DE826324C - Photoelektrische Vorrichtung mit einem Koerper aus Halbleitermaterial - Google Patents

Photoelektrische Vorrichtung mit einem Koerper aus Halbleitermaterial

Info

Publication number
DE826324C
DE826324C DEP41935D DEP0041935D DE826324C DE 826324 C DE826324 C DE 826324C DE P41935 D DEP41935 D DE P41935D DE P0041935 D DEP0041935 D DE P0041935D DE 826324 C DE826324 C DE 826324C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tip contact
light
light beam
contact
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP41935D
Other languages
English (en)
Inventor
John Northrup Shive
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE826324C publication Critical patent/DE826324C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/22—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
    • H01H47/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil having light-sensitive input
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60—Seals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft auf Licht ansprechende elektrische Vorrichtungen und insbesondere Signalübertragungsvorrichtungen, welche einen Körper aus Halbleitermaterial enthalten und deren Wirkung auf Lichtwiderstand beruht.
Ein Ziel der Erfindung besteht in. der Verbesserung der Wirkungsweise und der aufbaumäßigen Besonderheiten von photoelektrischen Vorrichtungen und spezieller von auf Lichtwiderstand beruhenden Vorrichtungen für die Steuerung und Änderung elektrischer Signale in Übereinstimmung mit Licht. Licht im Sinne der vorliegenden Erfindung umfaßt sowohl den sichtbaren als auch den nach längeren Wellenlängen verschobenen unsichtbaren Teil des Spektrums.
Nach einer beispielsweisen Ausführungsform der Erfindung enthält eine Übertragungsvorrichtung einen Körper aus Germanium, z. B. von N-Leitfähigkeits-Typ mit hoher Gegenspannung, wobei ein zwischen zwei gegenüberliegenden Flächen befindlicher Teil verringerte Dicke, ζ. B. eine Stärke in der Größenordnung von 0,05 mm, aufweist. Die Vorrichtung enhält außerdem einen Spitzenikontakt, · der an einer Fläche des dünnen Teils des Germaniumkörpers anliegt, und einen Ohmschen, zu dem Körper führenden Anschluß an einen von dem Spitzenkontakt entfernten Bereich. Ein Belastungskreis ist zwischen dem Kontakt und dem Ohmschen Anschluß angeschlossen und enthält eine Spannungsquelle, um den Kontakt in der umgekehrten Richtung vorzuspannen, d. h. die Polarität entspricht der Richtung hohen Widerstandes der Diodengleichrichtung der Halbleiter-Metallkontakt-Kombination. Licht, welches hinsichtlich Intensität oder Einwirkungsfrequenz oder beidem veränderlieh sein kann, wird auf einen beschränkten Bereich
des dünnen Teils des Germaniumkörpers gegenüber dem Spitzenkontakt konzentriert.
Die Vorrichtung weist sehr hohe Empfindlichkeit, z. B. in der Größenordnung von einigen hundert Milliwatt per Lumen auf, außerdem hdhes Auflösungsvermögen, wobei der aktive Bereich bei betriebsmäßigen Vorrichtungen nur wenige hundertstel Quadratmillimeter groß ist, und hohe Leistungsfähigkeit, insbesondere einen Quantenwirkungsgrad größer als eins. Die Vorrichtung spricht im übrigen über einen breiten Wellenlängenbereich in dem Lichtspektrum an, unter Einschluß derjenigen Wellenlängen, die auf einer Quantenverteilungsbasis in dem Spektrum eines Schwarz-Strahlers vorherrschen, und die Änderung des Belastungsstroms als Funktion der Änderung der Belichtungsintensität ist im wesentlichen linear. Darüber hinaus zeichnet sich die Vorrichtung aufbaumäßig durch geringes Gewicht, kleine Größe, ao Einfachheit und Widerstandsfähigkeit aus und ist daher für schnelle Massenfertigung geeignet, und sie besitzt eine lange betriebsmäßige Lebensdauer. Im Betriet) erzeugt die Vorrichtung eine Stromvervielfachung, weshalb sie gleichzeitig als P'hotozelle aj und Verstärker wirkt.
