DE69604103T2 - Temperaturstabile dielektrische keramische Zusammensetzung - Google Patents
Temperaturstabile dielektrische keramische ZusammensetzungInfo
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 11
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229940119177 germanium dioxide Drugs 0.000 claims abstract description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- JHAFEVXNMDQGTR-UHFFFAOYSA-L C(C(=O)[O-])(=O)[O-].[Ge+2] Chemical compound C(C(=O)[O-])(=O)[O-].[Ge+2] JHAFEVXNMDQGTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IHLDFUILQQSDCQ-UHFFFAOYSA-L C(C)(=O)[O-].[Ge+2].C(C)(=O)[O-] Chemical compound C(C)(=O)[O-].[Ge+2].C(C)(=O)[O-] IHLDFUILQQSDCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- JXJTWJYTKGINRZ-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraacetate Chemical compound [Si+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JXJTWJYTKGINRZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Description
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein temperaturbeständiges Dielektrikum und insbesondere eine bariumtitanathaltige dielektrische Mischung, das oder die dazu verwendet werden kann, mehrschichtige Keramikkondensatoren mit leitenden Innenelektroden aus Basismetallen, wie bspw. Nickel, herzustellen. Die auf diese Weise hergestellten Mehrschichtkondensatoren weisen einen Temperaturgang der Kapazität von weniger als ± 10% über den Bereich von -55ºC bis 125ºC im Vergleich zu dem Wert bei 25ºC auf. Die keramische Mikrostruktur der oben genannten Kondensatoren weist keine zweite Phase auf.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein temperaturbeständiges Dielektrikum und insbesondere eine dielektrische Mischung aus Bariumtitanat, das oder die dazu verwendet werden kann, mehrschichtige Keramikkondensatoren herzustellen, deren leitende Innenelektroden aus Edelmetallen, wie bspw. Palladium oder Palladium/Silber- Legierung, bestehen. Die so hergestellten Mehrschichtkondensatoren weisen einen Temperaturgang der Kapazität von weniger als ± 15% über den Bereich von -55ºC bis 125ºC auf. Die keramische Mikrostruktur der oben genannten Kondensatoren weist keine zweite Phase auf.
- Mehrschichtige Keramikkondensatoren sind in der Technik bekannt und werden seit vielen Jahren nach verschiede nen Verfahren gefertigt, die jeweils einander abwechselnde Schichten aus einer dielektrischen Keramikmischung und einem Metall in dem Bauteil ergeben. Das herkömmliche Herstellungsverfahren erfordert das gemeinsame Sintern der dielektrischen Mischung mit dem Metall, um diese Werkstoffe zu nutzbaren Bauelementen zu verbinden. Der gemeinsame Sinterprozess wird im Allgemeinen in einer Luftatmosphäre ausgeführt, und deshalb bestehen die Innenelektroden der Bauelemente generell aus einem Edelmetall wie bspw. Platin, Gold, Palladium oder aus Legierungen von diesen, um während des Sinterprozesses eine Oxidation zu vermeiden.
- Die hohen Kosten der aus einem Edelmetall bestehenden Innenelektroden haben jedoch zu der Entwicklung keramischer dielektrischer Werkstoffe geführt, aus denen Mehrschichtkondensatoren mit Basismetallelektroden hergestellt werden können (Y. Sakabe, Am. Ceram. Bull 66, 1338-341), wobei das Sintern der Struktur in einer Schutzgasatmosphäre oder einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt wird. Allerdings waren die entwickelten keramischen dielektrischen Werkstoffe nicht besonders stabil im Hinblick auf den Temperaturgang der Kapazität ΔC. Insbesondere wurden Komponenten, die eine Z5U-Charakteristik ΔC = +22% bis - 56% in Bezug auf Kapazitätswerte bei 25ºC über dem Temperaturbereich von +10ºC bis +85ºC oder eine Y5 V-Charakteristik ΔC = +22% bis -82% über dem Bereich von -30ºC bis +85ºC aufwiesen, mit Elektroden aus Nickel oder einer seiner Legierungen kommerziell gefertigt.
