DE69737237T2

DE69737237T2 - Verfahren zur trockenätzung

Info

Publication number: DE69737237T2
Application number: DE69737237T
Authority: DE
Inventors: Akira Tsukuba-shi SEKIYA; Toshiro Edogawa-ku YAMADA; Kuniaki Setagaya-ku GOTO; Tetsuya Takagaki
Original assignee: ELECTRONIC IND ASS OF JAPAN; ELECTRONIC INDUSTRIES ASSOCIATION OF JAPAN; Agency of Industrial Science and Technology; Zeon Corp; Mechanical Social Systems Foundation
Current assignee: ELECTRONIC IND ASS OF JAPAN; ELECTRONIC INDUSTRIES ASSOCIATION OF JAPAN; Zeon Corp; Mechanical Social Systems Foundation; National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 1996-10-30
Filing date: 1997-10-30
Publication date: 2007-05-24
Anticipated expiration: 2017-10-31
Also published as: KR100490968B1; DE69737237D1; EP0964438B1; KR20000052977A; TW403955B; EP0964438A1; WO1998019332A1; US6383403B1; EP0964438A4

Description

Technisches Gebiet
Diese Erfindung betrifft ein Trockenätzungsverfahren. Sie betrifft insbesondere ein Trockenätzungsverfahren, bei dem das Ätzen mit hoher Geschwindigkeit und mit guter Selektivität gegenüber einem dünnen Schutzfilm, wie einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial, durchgeführt werden kann.
Stand der Technik
In den letzten Jahren ist auf dem Gebiet der Elektronik ein rascher Fortschritt erzielt worden. Ein Grund hierfür liegt darin, dass extrem hoch integrierte Halbleitervorrichtungen in die Praxis eingeführt worden sind. Trockenätzungstechniken sind sehr wichtig, um ein feines Muster auf einem Silikonwafer zu bilden, um eine hohe Integration zu erzielen. Diese Technik befindet sich in einem konstanten Voranschreiten.
Bei der Trockenätzung sind zur Herstellung von fluorenthaltenden Wirkstoffen durch Plasmaentladung oder andere Mittel Gase von Verbindungen, die viele Fluoratome enthalten, bislang als Ätzgas eingesetzt worden. Als Beispiele für fluorenthaltende Ätzgase können hochfluorierte Verbindungen, wie Tetrafluorkohlenstoff, Schwefelhexafluorid, Stickstofftrifluorid, Kohlenstofftrifluormonobromid, Trifluormethan, Hexafluorethan und Octafluorpropan genannt werden.
Es sind internationale Anstrengungen zum Schutz der globalen Umwelt durchgeführt worden und insbesondere solche, die die globale Erwärmung verhindern oder minimieren, haben ein großes Interesse auf sich gezogen. Beispielsweise sind durch internationale Verträge IPCC (Intergovernmental Panel on Climate Change) Regeln zur Kontrolle der Gesamtmenge der Kohlendioxidemission erlassen worden. Im Hinblick auf diese Umstände ist es vom Gesichtspunkt der Verhinderung der globalen Erwärmung betont worden, dass ein zunehmendes Bedürfnis nach der Entwicklung von Alternativen zu den bislang verwendeten fluorierten Verbindungen besteht. Diese Verbindungen haben nämlich in der Luft eine lange Lebensdauer und sie bewirken eine globale Erwärmung. Speziell heißt es, dass Tetrafluorkohlenstoff, Hexafluorethan und Schwefelhexafluorid in Luft eine Lebensdauer von 50.000, 10.000 bzw. 3200 Jahren haben. Diese fluorierten Verbindungen zeigen eine große Absorptionsfähigkeit für Infrarotstrahlen und sie üben einen erheblichen Einfluss auf die globale Erwärmung aus. Es wird daher stark angestrebt, ein Ätzungsverfahren zu entwickeln, bei dem ein neues Ätzgas verwendet wird, das keinen Temperaturanstieg des Globus bewirkt. Es soll auch Ätzungseigenschaften haben, die mit denjenigen der bislang eingesetzten Ätzgase vergleichbar sind.