Obwohl Germanium weiter oben besonders genannt worden ist, so läßt sich die Erfindung auch bei Vorrichtungen verwirklichen, die andere Halbleitermaterialien, z. B. Silicium, verwenden, welche die Fähigkeit haben, einen übertragenen Photoeffekt zu erzeugen, d. h. fähig sind, elektrische Änderungen in Bereichen eines Kristalls durch Belichtung eines Bereiches des Kristalls, der von den ersterwähnten Bereichen entfernt ist, hervorzurufen. Obwohl N-Typ-Material besonders hervorgehoben wurde, kann man auch P-Typ-Material anwenden.
Die Erfindung und die verschiedenen Merkmale derselben werden klarer und vollständiger aus der folgenden, ins einzelne gehenden Beschreibung verständlich, und zwar in Verbindung mit der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt
Fig. ι eine Darstellung, die die Hauptteile einer photoelektrischen übertragungsvorrichtung veranschaulicht, die entsprechend der Erfindung aufgebaut ist,
Fig. 2 und 3 Schaubilder mit Darstellung der betriebsmäßigen Kennlinien typischer Ausführungsformen der Erfindung,
Fig. 4 ein Schaubild mit Darstellung des Auflösungsvermögens solcher Vorrichtungen,
Fig. 5 und 6 Längs- und Querschnitt einer Übertragungsvorrichtung nach einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 7 ein Schaubild, welches die Ansprechkurve als Funktion der Wellenlänge des einfallenden Lichtes bei einer Vorrichtung veranschaulicht, die für die Erfindung typisch ist und im Sinne der Erfindung aufgebaut wurde.
Nach der Zeichnung enthält die in Fig. 1 veranschaulichte Vorrichtung eine Schei'be oder Oblate | 10 aus Germanium, wobei eine Fläche der Scheibe eine zentrale, kugelige Vertiefung 11 aufweist, und außerdem einen Spitzenikontakt 12, der im folgenden als Kollektor bezeichnet wird und der an der Mitte der vertieften Oberfläche anliegt. Die Scheibe 10 kann aus N-Typ-Germanium mit hoher Gegenspannung bestehen, das in bekannter Weise hergestellt wurde und dessen Oberflächen geätzt sind. Nach einer speziellen und beispielsweisen Vorrichtungkann die fertig behandelte und geformte Scheibe einen Durchmesser von 2,54 mm aufweisen, eine Gesamtdicke von 0,5 mm und eine minimale Dicke in dem Spitzenkontaktbereich von 0,05 mm haben. Ein Ohmscher Anschluß 13, der im folgenden Grundanschluß genannt wird, ist an der Umfangsfläche der Scheibe angebracht. Dieser Anschluß kann z. B. aus einem galvanischen Rhodiumüberzug oder einer getrockneten Silberpaste bestehen.
Der Kollektor 11 ist mit Bezug auf den Grundanschluß 13 mittels einer Spannungsquelle 14 negativ vorgespannt, wobei eine Belastung 15 in den Kreis eingeschaltet ist. Es ist ersichtlich, daß die Polarität der Vorspannung der Sperrichtung der der Kombination aus Metallkontakt 12 und N-Typ-Germaniumscheibe eigenen Gleichrichtung entspricht. Für eine Vorrichtung der oben angegebenen Konstruktion kann die Vorspannung zwischen 20 und 100 Volt liegen, und der Belastungswiderstand kann eine Größenordnung von 10 000 bis 25 000 Ohm haben. Gegenüber der Scheibe 10 ist eine Linse 16 für die Konzentration des von der Quelle 17 kommenden Lichtes auf einen beschränkten Bereich der Fläche 18 angeordnet; dieser Bereich liegt gegenüber dem Kollektor 12. Die Quelle 17 kann z. B. aus einem Wolframdraht bestehen, der bei etwa 29000 absolut betrieben wird. Für die Veränderung der Intensität oder die periodische Unterbrechung der Belichtung der Fläche 18 durch die Lichtquelle können geeignete Mittel vorgesehen sein.
