DE69839006T2

DE69839006T2 - Leiterplatte mit durchkontaktierungen

Info

Publication number: DE69839006T2
Application number: DE69839006T
Authority: DE
Inventors: Michio Horiuchi; Toshiaki Suyama; Masakuni Tokita
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1997-04-16
Filing date: 1998-04-16
Publication date: 2009-01-08
Anticipated expiration: 2018-04-17
Also published as: JP3629348B2; EP0926931A1; JPH10290059A; EP0926931B1; WO1998047326A1; KR20000016676A; US6271483B1; EP0926931A4; DE69839006D1; KR100281381B1

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte. Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere eine Leiterplatte mit einer Vielzahl von Durchkontaktierungen, die die Leiterplatte von einer Seite zu der anderen Seite durchdringen und sich so radial von einer Seite zu der anderen Seite der Leiterplatte erstrecken, dass der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite kleiner sein kann als derjenige zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite.
Stand der Technik
Auf einer herkömmlichen Leiterplatte wird das Anordnen von Drähten auf einem ebenen Stück der Oberfläche ausgeführt. Wenn die Anzahl an Anschlüssen der auf der Leiterplatte zu befestigenden Halbleiterelemente erhöht wird, ist es daher üblich, eine hochdichte Leiterplatte oder eine Multilayer-Leiterplatte, auf der eine ebene Verdrahtungsschicht in mehreren Schichten gebildet ist, so dass die Verdrahtungsdichte erhöht werden kann, zu verwenden.
Kürzlich wurden jedoch Halbleiterelemente hochintegriert. Infolgedessen ist es jedoch in Anbetracht der Technik und der Herstellungskosten schwierig, eine hochdichte Leiterplatte oder eine Multilayer-Leiterplatte bereitzustellen, die die Anforderungen an die hohe Integration erfüllen soll.
Der Stand der Technik, der die Anforderung an die hohe Integration erfüllen soll, ist in der ungeprüften, japanischen Patentveröffentlichung Nr. 56-146264 offenbart. In der obigen Patentveröffentlichung wird eine Leiterplatte, wie sie beispielsweise in den 9(a) bis 9(c) gezeigt ist, offenbart.
Wie in der 9(b) gezeigt ist, besteht die Leiterplatte aus dem Folgenden. Durchkontaktierungen 102, 102, ••, die eine Leiterplatte 100 aus Harz von einer Seite 100a zu der anderen Seite 100b durchdringen, erstrecken sich radial entlang der Richtung von einer Seite 100a zu der anderen Seite 100b. Wie aus der 9(a), die einen Zustand auf einer Seite 100a der Leiterplatte 100 zeigt und wie auch in der 9(c), die einen Zustand auf der anderen Seite 100b zeigt, zu sehen ist, ist der Abstand Wa zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite 100a der Leiterplatte 100 kleiner als der Abstand Wc zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite 100b.
Gemäß der in den 9(a) bis 9(c) gezeigten Leiterplatte 100 können, selbst wenn die Durchkontaktierungen 102, 102, •• auf einer Seite 100a der Leiterplatte 100 mit hoher Dichte angeordnet werden, so dass Halbleiter des Flip-Chip-Typs (nicht gezeigt) auf den Unterseiten, von denen eine große Anzahl an Unebenheiten, die als Anschlussklemmen für die Elektroden verwendet werden sollen, bereitgestellt werden, die Durchkontaktierungen 102, 102, •• auf der anderen Seite 100b der Leiterplatte 100 mit geringer Dichte angeordnet werden, so dass die externen Anschlussklemmen befestigt werden können. Mit der obigen Anordnung ist es möglich, eine Leiterplatte bereitzustellen, auf der Halbleiterelemente des Flip-Chip-Typs, die in hohem Maße angehäuft wurden, befestigt werden können.