Es sind schon verschiedene Vorschläge gemacht worden, um die Selektivität gegenüber einem dünnen Schutzfilm, wie einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial, bei einem Trockenätzungsverfahren zu erhöhen. Beispielsweise ist in der ungeprüften japanischen Patentpublikation Nr. H4-170026 schon ein Vorschlag dahingehend gemacht worden, dass eine Siliciumverbindung unter Verwendung eines Gases, enthaltend einen ungesättigten Fluorkohlenstoff, wie Perfluorpropen oder Perfluorbuten, geätzt wird, während die Temperatur des zu ätzenden Substrats auf eine Temperatur von nicht höher als 50°C eingestellt wird. Ein weiterer Vorschlag wurde in der ungeprüften japanischen Patentpublikation Nr. H4-258117 gemacht, demzufolge das Ätzen in einer ähnlichen Weise wie gemäß dem obigen Vorschlag und unter Verwendung eines Gases, enthaltend einen cyclischen gesättigten oder einen cyclischen ungesättigten Fluorkoh lenstoff, wie Perfluorcyclopropan, Perfluorcyclobutan, Perfluorcyclobuten oder Perfluorcyclopenten, bewirkt wird, wobei die Temperatur des zu ätzenden Substrats auf eine Temperatur von nicht höher als 50°C eingestellt wird.
Bei den in den obigen Patentpublikationen vorgeschlagenen Trockenätzungsverfahren ist jedoch die Geschwindigkeit des Ätzvorgangs und die Selektivität gegenüber einem dünnen Schutzfilm, wie einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial, nicht in einem zufrieden stellenden Ausmaß hoch und Probleme treten dahingehend auf, dass in unerwünschter Weise auf der Oberfläche des Wafers ein Polymerfilm durch Abscheidung gebildet wird.
Offenbarung der Erfindung
Im Hinblick auf die vorstehenden herkömmlichen Techniken ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Trockenätzungsverfahren zur Verfügung zu stellen, bei dem das Ätzen mit hoher Selektivität gegenüber einem dünnen Schutzfilm, wie einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial, mit hoher Ätzgeschwindigkeit ohne Bildung eines Polymerfilms durch Abscheidung durchgeführt wird und somit gute Ätzungsergebnisse erhalten werden.
Die Erfinder haben fortgeführte Untersuchungen hinsichtlich des Trockenätzens einer Siliciumverbindung unter Verwendung von Trockenätzungsgasen, enthaltend Perfluorcycloolefine, durchgeführt und sie haben gefunden, dass dann, wenn das Trockenätzen unter Verwendung eines Trockenätzungsgases, enthaltend Octafluorcyclopenten, durchgeführt wird, während ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte von mindestens 10¹⁰/cm³ bei einer erreichten Temperatur des Substrats im Bereich von 60°C bis 250°C ohne Kontrolle der erreichten Temperatur des Substrats und bei einem Druck des Gases im Bereich von 1333 Pa (10 Torr) bis 133, 3·10^-5 Pa (10^-5 Torr) erzeugt wird, eine zufrieden stellende Ät zung mit hoher Ätzgeschwindigkeit bei einer hohen Selektivität gegenüber dem Photoresist und mit hoher Selektivität gegenüber dem Polysilikonmaterial und ohne Abscheidung eines Polymerfilms erzielt werden kann.
Gemäß der Erfindung wird ein Trockenätzungsverfahren zur Verfügung gestellt, das dadurch charakterisiert ist, dass ein zu ätzendes Substrat einem Trockenätzen unter Verwendung eines Trockenätzungsgases, enthaltend Octafluorcyclopenten, unterworfen wird, wobei ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte von mindestens 10¹⁰/cm³ bei einer erreichten Temperatur des Substrats im Bereich von 60°C bis 250°C ohne Kontrolle der erreichten Temperatur des Substrats und bei einem Druck des Gases im Bereich von 1333 Pa (10 Torr) bis 133,3·10^-5 Pa (10^-5 Torr) erzeugt wird.
Beste Art und Weise der Durchführung der Erfindung
Das erfindungsgemäß verwendete Trockenätzungsgas bzw. das erfindungsgemäß verwendete trockene Ätzungsgas ist dadurch charakterisiert, dass es Octafluorcyclopenten umfasst.
Gewünschtenfalls kann ein Fluorkohlenstoff, ausgewählt aus anderen Perfluorcycloolefinen als Octafluorcyclopenten und geradkettigen ungesättigten Perfluorkohlenwasserstoffen und Perfluoralkanen und Perfluorcycloalkanen, in Kombination mit Octafluorcyclopenten verwendet werden. Jedoch kann, wenn diese optionalen Perfluorkohlenstoffe in großer Menge verwendet werden, die Aufgabe der vorliegenden Erfindung nicht gelöst werden. Daher ist die Menge dieser Perfluorkohlenstoffe gewöhnlich nicht größer als 30 Gew.-%, vorzugsweise nicht größer als 20 Gew.-% und mehr bevorzugt nicht größer als 10 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Menge der Fluorkohlenstoffe.
Die Fluorkohlenwasserstoffe können auch in Kombination mit dem oben genannten Octafluorcyclopenten als Ätzgas eingesetzt werden.
Die verwendeten Fluorkohlenwasserstoffgase sind keinen besonderen Begrenzungen unterworfen, mit der Maßgabe, dass sie flüchtig sind. Gewöhnlich werden die verwendeten Fluorkohlenwasserstoffe aus geradkettigen oder verzweigtkettigen oder cyclischen gesättigten Kohlenwasserstoffen ausgewählt, bei denen mindestens die Hälfte der Wasserstoffatome durch Fluoratome substituiert worden ist. Als spezielle Beispiele für die gesättigten Fluorkohlenwasserstoffgase können Trifluormethan, Pentafluorethan, Tetrafluorethan, Heptafluorpropan, Hexafluorpropan, Pentafluorpropan, Nonafluorbutan, Octafluorbutan, Heptafluorbutan, Hexafluorbutan, Undecafluorpentan, Decafluorpentan, Nonafluorpentan, Octafluorpentan, Tridecafluorhexan, Dodecafluorhexan, Undecafluorhexan, Heptafluorcyclobutan, Hexafluorcyclobutan, Nonafluorcyclopentan, Octafluorcyclopentan und Heptafluorcyclopentan genannt werden. Von diesen werden Trifluormethan, Pentafluorethan und Tetrafluorethan bevorzugt. Die Fluorkohlenwasserstoffgase können entweder allein oder als Kombination von mindestens zwei davon zum Einsatz kommen.
Die Menge des Fluorkohlenwasserstoffgases, das in Kombination mit dem Octafluorcyclopenten eingesetzt wird, variiert in Abhängigkeit von dem jeweiligen Grad des Einflusses des Fluorkohlenwasserstoffgases auf das zu ätzende Material. Die Menge ist aber gewöhnlich nicht größer als 50 Mol-% und vorzugsweise nicht größer als 30 Mol-%, bezogen auf das Octafluorcyclopenten.
Entsprechend den Notwendigkeiten können verschiedene Gase, die allgemein zum Trockenätzen eingesetzt werden, dem erfindungsgemäß verwendeten Trockenätzungsverfahren zugesetzt werden. Solche zugesetzten Gase schließen z.B. Sau erstoffgas, Stickstoffgas, Argongas, Wasserstoffgas, Chlorgas, Kohlenmonoxidgas, Kohlendioxidgas, Stickstoffoxidgas und Schwefeloxidgas ein. Von diesen sind Sauerstoffgas und Kohlendioxidgas zu bevorzugen. Sauerstoffgas ist am meisten zu bevorzugen. Diese Gase können entweder allein oder als Kombination von mindestens zwei davon zum Einsatz kommen.
Die Menge des gegebenenfalls zugesetzten Gases variiert in Abhängigkeit von dem jeweiligen Grad des Einflusses des Gases auf das zu ätzende Material, beträgt jedoch üblicherweise nicht mehr als 40 Gew.-Teile und liegt vorzugsweise im Bereich von 3 bis 25 Gew.-Teilen, bezogen auf 100 Gew.-Teile des Trockenätzungsgases, das Octafluorcyclopenten enthält.
Das zu ätzende Substrat hat eine Struktur derart, dass eine dünne Filmschicht eines zu ätzenden Materials auf einem Substrat in Folienform bzw. Blättchenform, wie einer Glasfolie bzw. einem Glasblättchen, einem Siliciummonokristallwafer oder einem Galliumarsensubstrat, gebildet worden ist. Als spezielle Beispiele für das zu ätzende Material können Siliciumoxid, Siliciumnitrid, Aluminium, Wolfram, Molybdän, Tantal, Titan, Chrom, Chromoxid und Gold genannt werden. Als bevorzugtes Beispiel für das zu ätzende Substrat kann ein Silikonwafer genannt werden, der darauf gebildet einen dünnen Film aus Siliciumoxid oder einen dünnen Aluminiumfilm aufweist. Im Falle, dass ein dünner Film von Siliciumoxid geätzt wird, hat der dünne Siliciumoxidfilm vorzugsweise einen dünnen Schutzfilm, bestehend aus einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial.
Beim erfindungsgemäßen Trockenätzungsverfahren wird ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte von mindestens 10¹⁰/cm³ zum Ätzen erzeugt. Vorzugsweise wird ein Plasma mit einer hohen Dichte im Bereich von 10¹⁰/cm³ bis 10¹²/cm³ erzeugt, um eine hohe Ätzleistung zu erhalten und um ein feines Muster zu bilden. Wenn die Plasmadichte zu niedrig ist, dann kann die hohe Geschwindigkeit des Ätzens sowie die hohe Selektivität gegenüber dem Photoresist und dem Polysilikonmaterial, die erfindungsgemäß angestrebt wird, nicht erreicht werden. Weiterhin kann es sein, dass eine unerwünschte Bildung eines Polymerfilms durch Abscheidung erfolgt.
Bei den herkömmlichen Trockenätzungsverfahren, bei denen ein reaktives Ionenätzsystem, beispielsweise ein solches vom parallelen Flachplatten-Typ oder vom Magnetron-Typ verwendet wird, ist es schwierig oder sogar unmöglich, ein Plasma zu erzeugen, das den oben genannten Bereich mit hoher Dichte aufweist. Vorzugsweise wird ein System vom Helikon-Wellen-Typ und vom Hochfrequenz-Induktions-Typ eingesetzt, um ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte zu erzeugen.
Bei dem erfindungsgemäßen Trockenätzungsverfahren ist der Druck des oben genannten Trockenätzungsgases, umfassend ein Perfluorcyclopenten und gegebenenfalls weitere Gase, keinen besonderen Beschränkungen unterworfen und im Allgemeinen wird das Ätzungsgas in die Ätzungsvorrichtung in einem solchen Ausmaß eingeführt, dass der Innendruck der Vakuumätzungsvorrichtung einen Wert im Bereich von etwa 1333 Pa (10 Torr) bis 133,3·10^-5 Pa (10^-5 Torr) und vorzugsweise 133, 3·10^-2 Pa (10^-2 Torr) bis 133, 3·10^-3 Pa (10^-3 Torr) erreicht.
Die Temperatur, die das zu ätzende Substrat erreicht liegt im Bereich von 60°C bis 250°C und vorzugsweise 80°C bis 200°C.
