine verringerte Dicke hat, kann sie innerhalb kürzerer Zeit gebildet werden. Das dielektrische Material, typischer Weise Siliciumnitrid, aus dem die erste dielektrische Schicht hergestellt ist, benötigt im allgemeinen eine lange Zeit, bis es sich durch Zerstäuben zu einer gewissen Dicke ausbildet, während eine Kühleinrichtung notwendig ist. Daher trägt eine Verringerung der Zeit der Filmabscheidung zur Produktivität bei. Darüber hinaus erlaubt die erhöhte Empfindlichkeit die Verwendung von Aufzeichnungsmaterial mit einer höheren Curie-Temperatur Tc, was zu verbesserten C/N- und Temperatureigenschaften führt. Das Medium kann derart konstruiert werden, daß es sogar bei hohen Temperaturen das Betriebsverhalten bzw. Leistungsfähigkeit beibehalten kann.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN:

Fig. 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Fig. 2 ist eine graphische Darstellung, die das Reflexionsvermögen gegen die Dicke einer dielektrischen SiNx-Schicht zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG:

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 wird ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, in schematischer Querschnittsansicht gezeigt. Das Medium 1 beinhaltet in der beschriebenen Reihenfolge aufgebracht auf eine Hauptfläche eines Substrats 2 eine Schutzschicht 3, eine erste dielektrische Schicht 4, eine Aufzeichnungsschicht 5, eine zweite dielektrische Schicht 6, eine Metallreflexionsschicht 7 und eine Schutzbeschichtung 8.
Die erste dielektrische Schicht 4 wird zwischen den Substrat 2 und der Aufzeichnungsschicht 5 zur Erzeugung eines Verstärkungseffekts an der Aufzeichnungsschicht 5 und zur Verbesserung der Korrosionsbeständigkeit aufgebracht. Die Schicht 4 ist dünner als die Dicke Tmin, die dem primären minimalen Reflexionsvermögen in ihrer Reflexionsvermögen-zu-Dicke Kurve entspricht, so daß ihre eigene Wärmekapazität verringert ist, wobei sie zuläßt, daß das darunter liegende Substratharz seine Wärme stauende Wirkung in vollem Umfang ausübt. Dies führt zu einer verbesserten Empfindlichkeit, einer verringerten Pmin, einer verringerten optimalen Leistung 1,4 · Pmin und einem vergrößerten Bereich der Aufzeichnungsleistung (Pmax - Pmin)/2, worin Pmin und Pmax jeweils die Minimal- bzw. Maximalleistung ist, bei der die Signalinstabilität (Jitter) geringer als 40 nsec ist.
Das primäre minimale Reflexionsvermögen einer dielektrischen Schicht wird beschrieben. In einer mit dem Aufzeichnungslicht gemessenen Reflexionsvermögen- zu-Dicke-Kurve eines dielektrischen Films, worin das Reflexionsvermögen mit der Dicke variiert, erscheinen die Punkte des maximalen und minimalen Reflexionsvermögen aufgrund der Interferenz innerhalb des Films periodisch. In Fig. 2 ist das mit einem Aufzeichnungslicht von einer Wellenlänge von 780 nm gemessene Reflexionsvermögen des SiNx-Films relativ zu seiner Dicke aufgetragen. Die in Fig. 2 gezeigten Kurven sind Simulationskurven für SiNx-Film-Proben, worin x ausgetauscht wurde, wodurch der Brechungsindex n geändert wird, das heißt, n = 2,0, wenn x = 1,3 und n = 2, 3, wenn x = 0,75 ist. Tatsächliche Messungen sind auch in der graphische Darstellung von Fig. 2 als gepunktete Quadrate oder Dreiecke gezeigt. Es ist offensichtlich, daß die Simulationskurven in enger Übereinstimmung mit den tatsächlichen Meßwerten liegen. Es ist zu entnehmen, daß es