Die typischen betriebsmäßigen Kennlinien von Vorrichtungen nach der in Fig. 1 gezeigten und oben beschriebenen Konstruktion sind in Fig. 2 und 3 dargestellt. In den veranschaulichten Fällen hatte das auf die Fläche 18 geworfene Bild der Quelle 17 einen Durchmesser von rund 0,13 mm. Fig. 2 veranschaulicht die Beziehung zwischen Kollektorstrom und Kollektorspannung für verschiedene Werte des gesamten von der Quelle 17 kommenden Lichtflusses, der auf die Fläche 18 der Halbleiterscheibe fällt; der Lichtfluß ist für jede Kurve konstant und ist für die den verschiedenen Kurven entsprechenden Fälle durch Einschaltung von Licht absorbierenden Gittern geändert, die zwischen der Quelle und der Fläche 18 liegen, ohne die Farbe des Lichtes zu verändern. Die Anpassungswiderstandsgerade ist bei 20 000 Ohm dargestellt. Fig. 3 zeigt eine Gruppe von Kurven, die das Verhältnis zwischen Kollektorstrom und einfallendem Lichtfluß für verschiedene Werte der Kollektorspannung veranschaulichen. Bei der Beurteilung der Kurven nach Fig. 2 und 3 ist zu beachten, daß die angegebene Belichtung aus den sichtbaren Komponenten von Wolfram licht besteht, das in Lumen gemessen wurde, und daß die dar-
gestellte Ansprechgröße der gemessenen Gesamtansprechgröße auf die ganze nützliche, gleichförmige Spektralverteilung des Wolframlichtes entspricht. Nach den Kurven gemäß Fig. 2 und 3 ist der ungewöhnlich große Gleichstromdurchlaß der Vorrichtungen bemerkenswert, der z. B. bei einer Belastung von 20 000 Ohm eine Größenordnung von 100 000 Mikroampere per Lumen hat. Berechnungen, die auf Fig. 2 basieren, ergeben, daß bei einer ίο Vorrichtung mit mechanischer Unterbrechung des Lichtbogens der erzielbare Wechselstromnutzleistungsdurchlaß bei geringer Belichtungsstärke in der Größenordnung von 600 Milliwatt per Lumen liegt.
Das Raumauflösungsvermögen von Vorrichtungen, die entsprechend der Erfindung aufgebaut sind, ist in Fig. 4 veranschaulicht, die auf Messungen einer Vorrichtung nach der oben beschriebenen Konstruktion beruht, welche mit einer Belastung
ao von 10 000 Ohm und mit einer negativen Kollektorvorspannung von 70 Volt betrieben wurde. Die Kurve veranschaulicht die Änderung des Kollektorstromes als Funktion der Verschiebung eines Lichtfleckes von 0,20 mm Durchmesser auf der Fläche 18, wobei der Nullpunkt der Abszisse an der Stelle liegt, für welche der Lichtfleck auf der Fläche 18 der Kollektorspitze 12 gegenübersteht. Es ist erkennbar, daß die Breite der Kurve bei halbem Maximum 0,40 mm beträgt. Nach Abzug des Durchmessers des Lichtfleckes 'hiervon ist das Auflösungsvermögen der Vorrichtung mit 0,20 mm angegeben. Es ist dann erkennbar, daß der wirksame Bereich der Fläche 18, das ist der Bereich, innerhalb welchem einfallendes Licht den Kollektorstrom in wirksamer und wesentlicher Weise verändert, unmittelbar gegenüber dem Kollektor wenige hundertstal Quadratmillimeter groß ist.
Zwei weitere bezeichnende Besonderheiten der Vorrichtung verdienen der Erwähnung. Es wurde festgestellt, daß die Ansprechgröße der Vorrichtung als Funktion der Wellenlänge des einfallenden Lichtes langsam von den Wellenlängen im sichtbaren, gelben Bereich des Spektrums steigt bis zu einem Maximum bei Wellenlängen von etwa 1,5 millionstel Meter (micron) und dann bei Wellenlängen über 1,6 millionstel Meter rasch abfällt, wie die graphische Darstellung der Fig. 7 erkennen läßt. Der Wellenlängenbereich, auf welchen die Vorrichtung anspricht, ist recht breit. Darüber hinaus umfaßt der Bereich hoher Spektralempfindlichkeit der Vorrichtung die Wellenlängen, für welche die Quantenemission von üblichen Schwarzstrahlungsquellen verhältnismäßig hoch ist.
