DE879433C

DE879433C - Verfahren zur Herstellung von Photo-Elementen veraenderbarer Kennlinie

Info

Publication number: DE879433C
Application number: DEK12243A
Authority: DE
Inventors: Erich Dr Kipphan
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1951-11-27
Filing date: 1951-11-27
Publication date: 1953-06-11

Description

Auf zwei ex-treme Arten ist die Messung der von Photo-Elementen umdewa-n , delten Lichtenergie möglich: Mit niederohmigem Meßinstrument wird angenähert der sogenannte. Kurzschlußstrom gemessen, mit hochohmigem Instrument die angenäherte Leerlaufspannung. DerKurzschlußstrom steigt linear mit der Beleuchtung an, die Leerlauf-'-spannung ungefähr logarithmisch. In denjenigen Anwendungsgebieten derPhoto-Elernente, in denen ein möglichst großes Helligkeitsintervall erfaßt werden soll (z. B. bei photographischen Belichtungsmesser ' n), ist also ein hochohmiges Meßinstrument vorteilhaft. Aus technischen Gründen kann jedoch der Widerstand der Instrumentenspule nicht wesentlich über 2oob Ohm gesteigert werden. E,*rfordert der zu messende Helligkeitsbereich einen höheren Schließungswiderstand,- so, scheidet der Einbau eines besonderen Vorwiderstandes zur Meßspule meistens aus Raumgründen aus.
Ein Weg, den erforderlichen Widerstahdswert des Schließungskreises ohne zusätzliche Einbauteile zu erreichen, besteht nun darin, den Innenwiderstand des Photo-Elementes selbst entsprechend zu erhöhen. Bekannt ist hierfür das Verfahren, durch, rasterartige Einschnitte in die durchsichtige Gegenelektrode den Stromweg in derselben zu verlängern und so den Widerstand der Gegenelektrode zu vergrößern. Nachteile dieses Verfahrens sind die unvermeidliche Verletzung der für die Wirkungsweise des Photo-Elementes ausschlaggebenden Grenzschicht zwischen Halbleiter und durchsichtiger Gegenelektrode. Wird nach diesem Verfahren ein fertiges Photo-Element an ein gegebenes Meßwerk angepaßt, so wird an den Schnittstellen die als Korrosionsschutz unentbehrliche Lackierung der Gegenelektrode zerstört. Auch ist bei diesem Verfahren die Widerstandssteigerung eng begrenzt, da ja die durchsichtige Gegenelektrode in Dicke und Material in erster Linie nach lichtelektrischer Eignung gewählt werden muß und nicht nach ihrem Ohmschen Widerstand.
Das im folgenden beschriebene erfindungsgemäße Verfahren vermeidet diese Nachteile: Der zusätzliche Widerstand ist auf die für die Stromerzeugung unwichtige Zellenrückseite gelegt und hat nur die Aufgabe eines Widerstandes zu erfüllen, so daß er in Material und Wert ausschließlich nach Widerstandsgesichtspunkten gewählt werden kann.
Das Photo-Element, wie üblich aus Grundplatte i, Halbleiterschicht 2, durchsichtiger Gegenelektrode 3 mit Kontaktring 4 bestehend (Abb. i), trägt auf der Rückseite eine Isolierschicht 5, die vorzugsweise aus einem geeigneten Lack besteht. Der -Streifen 6 der Grundplattenrückseite bleibt von der Isolierschicht frei. Auf diese Isolierschicht wird ein Widerstandsstreifen 7 aufgetragen, der vorzugsweise aus Graphit, Leitlack od. dgl. besteht. Beide Enden des Widerstandsstreifens werden mit aufgespritzten metallischen Kontaktflächen 8 und 9 verstärkt. 8 steht durch den unisolierten Streifen 6 mit der Grundplatte i, dem Pluspol des Photo-Elementes, in Verbindung. Zwischen dem Kontaktring 4, dem Minuspol des Elementes, und der Kontaktfläche 8 kann so die volle Leistung des Photo-Elementes abgenommen werden, während bei Stromabnahme zwischen 4 und 9 der Widerstandsstreifen 7 in den Stromkreis eingeschaltet ist. Dieser Widerstandsstreifen läßt sich am fertigen Photo-Element jederzeit durch Schaben in Breite und Dicke so verändern, daß die Keimlinie des Photo-Elernentes dem jeweiligen Verwendungszweck angepaßt wird. Eine Schädigung des eigentlichen Photo-Elementes ist hierbei ausgeschlossen.
Abb. 2 zeigt für ein Photo-Element von i qcm wirksamer Fläche, wie durch einen Widerstandsstreifen von 5ooo Ohm die Stromabgabe bei hoher Beleuchtung gedrückt wird. Die Anfangsempfindlichkeit des Photo-Elementes bleibt hierdurch unbeeinflußt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE- i. Photo-Elernent der Schichtenbauart, insbesondere Selen-Photo-Elernent, bei dem durch abgleichbaren, im Stromkreis liegenden Widerstand die Kennlinie beeinflußbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf der vom Licht nicht getroffenen Seite des Photo-Elementes ein flächenhafter Hochohmwiderstand aufgebracht ist.
2. Photo-Element nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochohmwiderstand durch eine Lackschicht gegen die Grundplatte des Photo-Elementes isoliert ist. 3. Photo-Element nach den -Ansprüchen i und --, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Rückseite des Photo-Elernentes zwei Kontaktabnahmeflächen vorgesehen sind, so daß der Photostrom wahlweise unter Einschaltung oder unter Umgehung des Hochohmwiderstandes abzunehmen ist. 4. Photo-Element nach den Ansprüchen i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochohmwiderstand aus einer Graphitschicht oder einer Leitlackschicht besteht. 5. Photo#Element nach den Ansprüchen i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert durch Verringern der Dicke oder der Breite der aufgebrachten Widerstandsschicht abzugleichen ist. 6. Photo-Element nach den Ansprüchen i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Widerstandsstriche verschiedenenWiderstandswertes nebeneinander aufgebracht sind.