- Vor kurzem wurden verschiedene Wege zur Verbesserung der Temperaturbeständigkeit dielektrischer Keramikstoffe für Mehrschichtkondensatoren mit Innenelektroden aus Nickel wie folgt vorgeschlagen:
- Der "Japanese Journal of Applied Physics", 30, 2307- 2310 (1991) berichtete über die Eigenschaften von X7R mehrschichtigen Keramikkondensatoren mit Nickelelektroden. Die Bezeichnung X7R steht für ein ΔC = ±15% über dem Temperaturbereich von -55ºC bis +125ºC, so dass diese Komponenten weitaus temperaturbeständiger sind. Die maximale Schwankung von ΔC in diesem Temperaturbereich war -10% bei -55ºC mit einer Dielektrizitätskonstante = 3200 und einem Verlustfaktor = 1,7% bei 25ºC. "Ferroelektrics" 1992, Band 133, S. 133-138 berichtete über einen neuen Werkstoff, der in Mehrschichtkondensatoren eine Dielektrizitätskonstante = 3590 und einen Verlustfaktor = 1,6% hatte, ebenfalls mit X7R-Eigenschaft aber mit einer maximalen ΔC-Schwankung von -12,5% bei +125ºC. Das Japanische Patent Nr. 5-21287 beschreibt weitere Verbindungen, die die X7R-Eigenschaft erfüllen können.
- Alle Werkstoffe, die im Stand der Technik offenbart sind, verwenden Akzeptor-Dotierungsmittel und Glas aus SiO&sub2;, um die beim gemeinsamen Brennen zusammen mit Nickel erforderliche Beständigkeit gegen Reduktion zu erreichen und die X7R-Temperatureigenschaft zu erzielen. Jedoch hat die andauernde Nachfrage nach elektronischen Schaltanordnungen, die über weite Schwankungsbereiche der Temperatur beständig bleiben, zur Nachfrage nach in dieser Hinsicht stabileren Kondensatoren geführt.
- Es ist nun ein dielektrischer Werkstoff entwickelt worden, der zur Herstellung von Mehrschichtkondensatoren mit Innenelektroden aus Nickel verwendet werden kann, die einen Temperaturgang der Kapazität innerhalb der Grenzen der X7R-Charakteristik von 2% bis 10% über dem Bereich von 55ºC bis 125ºC aufweisen.
- Mehrschichtkondensatoren mit stabiler Temperaturcharakteristik werden an sich unter Verwendung dielektrischer Pulver hergestellt, die durch Hinzufügung einer kleinen Menge von Nb&sub2;O&sub5; zusammen mit anderen weniger bedeutenden Zutaten zu einem BaTiO&sub3; Pulver zubereitet werden. Es ist unter Fachleuten der Technik bekannt, dass allen Nb&sub2;O&sub5; enthaltenden Mischungen die Unzulänglichkeit anhaftet, dass die keramische Mikrostruktur nach dem Sintern eine titaniumreiche zweite Phase enthält. Das Auftreten der zweiten Phase ist sehr unerwünscht, wenn Mehrschichtkondensatoren hergestellt werden, bei denen die Dicke der dielektrischen Schicht zunehmend dünner wird.
- Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine temperaturbeständige dielektrische Mischung, die kein Nb&sub2;O&sub5; als Additiv beinhaltet. Die keramische Mikrostruktur ist deshalb nach dem Sintern frei von zweiter Phase.
- Fig. 1 ist eine mikroskopische Aufnahme einer Keramik aus einer BaTiO&sub3;-haltigen Mischung, die Nb&sub2;O&sub5; zusammen mit anderen Additiven enthält und die eine an Titanium reiche zweite Phase aufweist.
- Fig. 2 ist eine mikroskopische Aufnahme einer Keramik aus einer Mischung gemäß dem Beispiel 7, die das Fehlen der zweiten Phase in der erfindungsgemäßen Mischung veranschaulicht.
- Demgemäß liefert die vorliegende Erfindung eine dielektrische Keramikpulvermischung, die Bariumtitanat, Magnesiumoxid oder eine Vorläufersubstanz für dieses, Siliciumdioxid oder eine Vorläufersubstanz für dieses, Germaniumdioxid oder einer Vorläufersubstanz für dieses und optional Barium-, Calcium- oder Strontiumoxid oder -Karbonat oder eine Vorläufersubstanz dafür enthält, die jedoch überhaupt kein Nb&sub2;O&sub5; aufweist, wobei aus der Mischung mehrschichtige Keramikkondensatoren mit Innenelektroden aus Nickel oder Nickellegierung hergestellt werden können, die einen Temperaturgang der Kapazität von weniger als ±10% über dem Bereich von -55ºC bis +125ºC im Vergleich zu dem Kapazitätswert bei 25ºC aufweisen, oder aus der mehrschichtige Keramikkondensatoren mit Innenelektroden aus Edelmetall hergestellt werden können, die einen Temperaturgang der Kapazität von weniger als ± 15% über dem Bereich von -55ºC bis +125ºC im Vergleich zu dem Wert bei 25ºC aufweisen, und wobei die Mischung nach dem Sintern keine zweite Phase aufweist.