entlang jeder Kurve einen Punkt des primären minimalen Reflexionsvermögen gibt. Die Bezeichnung "primär" bedeutet, das erste Auftreten, wie es bei einer Dicke von Null beobachtet wird. Die Dicke Tmin, die dem primären minimalen Reflexionsvermögen entspricht, ist für n = 2,0 und 2,3 jeweils näherungsweise 76 nm bzw. 63 nm. Daher legen diese Kurven nahe, daß ein gewünschtes Reflexionsvermögen durch Festlegen einer kleineren Filmdicke als die Dicke Tmin erreicht werden kann. Die vorliegende Erfindung basiert auf diesem Ergebnis. Im Stand der Technik wurde keine kleinere Filmdicke als Tmin verwendet, weil angenommen wurde, daß dickere dielektrischen Schichten, die Korrosionsbeständigkeit und Zuverlässigkeit sicherstellen, besser zur Erhöhung des Reflexionsvermögens sind.
Es wurde herausgefunden, daß dielektrische Schichten aus Siliciumnitrid oder dergleichen, ausreichend sind, um Korrosionsbeständigkeit und Betriebssicherheit bzw. Zuverlässigkeit sogar bei einer Dicke von ungefähr 30 nm sicherzustellen. Daher hat die erste dielektrische Schicht vorzugsweise eine Dicke von wenigstens 30 nm, insbesondere wenigstens 40 nm und bevorzugt wenigstens 45 nm. Die obere Grenze ist 0,99 Tmin, insbesondere 0,98 Tmin und bevorzugt 0,96 Tmin. Es ist zu verstehen, daß Tmin im allgemeinen vom ungefähr 40 nm bis ungefähr 90 nm für den möglichen Bereich von n ist.
Vorzugsweise hat die erste dielektrische Schicht einen Brechungsindex n (Realteil eines komplexen Brechungsindex) von 1,8 bis 3,0, insbesondere 1,8 bis 2,5 bei einer Wellenlänge von 600 bis 900 nm. Geringere Werte von n liefern einen verringerten Kerr-Rotationswinkel und verringerte Outputs (Ausgangsleistung), wogegen größere Werte von n zu verringerten Outputs und verstärktem Rauschen führen.
Zur Zusammensetzung der ersten dielektrischen Schicht 4 können verschiedenen dielektrische Materialien einschließlich Oxide, Carbide, Nitride und Sulfide, z. B. SiO&sub2;, SiO, AlN, Al&sub2;O&sub3;, Si&sub3;N&sub4;, ZnS, BN, TiO&sub2;, TiN, etc. und deren Mischungen verwendet werden. Bevorzugt sind diejenigen Schichten, die überwiegend aus Siliciumnitrid, insbesondere wenigstens 90 Gew.-% Siliciumnitrid bestehen und diese Schichten, die im wesentlichen aus Siliciumnitrid bestehen. Sie können durch verschiedene Gasphasenabscheidungsverfahren, insbesondere Zerstäubungsverfahren hergestellt werden. Die Zerstäubungsverfahren beinhalten die Verwendung eines Sinterkörpers der entsprechenden Zusammensetzung als Target und eine reaktive Zerstäubung unter Verwendung von Stickstoff oder dergleichen.
Die zweite dielektrische Schicht 6 ist auf der Aufzeichnungsschicht 5 angeordnet, um einen Verstärkungseffekt an der Aufzeichnungsschicht 5 zu erzeugen und die Korrosionsbeständigkeit zu verbessern. Es ist möglich, jedes der Materialien zu verwenden, das in der ersten dielektrischen Schicht 4 verwendet wurde. Jedoch ist zu verstehen, daß Materialien, die wenigstens 90 Gew.-% Siliciumnitrid beinhalten, und Materialien, die wenigstens eines der Oxide der Seltenerdmetallelemente einschließlich Yttrium, Siliciumdioxid und Siliciumnitrid beinhalten, vorteilhaft sind, da sie aufgrund des Wärmestaus verbesserte Empfindlichkeit und vergrößerte Aufnahmeleistungsbereiche liefern, wenn die Metallreflexionsschicht 7 gebildet wird.