Die folgende Erläuterung der Arbeitsweise der Vorrichtung stimmt mit den praktisch erzielten Ergebnissen überein. Die Lichtabsorption des Germaniums führt zur Bildung von freien Elektron-Loch^Paaren. Wenn diese Paare in der unmittelbaren Nachbarschaft des Kollektors erzeugt werden, wo das elektrische Feld in dem Germanium groß ist, so wird die Ladung getrennt und gesammelt, bevor eine Wiedervereinigung der Löcher und Elektronen eintreten kann. Auf diese Weise wird eine Zunahme des Kollektorstromes bewirkt. Wenn aber das Licht in solchen Teilen des Germaniums absorbiert wird, die von dem Kollektor entfernt liegen, so vereinigen sich die frei gemachten Elektronen und Löcher wieder, und es ergeben sich keine äußerlich beobachtbaren elektrischen Wirkungen. Die Größe der Kollektorstromänderung hängt von der Starte des einfallenden Lichtes ab. Messungen der spektralen Ansprechgröße von typischen, der Erfindung gemäß gebauten Vorrichtungen auf Quantenausbeutebasis haben ergeben, daß über breite Wellenlängenbereiche jedes im aktiven Bereich einfallende Strahilungsquantum die Sammlung mehrerer elektrischer Ladungen in dem äußeren Kreis zur Folge 'hat. Die Ladungsausbeute je Quant ist eine Funktion der Wellenlänge und ist in Fig. 7 veranschaulicht. Solche Ausbeuten scheinen auf zwei verschiedenen Vorgängen zu beruhen, nämlich einem primären Absorptionsprozeß, in welchem nicht mehr als ein Elektron-Loch-Paar je Quant erzeugt wird, und einem Stromvervielfachungsprozeß, durch welchen die primäre Ladung in dem hohen elektrischen Feld, welches in der Nähe des Kollektors besteht, vervielfacht wird. Auf diese Weise arbeitet die Vorrichtung gleichzeitig wie eine Photozelle und wie ein Stromverstärker.
Eine spezielle, der Erfindung gemäß gebaute Vorrichtung ist in den Fig. 5 und 6 veranschaulicht. Sie enthält eine viereckige Germaniumsaheibe 10 von weiter oben angegebenen Größenmaßen, die z. B. mittels Lot an einem Flansch 20 eines zylindrischen, metallischen Trägers 21 befestigt ist, der seinerseits innerhalb eines Metallgehäuses 22 eingepaßt und befestigt ist. In dem Gehäuse 22 ist außerdem eine metallische Hülse oder Stütze 23 eingepaßt und befestigt, die eine Isolierscheibe 24 trägt. Dk Scheibe 24 dient als Führung, um den Kontakt 12, der z. B. aus Phosphorbronze bestehen kann, in der Vertiefung 11 der Scheibe 10 zu zentrieren. Der Kontakt 12 wird von einem kräftigen Zuführungsleiter 25 koaxial mit der Scheibe und dem Gehäuse gehalten. Der Leiter 25 sitzt in einem Isolierblock 26, der in der Hülse 23 eingepaßt ist. Die Konzentrierlinse 16 für die Lidhtkonzentration auf dem mittleren Bereich der Fläche 18 gegenüber dem Kollektor 12 ist ebenfalls in dem Gehäuse 22 eingepaßt und wird darin z. B. mittels eines geeigneten Zements gehalten.
Obgleich eine spezielle Ausführungsform der Erfindung gezeigt und beschrieben wurde, so ist doch verständlich, daß dieses nur der Erläuterung wegen geschah und daß verschiedene Änderungen darin vorgenommen werden können, ohne von dem Wesen und Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Wenn z. B. bei der beschriebenen Ausführungsform ein einziger Kollektor vorgesehen ist, so bestellt doch die Möglichkeit, eine Mehrzahl voneinander iao getrennter Kollektoren zu verwenden und den konzentrierten Lichtstrahl auf die aktiven Bereiche der Fläche 18 gegenüber bzw. entsprechend den zugehörigen Kollektoren einzustellen. Diese Bereiche können einzeln belichtet werden, beispielsweise in einer vorgeschriebene« Folge, um dadurch eine
Schaltungssteuerung oder Schaltungswahl zu bewirken.