- Die dielektrische Keramikpulvermischung weist vorzugsweise eine dielektrische Keramikpulvermischung nach Anspruch 1 auf, die zwischen 0,01 und 2,00 Gewichtsprozent Magnesiumoxid oder einer Vorläufersubstanz für dieses, vorzugsweise 0,10 bis 1.00 Gewichtsprozent Magnesiumoxid, zwischen 1 und 6 Gewichtsprozent Barium-, Calcium- oder Strontiumoxid oder -Karbonat oder einer Vorläufersubstanz dafür, zwischen 0,01 und 5,00 Gewichtsprozent Siliciumdioxid oder einer Vorläufersubstanz für dieses, vorzugs weise 0,10 bis 1,00 Gewichtsprozent Siliciumdioxid, und zwischen 0,01 und 2,00 Gewichtsprozent Germaniumdioxid oder einer Vorläufersubstanz für dieses, vorzugsweise 0,50 bis 1,50 Gewichtsprozent Germaniumdioxid, enthält, wobei alle Prozentangaben auf das Gewicht des Bariumtitanatanteils bezogen sind.
- Geeignete Vorläufersubstanzen des Magnesiumoxids enthalten Magnesiumkarbonat, Magnesiumhydroxid und Magnesiumacetat. Geeignete Vorläufersubstanzen für das Germaniumdioxid enthalten Germaniumacetat, Germaniumoxalat oder Germaniumacetylacetonat. Wenn Germaniumdioxid verwendet wird, kann es in der amorphen oder kristallinen Form eingesetzt werden. Geeignete Vorläufersubstanzen des Siliciumdioxids enthalten Siliciumacetat und Siliciumalkoxide, wie bspw. Siliciumtetraethylat.
- Im allgemeinen wird Barium als Bariumoxid oder Bariumkarbonat zu der bariumtitanathaltigen Mischung hinzugefügt, um sicherzustellen, dass die Resistivität der Mischung innerhalb der gewünschten Grenzen liegt. Die Resistivität hängt von dem Verhältnis des Bariumanteils zum Titaniumanteil in der Mischung ab, das vorzugsweise größer als 1 : 1 sein sollte. Optionale Additive für die Mischung nach der vorliegenden Erfindung sind Akzeptormittel wie bspw. Mangandioxid, Cobaltoxid oder Zinkoxid, und diese können in einer Menge von bis zu 0,2 Gewichtsprozent enthalten sein. Ein Teil des Magnesiumoxids kann durch Nickeloxid oder Zinkoxid bis zu einer Menge von 0,5 Gewichtsprozent ersetzt werden. Darüber hinaus kann den Mischungen Aluminiumoxid oder Chromdioxid in einer Menge von 0,01 bis 0,1 Gewichtsprozent beigefügt werden. Es können auch Seltenerdoxide, wie bspw. Dysprosium, beigemengt werden, um das Dielektrikum reduktionsbeständig zu machen.
- Die in der vorliegenden Erfindung verwendete dielektrische Keramikpulvermischung weist vorzugsweise eine mittlere Teilchengröße im Bereich von 0,5 bis 1,5 um auf.
- Die vorliegende Erfindung schließt in ihren Geltungsbereich Bänder mit ein, die entsprechend herkömmlichen Bandgussverfahren aus einer Aufschlämmung der dielektrischen Keramikpulvermischung, wie oben definiert, gegossen sind. Vorzugsweise weisen diese Bänder vor dem Sintern eine Dicke von ungefähr 0,0040 cm auf.
- Die vorliegende Erfindung schließt außerdem in ihren Geltungsbereich einen Mehrschichtkondensator mit ein, der aus einer dielektrischen Keramikpulvermischung gemäß der obigen Beschreibung, insbesondere aus mehreren Bändern, wie oben erläutert, hergestellt ist.
- Die vorliegende Erfindung wird an Hand der folgenden, nicht beschränkenden Beispielen weiter beschrieben.
- Zu 643,4 g hochreinen Bariumtitanatpulvers (MBB TAM Ceramics Inc.) wurden 3,9 g Magnesiumoxid, 21,03 g Bariumkarbonat, 6,4 g Siliciumdioxid und 6,63 g Germaniumdioxid dazugegeben. Das Gemisch wurde in einer Kugelmühle 1 Stunde lang mit 5000g von mit Yttrium stabilisiertem Mahlmedium aus Zirkonium und mit 800 cm³ entionisierten Wassers gemahlen. Die sich ergebende Aufschlämmung wurde getrocknet und durch ein 425 um-Sieb (40er Sieb) gefiltert.
