DE875249C - Bedampfungseinrichtung - Google Patents

Bedampfungseinrichtung

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Publication number
DE875249C
DE875249C DES21129A DES0021129A DE875249C DE 875249 C DE875249 C DE 875249C DE S21129 A DES21129 A DE S21129A DE S0021129 A DES0021129 A DE S0021129A DE 875249 C DE875249 C DE 875249C
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DE
Germany
Prior art keywords
substance
vaporized
charge carrier
steaming
surrounded
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Expired
Application number
DES21129A
Other languages
English (en)
Inventor
Karl Dipl-Phys Steigerwald
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUEDDEUTSCHE LABORATORIEN GmbH
Original Assignee
SUEDDEUTSCHE LABORATORIEN GmbH
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Filing date
Publication date
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Application granted granted Critical
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

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Description

  • Bei dien " :b:isher üblichen Bedampfungseinrichtungen ist es erforderlich, .die zu verdampfende Substanz indirekt zu beheizen, um eine gewisse Bedampfungszeit einhalten zu können, die zur Erzielung einer bestimmten Schichtdicke auf -dem-zu. bedampfenden Objekt erforderlich ist. Dabei tritt .die Schwierigkeit auf, daß der gewöhnlich zum Heizen benützte Träger der zu vierdampfenden Substanz ebenfalls teilweise mit verdampft.. und somit eine Verunreinigung des Dampfstrahles hervorruft.
  • Die Erfindung betrifft nun eine Einrichtung züm Bedampfen, .insbesondere zum Bedampfen von Objekten für .die Untersuchung in Übermikroskopen, die ,diesen Fehler nicht aufweist und sich von den bisherigen Einrichtungen dadurch unterscheidet, daß :das zu bedampfende Objekt- in .der Nähe der zu verdampfenden Substanz angebracht ist, die einem Ladungsträgerstrahl, vorzugsweise einem Elektronenstrahl, ausgesetzt ist.
  • Die zu verdampfende Substanz dst dabei derart gelagert, daß .ihr hocherhitzter Teil mit -der Haltevorrichtung nicht in Berührung steht.
  • Der Ladungsträgerstrahl ist mit einem Rohr umgeben, :das zum Abfangen etwa von der La:dungsträgerquelle aÜbdampfender Verunreinigungen oder etwa im Vakuumraum gebildeter Ionen von Verunreinigungen dient. , Weiterhin ,ist eine Absperrvorrichtung vorgesehen, .durch die im Bedarfsfalle .die räumliche Verbindung zwischen der Ladungsträgerquelle und der zu verdampfenden Substanz bzw. zwischen dieser und .dem zu beidampfenden Objekt gesperrt werden kann.
  • Zwischen der zu verdampfenden Substanz und dein zu bedampfenden Objekt ist mindestens eine Blende zum Ausblenden eines möglichst wenig streuenden Dampfstrahles vorgesehen..
  • Die zu verdampfende Substanz ist mit einem käfigartigen Gehäuse umgeben, - .das - mit . einer negativen Ladung gegen Erde-,zum Abfangen von etwa auftretenden Sekundärelektronen dient.
  • Die gesamte Anlage kann als Wechselvorrichtung . direkt äneinDektronenmikroskop eingebaut werden. Die Figur zeigt in zum Teil schematischer Darstellung eine Bedampfungseinricht@ung gemäß der Erfindung.
  • Das als Vakuumgefäß dienende Glasrohr i trägt auf seiner mit einer Blende :2 versehenen Abdekkung 3 über einen Dichtungshals 4 ein kippbares und verschiebbares Gehäuse 5, das eine Fernfokuskathode 6 enthält. Der Elektronenstrahl 7 tritt durch die Blende :z in das Fangrohr 8 und trifft auf die zu verdampfende Substanz 9, die auf einem geerdeten; drehbaren und verschiebbaren .stabförmigen Träger io sitzt. Der davon ausgehende Dampfstrahl ii trifft auf :das Objekt 12, .das auf einem Kugelgelenk 13 nach allen Richtungen drehbar gelagert ist. Der Käfig i¢ ist mit den Auslassungen 15 und 16 versehen und zylinderförmig genalten.. Er befindet sich auf positivem Potential gegen Erde. Um den Käfig koaxial und drehbar gelagert liegt der Mäntel 17, der .mit Ausnehmungen i8 und ig versehen ist. Die Ausnehmung r9 .ist mit kleinen Schiebern 2o verstellbar und .dient als Blende. Die nach.-derFigur inBetriebsetellungbefindlicheKlappe 2-i- -ist schwenkbar und schließt in den gestrichelten Stellungen die räumliche Verbindung entweder zwischen Strahlenquelle und zu verdampfender Substanz oder zwischen dieser und dem zu bedampfenden Objekt.