Claims (10)

Patentansprüche: 5
1. Photoelektrische Vorrichtung mit einem Körper aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper wenigstens einen verdünnten, innerhalb einer dickeren Fläche Hegenden Teil, einen Spitzenikontäkt, der mit der Fläche des Körpers an dem verdünnten Teil im Eingriff steht, eine Ohmsche zum Körper führende Anschlußverbindung an einer vom Spitzenkontakt abgelegenen Stelle, eine Gegenspannung zwischen Spitzenkontakt und Anschlußverbindung und Mittel aufweist, um einen Lichtstraihl gegen den Bereich der anderen Körperseite zu leiten, der dem Spitzenkontakt gegenüberliegt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spitzerikontakt mit der Körperfläche einen Gleichrichtungskontakt bildet, die Leitmittel für den Lichtstrahl Mittel zur Ausrichtung eines konzentrierten Lichtstrahls auf die andere Körperfläche aufweisen und ein Belastungskreis an den Spitzenkontakt und die Ohmsche Anschlußverbindung angeschlossen ist.
3. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der verdünnte Teil, mit welchem der Spitzenkontakt im Eingriff steht, eine Dicke in der Größenordnung von 0,05 mm aufweist und daß die Leitmittel für den Lichtstrahl einen Strahl in der Größenordnung von 0,13 mm Durchmesser erzeugen.
4. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper auf einer höhlen Metallstütze innerhalb eines Gehäuses angebracht ist, wobei der Rand des Körpers an seiner Peripherie an die Stütze elektrisch so angeschlossen ist, daß eine Ohmsche Verbindung gebildet wird, und daß eine Isolierführung in einem Ende des Gehäuses für die Stützung des Spitzenkontaktes vorgesehen ist sowie eine optische Konzentrierlinse mit den Mitteln zur Leitung des Lichtstrahls, die in dem anderen Ende des Gehäuses untergebracht ist und deren Brennpunkt auf der dem Spitzenkontakt entgegengesetzten Fläche des Körpers liegt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Spitzenkontakt, der verdünnte Teil des Körpers, mit welchem der Spitzenkontakt im Eingriff steht, und die Linse koaxial ausgerichtet sind.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 und 5, dadurch 'gelkennzeichnet, daß der Körper im wesentlichen viereckige Gestalt hat.
7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper N-Typ-Leitfähigkeit besitzt.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper P-Typ-Leitfähigkeit besitzt.
9. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus Germanium besteht.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus Silicium besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
O 2609 12.
DEP41935D 1949-04-06 1949-05-07 Photoelektrische Vorrichtung mit einem Koerper aus Halbleitermaterial Expired DE826324C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US85788A US2560606A (en) 1949-04-06 1949-04-06 Photoresistive translating device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE826324C true DE826324C (de) 1951-12-27

Family

ID=22193939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP41935D Expired DE826324C (de) 1949-04-06 1949-05-07 Photoelektrische Vorrichtung mit einem Koerper aus Halbleitermaterial

Country Status (7)

Country Link
US (1) US2560606A (de)
BE (1) BE489417A (de)
CH (1) CH274611A (de)
DE (1) DE826324C (de)
FR (1) FR989391A (de)
GB (1) GB670730A (de)
IT (1) IT454648A (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1041181B (de) * 1954-01-08 1958-10-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung
DE1058633B (de) * 1955-06-14 1959-06-04 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung sperrfreier Elektroden auf Cadmiumsulfid-Halbleitern
DE1140654B (de) * 1959-07-01 1962-12-06 Siemens Ag Fotoelektrisch wirkendes Bauelement zum Feststellen, Registrieren oder Messen elektromagnetischer Strahlung, insbesondere fotoelektrisch wirkendes Halbleiterbauelement
DE1144416B (de) * 1959-09-11 1963-02-28 Philips Nv Phototransistor
DE1283331B (de) * 1963-05-24 1968-11-21 Agfa Gevaert Ag Fotowiderstand fuer einen Daemmerungsschalter

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2662984A (en) * 1950-01-27 1953-12-15 Gen Electric Co Ltd Crystal contact device
NL91411C (de) * 1951-03-10
US2641712A (en) * 1951-07-13 1953-06-09 Bell Telephone Labor Inc Photoelectric device
US2749463A (en) * 1951-10-24 1956-06-05 Bell Telephone Labor Inc Solid state television pick-up tube
US2702838A (en) * 1951-11-15 1955-02-22 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating device
US2812445A (en) * 1951-11-16 1957-11-05 Bell Telephone Labor Inc Transistor trigger circuit
US2745021A (en) * 1951-11-23 1956-05-08 Rca Corp Photo device amplifier circuit
US2726312A (en) * 1952-01-17 1955-12-06 Gen Electric Thermal control system
NL106440C (de) * 1952-06-06
US2790952A (en) * 1953-05-18 1957-04-30 Bell Telephone Labor Inc Method of optically testing semiconductor junctions
US2815487A (en) * 1953-06-11 1957-12-03 Northrop Aircraft Inc Signal converter
BE532576A (de) * 1953-10-28
US2863056A (en) * 1954-02-01 1958-12-02 Rca Corp Semiconductor devices
US2846346A (en) * 1954-03-26 1958-08-05 Philco Corp Semiconductor device
US2862416A (en) * 1954-06-09 1958-12-02 Gen Electric Light intensity measuring device including semiconductor translating circuit
US2929934A (en) * 1954-12-30 1960-03-22 Rca Corp Radiant energy sensitive device
US2939361A (en) * 1955-05-20 1960-06-07 Leitz Ernst Gmbh Photometric apparatus compensated for fluctuations in light source intensity
US2924754A (en) * 1956-03-29 1960-02-09 Gen Electric Radiation responsive system
US3028500A (en) * 1956-08-24 1962-04-03 Rca Corp Photoelectric apparatus
US2991639A (en) * 1957-11-15 1961-07-11 Meiners Optical Devices Ltd Fault finder
DE1160959B (de) * 1958-12-31 1964-01-09 Texas Instruments Inc Lichtelektrische Vorrichtung
US2993945A (en) * 1959-02-02 1961-07-25 Rand Corp Solar cell and method of making
US3018313A (en) * 1961-01-04 1962-01-23 Daniel H Gattone Light gathering power converter
US3221221A (en) * 1961-05-31 1965-11-30 Nippon Electric Co Point contact detector
US3169191A (en) * 1962-01-10 1965-02-09 Aircraft Armaments Inc Method to adjust photoelectric telescope to respond to constant object size
US3389264A (en) * 1963-10-07 1968-06-18 Santa Barbara Res Ct Radiation detection with guard ring detector
FR2586804B1 (fr) * 1985-08-30 1989-03-31 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de photo-detection rapide a l'aide d'un superreseau
WO2012006119A2 (en) * 2010-06-28 2012-01-12 Llc Lawrence Livermore National Security High voltage photo-switch package module

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1563557A (en) * 1923-09-18 1925-12-01 William W Coblentz Optical means for rectifying alternating currents
US2160383A (en) * 1936-12-30 1939-05-30 Bell Telephone Labor Inc Light sensitive electric device and circuit therefor
US2402662A (en) * 1941-05-27 1946-06-25 Bell Telephone Labor Inc Light-sensitive electric device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1041181B (de) * 1954-01-08 1958-10-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung
DE1058633B (de) * 1955-06-14 1959-06-04 Ibm Deutschland Verfahren zur Herstellung sperrfreier Elektroden auf Cadmiumsulfid-Halbleitern
DE1140654B (de) * 1959-07-01 1962-12-06 Siemens Ag Fotoelektrisch wirkendes Bauelement zum Feststellen, Registrieren oder Messen elektromagnetischer Strahlung, insbesondere fotoelektrisch wirkendes Halbleiterbauelement
DE1144416B (de) * 1959-09-11 1963-02-28 Philips Nv Phototransistor
DE1283331B (de) * 1963-05-24 1968-11-21 Agfa Gevaert Ag Fotowiderstand fuer einen Daemmerungsschalter

Also Published As

Publication number Publication date
BE489417A (de)
GB670730A (en) 1952-04-23
US2560606A (en) 1951-07-17
IT454648A (de)
FR989391A (fr) 1951-09-07
CH274611A (de) 1951-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE826324C (de) Photoelektrische Vorrichtung mit einem Koerper aus Halbleitermaterial
DE3813079C2 (de)
DE1959889A1 (de) Mit Ladungsspeicherung arbeitende Einrichtung
DE1464315C3 (de) Schaltungsanordnung mit einem strahlungsempfindhchen Halbleiter Schaltelement
DE102011089776A1 (de) Detektorelement, Strahlungsdetektor, medizinisches Gerät und Verfahren zum Erzeugen eines solchen Detektorelements
DE2025476A1 (de) Photodiode
DE3884729T2 (de) InGaAs/InP-PIN-Photodioden.
DE655927C (de) Anordnung zur Reihenschaltung von lichtelektrischen Zellen
DE2916770A1 (de) Abbildungsvorrichtung und -system
DE2330785A1 (de) Photodetektor-entzerrer
DE1144416B (de) Phototransistor
DE1957335C3 (de) Strahlungsempfindliches Halbleiterbauelement und seine Verwendung in einer Bildaufnahmeröhre
DE69807103T2 (de) Halbleitende photoelektrische oberfläche
DE2248546A1 (de) Wandler mit mindestens zwei lichtempfindlichen halbleiterelementen
DE1102805B (de) Fernsehkameraroehre mit Bildwandlerteil und auf Kathodenpotential stabilisierter Bildelektrode
DE1183599B (de) Optischer Sender oder Verstaerker unter unmittelbarer Umwandlung von elektrischer Energie in kohaerente Lichtenergie unter Verwendung eines einkristallinen Halbleiters, der zur selektiven Fluoreszenz angeregt wird
DE2255025C3 (de) Fotoelektrisches Halbleiterbauelement
DE1277457B (de) Strahlungsnachweisgeraet
DE102021213746B3 (de) Vorrichtung, Verfahren und System zur Absorption von elektromagnetischer Strahlung, sowie Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Absorption von elektromagnetischer Strahlung
DE2315054C3 (de) Halbleiter-Photodetektor zur Vielfach-Spektralphotometrie
DE2428341C2 (de) Bildverstärker- oder Bildwandlerröhre
DE811006C (de) Elektrische Entladungsroehre mit zwei Steuergittern und einem zwischen diesen liegenden Schirmgitter
DE3426226A1 (de) Uv-empfindliches fotoelement und verfahren zu seiner herstellung
DE3211769C2 (de) Photoleitender Detektor
DE1816128C3 (de) Mechanisch-elektrischer Wandler mit einem Halbleiterkörper