- 400 g des resultierenden Pulvers wurde mit 109,9 g Bindemittel Nr. 73210 und 96,0 g Bindemittel Nr. 73211 (beide geliefert durch MSI Ltd., USA) zusammen mit 1920 g yttriumstabilisierten Zirkoniummediums der Korngröße von 1,27 cm (0,5 Inch) in eine Kugelmühle geladen und für 16 Stunden gemahlen, um eine homogen verteilte Aufschlämmung zu erhalten.
- Die Aufschlämmung hatte eine Viskosität im Bereich von 1500 bis 3000 Zentipoise. Die Aufschlämmung wurde gefiltert und nach Standardverfahren zu einem Band gegossen, das eine Dicke von 0,0040 cm hatte. Das Band wurde dann mit Nickelfarbe, C40524R2, geliefert von Gwent Electronic Materials, Gwent, UK, bedruckt und laminiert, um unter Verwendung von in der Technik allgemein bekannten Verfahren 10 aktive dielektrische Schichten zu schaffen. Mehrere dieser Kondensatoren wurden dann entsprechend den in den folgenden Beispielen dargestellten Bedingungen gemeinsam gesintert.
- Gemäß Beispiel 1 vorbereitete Kondensatoren wurden bei 4ºC/min von der Umgebungstemperatur bis auf 450ºC für eine Stunde in der Luft aufgeheizt, um die organischen Bindemittel zu entfernen. Die Temperatur wurde dann bei 4ºC/Minute auf 1360ºC in einer Atmosphäre aus Stickstoff, Wasserstoff und Wasserdampf erhöht, so dass der Sauerstoffpartialdruck bei dieser Temperatur 101325 · 10&supmin;¹² Pa (10&supmin;¹² Atmosphären) betrug. Nach 2 Stunden Verweilzeit bei dieser Temperatur wurde der Ofen mit 4ºC/Minute bis auf 250ºC gekühlt, bevor Luft zugegeben wurde, und nach weite rer Abkühlung wurden die resultierenden Mehrschichtkondensatoren herausgenommen.
- Kondensatoren, die gemäß Beispiel 1 hergestellt wurden, wurden von der Umgebungstemperatur bei 4ºC/Minute auf 800ºC in einer feuchten Stickstoff-Atmosphäre aufgeheizt, um die organischen Bindemittel herauszulösen. Die Atmosphäre wurde dann 2u Stickstoff, Wasserstoff und Wasserdampf geändert, so dass der Sauerstoffpartialdruck bei dieser Temperatur 101325 · 10&supmin;¹² Pa (1012 Atmosphären) betrug. Nach 2 Stunden Verweilzeit bei dieser Temperatur wurde der Ofen mit 4ºC/Minute auf 250ºC gekühlt, bevor Luft zugegeben wurde, und nach weiterer Abkühlung wurden die resultierenden Mehrschichtkondensatoren entfernt.
- Die organischen Bindemittel wurden teilweise durch Beheizen bei 260ºC für 48 Stunden in Luft aus den Mehrschichtkondensatoren entfernt, bevor die in Beispiel 2 dargestellten Arbeitsgänge angewendet wurden.
- Die organischen Bindemittel wurden teilweise durch Beheizen bei 260ºC für 48 Stunden in Luft aus den Mehrschichtkondensatoren herausgelöst, bevor das Verfahren, wie in Beispiel 3 erläutert, durchlaufen wurde.
- Die organischen Bindemittel wurden teilweise durch Beheizen bei 260ºC für 48 Stunden in Luft aus den Mehrschichtkondensatoren entfernt. Danach wurden die Kondensatoren bei 4ºC/min von der Umgebungstemperatur bis auf 450ºC für 1 Stunde in Luft erwärmt, um die verbleibenden Bindemittelreste zu beseitigen. Es wurde eine Atmosphäre aus Kohlenmonoxid und Kohlendioxid eingeführt und die Temperatur bei 4ºC/min bis auf 1360ºC erhöht, so dass der Sauerstoffpartialdruck bei dieser Temperatur 101325 · 10&supmin;&sup8; Pa (10&supmin;&sup8; Atmosphären) betrug. Nach 2 Stunden Verweilzeit bei dieser Temperatur wurde der Ofen mit 4ºC/min auf 250ºC abgekühlt, bevor Luft zugegeben wurde, und nach einer weiteren Abkühlung wurden die Kondensatoren herausgenommen.