Es wird bevorzugt, dass das Ätzen ohne eine wesentliche Kontrolle der erreichten Temperatur des zu ätzenden Substrats durchgeführt wird. Unter der hierin verwendeten Floskel „ohne wesentliche Kontrolle der erreichten Tempe ratur" soll verstanden werden, dass die Ätzung unter solchen Bedingungen durchgeführt wird, dass das Substrat bei einer Temperatur gehalten wird, die in den Bereich von ± 30% der Temperatur, die das Substrat erreicht, wenn überhaupt keine Temperaturkontrolle durchgeführt wird, vorzugsweise von ± 20% der genannten Temperatur und mehr bevorzugt innerhalb ± 10% der genannten Temperatur fällt. Daher wird keine Verfahrensweise für die absichtliche und rasche Abkühlung des Substrats, das aufgrund der beim Ätzen erzeugten Wärme erhitzt worden ist, durchgeführt, jedoch kann bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung eine Verfahrensweise angewendet werden, bei der die Abkühlungsgeschwindigkeit so kontrolliert wird, dass das Substrat langsam abkühlt. Die Temperatur des Substrats wird üblicherweise im Bereich von 60 bis etwa 250°C und vorzugsweise 80 bis 200°C gehalten, wenn das Ätzen ohne wesentliche Kontrolle der erreichten Temperatur durchgeführt wird. Bei solchen Temperaturbedingungen kann eine hohe Geschwindigkeit des Ätzens erreicht werden, während eine hohe Selektivität gegenüber dem Polysilikonmaterial und dem Photoresist aufrechterhalten werden kann. Weiterhin kann bei diesen moderaten Temperaturbedingungen eine unerwünschte Abscheidung des Polymeren, die aufgrund der Polymerisation eines Perfluorcyclopentens auftritt, vermieden werden.
Die Zeit für die Ätzungsbehandlung liegt in einem Bereich von etwa 10 Sekunden bis etwa 10 Minuten. Jedoch kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine hohe Geschwindigkeit des Ätzens bewirkt werden, so dass im Hinblick auf die Produktivität vorzugsweise die Ätzzeit im Bereich von 10 Sekunden bis 3 Minuten liegt.
Die Erfindung wird genauer anhand der folgenden Beispiele beschrieben, jedoch sollen diese Beispiele den Rahmen der Erfindung nicht einschränken.
Beispiele 1 bis 9
Drei Arten von Silikonwafern, jeweils mit einem Durchmesser von 150 mm, auf deren Oberfläche ein dünner Film von Siliciumoxid (SiO₂), ein dünner Film eines Photoresists (PR) oder ein dünner Film eines Polysilikonmaterials (Poly-Si) gebildet worden war, wurden in ein Plasmaätzgerät vom Helikon-Wellen-Typ (Typ „I-4100SH", hergestellt von der Firma Anelva Corp.) eingesetzt. Das Innere des Ätzgeräts wurde unter Vakuum gesetzt und dann wurde das Ätzungsgas, das Octafluorcyclopenten enthielt, in das Ätzungsgerät mit einer Fließgeschwindigkeit von 50 sccm eingeführt. Das Ätzen wurde unter Plasmabestrahlungsbedingungen durchgeführt, wobei die Dichtebereiche variierten, indem die elektrische Energie für die Erzeugung des Plasmas verändert wurde, wie es in Tabelle 1 gezeigt wird, während der Druck im Inneren des Ätzgeräts bei 666,6·10^-3 Pa (5 mTorr) gehalten wurde. Die Temperatur der Wafer wurde nicht kontrolliert und alle drei Wafer erreichten eine Temperatur von etwa 130°C. Die Ätzzeiten lagen im Bereich von 15 bis 60 Sekunden. Die Ätzgeschwindigkeit wurde an fünf Punkten auf jedem Wafer, nämlich (i) im Zentrum, (ii) an zwei Punkten im Abstand von 35 mm vom Zentrum in gegenüber liegenden Richtungen auf einem Durchmesser angeordnet und (iii) zwei Punkten, angeordnet in einem Abstand von 65 mm vom Zentrum in gegenüber liegenden Richtungen des Durchmessers durchgeführt.
Die Ätzgeschwindigkeiten, die an den oben angegebenen fünf Punkten auf einem Durchmesser des Wafers gemessen wurden, werden als Ätzgeschwindigkeit-1, -2, -3, -4 bzw. -5 in der oben angegebenen Reihenfolge bezeichnet. Die Selektivität für die Ätzung des Photoresists (PR) und des Polysilikonmaterials (Poly-Si) wurde in der Weise bestimmt, dass die Ätzgeschwindigkeiten, wie auf Siliciumoxid (SiO₂), Photoresist (PR) und Polysilikonmaterial (Poly-Si) bei den gleichen Ätzbedingungen gemessen, verglichen wurden und dass die Selektivität gegenüber PR und gegenüber dem Poly-Si-Material gemäß der folgenden Gleichung berechnet wurde.
Selektivität = (Mittlere Ätzgeschwindigkeit auf SiO₂)/(mittlere Ätzgeschwindigkeit auf PR- oder Poly-Si-Material)
Die Ätzungsbedingungen und die Ergebnisse sind in Tabelle 1 zusammengestellt.
Die drei Arten der verwendeten Wafer wurden wie folgt hergestellt.
SiO₂: ein dünner Film aus Siliciumoxid wurde auf einer Oberfläche des Wafers gebildet.
PR: eine Oberfläche des Wafers wurde mit Photoresist beschichtet.
Poly-Si: ein dünner Film von Polysilikonmaterial wurde auf einer Oberfläche des Wafers gebildet.
Die Lebensdauer in Luft des als Ätzungsgas verwendeten Octafluorcyclopentens erwies sich als 1,0 Jahre, gemessen als Reaktionsgeschwindigkeit gegenüber Hydroxylradikalen. Somit wurde bestätigt, dass der Einfluss auf die globale Erwärmung extrem niedrig ist. Weiterhin wurde auch angenommen, dass die Lebensdauer des Octafluorcyclopentens in Luft ebenfalls 0,3 Jahre betrug, wie aus der HOMO-Energie des Moleküls gemäß Atmospheric Environment, Bd. 26A, Nr. 7, S. 1331 (1992) berechnet.
Vergleichsbeispiele 1 bis 3
Silikonwafer, jeweils mit einem Durchmesser von 150 mm, auf deren Oberfläche ein dünner Film aus Siliciumoxid (SiO₂) gebildet worden war, wurden in ein reaktives Ionenplasmaätzgerät vom parallelen Platten-Typ („TE5000S", hergestellt von der Firma Tokyo Electron Co.) eingesetzt. Das Ätzen erfolgte nach der gleichen Verfahrensweise wie in Beispiel 4, wobei ein Teil der Ätzungsbedingungen wie folgt abgeändert wurde:
Fließgeschwindigkeit des Octafluorcyclopentens: 40 sccm
Innendruck: 20,0 Pa (150 mTorr) (Vergleichsbeispiel 1)
33,33 Pa (250 mTorr) (Vergleichsbeispiel 2)
46,66 Pa (350 mTorr) (Vergleichsbeispiel 3)
Plasmadichte: 5 × 10⁹/cm³
Als Ergebnis des Ätzvorgangs war bei allen angewendeten Innendrücken das Octafluorcyclopenten polymerisiert und es war als Polymerfilm auf der Oberfläche des Wafers abgeschieden. Es wurde kein Ätzen bewirkt.
Vergleichsbeispiele 4 bis 12
Die in den Beispielen 1 bis 9 angewendeten Trockenätzungsverfahrensweisen wurden wiederholt, wobei Tetrafluorkohlenstoff anstelle des Octafluorcyclopentens verwendet wurde und wobei alle anderen Bedingungen die gleichen blieben. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammengestellt.
Vergleichsbeispiele 13 bis 21
Die Trockenätzungsverfahrensweisen wie in den Beispielen 1 bis 9 verwendet wurden, wurden wiederholt, wobei Octafluorcyclobutan anstelle von Octafluorcyclopenten eingesetzt wurde und wobei alle anderen Bedingungen die gleichen blieben. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 zusammengestellt.
Technische Verwendbarkeit
Durch Durchführung des Trockenätzens eines zu ätzenden Substrats unter Verwendung eines Trockenätzungsgases, enthaltend Octafluorcyclopenten, während ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte erzeugt wird, gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Trockenätzen mit hoher Selektivität gegenüber einem Photoresist oder einem Polysilikonmaterial durchgeführt werden, sowie mit einer hohen Ätzgeschwindigkeit, ohne dass eine Bildung eines Polymerfilms durch Abscheidung erfolgt.

Claims

Trockenätzungsverfahren, wobei ein zu ätzendes Substrat einem Trockenätzen unter Verwendung eines Trockenätzungsgases, das Octafluorcyclopenten enthält, unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Plasma mit einem Bereich hoher Dichte von mindestens 10¹⁰/cm³ bei einer erreichten Temperatur des Substrats im Bereich von 60°C bis 250°C ohne Kontrolle der erreichten Temperatur des Substrats und bei einem Druck des Gases im Bereich von 1333 Pa (10 Torr) bis 133,3·10^-5 Pa (10^-5 Torr) erzeugt wird.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 1, wobei das genannte Trockenätzungsgas, das Octafluorcyclopenten enthält, aus Octafluorcyclopenten und einem Fluorkohlenwasserstoff besteht.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 2, wobei der genannte Fluorkohlenwasserstoff ein geradkettiger oder verzweigtkettiger oder ein cyclischer gesättigter Kohlenwasserstoff ist, bei dem mindestens die Hälfte der Wasserstoffatome durch Fluoratome substituiert worden ist.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Menge des Fluorkohlenwasserstoffs nicht größer als 50 Mol-%, bezogen auf das Octafluorcyclopenten, ist.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Menge des Fluorkohlenwasserstoffs nicht größer als 30 Mol-%, bezogen auf das Octafluorcyclopenten, ist.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das genannte Trockenätzungsgas, das Octa fluorcyclopenten enthält, weiterhin ein zugesetztes Gas enthält.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 6, wobei das genannte zugesetzte Gas aus Sauerstoffgas, Stickstoffgas, Argongas, Wasserstoffgas, Chlorgas, Kohlenmonoxidgas, Kohlendioxidgas, Stickstoffoxidgas und Schwefeloxidgas ausgewählt wird.
Trockenätzungsverfahren nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Menge des zugesetzten Gases nicht größer als 40 Gew.%, bezogen auf 100 Gew.-Teile des Trockenätzungsgases, das Octafluorcyclopenten enthält, ist.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das zu ätzende Substrat eine derartige Struktur hat, dass eine dünne Filmschicht eines zu ätzenden Materials auf einem Substrat, ausgewählt aus einer Glasscheibe bzw. einem Glasplättchen, einem Siliciummonokristallwafer und einer Gallium-Arsen-Substratplatte, gebildet worden ist.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Plasmadichte im Bereich von 10¹⁰/cm³ bis 10¹²/cm³ liegt.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Plasma mit einem Bereich hoher Dichte durch Verwendung eines Systems vom Helikon-Wellen-Typ erzeugt wird.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Plasma mit einem Bereich hoher Dichte durch Verwendung eines Systems vom Hochfrequenz-Induktions-Typ erzeugt wird.
Trockenätzungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Plasma bei einer erreichten Temperatur des Substrats im Bereich von 80 bis 200°C erzeugt wird.