Da eine Vielzahl von Durchkontaktierungen 102 durch die Schichten aus isolierendem Harz, das die Leiterplatte 100 bildet, elektrisch voneinander isoliert sind, besteht jedoch in dem Fall der in den 9(a) bis 9(c) gezeigten Leiterplatte 100 eine Wahrscheinlichkeit, dass die Durchkontaktierungen 102 miteinander in Kontakt stehen und sich gegenseitig kurzschließen, da die Dicken der Harzschichten zum Isolieren der Durchkontaktierungen 102 voneinander auf der Seite 100a der Leiterplatte 100, auf der die Durchkontaktierungen 102, 102, •• hochdicht angeordnet sind, stark verringert sind.
Die JP 08 330 469 A offenbart eine Leiterplatte, die eine Vielzahl radial gebildeter Durchkontaktierungen, von denen jede aus einem elektrischen Leiter besteht, umfasst. Die Durchkontaktierungen bestehen ferner nicht aus der Schutzhülle, die einen Isolator, den elektrischen Leiter überzogen, noch stehen zumindest einige der Schutzhüllen auf der Seite der Leiterplatte mit dem kleineren Abstand zwischen den Durchkontaktierungen miteinander in Kontakt. Die JP 08 330 469 A zeigt, dass ein minimaler Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf der Seite mit dem kleinen Abstand eingehalten werden muss, um einen elektrischen Kontakt zu vermeiden und ein Übersprechen zu minimieren.
Zusammenfassung der Erfindung
Zum anderen besteht seit kurzem eine Tendenz, den Grad der Integration der Halbleiterelemente zu erhöhen. Es ist entsprechend notwendig, den Abstand Wa zwischen den Durchkontaktierungen auf der Seite 100a der Leiterplatte 100 weiter zu verringern.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Leiterplatte bereitzustellen, die dadurch gekennzeichnet ist, dass: die Durchkontaktierungen, die die Leiterplatte von einer Seite zu der Seite durchdringen, radial in der Richtung von einer Seite zu der anderen Seite so angeordnet sind, dass der Abstand der Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte kleiner gemacht werden kann als der Abstand der Durchkontaktierungen auf der anderen Seite; und dass keine Wahrscheinlichkeit besteht, dass die Durchkontaktierungen elektrisch kurzgeschlossen werden, selbst wenn der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen, die auf einer Seite der Leiterplatte gebildet sind, stark verringert wird.
Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung haben Untersuchungen vorgenommen, um die obigen Probleme zu lösen. Als Ergebnis der Erfindung wurden die folgenden Kenntnisse gefunden. Wenn ein elektrischer Leiter, der die Durchkontaktierung bildet, mit einem organischen Isolator bedeckt ist, besteht, selbst wenn der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen, der auf einer Seite der Leiterplatte bereitgestellt wird, stark verringert ist, keine Wahrscheinlichkeit, dass die elektrischen Leiter miteinander in Kontakt stehen und sich gegenseitig kurzschließen. Auf diese Weise haben die Erfinder die Erfindung erreicht.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Leiterplatte bereit, die dadurch gekennzeichnet ist, dass: eine Vielzahl von Durchkontaktierungen, die die Leiterplatte von einer Seite zu der anderen Seite durchdringen, so radial in der Richtung von einer Seite zu der anderen Seite der Leiterplatte gebildet sind, dass ein Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte kleiner gemacht werden kann, als ein Abstand zwischen den Leiterplatten auf der anderen Seite; und die Durchkontaktierungen aus einem elektrischen Leiter, der ein Kernstück bildet, und einer Schutzhülle, die ein erstes Stück der Schutzhülle, die aus einem Isolator hergestellt ist und mit der der elektrische Leiter überzogen ist, umfasst, bestehen.