- Abschlusselektroden aus DuPont's Silber-Anstrichmittel Nr. 4822, das eine Mischung aus Silber und Glasfritte in einem Bindemittel ist, wurden an entgegengesetzten Enden des Mehrschichtkondensators angebracht, um abwechselnde Elektrodenschichten zu verbinden. Die Einheiten wurden dann auf ungefähr 810ºC in einer reduzierenden Atmosphäre aufgeheizt, um die elektrischen Kontakte herzustellen.
- Die Kapazität (C), der Verlustfaktor (DF) und der Temperaturgang der Kapazität (TC) in Abhängigkeit von der Kapazität bei 25ºC wurden dann mit einer Kapazitätsmessbrücke der Bauart HP4274A bei einer Frequenz von 1kHz über den Temperaturbereich von -55ºC bis +125ºC gemessen. Die Dielektrizitätskonstante (K) wurde anhand der Grundbeziehung berechnet:
- C = (KKoAn) - t
- worin Ko = Permittivität des freien Raums
- A = Flächeninhalt der Elektrodenüberlappung
- n = Anzahl aktiver dielektrischer Schichten
- t = dielektrische Dicke.
- Die Kennwerte der Mehrschichtkondensatoren sind in Tabelle 1 zusammengefasst. Tabelle 1
- Die Mikrostruktur wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop untersucht, und es gab keine zweite Phase.
- Mehrschichtige Keramikkondensatoren wurden in der gleichen Weise hergestellt, wie im Beispiel 1 beschrieben wurde, mit der Ausnahme, dass eine Legierung aus 70 Gewichtsprozent Palladium und 30 Gewichtsprozent Silber als Innenelektroden verwendet wurde. Die Mehrschichtkondensatoren wurden dann in Luft bei 1320ºC für 2 Stunden gesintert, nachdem ihre Bindemittel durch Beheizen bei 260ºC für 48 Stunden entfernt wurden.
- Die Kapazität (C), der Verlustfaktor (DF) und der Temperaturgang der Kapazität (TC) in Abhängigkeit von der Kapazität bei 25ºC wurden dann mit einer Kapazitätsmessbrücke der Bauart HP4274A bei einer Frequenz von 1kHz über den Temperaturbereich von -55ºC bis +125ºC gemessen. Die Dielektrizitätskonstante (K) wurde unter Verwendung der oben näher angegebenen Gleichung berechnet.
- Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 unten angegeben: Tabelle 2
- Die Mikrostruktur wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop untersucht, und es gab keine zweite Phase. Eine mikroskopische Aufnahme dieser Struktur ist in Fig. 2 gegeben.
Claims (9)
1. Dielektrische Keramikpulvermischung mit
Bariumtitanat, Magnesiumoxid oder einer Vorläufersubstanz für
dieses, mit Siliciumdioxid oder einer Vorläufersubstanz für
dieses, mit Germaniumdioxid oder einer Vorläufersubstanz
für dieses und optional mit Barium-, Calcium- oder
Strontiumoxid oder -Karbonat oder einer Vorläufersubstanz
dafür, jedoch ohne jegliches Nb&sub2;O&sub5;, wobei aus der Mischung
mehrschichtige Keramikkondensatoren mit Innenelektroden
aus Nickel oder Nickellegierung hergestellt werden können,
die einen Temperaturgang der Kapazität von weniger als ±
10% über den Bereich von - 55ºC bis + 125ºC im Vergleich
zu dem Kapazitätswert bei 25ºC aufweisen, oder aus der
mehrschichtige Keramikkondensatoren mit
Edelmetallinnenelektroden hergestellt werden können, die einen
Temperaturgang der Kapazität von weniger als ± 15% über den
Bereich von - 55ºC bis + 125ºC im Vergleich zu dem Wert bei
25ºC aufweisen, wobei die Mischung nach dem Sintern keine
zweite Phase aufweist.
2. Dielektrische Keramikpulvermischung nach Anspruch
1, mit 0,01 bis 2,00% Magnesiumoxid, mit 1 bis 6%
Bariumkarbonat, mit 0,01% bis 5% Siliciumdioxid und mit 0,01 bis
2% Germaniumdioxid, bezogen auf das Gewicht des
Bariumtitanatanteils.