Insbesondere für die zweite dielektrische Schicht 6 bevorzugt sind letztere Materialien, die wenigstens eines der Oxide der Seltenerdmetallelemente einschließlich Yttrium, Siliciumdioxid und Siliciumnitrid enthalten. Die hier verwendeten Seltenerdmetallelemente beinhalten Y, La bis Sm und Eu bis Ln und deren Mischungen. Lanthaniden einschließlich Y, insbesondere La und/oder Ce sind bevorzugt. Die Oxide von La und Ce nehmen im allgemeinen die Form La&sub2;O&sub3; und CeO&sub2; an. Sie haben im allgemeinen eine stöchiometrische Zusammensetzung, obwohl jede Abweichung davon annehmbar ist. Wo Lanthan und/oder Cer enthalten ist, können sowohl eines als auch beide der La- und Ce-Oxide anwesend sein. Wo sowohl La und Ce-Oxide anwesend sind, ist ihr Verhältnis nicht problematisch. Zusätzlich zu den La- und /oder Ce-Oxiden kann jedes der Oxide weiterer Seltenerdmetallelemente, wie Y und Er in einer Menge von ungefähr 10 Atom-% oder weniger der gesamten Seltenerdmetallelementoxide (berechnet als Metall) mitanwesend sein. Darüber hinaus kann jedes der Oxide von Fe, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, etc. mitanwesend sein, wobei Eisen bis zu 10 Atom-% und die verbleibenden Elemente insgesamt bis zu 10 Atom-% liegen.
Beim besonders bevorzugten Beispiel enthält die zweite dielektrische Schicht 6 Siliciumoxid und Siliciumnitrid zusätzlich zu den Seltenerdmetallelementoxiden. Im allgemeinen ist Siliciumoxid in Form von SiO&sub2; oder SiO und Siliciumnitrid in Form von Si&sub3;N&sub4; anwesend. Im allgemeinen haben sie eine stöchiometrische Zusammensetzung, obwohl jede Abweichung davon annehmbar ist. Vorzugsweise enthält die zweite dielektrische Schicht Seltenerdmetallelementoxide und Siliciumverbindungen derart, daß das molare Verhältnis der Seltenerdmetallelementoxide insgesamt zu den Seltenerdmetallelementoxiden plus Siliciumverbindungen von ungefähr 0,05 bis ungefähr 0,5 reicht, vorausgesetzt, daß alle Verbindungen mit ihren jeweiligen stöchiometrischen Zusammensetzungen berechnet sind, daß heißt, die Schicht enthält ungefähr 5 bis ungefähr 50 Mol-% der Seltenerdmetallelementoxide, berechnet auf einer stöchiometrischen Grundlage. Geringere Verhältnisse würden zu verringerten Outputs und schlechterer Haltbarkeit in einer warmen feuchten Atmosphäre führen, wohingegen größere Verhältnisse zu erhöhtem Rauschen und schlechterer Haltbarkeit in warmer, feuchter Atmosphäre führen würden. Das Atomverhältnis von Seltenerdmetallelement zu Silicium reicht vorzugsweise von ungefähr 0,03 bis ungefähr 0,6. Die zweite dielektrische Schicht hat vorzugsweise ein O/N-Atomverhältnis von ungefähr 0,2 bis ungefähr 3, da niedrigere Verhältnisse zu einer kürzeren Haltbarkeit in einer warmen feuchten Atmosphäre führen würden, wohingegen höhere Verhältnisse zu verringerten Outputs und mit der Zeit zu Verschlechterung führen würden. Diese Atomverhältnisse können durch herkömmliche Analyse, wie die Auger-Elektronenspektroskopie und Elektronenbeugung gemessen werden. Es ist zu verstehen, daß die zweite dielektrische Schicht, abgestufte Konzentrationen an Sauerstoff und Stickstoff haben kann.
Vorzugsweise hat die zweite dielektrische Schicht bei einer Wellenlänge von 600 bis 900 nm einen Brechungsindex n (Realteil eines komplexen Brechungsindex) von 1,8 bis 3,0 insbesondere 1,8 bis 2,5. Kleinere Werte von n liefern einen verringerten Kerr-Rotationswinkel und verringerte Outputs, wohingegen größere Werte von n zu verringerten Outputs und erhöhtem Rauschen führen.
Zur Bildung der zweiten dielektrischen Schicht 6 wird vorzugsweise die Zerstäubung verwendet. Die hier verwendeten Targets sind vorzugsweise gesinterte Mischungen eines Seltenerdmetallelementoxids oder mehrerer -oxide vorzugsweise La&sub2;O&sub3;, und /oder CeO&sub2;, SiO&sub2;, und Si&sub3;N&sub4;. Ein Teil oder das (die) Seltenerdmetallelementoxid bzw. der -oxide, insbesondere La&sub2;O&sub3; und/oder CeO&sub2; können dann durch Oxide pyrophorer Legierungen, wie Auer-Metall, Huber-Metall, Mischmetall und Welsbach- Metall ersetzt werden. Auf ähnliche Weise können auch andere Gasphasen- Ablagerungsverfahren wie die CVD, Verdampfung oder Ionenplattierung verwendet werden. Die dielektrische Schicht kann Verunreinigungen wie Ar oder N enthalten, die aus der Atmosphäre der Filmabscheidung eingebaut werden. Andere annehmbare Verunreinigungen sind Fe, Ni, Cr, Cu, Mn, Mg, Ca, Na, K oder dergleichen.
Vorzugsweise hat die zweite dielektrische Schicht 6 eine Dicke von bis zu 80 nm, insbesondere 5 bis 60 nm, und besonders bevorzugt 5 bis 50 nm. Innerhalb dieses Bereichs sind dünnere Schichten zur Erhöhung der(s) Lichtdurchlässigkeit bzw. - transmissionsgrades und der Outputs bevorzugt. Wenn die Reflexionsschicht 7 auf der zweiten dielektrischen Schicht 6 aus einem Material mit einer niedrigeren Wärmeleitfähigkeit ist, dann kann die zweite dielektrische Schicht 6 dünner sein. Zu dünne Schichten können ein erhöhtes Rauschen verursachen, wohingegen eine Dicke über 80 nm hinaus zu verringerten Outputs und C/N führen würde. Die zweite wie vorstehend aufgebaute dielektrische Schicht 6 ist spannungsarm, vollkommen beständig gegenüber Temperaturwechseln und effektiv zum Schutz der Aufzeichnungsschicht.
Die Metallreflexionsschicht 7 ist auf der zweiten dielektrischen Schicht 6 angeordnet und aus jedem der bekannten Metallmaterialien gebildet, die Au, Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Ti, Fe und deren Legierungen beinhalten. Bevorzugt unter diesen sind Al, Ni und deren Legierungen. Aluminiumlegierungen und Nickellegierungen sind insbesondere bevorzugt, da sie das gewünschte Reflexionsvermögen, erhöhte Outputs eine erhöhte Empfindlichkeit und einen erweiterten Bereich der Aufzeichungsleistung liefern, wenn sie mit der zweiten dielektrischen Schicht kombiniert werden.
Bevorzugte Aluminiumlegierungen sind diejenigen, die 80 bis 99 Gew.-% Al und wenigstens ein Element aus Ni, Fe, V, Mo, Hf, W, Au, Si, Mg, Mn, Cr, Ta, Ti, Re, Zn, In, Pb, P, Sb, Cu, Zr, Nb, Bi etc. enthalten. Diese Aluminiumlegierungen sind zur Erweiterung des Bereichs der Aufzeichnungsleistung äußerst effektiv, während sie das C/N und die Aufzeichnungsempfindlichkeit erhöhen. Insbesondere bevorzugt sind Al-Ni-Legierungen, die im wesentlichen aus bis zu 20 Gew.-%, insbesondere 1 bis 10 Gew.-% Nickel und zum Ausgleich Aluminium bestehen.
Ebenso bevorzugt sind Nickellegierungen, da sie niedrige Wärmeleitfähigkeit haben und zur Verbesserung der Aufnahmeempfindlichkeit äußerst effektiv sind. Bevorzugt sind die Nickellegierungen, die 35 bis 75 Gew.-% Nickel und wenigstens eines der Elemente Co, Cr, Mo, W und Fe enthalten. Insbesondere bevorzugt sind diejenigen Nickellegierungen, die 35 bis 75 Gew.-%, insbesondere 40 bis 70 Gew.-% Ni, 0,1 bis 5 Gew.-%, insbesondere 0,5 bis 5 Gew.-% Co, 0,1 bis 25 Gew.-%, insbesondere 0,5 bis 25 Gew.-% Cr und 0 bis 6 Gew.