DE875833C

DE875833C - Verfahren zum Aufheizen von elektrisch nicht oder schwach leitenden Verbindungen zwecks Erhoehung ihrer elektrischen Leitfaehigkeit

Info

Publication number: DE875833C
Application number: DEW7047A
Authority: DE
Inventors: Wilhelm Dipl-Chem Weber
Original assignee: Flor & Sohn Albert
Current assignee: Flor & Sohn Albert
Priority date: 1951-10-31
Filing date: 1951-10-31
Publication date: 1953-05-07

Description

Verfahren zum Aufheizen von elektrisch nicht oder schwach leitenden Verbindungen zwecks Erhöhung ihrer elektrischen Leitfähigkeit Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufheizen von elektrisch nicht oder schwach leitenden chemischen: Verbindungen wie man sie z. B. im N'ernststift oder Auermasse vorfindet, zwecks Erhöhung ihrer elektrischen Leitfähigkeit.
Die bisher verwendeten Verfahren bestanden darin, daß man diese Verbindungen, die unter einer elektrischen Spannung standen, mittels einer Flamme oder elektrisch aufgeheizter Metallwendel erwärmte und sie so zum elektrischen Leiter gemacht hat.
Die Nachteile der bekannten Verfahren liegen hauptsächlich darin, .daß sie sehr unhanidlich sind und meistens zwei Energiequellen benötigen. Ferner müssen diese Metallverbindungen, die meistens als Stäbchen oder Röhrchen ausgebildet sind, frei in Luft glühen. Aus diesem Grund müssen d.ie elektrischen Anschlüsse aus, Platin sein.
Weiterhin glühen diese Körper frei in Luft sehr ungleichmäßig, weil sie sehr auf Temperaturschwankungen empfindlich sind und stärkere Abkühlunig z. B. durch Zugluft sie zum Erlöschen bringt.
Die Nachteile werden durch die Erfindung vermieden. Sie besteht -darin, daß der Nichtleiter bzw. Halbleiter durch eine elektrische Gasentladung, deren Achsentemperatur mindestens 8oo° C hat, aufgeheizt wird. Der Nicht- bzw. Halbleiter ist zweckmäßig -als Stäbchen oder. Röhrchen ausgebilldet und axial im Entladungsrohr eingebaut. Das Stäbchen oder Röhrchen; ist m-it den Elektroden des Entladungsgefäßes leitend verbunden. Zweckmäßig wird das elektrische Gasentladungsgefäß als Hochdruckentladungslampe mit selbstaufgeheizten Oxydkathoden ausgebildet. Das Gefäß kann aus Glas, Quarz oder ähnlichem Material bestehen. Es kann ein Edelgas, Metalldampf oder ein Gemisch von beiden enthalten. Da oder elektrische Widerstand .der Gasentladung wie auch des Nicht- bzw. Halbleiters eine negative Charakteristik besitzt, wird zur Begrenzung des Entladungsstromes für beide Entladungen ein und derselbe Vorwiderstand verwendet.
Der Vorgang (der Aufheizung ist folgender: Beim Einschalten des elektrischen Stromes zündet das Entladungsrohr und brennt kurze Zeit als eine Niedendruckentlädung: I-urz :darauf werden die Oxydkathoden aufgebeizt, der Gas- bzw. Dampfdruck wird durch ,die Entladungswärme erhöht, die Lampe arbeitet nun als Hochdruckentladung, und nun beginnt die Aufheizung :des Nichtleiters bzw. Halbleiters bis .auf eine Temperatur von z. B. 9oo° C. Bei dieser Temperatur wird der Nicht-bzw. Halbleiter zu einem elektrischen. Leiter. Der gesamte elektrische Strom fließt von nun an durch diese Metallverbindung, z. B. Nernststift. Die Gasentladung erlischt. Der Brenner arbeitet nur als Temperaturstrahler. Bei etwaigem Erlöschen des Brenners setzt sofort die Gasentladung ein und der Stift oder das Röhrchen wird wieder aufgeheizt und zum Glühen gebracht.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: z. Verfahren zum Aufheizen, von elektrisch nicht oder schwach leitenden chemischen Verbindungen, wie slie z. B. im Nernststift vorhanden sind, zwecks Erhöhung ihrer elektrischen Leitfähigkeit,dadurch gekennzeichnet, daß die Aufheizung durch eine elektrische Gas- oder Metalldampfentladung, deren Achsentemperatur mit der erforderlichen Aufhei-ztemperatur mindestens übereinstimmt, stattfindet.
2. Verfahren, nach Anspruch z, dadurch gekennzeichnet, daß :der Mchtleiter bzw. Halbleiter in Stäbchen- oder Röhrchenforrn ausgebildet ist.
3. Verfahren nach Anspruch z und 2, dadurch gekennzeichnet, da:ß der Nicht- bzw. Halbleiter axial gelagert ist.
4.. Verfahren nach Anspruch r, 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Nicht- bzw. Halbleiter mit den Elektroden des Entladungsgefäßes leitend verbunden ist.
5. Verfahren nach Anspruch i, 2, 3 und q., dadurch gekennzeichnet, daß der Nicht- bzw. Halbleiber in einem Glas-, Quarz- oder ähnlichem Hochdruckentladungsgefäß- uneergebracht ist.