In der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung ist es auf einer Seite der Leiterplatte, auf der der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen kleiner ist als derjenige auf der anderen Seite, wenn die Durchkontaktierungen so gebildet werden, dass zumindest einige der Stücke der Schutzhülle der Durchkontaktierungen mit den Stücken der Schutzhülle der benachbarten Durchkontaktierungen in Kontakt stehen, möglich, die Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte mit hoher Dichte zu bilden.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Leiterplatte bereit, die dadurch gekennzeichnet ist, dass: eine Vielzahl von Durchkontaktierungen, die die Leiterplatte von einer Seite zu der anderen Seite durchdringen, so radial in der Richtung von einer Seite zu der anderen Seite der Leiterplatte gebildet sind, dass der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte kleiner gemacht werden kann als der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite; ein elektrischer Leiter, der einen Kern der Durchkontaktierung bildet, mit einem aus einem Isolator hergestellten, ersten Stück der Schutzhülle überzogen ist; und das erste Stück der Schutzhülle mit einem zweiten Stück der Schutzhülle, die eine leitende Schicht ist, überzogen ist.
In der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung ist es auf einer Seite der Leiterplatte, auf der der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen kleiner ist als derjenige auf der anderen Seite, wenn die Durchkontaktierungen so gebildet werden, dass zumindest einige der zweiten Stücke der Schutzhülle der Durchkontaktierungen mit den zweiten Stücken der Schutzhülle der benachbarten Durchkontaktierungen in Kontakt stehen, möglich, die Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte mit hoher Dichte zu bilden.
Wenn das Stück der zweiten Schutzhülle, die aus einem Leiter hergestellt ist, elektrisch mit einem auf der Leiterplatte gebildeten Erdleiter verbunden ist, ist es möglich eine Koaxialkabel-gleiche Durchkontaktierung, in der der Kern, der aus einem Leiter hergestellt ist, von dem Stück der zweiten Schutzhülle umgeben ist und von diesem abgeschirmt wird, zu bilden. Die so gebildete Leiterplatte kann für eine Vorrichtung, bei der Hochfrequenz verwendet wir, angewendet werden.
In dem Fall der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung ist es, wenn die äußere Umfangsfläche des metallischen Drahts der Durchkontaktierung mit einem Isolator überzogen ist und die äußere Umfangsfläche des Isolators mit einer leitenden Schicht überzogen ist, möglich, eine Durchkontaktierung der zweischichtigen Struktur zu bilden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Leiter, der den Kern der Durchkontaktierung bildet, mit dem aus einem Isolator bestehenden Stück der Schutzhülle überzogen. Es besteht daher, selbst wenn das Stück der Schutzhülle der Durchkontaktierung mit dem Stück der Schutzhülle der benachbarten Durchkontaktierung in Kontakt steht, keine Wahrscheinlichkeit, dass die Kerne miteinander in Kontakt stehen und sich gegenseitig kurzschließen.
Aufgrund der obigen Ausführungen besteht in dem Fall der Leiterplatte, auf der die Durchkontaktierungen, die die Leiterplatte von einer Seite zu der anderen Seite durchdringen, so radial in der Richtung von einer Seite zu der anderen Seite angeordnet sind, dass der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite kleiner gemacht werden kann als der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite, selbst wenn der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte stark verringert ist und das Stück der Schutzhülle der Durchkontaktierung mit demjenigen der benachbarten Durchkontaktierung in Kontakt steht, keine Wahrscheinlichkeit, dass die Kerne miteinander in Kontakt stehen und sich gegenseitig kurzschließen.
Der Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite der Leiterplatte kann daher weiter verringert werden. Die Dichte der Leiterplatte kann entsprechend der Anforderung an eine hohe Integration von Halbleitern dementsprechend weiter erhöht werden.
Kurze Beschreibung der Figuren
1(a) bis 1(c) sind Schnittzeichnungen, die eine Leiterplatte mit Durchkontaktierungen der vorliegenden Erfindung zeigen.
2(a) bis 2(c) sind schematische Darstellungen zum Erläutern eines Beispiels für eine Leiterplatte der vorliegenden Erfindung.
3 ist eine schematische Darstellung zum Erläutern eines Zustands, in dem Durchkontaktierungen auf einer Seite der in den 2(a) bis 2(c) gezeigten Leiterplatte miteinander in Kontakt kommen.
4(a) bis 4(c) sind schematische Darstellungen zum Erläutern eines weiteren Beispiels für eine Leiterplatte der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine schematische Darstellung zum Erläutern eines Zustands, in dem Durchkontaktierungen auf einer Seite der in den 4(a) bis 4(c) gezeigten Leiterplatte miteinander in Kontakt kommen.
6 bis 8 sind schematische Darstellungen zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung.
9(a) bis 9(c) sind schematische Darstellungen zum Erläutern eines Beispiels für die herkömmliche Leiterplatte.
Ganz besonders bevorzugte Ausführungsform zum Ausführen der Erfindung
Die 1(a) bis 1(c) sind Schnittzeichnungen die eine Leiterplatte mit Durchkontaktierungen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen. Die 2(a) bis 2(c) sind schematische Darstellungen, die ein Stück der Leiterplatte zeigen. Wie in diesen Figuren gezeigt ist, ist die Leiterplatte der vorliegenden Erfindung so aufgebaut, dass die Durchkontaktierungen 12, 12, ••, die die aus Harz hergestellte Leiterplatte von einer Seite 10a (die obere Seite in der Figur) zu der anderen Seite 10b (die untere Seite in der Figur) durchdringen, sich radial entlang der Richtung von einer Seite 10a zu der anderen Seite 10b erstrecken. Wie in 1(a), die einen Zustand einer Seite 10a der Leiterplatte 10 zeigt, zu sehen ist und wie auch in 1(c), die einen Zustand der anderen Seite 10b der Leiterplatte 10 zeigt, zu sehen ist, ist der Abstand Wa zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 kleiner als der Abstand Wb zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite 10b. In der in der Figur gezeigten Ausführungsform ist der Abstand Wa im Wesentlichen Null.
Diese Durchkontaktierung 12 schließt eine Struktur aus einem Kern und einer Schutzhülle (zweischichtige Struktur) ein, in der das aus einem elektrischen Leiter, wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium hergestellten Kernstück 14 mit einem aus einem Isolator hergestellten Stück der Schutzhülle 16 überzogen ist. Da der Abstand Wa auf einer Seite 10a Null ist, kommt die Durchkontaktierung 12 durch das Stück der Schutzhülle 16 auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 im Wesentlichen in Kontakt mit der benachbarten Durchkontaktierung 12.
Auf der Leiterplatte 10, auf der die Durchkontaktierungen 12, 12, ••, die die oben beschriebene Struktur aus einem Kern und einer Schutzhülle aufweisen, angeordnet sind, ist der Abstand Wa zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite 10a sehr klein und es ist selbst dann, wenn die Stücke der Schutzhülle 16 der Durchkontaktierungen 12, 12 miteinander in Kontakt stehen, wie in 3 gezeigt ist, oder wenn die Stücke der Schutzhülle 16 der Durchkontaktierungen 12, 12 gegeneinander gedrückt werden, möglich, dem vorzubeugen, dass die Kernstücke 14 gegeneinander kurzgeschlossen werden, weil die aus einem Leiter hergestellten Kernstücke 14 durch die Stücke der Schutzhülle 16 elektrisch voneinander isoliert sind. Infolge der vorhergehenden Ausführungen ist es möglich, die Durchkontaktierungen 12, 12, •• auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 mit einer hohen Dichte zu bilden und in hohem Maße angesammelte Halbleiterelemente eines Flip-Chip-Typs können auf der Unterseite, auf der eine große Anzahl an Unebenheiten so gebildet sind, dass sie als Anschlussklemmen für die Elektroden verwendet werden könne, auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 befestigt werden können.
Auf der anderen Seite 10b der Leiterplatte 10 ist es möglich, den Abstand Wc zwischen den 12, 12, •• so zu erhöhen, dass externe Anschlussklemmen (nicht gezeigt), wie beispielsweise Lotkugeln, angeordnet werden können. Die externen Anschlussklemmen können daher leicht an der anderen Seite 10b der Leiterplatte 10 angebracht werden können.
In diesem Fall können die Durchkontaktierungen 12, die die Leiterplatte 12 bilden, aus Drähten von Metallen, wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium, die mit einem isolierenden Material überzogen sind, hergestellt werden können.
Beispiele für verwendbare isolierende Materialien zum Isolieren der Durchkontaktierungen 12 sind organische isolierende Materialien, wie beispielsweise Polyimid, Epoxy, Maleimid, Cyanatester, Polyphenylether, Polyolefin, Silikon und aromatisches Harz.
Isolierendes Material, das verwendet werden kann, kann entweder ein duroplastischer Typ oder ein thermoplastischer Typ sein, wobei jedoch die Verwendung eines biegsamen Materials bevorzugt wird.
Es wird bevorzugt, dass ein anorganisches Füllmaterial mit einem isolierenden Material vermischt wird, da der thermische Expansionskoeffizient verringert werden kann, wodurch das Abstrahlvermögen und die mechanische Festigkeit erhöht werden können. Beispiele für verwendbare anorganische Füllstoffe sind anorganische Pulver oder kurze Fasern aus Aluminiumoxid, Siliziumglas, Aluminumnitrid und Mullit.
Die Dicke des isolierenden Materials, das heißt die Dicke des Stücks der Schutzhülle 16 wird durch einen Abstand der Durchkontaktierungen (Abstand zwischen den Mitten der benachbarten Durchkontaktierungen) und dem Durchmesser der Durchkontaktierungen auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 bestimmt. In dem Fall, in dem die Durchkontaktierungen 12, 12, ••, deren Durchmesser 100 μm beträgt, mit dem Abstand der Durchkontaktierungen von 250 μm auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 angeordnet sind, während die Stücke der Schutzhülle 16 der benachbarten Durchkontaktierungen 12 miteinander in Kontakt stehen, ist es möglich, einen metallischen Draht, dessen Durchmesser 100 μm beträgt, der mit einem Isolator überzogen ist, dessen Dicke 75 μm beträgt, zu verwenden.
In diesem Zusammenhang werden die in den 1(a) bis 2(c) gezeigten Durchkontaktierungen 12 in geraden Linien gebildet, es ist jedoch möglich, Durchkontaktierungen zu verwenden, von denen ein Teil in einer gekrümmten Linie gebildet ist.
Auf den in den 1(a) bis 1(c) und 2(a) bis 2(c) gezeigten Leiterplatten weisen die Durchkontaktierungen 12 eine zweischichtige Struktur auf, in der ein aus einem Leiter hergestelltes Kernstück 14 mit einem Stück der aus einem Isolator hergestellten Schutzhülle 16 überzogen ist. Wie in den 4(a) bis 4(c) gezeigt ist, können die Durchkontaktierungen 12 jedoch aus einer dreischichtigen Struktur bestehen.
Bezüglich der Leiterplatte der in den 4(a) bis 4(c) zweiten Ausführungsform werden die gleichen Bezugszeichen dazu verwendet, ähnliche oder gleiche Teile in der ersten und der zweiten Ausführungsform anzugeben und eine ausführliche Beschreibung wird hier weggelassen.
Die Durchkontaktierungen 12 der zweiten Ausführungsform bestehen aus einer dreischichtigen Struktur, die im Folgenden ausführlich beschrieben wird. Das aus einem Leiter, wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium, hergestellte Kernstück 14 ist mit einem aus einem Isolator hergestellten, ersten Stück der Schutzhülle 16 überzogen. Gleichzeitig ist das erste Stück der Schutzhülle 16 mit dem aus einer Leiterschicht bestehenden, zweiten Stück der Schutzhülle 18 überzogen.
Selbst wenn die zweiten Stücke der Schutzhülle 18 der Durchkontaktierungen 12, 12, wie in 5 gezeigt ist, miteinander in Kontakt stehen, ist es möglich dem vorzubeugen, dass die aus einem Leiter hergestellten Kernstücke 14 sich gegenseitig elektrisch kurzschließen, weil die aus einem Leiter hergestellten Kernstücke 14 durch die ersten Stücke der Schutzhülle 16 voneinander isoliert werden. Aufgrund der vorhergehenden Ausführungen ist es möglich, die Durchkontaktierungen 12, 12 •• auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 mit hoher Dichte zu bilden und die in hohem Maße angesammelten Halbleiterelemente des Flip-Chip-Typs auf der Unterseite, auf der eine große Anzahl an Unebenheiten so gebildet werden, dass sie als Anschlussklemmen für die Elektroden verwendet werden, auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 befestigt werden können.
Auf der anderen Seite 10b der Leiterplatte 10 ist es möglich, die Abstände Wc zwischen den Durchkontaktierungen 12, 12 •• so zu auszuweiten, dass die externen Anschlussklemmen, wie beispielsweise Lotkugeln, an der anderen Seite 10b befestigt werden können. Die externen Anschlussklemmen können daher leicht an der anderen Seite 10b befestigt werden.
Wenn das Stück der Schutzhülle 18 der Durchkontaktierung 12 in der zweiten Ausführungsform mit einem auf der Leiterplatte 10 angeordneten Erdleiter verbunden ist, ist es möglich, eine Koaxialkabel-gleiche Durchkontaktierung 12, in der das Kernstück 14 von dem Stück der Schutzhülle 18 umgeben ist und von diesem abgeschirmt wird, zu bilden. Es ist daher möglich, eine Leiterplatte 10, die für Signale mit hoher Frequenz verwendet werden soll, bereitzustellen.
Wenn ein zweites Stück der Schutzhülle 18 der Durchkontaktierung mit dem auf einer Seite 10a der Leiterplatte 10 angeordneten Erdleiter verbunden ist, ist es möglich, die Verbindung zwischen dem zweiten Stück der Schutzhülle 18 der Durchkontaktierung 12 und dem Erdleiter durch Verbinden der zweiten Stücke der Schutzhülle 18 miteinander, wie in 5 gezeigt ist, zu erreichen.
Der Leiter zum Bilden des obigen zweiten Stücks der Schutzhülle 18 kann bereitgestellt werden, wenn eine aus Metall, wie beispielsweise Kupfer, hergestellte Leiterschicht auf der Umfangsfläche des ersten Stücks der Schutzhülle 16 mit Hilfe stromloser Metallisierung gebildet wird.
Wenn die Leiterplatte 10 der ersten Ausführungsform hergestellt wird, wird zunächst eine Vielzahl von Drähten, 20, 20 ••, in denen metallische Drähte, die aus Metall, wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium, hergestellt wurden, mit den Stücken der Schutzhülle, die aus isolierendem Material hergestellt wurden, überzogen sind, parallel zueinander angeordnet, wobei vorgegebene Abstände freigelassen werden, wie in 6 gezeigt ist. Wenn die Leiterplatte 10 der zweiten Ausführungsform hergestellt wird, wird zunächst auch eine Vielzahl von Drähten 20, 20 ••, in denen metallische Drähte, die aus Metall, wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium hergestellt wurden, mit den ersten Stücken der Schutzhülle, die aus isolierendem Material hergestellt wurden, überzogen sind und das erste Stück der Schutzhülle mit einem zweiten Teil der Schutzhülle, die aus einem Leiter hergestellt wurde, überzogen ist, parallel zueinander angeordnet, wobei ein vorgegebener Abstand freigelassen wird, wie in 6 gezeigt ist.
Wenn die Vielzahl von Drähten 20, 20 •• in der oben beschriebenen Weise parallel zueinander angeordnet wird, werden bevorzugt zwei Führungsplatten 22a, 22b, die parallel zueinander angeordnet sind und zwei Führungslöcher aufweisen, in die die Drähte 20 mit vorgegebenen Abständen eingeführt werden, verwendet. Wenn jeder Draht 20, 20 •• in jedes auf jeder Führungsplatte 22a, 22b gebildete Führungsloch eingeführt wird, ist es möglich, die Drähte 20, 20 •• mit vorgegebenen Abständen parallel zueinander anzuordnen.
Dann werden die Drähte 20, 20 ••, die mit vorgegebenen Abständen, wie in 6 gezeigt ist, parallel zueinander angeordnet sind, gebündelt, wie in 7 gezeigt ist. Die Drähte 20, 20 •• können durch paralleles Einführen eines Bündelungswerkzeugs 24, 24 zwischen den Führungsplatten 22a, 22b leicht gebündelt werden.
Wenn die Drähte auf diese Weise gebündelt werden, werden die Länge einiger Drähte, die durch das Bündelungswerkzeug 24, 24 geschoben werden, so erhöht, dass sie den Abstand zwischen den Führungsplatten 22a, 22b, wie in 6 gezeigt ist, verlängern. Es wird daher bevorzugt, dass die Durchmesser der auf den Führungsplatten 22a, 22b gebildeten Führungslöchern ausreichend groß genug sind, so dass die Drähte 20 in den Führungslöchern frei bewegt werden können.
Anschließend wird, während der Zustand der Bündelung der Drähte 20, 20 •• beibehalten wird, ein flüssiges Harz zwischen die Führungsplatten 22a, 22b gegossen und verfestigt. Dann werden die Drähte 20, 20 •• und der Bündelungsabschnitt abgeschnitten. Nach Beenden des Abschneidens wird die Oberfläche 10a (in 8 gezeigt) der Leiterplatte, auf der die Drähte 20 gebündelt wurden, so poliert, dass die Stücke der Schutzhülle (in den 1(a) bis 1(c) gezeigt) nicht miteinander in Kontakt treten können. Aufgrund der vorhergehenden Ausführungen ist es möglich, zwei Leiterplatten 10, 10, wie in 8 gezeigt ist, zu erhalten.
In diesem Zusammenhang kann anstelle des flüssigen Harzes, das zwischen die Führungsplatten 22a, 22b gegossen werden soll, ein flüssiger Vorläufer eingegossen und verfestigt werden.
Wie in der ersten und der zweiten Ausführungsform gezeigt ist, können die Abstände der auf einer Seite der Leiterplatte 10 angeordneten Durchkontaktierungen 12 stark verringert werden und es ist möglich, in hohem Maße angesammelte Halbleiterelemente des Flip-Chip-Typs auf der Unterseite, auf der eine große Anzahl an Unebenheiten als Anschlussklemmen für die Elektroden verwendet werden sollen, bereitgestellt werden, auf einer Seite der Leiterplatte 10 zu befestigen.
Auf der anderen Seite der Leiterplatte 10 ist es möglich, die Abstände der Durchkontaktierungen 12 um so viel wie möglich auszuweiten. Die externen Anschlussklemmen, wie beispielsweise Lotkugeln, können daher leicht an der anderen Seite der Leiterplatte 10 befestigt werden.
Gewerbliche Anwendbarkeit
Gemäß der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung ist es an einer Seite der Leiterplatte möglich, die Abstände der Durchkontaktierungen weiter zu verringern. Auf der anderen Seite der Leiterplatte ist es möglich, die Abstände der Durchkontaktierungen um so viel wie möglich auszuweiten. Externe Anschlussklemmen können daher leicht an der anderen Seite der Leiterplatte befestigt werden. Die Dichte der Leiterplatte der vorliegenden Erfindung ist daher ausreichend groß genug, so dass in hohem Maße angesammelte Halbleiterelemente an der Leiterplatte befestigt werden können.

10: Leiterplatte
10a: eine Seite der Leiterplatte 10
10b: die andere Seite der Leiterplatte 10
12: Durchkontaktierung
14: Kernstück
16: Stück der Schutzhülle (erstes Stück der Schutzhülle)
18: zweites Stück der Schutzhülle
Wa, Wc: Abstand zwischen den Durchkontaktierungen

Claims

Leiterplatte (10), umfassend eine Vielzahl an Durchkontaktierungen (12), die die Leiterplatte (10) von einer Seite zu der anderen Seite durchdringen, wobei die Vielzahl an Durchkontaktierungen radial in der Richtung von einer Seite (10a) zu der anderen Seite (10b) gebildet ist, so dass ein Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf einer Seite (10a) kleiner gemacht werden kann als ein Abstand zwischen den Durchkontaktierungen auf der anderen Seite (10b), dadurch gekennzeichnet, dass jede Durchkontaktierung (12) aus einem elektrischen Leiter, der ein Kernstück (14) bildet, und einer Schutzhülle, die ein aus einem Isolator hergestelltes, erstes Stück der Schutzhülle (16) umfasst, mit dem der elektrische Leiter (14) überzogen ist, zusammengesetzt ist, und ferner dadurch gekennzeichnet, dass die Durchkontaktierungen (12) so auf der Leiterplatte (10) gebildet sind, dass Stücke der Schutzhülle der zumindest einige Durchkontaktierungen (12) bildenden Schutzhüllen mit entsprechenden Stücken der Schutzhülle der Schutzhüllen der benachbarten Durchkontaktierungen (12) auf der einen Seite (10a) der Leiterplatte (10), auf der die Abstände der Durchkontaktierungen (12) kleiner sind als die Abstände der Durchkontaktierungen (12) auf der anderen Seite (10b), in Kontakt stehen.
Leiterplatte (10) nach Anspruch 1, wobei die ersten Stücke der Schutzhülle (16) der zumindest einige Durchkontaktierungen (12) bildenden Schutzhüllen mit den ersten Stücken der Schutzhülle (16) der benachbarten Durchkontaktierungen (12) in Kontakt stehen.
Leiterplatte (10) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei jede Durchkontaktierung aus einem in der Mitte der Durchkontaktierung angeordneten, metallischen Draht (14) und einem die äußere Umfangsfläche des metallischen Drahts (14) überziehenden, organischen Isolator (16) besteht.
Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die Schutzhülle, die jede Durchkontaktierung bildet, ferner ein aus einer leitenden Schicht hergestelltes, zweites Stück der Schutzhülle (18), die das erste Stück der Schutzhülle (16) überzieht, umfasst, und wobei die zweiten Stücke der Schutzhülle (18) der zumindest einige Durchkontaktierungen (12) bildenden Schutzhüllen mit den zweiten Stücken der Schutzhülle (18) der benachbarten Durchkontaktierungen (12) in Kontakt stehen.
Leiterplatte (10) nach Anspruch 4, wobei das zweite Stück der Schutzhülle (18), das eine leitende Schicht ist, elektrisch mit einem auf der Leiterplatte (10) gebildeten Erdleiter verbunden ist.
Leiterplatte (10) nach Anspruch 4 oder Anspruch 5, wobei die Durchkontaktierung (12) aus einem drahtförmigen Körper besteht, der einen Isolator (16) einschließt, der eine äußere Umfangsfläche des in der Mitte des drahtförmigen Körpers angeordneten, metallischen Drahts (14) überzieht, und ebenso eine leitende Schicht (18) einschließt, die eine äußere Umfangsfläche des Isolators (16) überzieht.