Claims (6)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i: Einrichtung zum Bedampfen, insbesondere zum Bedampfen von Objekten für die Untersuchung in Übermikroskopen, dadurch gekennzeichnet, @d,aß .das zu bedampfende Objekt in der Nähe oder zu verdampfenden Substanz angebracht ist, die einem Ladungsträgerstrahl, vorzugsweise einem Elektronen.strahl, ausgesetzt ist.
  2. 2. Einrichtung nach .Anspruch i, ,dadurch gekennzeichnet, daß die zu verdampfende Substanz derart gelagert ist, daß ihr hocherhitzter Teil mit .der Haltevorrichtung nicht in Berührung steht.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ladungsträgerstrahl ,durch ein Rohr zum Abfangen etwa von der Ladungsträgerquelle abdampfender Verunreinigungen oder etwa im Vakuumraum gebildeter Ionen von Verunreinigungen umgeben ist.
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, .daß eine Absperrvorrichtung vorgesehen ,ist, durch die im Bedarfsfalle die räumliche Verrbindung.zwischender Ladungsträgerquel:le und der zu verdampfenden. Substanz bzw. zwischen .dieser und dem zu bedampfenden, Objekt -gesperrt werden kann.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der zu verdampfenden Substanz und :dem zu bedampfenden Objekt mindestens eine Blende zum Ausblenden eines möglichst wenig streuenden Dampfstrahles vorgesehen .ist.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß .die zu verdampfende Substanz mit einem käfigartigen Gehäuse umgeben ist, das mit einer negativen Ladung gegen Erde zäum Abfangen von etwa auftretenden Sekundärelektronen dient.
DES21129A 1950-12-05 1950-12-05 Bedampfungseinrichtung Expired DE875249C (de)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1021964B (de) * 1954-07-10 1958-01-02 Siemens Ag Elektronenbeugungsapparat
DE1266608B (de) * 1962-03-23 1968-04-18 Siemens Ag Verfahren zum Vakuumaufdampfen von Isolierstoffschichten mittels gebuendelter Elektronenstrahlen
DE1270354B (de) * 1964-03-09 1968-06-12 Balzers Vakuum G M B H Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen von Schichten auf elektrisch isolierende Unterlagen aus Glas, Keramik od. dgl. durch Elektronenbeschuss
FR2204709A1 (en) * 1972-10-27 1974-05-24 Anvar Deposition of thin layers under vacuum - by ion bombardment of high melting point materials e.g. platinum
EP0019725A1 (de) * 1979-05-18 1980-12-10 International Business Machines Corporation Einen Strahl mit energiereichen Teilchen verwendendes Abscheidungsverfahren

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DE1270354B (de) * 1964-03-09 1968-06-12 Balzers Vakuum G M B H Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen von Schichten auf elektrisch isolierende Unterlagen aus Glas, Keramik od. dgl. durch Elektronenbeschuss
FR2204709A1 (en) * 1972-10-27 1974-05-24 Anvar Deposition of thin layers under vacuum - by ion bombardment of high melting point materials e.g. platinum
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