-% W, 2 bis 30 Gew.-%, insbesondere 5 bis 30 Gew.-% Mo, und 0,1 bis 25 Gew.-%, insbesondere 1 bis 22 Gew.-% Fe enthalten, welche auch als Hastelloy bekannt sind. Diese Legierungen können zusätzlich bis zu 3 Gew.-% Cu, Nb und Ta und bis zu 2 Gew.-% Mn, und/oder bis zu 1 Gew.-% Si und Ti enthalten. Diese Nickellegierungen stellen eine sehr hohe Empfindlichkeit sicher, wenn sie mit der zweiten dielektrischen Schicht kombiniert werden. Die Verwendung von Nickellegierungen mit einer niederen Wärmeleitfähigkeit lassen zu, daß die zweite dielektrische Schicht 6 dünner ist, um erhöhte Outputs zu erhalten und die Metallreflexionsschicht 7 selbst dünner ist.
Die Metallreflexionsschicht ist vorzugsweise 40 bis 150 nm, insbesondere 50 bis 100 nm dick. Eine zu dünne Metallreflexionsschicht würde unwirksam sein, um die notwendig Reflexion zu liefern, was zu verringerten Outputs und C/N führt, wohingegen eine zu dicke Schicht zu einer verringerten Empfindlichkeit führen würde.
Mit abgeschiedener Metallreflexionsschicht 7 sollte das Medium vorzugsweise ein Lichtreflexionsvermögen von wenigstens 15% haben. Die Reflexionsschicht 7 hat einen Brechungsindex n (Realteil eines komplexen Brechungsindex) von 1,5 bis 3,5 und einen Extinktionskoeffizienten k (Imaginärteil eines komplexen Brechungsindex) von 2,5 bis 7,0. Die Reflexionsschicht 7 kann durch Gasphasen- Abscheidungsverfahren, wie Zerstäubung, Verdampfung und Ionenplattierung, vorzugsweise durch Zerstäubung gebildet werden.
Die Schutzbeschichtung ist auf der Reflexionsschicht 7 angeordnet. Sie kann aus verschiedenen Harzmaterialien, typischer Weise UV-härtbare Harze bis zu einer Dicke von 0,1 bis 100 um gebildet sein. Sie kann entweder eine abgeschiedene Schicht oder eine vorgeformte Folie sein. Vorzugsweise wird sie durch Beschichten mit einer Zusammensetzung mit einer durch Strahlung härtbaren Verbindung wie z. B. Acrylat und einem Photopolymersiationssensibilisator und Härtung der Beschichtung mit Strahlung gebildet.
Die Aufzeichnungsschicht 5, die zwischen der ersten und zweiten dielektrischen Schicht 4 und 6 angeordnet ist, ist eine Schicht, in der Information unter Verwendung eines modulierten Magnetfeldes magnetisch aufgezeichnet und die aufgezeichnete Information durch magnetooptische Umwandlung vervielfältigt werden kann. Die Aufzeichnungsschicht 5 kann aus jedem gewünschten Material gebildet sein, das zu einer derartigen magnetooptischen Aufzeichnung fähig ist. Vorzugsweise wird sie durch Aufbringen einer Legierung, die ein Seltenerdmetallelement, insbesondere eine Seltenerdmetall-Übergangsmetall- Legierung beinhaltet, durch Zerstäuben, Verdampfung oder Ionenplattierung, insbesondere durch Zerstäuben, hergestellt, um einen amorphen Film zu bilden.
Das bevorzugte Seltenerdmetallelement ist wenigstens ein Element aus Tb, Dy, Nd, Gd, Sm und Ce und in Mengen von ungefähr 15 bis 23 Atom-% enthalten. Die bevorzugten Übergangsmetalle sind Fe und Co. Danach enthält die Legierung vorzugsweise ungefähr 55 bis 85 Atom-% Fe und Co insgesamt.
Einige bevorzugte Beispiele der Zusammensetzung für die Aufzeichnungsschicht sind TbFeCo, DyTbFeCo, NdDyFeCo und NdGdFeCo. Die Aufzeichnungsschicht kann bis zu 30 Atom-% Cr, Al, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au oder dergleichen enthalten. Sie kann darüber hinaus bis zu 10 Atom-% eines weiteren Seltenerdmetallelements, wie Sc, Y, La, Ce, Pr, Pm, Sm, Eu, Ho, Er, Tm, Yb und Lu enthalten. Derartige Zusammensetzungen, die darüber hinaus ungefähr 5 bis 15 Atom-% Co und ungefähr 2 bis 10 Atom-% Cr bei einem Co/Cr-Atomverhältnis von ungefähr 1/2 bis 5/1 enthalten, sind bevorzugt, da sie eine Curie-Temperatur Tc von 150 bis 170ºC und bessere Temperatureigenschaften haben. Die Aufzeichnungsschicht ist im allgemeinen ungefähr 10 bis 1.000 nm dick.
Wenn gewünscht, wird die Schutzschicht 3 zwischen dem Substrat 2 und der ersten dielektrischen Schicht 4 angeordnet. Sie kann aus Glas z. B. Borsilikatglas, Bariumborsilikatglas und Aluminiumborsilikatglas gebildet sein, welches zusätzlich noch Si&sub3;N&sub4; enthalten kann. Bevorzugt sind Borsilikatglas, Bariumborsilikatglas und Aluminiumborsilikatglas mit 40 bis 80 Gew.-% an SiO&sub2;, welches teilweise durch Si&sub3;N&sub4; ersetzt werden kann. Die Schutzschicht 3 ist im allgemeinen ungefähr 30 bis 150 nm dick.
Das Substrat 2 kann aus jedem gewünschten Material geformt sein, das im wesentlichen für das Aufzeichnungs- und Wiedergabelicht (Reproduktionslicht) durchlässig ist, das im allgemeinen eine Wellenlänge von 400 bis 900 nm hat, typischer Weise ein Halbleiterlaserlicht mit einer Wellenlänge von 600 bis 850 nm, am häufigsten mit 780 nm. Die Bezeichnung im wesentlichen durchlässig bedeutet eine Durchlässigkeit (Transmissionsgrad) von wenigstens 80%. Anschließend kann der Aufzeichnungs- und Wiedergabebetrieb von der Rückseite des Substrates entfernt von der Aufzeichnungsschicht vollzogen werden. Im allgemeinen sind die Substratmaterialien Glas oder Harze. Beispiele für transparente Harze beinhalten thermoplastische Harze, wie Polycarbonatharze, Acrylharze und amorphe Polyolefinharze.
Falls nötig wird das Substrat 2 an der Außenfläche oder am Außenumfang mit einer(m) sauerstoffundurchlässigen Beschichtung bzw. Überzug ausgestattet. Die Oberfläche des Substrates 2, auf der die Aufzeichnungsschicht 5 gebildet wird, ist für Spurführungs- bzw. -einstellungszwecke mit Rillen und Vertiefungen ausge stattet, wenn gewünscht. Die Rückseite des Substrates, die von der Aufzeichnungsschicht entfernt liegt, kann mit Schutzfilmen überzogen sein, die aus dem gleichen organischen Material wie der organische Schutzfilm 8 sein können.
Die vorliegende Erfindung ist auf magnetooptische Aufzeichnung nach dem Magnetfeldmodulationsverfahren angepaßt. Das Magnetfeldmodulationsverfahren besteht darin, die Aufzeichnung durchzuführen, indem ein Magnetkopf auf der Vorderseite (Seite der Aufzeichnungsschicht) und ein optischer Kopf auf der Rückseite einer magnetooptischen Aufzeichnungsdisk positioniert, Laserlicht einer bestimmten Intensität vom optischen Kopf durch das Substrat auf die Aufzeichungsschicht der Disk gerichtet und gleichzeitig ein moduliertes Magnetfeld über den Laserpunkt in der Aufzeichnungsschicht vom Magnetkopf angelegt werden. Die relative Position des Magnet- und des optischen Kopfes ist fixiert und sie bewegen sich gemeinsam in radialer Richtung der Disk um zu einer gewünschten Spur Zugang zu erhalten. Das angelegte Magnetfeld hat eine Leistung von ungefähr 6,4 bis 23,9 kA/m (80 bis 300 Oe). Die hier verwendeten Magnet- und optischen Köpfe sind nicht problematisch und können unter herkömmlichen in der magnetooptischen Aufzeichnung nach dem Magnetfeldmoldulationsverfahren verwendeten Köpfen ausgewählt werden.

BEISPIELE

Beispiele für die vorliegende Erfindung sind im folgenden zur Veranschaulichung aber nicht zur Begrenzung des Schutzumfangs angegeben.

Beispiel 1:

SiNx-Filme wurden auf Substraten in verschiedenen Dicken durch HF-Magnetron- Zerstäubung unter Verwendung eines Siliciumtargets und Stickstoff-Gas gebildet. Es wurden zwei SiNx-Filme gebildet, in denen x = 1,30, n = 2,0 und k &sim; 0 und x = 0,75, n = 2,3 und k &sim; 0 waren. Der Brechungsindex n wurde mit einem Ellipsometer gemessen. Unter Verwendung der Werte für n und k wurde die Reflexionsvermögen- zu-Filmdicke-Kurve für Licht mit einer Wellenlänge von 780 nm durch Computersimulation bestimmt. Die Ergebnisse der Simulation sind in Fig. 2 zusammen mit den tatsächlichen Messungen gezeigt.
Als nächstes wurde ein Polycarbonat-Harz im Spritzverfahren in die Substrate mit einem Durchmesser von 64 mm und 1,2 mm Dicke eingebracht. Auf diesen Substraten wurde die erste voranstehend erwähnte dielektrische Schicht von SiNx, durch RF-Magnetron-Zerstäubung gebildet. Für das SiNx mit x = 1,30 und n = 2,0 ist die Dicke Tmin, die dem primären minimalen Reflexionsvermögen entspricht, gleich 76 nm, wie aus Fig. 2 entnommen werden kann, und Schichten mit einer Dicke von 58 nm kleiner als Tmin und 100 nm größer als Tmin wurden gebildet, so daß ein entsprechendes Reflexionsvermögen (20%) verfügbar war. Für das SiNx mit x = 0,75 und n = 2,3 ist Tmin gleich 63 nm, wie aus Fig. 2 entnommen werden kann, und Schichten mit einer Dicke von 30 nm kleiner als Tmin und 95 nm größer als Tmin wurden gebildet, so daß ein entsprechendes Reflexionsvermögen (20%) verfügbar war.
Auf der ersten dielektrischen Schicht wurde eine Aufzeichnungsschicht mit der Zusammensetzung Tb19,0Fe65,0Co8,0Cr8,0 (Tc = 150ºC) bis zu einer Dicke von 20 nm durch Zerstäubung abgeschieden.
Auf der Aufzeichnungsschicht wurde eine zweite dielektrische Schicht aus 30 Mol-% La&sub2;O&sub3;, 20 Mol-% SiO&sub2;, und 50 Mol-% Si&sub3;N&sub4; (diese Zusammensetzung wird als LaSiON bezeichnet) durch HR-Magnetron-Zerstäubung gebildet. Diese Schicht hatte eine Dicke von 20 nm, n = 2,0, k &sim; 0 und ein Atomverhältnis des Seltenerdmetallelements zu Silicium von 0,35.
Auf der zweiten dielektrischen Schicht wurde eine Metallreflexionsschicht bis zu einer Dicke von 90 nm durch HF-Magnetron-Zerstäubung gebildet. Diese Schicht bestand aus 97,0 Atom-% Al und 3,0 Atom-% Ni.
Auf der Reflexionsschicht wurde eine Schutzbeschichtung bis zu einer Dicke von 5 um durch Anwendung eines Oligoesteracrylat enthaltenden UV-härtbaren Harzes und Exposition gegenüber UV-Strahlung gebildet. Es ist anzumerken, daß alle Beschichtungen hinsichtlich ihrer Zusammensetzung durch die Auger-Spektroskopie analysiert wurden.
Die erhaltenen Proben der magnetooptischen Aufzeichnungsdisks wurden bezüglich ihres(r) Reflexionsvermögens, optimalen Aufzeichnungsleistung und Bereich der Aufzeichnungsleistung untersucht.

Reflexionsvermögen (R):

Ein Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 780 nm wurde auf die Disk gerichtet, während das Reflexionsvermögen der Disk bei 780 nm durch eine Prüfvorrichtung für magnetooptische Aufzeichnungsdisks gemessen wurde.

Optimale Aufzeichnungsleistung und Bereich der Aufzeichnungsleistung

EFM-Signale wurden auf der Disk dadurch aufgezeichnet, daß die Disk mit einer CLV von 1,4 m/s gedreht, kontinuierliches Laserlicht mit einer Wellenlänge von 780 nm gerichtet und zur Magnetfeldmodulation ein Magnetfeld von 15,9 kA/m (200 Oe) angelegt wurde. Die Signalinstabilität (Jitter) des 3T-Signals wurden gemessen, während die Aufzeichnungsleistung variiert wurde. Die Minimal- und Maximalaufzeichnungsleistung Pmin und Pmax, bei denen die Signalinstabilität (Jitter) 40 nsec oder weniger erreicht, wurden bestimmt und die optimale Aufzeichnungsleistung Po = 1,4*Pmin und der Bereich der Aufzeichnungsleistung (Pmax-Pmin)/2 daraus berechnet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1: Erste dielektrische Schicht:
Wie aus Tabelle 1 entnommen werden kann, ist bei gleichem Reflexionsvermögen eine erste dielektrische Schicht mit einer kleineren Dicke als Tmin effektiv um eine geringere Po und einen vergrößerten Bereich im Vergleich zu einer ersten dielektrischen Schicht mit einer größeren Dicke als Tmin zu erzeugen.

Beispiel 2:

Die Experimente wurden gemäß Beispiel 1 aber unter Verwendung der SiNx-Schicht mit n = 2,0 und Tmin = 76 gemäß Beispiel 1 als erste dielektrische Schicht und die LaSiON-Schicht von Beispiel 1 oder eine SiNx-Schicht mit x = 1,30, n = 2,0, k &sim; 0 als zweite dielektrische Schicht und Festlegen der ersten und zweiten dielektrischen Schicht jeweils auf eine Dicke von 60 nm bzw. 20 nm vollzogen. Die Al-Ni- Reflexionsschicht war 60 nm dick. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2:
Es geht aus Tabelle 2 hervor, daß eine zweite dielektrische Schicht aus einem LaSiON-System effektiver ist.

Beispiel 3:

Eine Disk wurde gemäß Beispiel 1 unter Verwendung der ersten dielektrischen Schicht aus SiNx (x = 1,30, n = 2,0 Tmin = 76 nm) mit einer Dicke von 58 nm mit der Ausnahme hergestellt, daß die Aufzeichnungsschicht die Zusammensetzung Tb18,0Fe64,0Co10,0Cr8,0 mit einer Tc = 160ºC hatte. Eine weitere Disk wurde gemäß Beispiel 1 durch Bilden einer Aufzeichnungsschicht aus Tb19,0Fe65,0Co8,0Cr8,0 (Tc = 150ºC) gemäß Beispiel 1, einer ersten dielektrischen Schicht aus SiNx (x = 1,30, n = 2,0 Tmin = 76 nm) und einer zweiten dielektrischen Schicht aus SiNx (x = 1,30, n = 2,0) mit einer Dicke von 40 nm hergestellt. Beide Disks beinhalteten eine Al-Ni- Reflexionsschicht mit einer Dicke von 60 nm und einem Reflexionsvermögen von 20 %.
Die Disks wurden sowohl bei Raumtemperatur als auch bei 70ºC bezüglich ihrer Po und des Anstiegs der Signalinstabilität bei 70ºC gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3:
Aus Tabelle 3 ist zu entnehmen, daß die vorliegende Erfindung eine Aufzeichnungsschicht mit einer höheren Tc zuläßt, was zu besseren Temperatureigenschaften führt.
Während die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben wurden, um ihre Grundzüge zu erklären, wird der Fachmann verschiedene Möglichkeiten von Modifikationen und Änderungen (Ausgestaltungen) erkennen ohne den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung, wie er durch die folgenden Ansprüche festgelegt ist, zu verlassen.

Claims

1. Aufzeichnungsverfahren unter Verwendung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums, enthaltend eine erste dielektrische Schicht (4), eine Aufzeichnungsschicht (5), eine zweite dielektrische Schicht (6), eine Metallreflexionsschicht (7) und eine Schutzbeschichtung (8) auf einem Substrat (2) in der angegebenen Reihenfolge, worin das magnetooptische Aufzeichnen unter Verwendung eines Aufzeichnungslichtes mit einer Wellenlänge durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld moduliert wird und die erste dielektrische Schicht (4) dünner als die Dicke Tmin entsprechend dem primären minimalen Reflexionsvermögen in der Reflexionsvermögen-zu-Dicke-Kurve der ersten dielektrischen Schicht (4) gemessen bei dieser Wellenlänge ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste dielektrische Schicht (4) eine Dicke im Bereich von 30 nm bis 0,99 Tmin hat.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste dielektrische Schicht (4) einen Brechungsindex von 1,8 bis 3,0 hat.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste dielektrische Schicht (4) überwiegend aus Siliciumnitrid gebildet ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite dielektrische Schicht (6) einen Brechungsindex von 1,8 bis 3,0 und eine Dicke von bis zu 80 nm hat.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite dielektrische Schicht (6) überwiegend aus Siliciumnitrid gebildet ist.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite dielektrische Schicht (6) zumindest eines der Oxide der Seltenerdmetallelemente einschließlich Yttrium und Siliciumoxid und Siliciumnitrid enthält.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (5) ein Seltenerdmetallelement und Eisen enthält.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (5) weiter 5 bis 15 Atom-% Co und 2 bis 10-Atom-% Cr in einem Atomverhältnis Co/Cr von 1/2 bis 5/1 enthält.

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht (5) 10 bis 1000 nm dick ist.