3. Dielektrische Keramikpulvermischung nach Anspruch
1, mit einer durchschnittlichen Partikelgröße im Bereich
von 0,5 bis 1,5 um.
4. Band, das aus einer Aufschlämmung einer
dielektrischen Keramikpulvermischung nach Anspruch 1 gegossen ist.
5. Band nach Anspruch 4, mit einer Dicke von ungefähr
0,0040 cm vor dem Sintern.
6. Mehrschichtkondensator, hergestellt aus einer
dielektrische Keramikpulvermischung nach einem der Ansprüche
1 bis 3.
7. Mehrschichtkondensator, der aus mehreren Bändern
nach Anspruch 4 hergestellt ist.
8. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 6 oder 7, bei
dem die Innenelektroden aus Nickel oder Nickellegierung
sind.
9. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 6 oder 7, bei
dem die Innenelektroden aus Palladium oder Palladium-
Silber-Legierung sind.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB9504443.4A GB9504443D0 (en) | 1995-03-06 | 1995-03-06 | Temperature stable dielectric |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69604103D1 DE69604103D1 (de) | 1999-10-14 |
| DE69604103T2 true DE69604103T2 (de) | 2000-05-25 |
Family
ID=10770700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69604103T Expired - Fee Related DE69604103T2 (de) | 1995-03-06 | 1996-02-27 | Temperaturstabile dielektrische keramische Zusammensetzung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5858901A (de) |
| EP (1) | EP0731066B1 (de) |
| JP (1) | JPH08259321A (de) |
| KR (1) | KR960036179A (de) |
| AT (1) | ATE184268T1 (de) |
| DE (1) | DE69604103T2 (de) |
| GB (1) | GB9504443D0 (de) |
| TW (1) | TW316988B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018129299A1 (de) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zum Prüfen einer Zündkerze |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3487539B2 (ja) * | 1997-05-06 | 2004-01-19 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器 |
| TW434600B (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition, laminated ceramic capacitor, and method for producing the laminate ceramic capacitor |
| US6556422B2 (en) | 2000-07-05 | 2003-04-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, multi-layer ceramic capacitor using the same, and manufacturing method therefor |
| KR100514575B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2005-09-13 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| JP4552776B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置及び電子機器 |
| US7541306B2 (en) * | 2007-01-17 | 2009-06-02 | Ferro Corporation | X8R dielectric composition for use with nickel electrodes |
| US7521390B2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-04-21 | Ferro Corporation | Ultra low temperature fixed X7R and BX dielectric ceramic composition and method of making |
| JP5500368B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-05-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| CN118754610A (zh) * | 2024-06-28 | 2024-10-11 | 西京学院 | 一种低介低损耗的微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1542105A (fr) * | 1967-10-30 | 1968-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Compositions de céramiques semi-conductrices à coefficient de résistance positif en fonction de la température |
| JPS5545515B2 (de) * | 1973-05-09 | 1980-11-18 | ||
| US4309295A (en) * | 1980-02-08 | 1982-01-05 | U.S. Philips Corporation | Grain boundary barrier layer ceramic dielectrics and the method of manufacturing capacitors therefrom |
| US4870539A (en) * | 1989-01-17 | 1989-09-26 | International Business Machines Corporation | Doped titanate glass-ceramic for grain boundary barrier layer capacitors |
| USH987H (en) * | 1989-06-12 | 1991-11-05 | Temperature stable ceramic dielectric compositions |
-
1995
- 1995-03-06 GB GBGB9504443.4A patent/GB9504443D0/en active Pending
-
1996
- 1996-02-21 US US08/604,587 patent/US5858901A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-27 AT AT96301324T patent/ATE184268T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-02-27 DE DE69604103T patent/DE69604103T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-27 EP EP96301324A patent/EP0731066B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-01 JP JP8044613A patent/JPH08259321A/ja active Pending
- 1996-03-04 TW TW085102605A patent/TW316988B/zh active
- 1996-03-05 KR KR1019960005725A patent/KR960036179A/ko not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018129299A1 (de) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zum Prüfen einer Zündkerze |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69604103D1 (de) | 1999-10-14 |
| US5858901A (en) | 1999-01-12 |
| KR960036179A (ko) | 1996-10-28 |
| EP0731066A1 (de) | 1996-09-11 |
| JPH08259321A (ja) | 1996-10-08 |
| ATE184268T1 (de) | 1999-09-15 |
| GB9504443D0 (en) | 1995-04-26 |
| EP0731066B1 (de) | 1999-09-08 |
| TW316988B (de) | 1997-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |