DE69522846T2 - Verbesserte Speicheranordnung und Herstellungsverfahren - Google Patents

Verbesserte Speicheranordnung und Herstellungsverfahren

Info

Publication number
DE69522846T2
DE69522846T2 DE69522846T DE69522846T DE69522846T2 DE 69522846 T2 DE69522846 T2 DE 69522846T2 DE 69522846 T DE69522846 T DE 69522846T DE 69522846 T DE69522846 T DE 69522846T DE 69522846 T2 DE69522846 T2 DE 69522846T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
latch
address
block
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69522846T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69522846D1 (de
Inventor
Theodore W. Houston
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69522846D1 publication Critical patent/DE69522846D1/de
Publication of DE69522846T2 publication Critical patent/DE69522846T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/106Data output latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

    TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf das Gebiet elektronischer Systeme und insbesondere auf eine verbesserte Speichervorrichtung und auf ein Konstruktionsverfahren.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Speichervorrichtungen, einschließlich SRAM, DRAM und ROM, werden weitverbreitet in elektronischen Schaltungen verwendet, um Daten in Form von logischen Bits zu speichern, auf die unter Verwendung einer Speicheradresse zugegriffen werden kann. Im allgemeinen wird eine Speicheradresse für eine Speichervorrichtung bereitgestellt und die Speichervorrichtung führt einen Speicherzyklus aus, um Daten von einem der Speicheradresse zugeordneten Speicherplatz in der Speichervorrichtung bereitzustellen oder um Daten dort zu speichern.
  • Speichervorrichtungen werden gemäß verschiedenen Architekturen implementiert. Speichervorrichtungen können eine Speichermatrix umfassen, die eine große Anzahl von Speicherzellen enthält, wobei jede Speicherzelle auf einen von zwei Datenzuständen gesetzt werden kann, um ein Informationsbit zu speichern. Die Speicherzellen sind häufig in Reihen und Spalten angeordnet, weshalb jede Speicherzelle durch eine eindeutige Speicheradresse bezeichnet werden kann, die eine Reihenadresse und eine Spaltenadresse enthält. Im allgemeinen wählt eine Reihenadresse eine Wortleitung, die einen Zugriff auf jede Speicherzelle in dieser Reihe ermöglicht, zu zugehörigen Spalten- oder Bitleitungen aus, wobei die Bitleitungen paarweise vorhanden sein können, um Differenzsignale zu übertragen. Große Speicher können in Blöcke unterteilt sein, so daß die Reihenadresse eine globale Wortleitung auswählt, die in Abhängigkeit von der Blockadresse selektiv mit Blockwortleitungen verbunden ist. Die Blockadresse kann im allgemeinen Begriff der Spaltenadresse enthalten sein, da sie Teil der Adresse ist, die eine bestimmte Spalte auswählt.
  • Speichervorrichtungen arbeiten gewöhnlich in einem Lesemodus und in einem Schreibmodus, weswegen Speichervorrichtungen Speicherlesezyklen und Speicherschreibzyklen ausführen. In vielen Speichervorrichtungen wird während eines Speicherlesezyklus auf die Datenzustände jeder Speicherzelle in der durch die Reihenadresse spezifizierten Reihe zugegriffen. Diese Datenzustände werden dann gemäß der Spaltenadresse multiplexiert, um einen Ausgang zu schaffen, der die Datenzustände der Speicherzellen, die der Speicheradresse entsprechen, repräsentiert. Die Anzahl der Speicherzellen, für die der Datenzustand mit einem Zugriff ausgegeben wird, hängt von der Organisation des gegebenen Speichers ab. Typische Organisationsformen sind ·1, ·4 oder ·8. Der Ausgang einer Speichermatrix vor dem Multiplexieren repräsentiert alle oder eine Untergruppe der Speicherzellen, die der Reihenadresse entsprechen. Ein Speicherschreibzyklus arbeitet gewöhnlich in einer ähnlichen Weise wie ein Speicherlesezyklus, wobei der Datenzustand der Speicherzelle, die der Speicheradresse entspricht, gemäß dem Datenwert eingestellt wird, der an die Speichervorrichtung geliefert wird. Speichervorrichtungen können so aufgebaut sein, daß Lese- und Schreibzyklen von einer oder mehreren Speicherzellen lesen oder auf diese schreiben können.
  • In einigen Speichervorrichtungen wird die Adressenübergangserkennung verwendet, um Änderungen der Speicheradresse zu erfassen und um einen vollständigen Speicherzyklus lediglich dann auszulösen, wenn sich die Speicheradresse in ausreichendem Maße ändert. Ein Schwachleistungs- Zugriffsmodus kann implementiert werden, indem Änderungen der Reihenadresse von Änderungen der Spaltenadresse unterschieden werden und ein Speichermatrixzugriff lediglich dann ausgelöst wird, wenn sich die Reihenadresse ändert. Eine Implementierung eines solchen Schwachleistungs-Zugriffsmodus besteht darin, die Ausgänge der Speichermatrix, die die Datenzustände der Speicherzellen, die der Reihenadresse entsprechen, zwischenzuspeichern. Eine Änderung in der Speicheradresse, die lediglich eine Änderung in der Spaltenadresse enthält, kann dann behandelt werden, indem auf die zwischengespeicherten Datenzustände anstatt auf die Speichermatrix zugegriffen wird. Dieser Schwachleistungs-Zugriffsmodus spart Energie, indem er vermeidet, daß die Speichervorrichtung die Speichermatrix vorlädt und die vollständige Speicheradresse für Speicherlesezyklen, in denen sich die Reihenadresse nicht ändert, decodiert.
  • Obwohl das Zwischenspeichern der Daten in jeder Spalte diesen Schwachleistungs-Zugriffsmodus ermöglicht, kann es schwierig sein, einen Zwischenspeicher zu entwerfen, der sich in das Teilungsmaß einer Spalte einpaßt. Außerdem kann in großen Speichern das Multiplexieren der Daten von den Spalten zur Ausgabe in mehreren Stufen ausgeführt werden. Die Ansteuerung und Erfassung von Daten über die mehreren Stufen im Multiplexer verbraucht selbst in einem Schwachleistungs-Zugriffsmodus weiterhin Energie. Dies trifft insbesondere dann zu, wenn beim Multiplexieren zum Reduzieren der Zugriffszeit Differenzsignale verwendet werden.
  • Das Erfassen der Ausgänge der Speichermatrix verbraucht Leistung und kann in Speichervorrichtungen mit großen Speichermatrizen ein Problem des Leistungsverbrauchs verursachen. Das Erfassen der Ausgänge der Speichermatrix vor dem Multiplexieren der Ausgänge kann eine Ansteuerung der Spaltenleitungen und die Aktivierung der Leseverstärker über die gesamte Breite der Speichermatrix erforderlich machen. Zum Beispiel würde es bei einem 64 KBit-RAM mit 256 Reihen und 256 Spalten erforderlich sein, daß 256 Leseverstärker die Datenzustände von jeder Speicherzelle in einer Reihe lesen. Selbst in einem Speicheradressenzyklus, in dem sich die Reihenadresse nicht ändert, müssen 256 Spalten angesteuert und 256 Leseverstärker aktiviert werden, wodurch Leistung verbraucht wird. Wenn außerdem die Ausgänge der Speichermatrix als Differenzsignale implementiert sind und multiplexiert werden, müssen Leseverstärker mit jedem Eingang des Multiplexers Paare bilden, die zusätzlich Leistung verbrauchen. Die Ansteuerung dieser Vorrichtungen verursacht einen Leistungsverbrauch, selbst wenn sich während eines Schwachleistungs-Zugriffsmodus die Reihenadresse nicht ändert. Dieser Leistungsverbrauch stellt ein Problem dar, da es für eine Speichervorrichtung wünschenswert ist, daß sie so wenig Leistung wie möglich verbraucht.
  • EP-A-0 202 912 offenbart eine Halbleiter-Speichervorrichtung (DRAM) mit mehreren Speicherzellen, die in Reihen und Spalten angeordnet sind, wobei ein Multiplexer in Form eines Schieberegisters mit einer Stufe von Zwischenspeichern an jeder der Spalten der Speicherzellen an einen Ausgang der Speichervorrichtung gekoppelt ist und eine Folge von Datenbits durchschaltet.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es besteht deshalb ein Bedarf an einer verbesserten Speichervorrichtung, die einen geringen Leistungsverbrauch aufweist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Speichervorrichtung geschaffen, die die Nachteile und Probleme, die mit Speichervorrichtungen des Standes der Technik verbunden sind, im wesentlichen beseitigt bzw. vermindert.
  • Die Erfindung ist in den Ansprüchen 1 und 2 angegeben.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile kann durch Bezugnahme auf die folgende Beschreibung erlangt werden, die in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung erfolgt, in der gleiche Bezugszeichen gleiche Merkmale angeben und in der:
  • Fig. 1 einen Blockschaltplan einer Speichervorrichtung darstellt, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
  • Fig. 2a eine Ausführungsform einer Zwischenspeicherzelle darstellt, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
  • Fig. 2b einen Zeitablaufplan darstellt, der eine Ausführungsform der Funktionsweise der Steuersignale für die in Fig. 2a dargestellte Zwischenspeicherzelle zeigt;
  • Fig. 2c eine weitere Ausführungsform einer Zwischenspeicherzelle darstellt, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
  • Fig. 2d einen Zeitablaufplan darstellt, der eine Ausführungsform der Funktionsweise der Steuersignale für die in Fig. 2c dargestellte Zwischenspeicherzelle zeigt; und
  • Fig. 3 ein Computersystem darstellt, das eine Speichervorrichtung verwendet, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Fig. 1 stellt einen Blockschaltplan einer allgemein mit dem Bezugszeichen 10 angegebenen Speichervorrichtung gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung dar. Die Speichervorrichtung 10 umfaßt eine Speichermatrix, die allgemein mit dem Bezugszeichen 12 angegeben ist, einen Multiplexerblock, der allgemein mit dem Bezugszeichen 14 angegeben ist, einen Speichersteuerblock 16 und einen Ausgabeblock, der allgemein mit dem Bezugszeichen 18 angegeben ist. Eine Speicheradresse MEMORY ADDRESS, die eine Reihenadresse ROW ADDRESS und eine Spaltenadresse COLUMN ADDRESS enthält, wird an den Speichersteuerblock 16 und die Speichermatrix 12 geliefert, wie gezeigt ist.
  • Die Speichermatrix 12 umfaßt eine Speicherzellenmatrix 20. Die Speicherzellenmatrix 20 enthält mehrere in Reihen und Spalten angeordnete Speicherzellen. Die Speicherzellenmatrix 20 kann jede geeignete Anzahl von Speicherzellen enthalten, die zweckmäßig angeordnet sind. Eine Ausführungsform der Speichermatrix 12 umfaßt eine 64 KBit- Speicherzellenmatrix mit 256 Reihen und 256 Spalten von Speicherzellen. Eine Vorlade- und Taktgeberschaltung 22 ist mit der Speicherzellenmatrix 20 gekoppelt, wie gezeigt ist. Ein Reihendecodierer 24 und ein Spaltendecodierer 26 sind mit der Speicherzellenmatrix 20 gekoppelt, wie gezeigt ist. Die Speichermatrix 12 umfaßt mehrere Speichermatrixausgänge 28&sub1;, 28&sub2;, ...., 28n-1 und 28n. Diese n Speichermatrixausgänge repräsentieren die Datenzustände von n Speicherzellen in der Speicherzellenmatrix 20.
  • Der Multiplexerblock 14 umfaßt mehrere Zwischenspeicherblöcke, die in mehreren Stufen angeordnet sind, wie gezeigt ist. In einer Ausführungsform umfaßt jeder Zwischenspeicherblock einen Zwischenspeicher, der dem Ausgang dieses Zwischenspeicherblocks entspricht. Eine mögliche Ausführungsform der Erfindung umfaßt mehrere Leseverstärker und einen Zwischenspeicher, wie in Fig. 2a dargestellt ist. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfaßt jeder Zwischenspeicherblock im Multiplexerblock 14 mehrere Zwischenspeicherzellen, deren Anzahl gleich der Anzahl der Eingänge des Zwischenspeicherblocks ist. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt jede Zwischenspeicherzelle einen Zwischenspeicher und einen Leseverstärker, wie in Fig. 2c dargestellt ist.
  • Die Zwischenspeicherblöcke 30&sub1; bis 30&sub1; umfassen eine erste Stufe des Multiplexerblocks 14. Der Zwischenspeicherblock 30&sub1; ist mit den Speichermatrixausgängen 28&sub1; und 28&sub2; gekoppelt. Der Zwischenspeicherblock 30&sub1; ist mit den letzten beiden Speichermatrixausgängen 28n-1 und 28n gekoppelt. Wie gezeigt ist, umfaßt die erste Stufe von Zwischenspeicherblöcken eine Anzahl von Zwischenspeicherblöcken. Die Anzahl der Zwischenspeicherblöcke in der ersten Stufe kann jede geeignete Anzahl sein, die so gekoppelt sind, damit alle Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n empfangen werden.
  • Eine zweite Stufe der Zwischenspeicherblöcke umfaßt die Zwischenspeicherblöcke 32&sub1; bis 32j. Die Anzahl j der Zwischenspeicherblöcke in der zweiten Stufe hängt von der Anzahl der Eingänge in jeden der j Zwischenspeicherblöcke in der zweiten Stufe ab. In der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform empfängt jeder Zwischenspeicherblock zwei Ausgänge von der vorherigen Stufe. Deswegen ist die Anzahl j der Zwischenspeicherblöcke in der zweiten Stufe gleich der halben Anzahl i der Zwischenspeicherblöcke in der ersten Stufe. Der Multiplexerblock 14 kann eine beliebige Anzahl von Stufen aus Zwischenspeicherblöcken umfassen.
  • Der Multiplexerblock 14 umfaßt zwei letzte Stufen. Eine vorletzte Stufe umfaßt den Zwischenspeicherblock 34&sub1; und den Zwischenspeicherblock 34&sub2; und eine letzte Stufe umfaßt den Zwischenspeicherblock 36, die in der gezeigten Weise gekoppelt sind. Der Ausgang des Zwischenspeicherblocks 36 in der letzten Stufe des Multiplexerblocks 14 umfaßt den Multiplexerblockausgang 38.
  • In der Ausführungsform von Fig. 1 empfangen alle Zwischenspeicherblöcke im Multiplexerblock 14 zwei Eingänge und liefern einen Ausgang, wobei der Multiplexerblock 14 m Stufen umfaßt. In alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung empfangen die Zwischenspeicherblöcke jeweils drei oder mehr Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n der Speichermatrix 12. Es gibt keine Einschränkung, daß jeder der Zwischenspeicherblöcke die gleiche Anzahl von Eingängen besitzen müßte. Außerdem können zwischenspeichernde und nicht zwischenspeichernde Multiplexerelemente durcheinander angeordnet sein. Ferner bedeutet die sequentielle Numerierung der Eingänge nicht, daß die Eingänge von einer bestimmten Reihenfolge der Ausgänge von der vorherigen Stufe oder den Spalten der Speichermatrix 12 kommen.
  • Der Speichersteuerblock 16 liefert die Speichersteuersignale 40, 41 und 42 sowie die Multiplexersteuersignale 44. Das Speichersteuersignal 40 ist mit der Vorlade- und Taktgeberschaltung 22 gekoppelt. Das Speichersteuersignal 41 ist mit dem Reihendecodierer 24 und das Speichersteuersignal 42 ist mit dem Spaltendecodierer 26 gekoppelt. Die Multiplexersteuersignale 44 umfassen Multiplexersteuersignale für jede Stufe des Multiplexerblocks 14. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, umfassen die Multiplexersteuersignale 44 die Multiplexersteuersignale 44&sub1; bis 44m. Die Multiplexersteuersignale 44&sub1; sind mit den Zwischenspeicherblöcken 30&sub1; bis 30&sub1; in der ersten Stufe und die Multiplexersteuersignale 44&sub2; sind mit den Zwischenspeicherblöcken 32&sub1; bis 32i in der zweiten Stufe gekoppelt, wie gezeigt ist. Die Multiplexersteuersignale 44m-1 sind mit den Zwischenspeicherblöcken 34&sub1; bis 34&sub2; und die Multiplexersteuersignale 44m sind mit dem Zwischenspeicherblock 36 gekoppelt, wie gezeigt ist.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n Differenzsignale und die Ausgänge von jedem Zwischenspeicherblock im Multiplexerblock 14 sind Differenzsignale. Differenzsignale können für alle Zwischenspeicherblockausgänge oder für eine Untergruppe von diesen verwendet werden.
  • Der Ausgabeblock 18 umfaßt einen Eingabe/Ausgabepuffer 50. Der Eingabe/Ausgabepuffer 50 ist mit dem Multiplexerblockausgang 38 und mit einem Eingabedatenbit D gekoppelt. Der Eingabe/Ausgabepuffer 50 liefert ein Ausgabedatenbit Q. Alternativ können getrennte Eingabe- und Ausgabewege verwendet werden. Einige Speicher sind so organisiert, daß ein gemeinsamer Eingabe/Ausgabepin (I/O-Pin) für die Eingabe und Ausgabe von Daten verwendet wird. Bei diesen Speichern wird der Puffer als Eingabe/Ausgabepuffer (I/O- Puffer) bezeichnet. Bei anderen Speicherorganisationen werden für die Eingabe und Ausgabe von Daten getrennte Pins verwendet. In jedem Fall können wahlweise gemeinsame Busse für das Multiplexieren und für das Überragen von Daten von der Speichermatrix zum Puffer und umgekehrt verwendet werden. In jedem Fall wird im allgemeinen eine separate Schaltlogik verwendet, um die Busse für die Eingabedaten und für die Ausgabedaten anzusteuern. Die Lehren der vorliegenden Erfindung betreffen das Multiplexieren der Ausgabedaten und können unabhängig davon angewendet werden, ob gemeinsame I/O-Busse und/oder gemeinsame I/O-Puffer verwendet werden.
  • Die Speichervorrichtung 10 funktioniert so, daß sie einen Datenzustand einer Speicherzelle, die der Speicheradresse MEMORY ADDRESS entspricht, als Datenausgang Q liefert, und daß sie den Dateneingang D speichert, indem der Datenzustand einer Speicherzelle, die der Speicheradresse MEMORY ADDRESS entspricht, eingestellt wird.
  • Die Speichermatrix 12 funktioniert so, daß sie Datenzustände von Speicherzellen in einer Reihe der Speicherzellenmatrix 20, die der Reihenadresse ROW ADDRESS entspricht, liefert. Die Reihenadresse ROW ADDRESS und die Spaltenadresse COLUMN ADDRESS werden an den Reihendecodierer 24· und an den Spaltendecodierer 26 geliefert, wie gezeigt ist. Die Speichermatrix 12 liefert die Datenzustände der Speicherzellen in der Speicherzellenmatrix 20, die der Reihenadresse ROW ADDRESS und der Spaltenadresse COLUMN ADDRESS in Abhängigkeit von dem Reihendecodierer 24 und dem Spaltendecodierer 26 entsprechen. Die Speichermatrix 12 ist betreibbar, um alle Datenzustände oder eine Untergruppe der Datenzustände der Speicherzellen in der angegebenen Reihe der Speicherzellenmatrix 20 als Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n zu liefern. In der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liefert die Speichermatrix 12 n Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n.
  • Der Speichersteuerblock 16 wird so betrieben, daß er die Speichersteuersignale 40, 41 und 42 erzeugt. Der Speichersteuerblock 16 steuert die Vorlade- und Taktgeberschaltung 22 mit dem Speichersteuersignal 40. Der Speichersteuerblock 16 steuert den Reihendecodierer 24 und den Spaltendecodierer 26 mit den Speichersteuersignalen 41 bzw. 42. Der Speichersteuerblock 16 wird so betrieben, daß er die Multiplexersteuersignale 44 erzeugt, die die Multiplexersteuersignale 44&sub1; bis 44m umfassen. Der Speichersteuerblock 16 steuert mit den Multiplexersteuersignalen 44&sub1; bis 44m den Betrieb jeder Stufe im Multiplexerblock 14.
  • Der Multiplexerblock 14 wird so betrieben, daß er die Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n multiplexiert, um einen Multiplexerblockausgang 38 zu schaffen. Der Multiplexerblockausgang 38 repräsentiert den Datenzustand der Speicherzelle, die der Speicheradresse MEMORY ADDRESS entspricht, die an die Speichervorrichtung 10 geliefert wird. Wie oben erläutert wurde, kann der Multiplexerblock 14 mehrere Zwischenspeicherblöcke umfassen, die in mehreren Stufen angeordnet sind. Die Zwischenspeicherblöcke sind so beschaffen, daß die Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n multiplexiert werden, um den Multiplexerblockausgang 38 einzustellen. Einer der Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n repräsentiert den Datenzustand der Speicherzelle, die der Speicheradresse MEMORY ADDRESS entspricht. Der Multiplexerblock 14 wird betrieben, um den geeigneten Datenzustand auszuwählen und diesen Datenzustand als Multiplexerblockausgang 38 zu liefern.
  • Der Multiplexerblock 14 wird so betrieben, daß er Datenzustände von den mehreren Speichermatrixausgängen, die durch die Speichermatrix 12 geliefert werden, multiplexiert, um den Multiplexerblockausgang 38 einzustellen, der an den Ausgabeblock 18 geliefert wird. Die Anzahl der ausgegebenen Datenbits kann jede geeignete Anzahl sein und ist lediglich für Darstellungszwecke als ein Bit dargestellt. Eine Alternative ist eine Mehrbitausgabe mit parallelen Ausgabewegen.
  • Jeder Zwischenspeicherblock besitzt wenigstens einen Eingang und einen Ausgang. Die Anzahl der Eingänge bezieht sich auf den Grad der Multiplexierung, die durch eine gegebene Stufe ausgeführt wird. Wenn lediglich ein Eingang vorhanden ist, wirkt der Zwischenspeicherblock als Verstärker. In Fig. 1 besitzt jeder Zwischenspeicherblock zwei Eingänge, da in jeder Stufe eine Multiplexierung um einen Faktor zwei auszuführen ist. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Zwischenspeicherblock so betreibbar, daß er seinen Ausgang zwischenspeichert. Eine Ausführungsform ist in Fig. 2a dargestellt, wobei jeder Zwischenspeicherblock einen Zwischenspeicher und wenigstens einen Eingang umfaßt, wobei jedem Eingang ein Leseverstärker zugeordnet ist. In einer weiteren Ausführungsform ist der Zwischenspeicherblock so betreibbar, daß jeder Eingang zwischengespeichert wird. Eine Möglichkeit dieser Ausführungsform ist in Fig. 2c dargestellt, in der der Zwischenspeicherblock einen Leseverstärker und einen Zwischenspeicher umfaßt, die jedem Eingang zugeordnet sind. In jeder dieser Ausführungsformen ist der Zwischenspeicherblock so betreibbar, daß die Eingänge multiplexiert werden und ein Ausgang geliefert wird. Der Zwischenspeicherblock ist ferner so betreibbar, daß er eine Ausgabe von zwischengespeicherten Daten liefert.
  • Die Funktion des Multiplexerblocks 14 wird durch Multiplexersteuersignale 44 gesteuert, die durch den Speichersteuerblock 16 geliefert werden. Die Multiplexersteuersignale 44&sub1; bis 44m steuern die Funktion der Zwischenspeicherzellen in den Zwischenspeicherblöcken im Multiplexerblock 14. Eine Ausführungsform zum Steuern der Zwischenspeicherblöcke besteht darin, daß die Multiplexersteuersignale 44 so betrieben werden; daß die Zwischenspeicherblöcke in der Weise gesteuert werden, daß jede Zwischenspeicherzelle lediglich dann einen Datenzustand speichert, wenn die Eingabe in die Zwischenspeicherzelle der Spaltenadresse COLUMN ADDRESS 1 entspricht. In einer alternativen Ausführungsform werden die Multiplexersteuersignale 44 so betrieben, daß die Zwischenspeicherblöcke in der Weise gesteuert werden, daß jede Zwischenspeicherzelle immer den Datenzustand der Eingabe in die Zwischenspeicherzelle zwischenspeichert. Die Multiplexersteuersignale 44&sub1; bis 44m steuern den Ausgang jedes Zwischenspeicherblocks in der Multiplexerstufe 14 und das Zwischenspeichern der Datenzustände durch die Zwischenspeicherzellen.
  • Der Ausgabeblock 18 wird so betrieben, daß er den Datenausgang von der Speichervorrichtung 10 liefert und den Dateneingang in die Speichervorrichtung 10 empfängt. Der Eingabe/Ausgabepuffer 50 wird betrieben, um den Datenzustand des Multiplexerblockausgangs 38 zu erfassen und ein Ausgabedatenbit Q zu liefern, das den Datenzustand des Multiplexerblockausgangs 38 repräsentiert. Der Eingabe/Ausgabepuffer 50 wird außerdem betrieben, um den Datenzustand eines eingegebenen Datenbits D zu erfassen und diesen Datenzustand an den Zwischenspeicherblock 36 am Multiplexerblockausgang 38 zu liefern. Wie oben erwähnt wurde, können getrennte Eingabe- und Ausgabewege verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Multiplexerblock 14 außerdem betreibbar, um den Eingabe/Ausgabepuffer 50 mit der Speichermatrix 12 zu verbinden, wodurch ermöglicht wird, daß ein Dateneingangsbit als ein Datenzustand einer Speicherzelle in der Speicherzellenmatrix 20 gespeichert wird. Wenn der Betrieb in der Weise erfolgt, daß Daten gespeichert werden, anstatt daß Daten geliefert werden, steuert der Speichersteuerblock 16 die Zwischenspeicherblöcke im Multiplexerblock 14 in der Weise, daß ein geeigneter Ausgang der Speichermatrixausgänge 28&sub1; bis 28n auf den Datenzustand des Eingabedatenbits D gesetzt wird. In dieser Ausführungsform können die Eingabedaten außerdem in den dazwischenliegenden Multiplex-Zwischenspeichern zwischengespeichert werden und stehen für die folgende Ausgabe von diesen Zwischenspeichern zur Verfügung.
  • Ein technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist das Zwischenspeichern der Datenzustände im Multiplexerblock 14. Wenn eine Speichervorrichtung in einer integrierten Schaltung auf einem Halbleiterchip aufgebaut wird, kann der Raum beschränkt sein. Die Anzahl der Zwischenspeicherblöcke und die Anzahl der Stufen im Multiplexerblock 14 kann so entworfen werden, daß sie für den verfügbaren Raum geeignet sind. Einige herkömmliche Speichervorrichtungen besitzen an jeder Spalte einen Leseverstärker und einen Zwischenspeicher. Das kann beim Einpassen in das Teilungsmaß der Speichermatrix Schwierigkeiten bereiten. Gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung kann eine beliebige Anzahl von Spalten im ersten Zwischenspeicherblock multiplexiert werden. Diese anfängliche Multiplexierung vor dem ersten Zwischenspeicherblock kann in einer einzelnen Stufe oder in mehreren Stufen der Multiplexierung durchgeführt werden.
  • Bei einem Speicherzugriff wird intern gewöhnlich auf mehr Speicherzellen zugegriffen als Datenbits als Ausgänge bereitgestellt werden. Gemäß diesem technischen Vorteil der vorliegenden Erfindung wird wenigstens eine Untergruppe der Datenzustände der zusätzlichen Speicherzellen zwischengespeichert und anschließend wird auf sie mit weniger Leistung zugegriffen als bei der Speichermatrix erforderlich ist. Der Leistungsverbrauch ist vermindert, indem Vorrichtungen nicht aktiviert werden, die eingangsseitig von dem Zwischenspeicher liegen, der den adressierten Datenzustand speichert, wenn sich die eingangsseitige Adresse nicht ändert. Je weiter eingangsseitig Zwischenspeicher implementiert werden, desto breiter ist der Adressenbereich der zwischengespeicherten Daten. Je weiter ausgangsseitig sie implementiert werden, desto größer ist die Leistungseinsparung, wenn auf zwischengespeicherte Daten zugegriffen wird. Zwischenspeicher können in jeder Stufe der Multiplexierung implementiert werden, wodurch ermöglicht wird, daß Vorrichtungen bei Bedarf in unterschiedlichen Stufen aktiviert werden können.
  • Zwischenspeicher können auf gewünschten Ebenen der Multiplexierung implementiert werden. Zwischenspeicher können alternativ nur in der ersten Stufe der Multiplexierung, nur in der letzten Stufe der Multiplexierung oder in jeder ausgewählten Untergruppe der Stufen der Multiplexierung implementiert werden. Für Anwendungen von Speichervorrichtungen, bei denen Gruppen von Speicherzugriffen wahrscheinlich sind, bei denen die Adresse sequentiell geändert wird, wie etwa in einem System mit einem Cache-Speicher oder bei der Wiedergewinnung von Befehlsfolgen, ist die Wahrscheinlichkeit des Zugriffs auf Daten, die sich in einem Zwischenspeicher befinden, groß, wenn die Adressenfolge und die Multiplexierung so beschaffen sind, daß die in den Zwischenspeichern gespeicherten Informationen den sequentiellen Adressen entsprechen. Dies trifft auch dann zu, wenn lediglich wenige Zwischenspeicher vorhanden sind, wie etwa Zwischenspeicher, die nur in der letzten Stufe der Multiplexierung vorhanden sind.
  • Demzufolge besteht eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darin, daß die Adressen der Zwischenspeicher durch die niederwertigsten oder die am häufigsten geänderten Bits in der Speicheradresse definiert werden. Zum Beispiel könnte ein 64K-Speicher in 256 Zeilen und 256 Spalten angeordnet sein, wobei die Adressenbits a0 bis a7 die Spalte festlegen und die Adressenbits a8 bis a15 die Zeile festlegen. Ferner können die Spalten in drei Stufen multiplexiert werden, ausgehend von 256 Bits auf 32 Bits und auf 4 Bits und schließlich zum Ein-Bit- Ausgang. Wenn Zwischenspeicher in der 4 Bit-Stufe des Multiplexers eingesetzt werden und die Adressenbits a0 und a1 die Stelle unter diesen vier Bits festlegen, gibt es die größte Leistungseinsparung, wenn die Adressenbits a0 und a1 jene sind, die sich am häufigsten ändern. Wenn Zwischenspeicher lediglich in der 32 Bit-Stufe der Multiplexierung enthalten sind und die Adressenbits a0 bis a4 diese Stellen festlegen, gibt es Leistungseinsparungen, wenn sich die Adresse lediglich in aufeinanderfolgenden Zyklen in den Bits a0 bis a4 ändert. In diesem zweiten Fall werden die Leistungseinsparungen bei diesem Zyklus nicht so groß sein wie sie es wären, wenn der Zwischenspeicher wie im ersten Fall in der letzten Stufe der Multiplexierung vorhanden ist, der Schwachleistungsmodus überstreicht jedoch einen größeren Adressenraum. Es könnten Zwischenspeicher in beiden Stufen der Multiplexierung eingesetzt werden, um die Vorteile beider Fälle, einen Schwachleistungsmodus für einen breiteren Adressenraum und die geringste Leistung für ein Segment dieses Adressenraums, auf Kosten der Komplexität und der Fläche der Schaltlogik zu erzielen.
  • Wenn ein Speicher I/O-Pins gemäß der herkömmlichen Anordnung besitzt, besteht eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darin, daß der Adressenraum der Zwischenspeicher durch die niederwertigsten Bits definiert wird. Wenn der Speicher in einem System verwendet wird, wird in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung der Adressenraum der Zwischenspeicher durch die sich am häufigsten ändernden Adressenbits definiert, wobei die häufigste Änderung den Zwischenspeichern entspricht, die sich im Multiplexerblock am weitesten ausgangsseitig befinden.
  • Die vorliegende Erfindung lehrt eine Architektur der Speichervorrichtung mit Zwischenspeichern im Multiplexerblock 14, die den Leistungsverbrauch vermindert. Der Leistungsverbrauch wird unabhängig davon vermindert, ob Differenzsignale implementiert sind, obwohl die Leistungseinsparung größer ist, wenn Differenzsignale im Multiplexerblock 14 verwendet werden. Die Architektur der Speichervorrichtung der vorliegenden Erfindung ist bei allen Speichern vorteilhaft, sie ist jedoch besonders vorteilhaft für Speicher, die unter Verwendung von großen Speichermatrizen implementiert sind.
  • Ein technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Verwendung von Zwischenspeichern mit Differenzsignalen im Multiplexerblock 114. Die Verwendung von Differenzsignalen kann die Verzögerung bei der Ausbreitung eines Signals durch den Multiplexerblock insbesondere bei großen Speichern vermindern, indem die Notwendigkeit des vollständigen Einschwingens des Signals auf den Bussen eliminiert ist. Das verminderte Signaleinschwingen kann auch die Leistung vermindern, aber das Halten und Erfassen von Differenzsignalen verbraucht im allgemeinen eine bedeutende Energiemenge. Somit spart die Verwendung von Zwischenspeichern zur Verminderung der Häufigkeit von Ansteuerung und Erfassung von Differenzsignalen eine bedeutende Energiemenge.
  • Ein weiterer technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Zwischenspeicherung von Differenzsignalen ohne Ansteuerung der Differenzsignale von einem Versorgungspotential zum anderen. Die Verwendung von Zwischenspeichern kann mit der Verwendung von Differenzsignalen in Konflikt geraten, da Zwischenspeicher oftmals volle Signale verwenden. Die Zwischenspeicherzellen im Multiplexerblock 14 sind so aufgebaut, daß die Differenzsignale nicht von einem Versorgungspotential zum anderen angesteuert werden. Eine Ausführungsform einer Zwischenspeicherzelle ist in den Fig. 2a und 2b dargestellt. Die Zwischenspeicher in den Zwischenspeicherzellen werden von einem Versorgungspotential zum anderen angesteuert, die Differenzsignale werden jedoch lediglich mit einem differentiellen Einschwingen angesteuert.
  • Fig. 2a stellt eine Ausführungsform einer allgemein mit dem Bezugszeichen 60 angegebenen Zwischenspeicherzelle dar, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Die Zwischenspeicherzelle 60 umfaßt einen Leseverstärker 62 und einen Zwischenspeicher 73.
  • Der Leseverstärker 62 umfaßt einen n-Kanal-Feldeffekttransistor (N-FET) 63 und einen N-FET 64. Eine Gate des N-FET 63 ist mit einer Leitung 65 gekoppelt und ein Gate des N-FET 64 ist mit einer Leitung 66 gekoppelt. Ein Draün des N- FET 63 ist mit einer Leitung 67 gekoppelt und ein Drain des N-FET 64 ist mit einer Leitung 68 gekoppelt. Eine Source des N-FET 63 und eine Source des N- FET 64 sind mit einem Knoten NODE 1 gekoppelt. Der Leseverstärker 62 umfaßt ferner einen N-FET 70 und einen N-FET 72. Der N-FET 70 umfaßt eine Source, einen Drain, der mit dem Knoten NODE 1 gekoppelt ist, und ein Gate, das mit einem Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS gekoppelt ist. Der N-FET 72 umfaßt einen Drain, der mit der Source des N-FET 70 gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL gekoppelt ist, und eine Source, die mit Massepotential gekoppelt ist.
  • Der Zwischenspeicher 73 umfaßt einen p-Kanal-Feldeffekttransistor (P-FET) 74 und einen P-FET 76. Der P-FET 74 umfaßt eine Source, die mit der Leitung 68 gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem zweiten Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit einem Knoten NODE 2 gekoppelt ist. Der P-FET 76 umfaßt eine Source, die mit der Leitung 67 gekoppelt ist, ein Gate, das mit dem zweiten Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit einem Knoten NODE 3 gekoppelt ist. Der Zwischenspeicher 73 umfaßt außerdem einem P-FET 78, einen N-FET 80, einen P-FET 82 und einen N-FET 84. Der P-FET 78 umfaßt eine Source, die mit einer positiven Spannungsversorgung VDD gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem Knoten NODE 3 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit dem Knoten NODE 2 gekoppelt ist. Der N-FET 80 umfaßt einen Drain, der mit dem Knoten NODE 2 gekoppelt ist, ein Gate, das mit dem Knoten NODE 3 gekoppelt ist, und eine Source, die mit einem Knoten NODE 4 gekoppelt ist. Der P-FET 82 umfaßt eine Source, die mit der positiven Spannungsversorgung VDD gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem Knoten NODE 2 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit dem Knoten NODE 3 gekoppelt ist. Der N-FET 84 umfaßt einen Drain, der mit dem Knoten NODE 3 gekoppelt ist, ein Gate, das mit dem Knoten NODE 2 gekoppelt ist, und eine Source, die mit dem Knoten NODE 4 gekoppelt ist. Der Zwischenspeicher 73 umfaßt ferner einen N-FET 86. Der N-FET 86 umfaßt einen Drain, der mit dem Knoten NODE 4 gekoppelt ist, ein Gate, das mit einem ersten Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 gekoppelt ist, und eine Source, die mit Massepotential gekoppelt ist.
  • Die Zwischenspeicherzelle 60 umfaßt ferner einen P-FET 88 und einen P-FET 90. Der P-FET 88 umfaßt eine Source, die mit der Spannungsversorgung VDD gekoppelt ist, ein Gate, das mit der Leitung 68 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit der Leitung 68 gekoppelt ist. Der P-FET 90 umfaßt eine Source, die mit der Spannungsversorgung VDD gekoppelt ist, ein Gate, das mit der Leitung 67 gekoppelt ist, und einen Drain, der mit der Leitung 67 gekoppelt ist.
  • Ein Differenz-Eingangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL IN ist mit der Leitung 65 und mit der Leitung 66 gekoppelt und ein Differenz-Ausgangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT ist mit der Leitung 67 und mit der Leitung 68 gekoppelt.
  • Der Zwischenspeicher 60 wird betrieben, um das Differenz-Ausgangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT gemäß dem Datenzustand des Differenz- Eingangssignals DIFFERENTIAL SIGNAL IN anzusteuern oder um das Differenz-Ausgangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT gemäß dem Datenzustand anzusteuern, der durch den Zwischenspeicher 73 zwischengespeichert ist. Die Zwischenspeicherzelle 60 wird ansprechend auf das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS, das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL, das erste Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 und das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 betrieben. Der Leseverstärker 62 wird betrieben, um das Differenz-Ausgangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT so anzusteuern, daß es dem Datenzustand des Differenz-Eingangssignals DIFFERENTIAL SIGNAL 114 entspricht, wenn es aktiviert ist. Der Zwischenspeicher 73 wird betrieben, um den Datenzustand des Differenz-Ausgangssignals DIFFERENTIAL SIGNAL OUT zu erfassen, zwischenzuspeichern und anzusteuern, wenn es aktiviert ist.
  • Der Leseverstärker 62 wird aktiviert, wenn der N-FET 70 und der N-FET 72 durch das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS und das Leseverstärker- Steuersignal SA CONTROL eingeschaltet werden. Wenn der Leseverstärker 62 aktiviert ist, zieht er die Leitungen 67 und 68 auf ein Potential, das dem Differenzpotential auf den Leitungen 65 und 66 entspricht.
  • Der Zwischenspeicher 73 wird aktiviert, wenn der N-FET 86 durch das erste Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 eingeschaltet wird. Der Zwischenspeicher 73 ist mit den Leitungen 67 und 68 verbunden, wenn der P- FET 74 und der P-FET 76 durch das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 aktiviert sind. Wenn der Zwischenspeicher 73 aktiviert und mit den Leitungen 67 und 68 verbunden ist, erfaßt und speichert er den Datenzustand des Differenzsignals auf den Leitungen 67 und 68. Der Zwischenspeicher 73 wird betrieben, um einen Datenzustand zu bewahren, wenn er aktiviert und nicht mit den Leitungen 67 und 68 verbunden ist. Wenn der Zwischenspeicher 73 wieder mit den Leitungen 67 und 68 verbunden ist, wird er betrieben, um die Leitungen 67 und 68 gemäß dem im Zwischenspeicher 73 bewahrten Datenzustand anzusteuern. Der Zwischenspeicher 73 wird betrieben, um die Knoten NODE 1 und NODE 2 gemäß dem Datenzustand des Zwischenspeichers 73 auf die Versorgungspotentiale VDD und Massepotential zu steuern. Die Leitungen 67 und 68 werden jedoch nicht auf die Versorgungspotentiale gesteuert, wenn der Zwischenspeicher 73 infolge der Hochziehoperation des P-FET 88 und des P-FET 90 angeschaltet ist.
  • Bei der in Fig. 2a dargestellten Konfiguration ist auf einem Differenz- Ausgabebus ein Zwischenspeicher vorhanden, der einem oder mehreren Eingängen zu jedem Zwischenspeicherblock zugeordnet ist. Fig. 2a zeigt lediglich einen von mehreren möglichen Differenzeingängen und zugeordneten Leseverstärkern. Die Anzahl der Eingänge bestimmt den Grad der Multiplexierung in dieser Stufe. Bei einem Eingang würde diese wie eine Verstärkerstufe ohne Multiplexierung wirken. Das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS ist das Signal, das einen Eingang auswählt. Das Leseverstärker- Steuersignal SA CONTROL aktiviert die Ausbreitung des gewählten Eingangs. Das erste Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 steuert, ob der Zwischenspeicher zwischengespeichert wird oder nicht. Das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 steuert, ob der Zwischenspeicher mit dem Ausgabebus verbunden ist oder nicht. Variationen am Aufbau des Leseverstärkers und des Zwischenspeichers können verwendet werden. Zum Beispiel könnten die Signale SA ADDRESS und SA CONTROL durch eine UND-Schaltung verknüpft werden. Außerdem könnten Vorlade- und Ladungsausgleichsschaltungen beim Leseverstärker oder beim Zwischenspeicher mit zusätzlichen Steuersignalen für die Taktsteuerung von Vorladung/Ladungsausgleich hinzugefügt werden.
  • Bei der in Fig. 2a dargestellten Ausführungsform besitzt jeder Zwischenspeicherblock einen oder mehrere Leseverstärker 62, die dem Signal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT und dem Zwischenspeicher 73 zugeordnet sind. Wird diese in der Ausführungsform implementiert, die in Fig. 1 dargestellt ist, in der für jeden Zwischenspeicherblock zwei Eingänge vorhanden sind, sind in jedem Zwischenspeicherblock zwei Leseverstärker vorhanden. In einer Ausführungsform ist das Leseverstärkersignal SA ADDRESS für jeden Leseverstärker in einem Zwischenspeicherblock unterschiedlich, während das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL dasselbe ist. In einer weiteren Ausführungsform wird dieselbe Gruppe aus Leseverstärker-Adressensignalen und Leseverstärker-Steuersignalen parallel an eine Parallel-Konfiguration aus Zwischenspeicherblöcken, wie etwa die Zwischenspeicherblöcke 30&sub1; bis 30&sub1; in Fig. 1, angelegt, und eine andere Gruppe aus Leseverstärker-Adressensignalen und Leseverstärker-Steuersignalen wird an die anderen Gruppen von Zwischenspeicherblöcken angelegt. Bei dieser Ausführungsform werden dann, wenn eine Gruppe von i parallelen Zwischenspeicherblöcken aktiviert ist, i Datenbits zwischengespeichert, obwohl lediglich eine Untergruppe für die Ausgabe ausgewählt sein kann. Die zwischengespeicherten Daten stehen dann in folgenden Zugriffszyklen ohne Aktivierung der Leseverstärker in dieser Gruppe aus parallelen Zwischenspeicherblöcken zur Ausgabe zur Verfügung.
  • Die in Fig. 2a dargestellte Zwischenspeicherzelle 60 stellt eine Ausführungsform dar. Weitere Ausführungsformen von Zwischenspeicherzellen sind möglich, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung betrieben werden, um das Differenz-Ausgangssignal so zu steuern, daß es ansprechend auf Steuersignale dem Datenzustand entweder des zwischengespeicherten Werts oder des Differenz-Eingangssignals entspricht. Es gibt z.B. eine große Vielfalt von Leseverstärkern, die verwendet werden könnten. Wie auch oben erwähnt wurde, ist es möglich, den Leseverstärkern oder Zwischenspeichern eine Schaltlogik zur Vorladung oder Ladungsausgleich anzufügen.
  • Fig. 2b stellt einen Zeitablaufplan dar, der eine Ausführungsform der Funktionsweise der Steuersignale für die in Fig. 2a dargestellte Zwischenspeicherzelle 60 zeigt. Der Zeitablaufplan von Fig. 2b stellt ein Adressenbit An und ein Adressenbit Am dar. Fig. 2b stellt außerdem das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS, das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL, das erste Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 und das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 dar. Der Zeitablaufplan von Fig. 2b umfaßt drei Abschnitte, die in der gezeigten Weise mit 94, 96 und 98 bezeichnet sind.
  • Fig. 2b stellt eine Ausführungsform dar, bei der Steuersignale aus einer i Erfassung des Adressenübergangs erzeugt werden, die auf ausgewählte Abschnitte der Speicheradresse angewendet wird. Das Leseverstärker- Steuersignal SA CONTROL kann den Leseverstärker freigeben, wenn ein Übergang in der Adresse vorhanden ist, die Daten eingangsseitig vom Leseverstärker zugehörig ist. Das Leseverstärker-Steuersignal kann durch eine Schaltlogik zur Standarderfassung des Adressenübergang erzeugt werden, die auf eine Untergruppe der Adressenbits angewendet wird, oder durch eine andere Schaltlogik, wie etwa eine Schaltlogik zum Vergleichen einer neu eingegebenen Adresse mit einer gespeicherten Adresse. Wenn die Adressenbits so bezeichnet sind, daß höhere Adressenbits weiter eingangsseitig befindlichen Multiplexierungsverzweigungen zugehörig sind, einschließlich Reihenadressen, kann dies als ein Übergang beim Adressenbits An ausgedrückt werden, wobei n größer als i ist und i das höchste Bit ist, das diesem Verzweigungsausgang zugehörig ist. Die Signale LATCH CONTROL 1 und LATCH CONTROL 2 werden ebenfalls aus einem solchen Adressenübergang erzeugt, wobei die Taktgebung so erfolgt, daß die neuen Adressendaten zwischengespeichert werden.
  • Außerdem wird ein Impuls im Signal LATCH CONTROL 2 durch einen Übergang bei Adressenbits erzeugt, die der Auswahl der Multiplexierungsverzweigungen von dieser Verzweigung zum nächsten Zwischenspeicher oder zum Ausgang zugehörig sind, wenn ausgangsseitig kein Zwischenspeicher vorhanden ist. Wenn die Speichervorrichtung einem Prozessor zugeordnet ist, könnte der Prozessor die Steuersignale erzeugen. In diesem Fall könnten mehrere Zwischenspeicher dem Differenz-Ausgabebus zugeordnet sein und Daten von unterschiedlichen Zugriffszyklen könnten in verschiedenen Zwischenspeichern gespeichert sein.
  • Im Bereich 94 ist das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL auf Tiefpegel. Das erste und das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 und LATCH CONTROL 2 sind auf Hochpegel. Somit sind der Leseverstärker 62 und der Zwischenspeicher 73 nicht aktiviert.
  • Im Bereich 96 schaltet das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL auf Hochpegel. Dementsprechend wird der Leseverstärker 62 aktiviert und erfaßt das Eingangssignal, wenn das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS auf Hochpegel ist. Das erste und das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 1 und LATCH CONTROL 2 schalten nacheinander zum Hochpegel, wie gezeigt ist. Neue Daten werden durch den Zwischenspeicher 73 zwischengespeichert. Diese Impulse werden durch den Übergang von An vom Bereich 94 zum Bereich 96 erzeugt.
  • Im Bereich 98 schaltet das zweite Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 2 auf Tiefpegel und das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL ist auf Tiefpegel. Der Datenzustand, der durch den Zwischenspeicher 73 gehalten wird, wird an das Differenz-Ausgangssignal ausgegeben.
  • Es gibt verschiedene Arten der Erzeugung der Steuersignale für die Zwischenspeicherzelle 60. Sie können durch einen Prozessor, der auf Daten vom Speicher zugreift, erzeugt und an die Speichervorrichtung geliefert werden. Sie können durch die Speichervorrichtung als Antwort auf Taktsignale und Adressenfolgen erzeugt werden. Die Speichervorrichtung kann Adressen speichern, die sich auf Daten beziehen, die in den Zwischenspeichern gespeichert sind und eingegebene Adressen mit den gespeicherten Adressen vergleichen.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erzeugt die Speichervorrichtung die Steuersignale durch das Erfassen von Adressenbitübergängen in ausgewählten Untergruppen der Adresse. Das Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL kann auf der Grundlage eines Übergangs in den Adressenbits, der sich auf die Adresse eingangsseitig vom Zwischenspeicher bezieht, einschließlich die Reihenadressenbits, erzeugt werden. Das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS kann auf der Grundlage eines Übergangs in den Adressenbits, der sich auf die Adresse am Zwischenspeicher und ausgangsseitig vom Zwischenspeicher bezieht, erzeugt werden. Diese Steuersignale können getaktete Impulse sein, um Leistung zu sparen und um eine Zeitspanne für den Ladungsausgleich und die Vorladung zu ermöglichen. Wenn die Daten, auf die zugegriffen wird, in einem Zwischenspeicher zur Verfügung stehen, kann der Zugriff schneller erfolgen sowie weniger Energie verbrauchen als wenn der Zugriff auf die Speicherzellenmatrix erfolgen muß.
  • Es können Systeme so aufgebaut werden, daß sie aus diesem technischen Vorteil der vorliegenden Erfindung Nutzen ziehen, z.B. dann, wenn ein Cache- Speicher von einer Speichervorrichtung geladen wird, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Alternativ kann die Taktgebung des Leseverstärker-Adressensignals SA ADDRESS so verzögert sein, daß die Ausgabedaten vom vorherigen Zugriff in den aktuellen Zugriffszyklus hinein länger gültig sind. Die Taktgebung der Steuersignale SA ADDRESS und SA CONTROL kann so erfolgen, daß die Aktivierung der Erfassung, der Zwischenspeicherung und der Ausgabe für einen vollen Zyklus geeignet ist, unabhängig davon, ob ein vollständiger Zyklus aktiviert wurde oder nicht.
  • Fig. 2c stellt eine weitere Ausführungsform einer allgemein mit dem Bezugszeichen 60 angegebenen Zwischenspeicherzelle gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung dar. Die Konfiguration der Zwischenspeicherzelle 60 von Fig. 2c ist dieselbe wie die von Fig. 2a mit Ausnahme der Hinzufügung eines P- FET 100, eines P-FET 102 und eines dritten Zwischenspeicher-Steuersignals LATCH CONTROL 3. Die P-FET 100 und 102 umfassen Source-Elektroden, die mit den Differenz-Ausgabeleitungen 65 bzw. 66 verbunden sind, Gate- Elektroden, die mit dem dritten Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL 3 verbunden sind, und Drain-Elektroden, die mit den Knoten NODE 2 bzw. NODE 3 verbunden sind, wie gezeigt ist.
  • Die Zwischenspeicherzelle 60 kann mit ähnlich aufgebauten Zwischenspeicherzellen verbunden sein, um Zwischenspeicherblöcke zu bilden, die mehrere Zwischenspeicherzellen umfassen, indem die Leitungen 67 und 68 Differenz-Ausgangssignal DIFFERENTIAL SIGNAL OUT jeder Zwischenspeicherzelle verbunden werden. Somit verwenden die mehreren Zwischenspeicherzellen in einem Zwischenspeicherblock einen Differenz-Ausgangssignalbus gemeinsam mit jeder Zwischenspeicherzelle, die mit einem anderen Differenz-Ausgangssignal gekoppelt ist. Wenn sie in dieser Weise verbunden sind, können die P-FETs 88 und 90 von den Zwischenspeicherzellen im Zwischenspeicherblock gemeinsam genutzt werden. In einer Ausführungsform ist das Leseverstärker-Adressensignal SA ADDRESS für jede Zwischenspeicherzelle in einem Zwischenspeicherblock unterschiedlich, während des Leseverstärker-Steuersignal SA CONTROL dasselbe ist.
  • In der in Fig. 2c dargestellten Ausführungsform ist der Zwischenspeicher 73 einem einzelnen Eingang im Multiplexerzweig zugeordnet. Mehrere Eingaben in den Zweig können gleichzeitig zwischengespeichert werden, obwohl lediglich eine ausgegeben wird.
  • Wiederum könnten andere Leseverstärker oder Zwischenspeicherschaltungen eingesetzt werden, ebenso ist das Anfügen von Schaltlogik zum Vorladen und Ladungsausgleich möglich. Die Steuersignale sind denen von Fig. 2a ähnlich, mit der Ausnahme, daß das Signal LATCH CONTROL 2 die Verbindung der Zwischenspeichers 73 mit dem Eingang statt mit dem Ausgang steuert, und ein zusätzliches Steuersignal LATCH CONTROL 3 steuert die Verbindung mit dem Ausgang.
  • Fig. 2d stellt einen Zeitablaufplan dar, der eine Ausführungsform der Funktionsweise der Steuersignale für die in Fig. 2c dargestellte Zwischenspeicherzelle 60 zeigt. Fig. 2d stellt dieselben Steuersignale wie Fig. 2b dar sowie zusätzlich das dritte Zwischenspeicher-Steuersignal LATCH CONTROL SIGNAL 3. Fig. 2d stellt die Erzeugung dieser Steuersignale als Antwort auf Adressenbitübergänge für eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar.
  • Die Ausführungsform der in Fig. 2a dargestellten Zwischenspeicherzelle 60 ist etwas einfacher als die in Fig. 2c dargestellte Ausführungsform, sie ist jedoch auch etwas weniger effektiv bei der Verringerung der Aktivierung der Schaltungselemente, wenn auf Daten vom Zwischenspeicher zugegriffen wird und der Leistungsverbrauch vermindert wird. Es wird beispielsweise ein Multiplexer mit zwei Stufen betrachtet. Die Implementierung der Ausführungsform von Fig. 2a in der ersten der beiden Stufen ist etwa gleichwertig mit der Implementierung der Ausführungsform von Fig. 2c in der zweiten der beiden Stufen, da die gleiche Anzahl von Zwischenspeichern benötigt wird. Wenn jedoch auf Daten von einem Zwischenspeicher zugegriffen wird, würde die erste Implementierung die Aktivierung vom mehr Schaltlogik erfordern als dies die zweite Implementierung tun würde. Weitere Variationen und Kombinationen von Zwischenspeichern und Leseverstärkern sind gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung möglich.
  • Fig. 3 stellt einen Blockschaltplan eines allgemein mit dem Bezugszeichen 100 angegebenen Computersystems unter Verwendung einer gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebauten Speichervorrichtung dar. Das Computersystem 100 umfaßt einen Prozessor 102, der an eine Speichervorrichtung 104 gekoppelt ist. Der Prozessor 102 umfaßt einen Cache- Speicher 105. Die Speichervorrichtung 104 ist gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut und enthält einen Multiplexerblock mit einer Anordnung aus Zwischenspeicherblöcken. Ein Plattenspeicher 106, eine Tastatur 108 und eine Anzeige 110 sind in der gezeigten Weise an den Prozessor 102 gekoppelt. Der Prozessor 102 und die Speichervorrichtung 104 funktionieren so, daß der Prozessor 102 eine Speicheradresse zur Speichervorrichtung 104 senden kann und daß die Speichervorrichtung 104 entweder Daten vom Prozessor 102 speichern oder Daten an den Prozessor 102 zurücksenden kann. Der Prozessor 102 kann einen Cache-Speicher 105 enthalten, wie gezeigt ist. Der Plattenspeicher 106 wird so betrieben, daß er eine magnetische Speicherung für Daten schafft, die durch den Prozessor 102 geliefert werden. Der Plattenspeicher 106 wird außerdem 1 so betrieben, daß er Daten an den Prozessor 102 liefert. Die Tastatur 108 stellt einen Eingang zum Prozessor 102 dar und die Anzeige 110 zeigt Daten an, die durch den Prozessor 102 geliefert werden. Das Computersystem 100 könnte mehrere weitere Elemente umfassen, die herkömmlich in Computersystemen verwendet werden. Jedes Computersystem, das Speichervorrichtungen verwendet, kann aus der Verwendung einer Speichervorrichtung, die gemäß den Lehren der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, Nutzen ziehen. Ein großer Nutzen wird daraus abgeleitet, daß das System die Adressenbits so abbildet, daß es Folgen von Speicherzugriffen gibt, bei denen sich lediglich eine Untergruppe der Adressenbits ändern und daß dies derart erfolgt, daß diese Untergruppe von Adressenbits der Adresse der Zwischenspeicher im Multiplexer entspricht.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung ausführlich beschrieben wurde, sollte es selbstverständlich sein, daß verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Veränderungen daran ausgeführt werden können, ohne vom Umfang der Erfindung, der durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, abzuweichen.

Claims (2)

1. Speichervorrichtung mit einer Speichermatrix (20) mit mehreren in Reihen und Spalten angeordneten Speicherzellen und mit Speichermatrixausgängen (28), die mit jeder der Spalten gekoppelt sind, wobei die Speichervorrichtung enthält:
einen Speichervorrichtungs-Ausgangsblock (18) mit einem Eingang (38) und einem Ausgang (Q);
einen mehrstufigen Multiplexer (14) mit Eingängen, die mit den Speichermatrixausgängen (28) gekoppelt sind, und einen Ausgang, der mit dem Eingang des Speichervorrichtungs-Ausgangsblocks (18) gekoppelt ist und wenigstens zwei Stufen aufweist, wobei eine erste der wenigstens zwei Stufen wenigstens zwei Zwischenspeicherblöcke (30) aufweist, von denen jeder der Speicherung eines Datenzustandes einer der Speicherzellen dient; und
einen mit der Speichermatrix (20) und dem Multiplexerblock (14) gekoppelten Steuerblock (16), um aus einer Speicheradresse zu bestimmen, ob der Datenzustand einer ausgewählten Speicherzelle in einem Zwischenspeicher in einem Zwischenspeicherblock des Multiplexers gespeichert ist, und um mehrere Multiplexersteuersignale (44) dem Multiplexer (14) zuzuführen, damit der Datenzustand dem Eingang des Speichervorrichtungsausgangsblocks (18) zugeführt wird, ohne eine Leseoperation der Speichermatrix durchzuführen.
2. Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung mit einer Matrix (20) aus mehreren in Reihen und Spalten angeordneten Speicherzellen durch Anlegen eines Reihenadressensignals (40) an die Speichervorrichtung zum Auswählen einer Reihe in der Speicherzellenmatrix, Liefern von Signalen (28), die die Datenzustände wenigstens einer Untergruppe von Speicherzellen in der Reihe repräsentieren, als ein Speichermatrix-Ausgangssignal und Anlegen eines Spaltenadressensignals an die Speichervorrichtung zum Auswählen von Signalen, die eine ausgewählte Untergruppe der Speichermatrix-Ausgangssignale (28) repräsentieren, als ein Speichervorrichtungs-Ausgangssignal (38), und ferner mit den Schritten:
Multiplexieren der Speichermatrix-Ausgangssignale (28) in einem mehrstufigen Multiplexer (14) zur Lieferung der ausgewählten Untergruppe von Speichermatrix-Ausgangssignalen als das Speichervorrichtungs-Ausgangssignal (38);
Speichern von Daten, die eine nicht ausgewählte Untergruppe der Speichermatrix-Ausgangssignale (28) repräsentieren, in wenigstens einer Stufe des mehrstufigen Multiplexers (14); und
Lieferung von Ausgangssignalen, die Datenzustände der nicht ausgewählten Untergruppe der Speichermatrix-Ausgangssignale in der Reihe aus den gespeicherten Daten repräsentieren, als das Speichervorrichtungs-Ausgangssignal (38) ohne Durchführung einer Leseoperation der Speichermatrix.
DE69522846T 1994-03-28 1995-03-28 Verbesserte Speicheranordnung und Herstellungsverfahren Expired - Lifetime DE69522846T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/219,609 US5544101A (en) 1994-03-28 1994-03-28 Memory device having a latching multiplexer and a multiplexer block therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69522846D1 DE69522846D1 (de) 2001-10-31
DE69522846T2 true DE69522846T2 (de) 2002-04-11

Family

ID=22819983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69522846T Expired - Lifetime DE69522846T2 (de) 1994-03-28 1995-03-28 Verbesserte Speicheranordnung und Herstellungsverfahren

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5544101A (de)
EP (1) EP0675500B1 (de)
JP (1) JPH07312085A (de)
DE (1) DE69522846T2 (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250674A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Toshiba Microelectron Corp 半導体記憶装置
US5625302A (en) * 1996-02-08 1997-04-29 International Business Machines Corporation Address buffer for synchronous system
US6087858A (en) * 1998-06-24 2000-07-11 Cypress Semiconductor Corp. Self-timed sense amplifier evaluation scheme
US5978280A (en) * 1998-06-25 1999-11-02 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for reducing and/or eliminating small signal voltage swing sensitivity
US5986970A (en) * 1998-06-29 1999-11-16 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for writing to a memory
US6122203A (en) * 1998-06-29 2000-09-19 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for writing to and reading from a memory during a single cycle
US5946255A (en) * 1998-07-31 1999-08-31 Cypress Semiconductor Corp. Wordline synchronized reference voltage generator
US6067267A (en) * 1998-08-12 2000-05-23 Toshiba America Electronic Components, Inc. Four-way interleaved FIFO architecture with look ahead conditional decoder for PCI applications
US6848058B1 (en) * 1999-06-04 2005-01-25 Ati International Srl Power reduction circuit and method with multi clock branch control
US7343508B2 (en) 2004-03-05 2008-03-11 Ati Technologies Inc. Dynamic clock control circuit for graphics engine clock and memory clock and method
US7500123B2 (en) 2004-06-28 2009-03-03 Ati Technologies Ulc Apparatus and method for reducing power consumption in a graphics processing device
US7827424B2 (en) * 2004-07-29 2010-11-02 Ati Technologies Ulc Dynamic clock control circuit and method
US7379333B2 (en) * 2004-10-28 2008-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Page-buffer and non-volatile semiconductor memory including page buffer
US7800621B2 (en) * 2005-05-16 2010-09-21 Ati Technologies Inc. Apparatus and methods for control of a memory controller
KR100809699B1 (ko) * 2006-08-25 2008-03-07 삼성전자주식회사 디스플레이용 데이터 구동 장치, 데이터 출력 장치 및디스플레이용 데이터 구동 방법
KR100824779B1 (ko) * 2007-01-11 2008-04-24 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 경로 및 데이터 출력방법
US9348355B2 (en) 2009-08-24 2016-05-24 Ati Technologies Ulc Display link clocking method and apparatus
US9760333B2 (en) * 2009-08-24 2017-09-12 Ati Technologies Ulc Pixel clocking method and apparatus
US8269525B2 (en) * 2009-11-17 2012-09-18 Ati Technologies Ulc Logic cell having reduced spurious toggling
US8432727B2 (en) * 2010-04-29 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Invalid write prevention for STT-MRAM array
US8799685B2 (en) 2010-08-25 2014-08-05 Advanced Micro Devices, Inc. Circuits and methods for providing adjustable power consumption
US8964484B2 (en) * 2012-12-28 2015-02-24 Spansion Llc For test (DFT) read speed through transition detector in built-in self-test (BIST) sort

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4593390A (en) * 1984-08-09 1986-06-03 Honeywell, Inc. Pipeline multiplexer
US4685088A (en) * 1985-04-15 1987-08-04 International Business Machines Corporation High performance memory system utilizing pipelining techniques
JPS61265798A (ja) 1985-05-20 1986-11-25 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4932002A (en) * 1988-09-30 1990-06-05 Texas Instruments, Incorporated Bit line latch sense amp
US5214610A (en) * 1989-09-22 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Memory with selective address transition detection for cache operation
US5341488A (en) * 1990-04-11 1994-08-23 Nec Electronics, Inc. N-word read/write access achieving double bandwidth without increasing the width of external data I/O bus
JP2685357B2 (ja) * 1990-12-14 1997-12-03 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE69122860T2 (de) * 1991-07-06 1997-04-03 Ibm Multiplexer
EP0552667B1 (de) * 1992-01-22 1999-04-21 Enhanced Memory Systems, Inc. DRAM mit integrierten Registern
US5357146A (en) * 1992-12-31 1994-10-18 At&T Bell Laboratories Glitch-free clock multiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
EP0675500B1 (de) 2001-09-26
JPH07312085A (ja) 1995-11-28
US5544101A (en) 1996-08-06
EP0675500A1 (de) 1995-10-04
DE69522846D1 (de) 2001-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69522846T2 (de) Verbesserte Speicheranordnung und Herstellungsverfahren
DE3586523T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer seriellen dateneingangs- und ausgangsschaltung.
DE4222273C2 (de) Zweikanalspeicher und Verfahren zur Datenübertragung in einem solchen
DE3588042T2 (de) Dynamischer Halbleiterspeicher mit einer statischen Datenspeicherzelle.
DE69229118T2 (de) Generatorarchitektur für Einzeltor RAM mit Hochleistungsfähigkeit
DE69217761T2 (de) Lese- und Schreibschaltung für einen Speicher
DE69830962T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE69602946T2 (de) Pipelineadressiertes speichersystem und verfahren zu dessen betrieb
DE3834759C2 (de)
DE4236453C2 (de) Mehrkanal-Speichereinrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben
DE69621280T2 (de) Speichergerätschaltkreis und Verfahren zur gleichzeitigen Adressierung der Spalten einer Vielzahl von Banken einer Vielzahlbankspeicheranordnung
DE69325838T2 (de) Halbleiter-FIFO-Speicher
DE69724327T2 (de) Leistungsreduzierung während eines Blockschreibens
DE69837135T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE69322947T2 (de) DRAM mit variabler Wortleitungsauswahl
DE69322734T2 (de) Synchroner statischer Speicher mit wahlfreien Zugriff
DE3827287A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung
DE19951677B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE3742514C2 (de)
DE3909896A1 (de) Vorrichtung und verfahren fuer den zugriff zu in einem seitenspeicher gespeicherten daten
DE69030914T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
EP0393436B1 (de) Statischer Speicher mit Pipelineregistern
DE69838660T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
DE69222793T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE4108996C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition