DE8914493U1 - Leistungsbaugruppe - Google Patents

Leistungsbaugruppe

Info

Publication number
DE8914493U1
DE8914493U1 DE8914493U DE8914493U DE8914493U1 DE 8914493 U1 DE8914493 U1 DE 8914493U1 DE 8914493 U DE8914493 U DE 8914493U DE 8914493 U DE8914493 U DE 8914493U DE 8914493 U1 DE8914493 U1 DE 8914493U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat sink
layer
power module
heat
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE8914493U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE8914493U priority Critical patent/DE8914493U1/de
Publication of DE8914493U1 publication Critical patent/DE8914493U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/25Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/255Arrangements for cooling characterised by their materials having a laminate or multilayered structure, e.g. direct bond copper [DBC] ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/25Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/251Organics

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

89 6 199 40E
Siemens Aktiengesellschaft
Leistungsbaugruppe &tgr;
5
Die Erfindung betrifft eine Leistungsbaugruppe mit einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper zum Abfuhren dar Verlustwärme des Leistungsbauelements.
Eine solche Leistungsbaugruppe nach dem Stand d<*r Technik ist z.B. io der deutschen Offenlegungssehrift 35 23 061 beschrieben. Dabei wird ein Leistungshalbleiterchip durch Lotung auf einem in Fztm einer kopf erschient ausgefüSirtsn Trager befestigt, der seine Vsrlustwärme auf eine größere Flache verteilen soll (Wärmespreizüng). Die Kupferschiiiirt wiederum ist auf einer Isolierschicht aus Keramik angeordnet und mit dieser durch eine intermetallische Verbindung verbunden. Der so gebildete Schichtenverband aus der Kupfer und der Keramikschicht mit dem aufgeloteten Leistungshalbleiter ist schließlich über die Keramikschicht mit einem Wärmeleitkleber auf dem Kühlkörper befestigt.
Die Eigenschaften sowie die Herstellung eines solcher; Schichtenverbandes sind in einer Informationsschrift der Fa&diams; DODUKO GmbH unter der Bezeichnung DC$ Substrat (Direct copper/bonding) beschrieben.
Die Dicke der Keramikschicht muß dabei größer gewählt werden, als es für die elektrische Isolierung notwendig wäre, da sonst die mechanische Festigkeit beim Herstellungsprozeß nicht mehr gegeben ware. Dadurch ist die erzielbare Wärmeleitfähigkeit begrenzt. Außerdem darf die Dicke des Keramikblättchens möglichst *enig variieren, da sich sonst örtliche Temperaturspitzen ergeben, die die Temperaturwechselbeständigkeit verschlechtern.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Leistungsbaugruppe so auszuführen, daß die Wärmeleitfähigkeit verbessert wird und sich gleichzeitig der Herstellungsprozeß vereinfacht.
89G19940E
Erfindungsgemäße Lösungen sind in den* Ansprüchen 1 und 9 gekennzeichnet.
Gemäß Anspruch 1 besteht die Erfindung darin, die Isolierschicht nicht als vorher gefertigtes Teil auszufuhren, sondern als Beschichtung, die ihre endgültige Form erst während des Beschichtungsvorgangs erhalt. Dadurch ksn-n äie Isolierschicht beliebig dünn und mit einer sehr gleichmäßigen Schichtdicke ausgeführt isexden. Die geringere Schichtdicke verbessert die Wärmeleitung und durch die sehr gleichmäßige Schichtdicke treten keine örtlichen Temperaturspitzen auf.
Eine weitere Verbesserung der Wärmeleitung ergibt sich aus der Tatsache, daß bei der Leistungsbaugruppe gemäß der Erfindung weniger Wärmeübergänge vorhanden sind, da die Beschichtung nur einseitig mit einem Wärmeleitkleber verbunden werden muß. Die Beschichtung kann auf dem Kühlkörper aufgetragen sein und mit dem Träger verklebt werden oder auf dem Träger aufgetragen sein und mit dem Kühlkörper verklebt werden.
Die Beschichtung besteht vorzugsweise aus einem Keramikmaterial, das durch ein beliebiges geeignetes Beschichtungsverfahren aufgetragen wird, wie zum Beispiel durch Plasmaspritzen oder durch Sputtern.
Eine besonders verteilhafte Anwendung der Erfindung ergibt sich bei Leistungshalbleitern, die bereits in einem Gehäuse untergebracht sind, wobei der Gehäuseboden als Träger dient. Derartige Anordnungen mußten bisher vom Kühlkörper durch Zwischenlegen einer wärmeleitenden Isolierfolie oder eines wärmeleitenden Isolierblättchens Isoliert werden. Die Befestigung erfolgte dabei über eine entsprechend aufwendige mechanische Halterung oder durch Kleben, wobei die Isolierschicht beidseitig verklebt werden mußte. Im Falle des Klebens ergäbe.&igr; sich dabei insbesondere bei komplizierten Bäuförmen fertigungstechnische Probleme.
6 199*0·
&psgr; w m ta
&bull; · ti »3
&bull; · a * *"&igr;
&bull; ·
Bei einer weiteren er'findungsge'fitlißen'Lösung - Anspruch 9 - ist auf der Oberfläche eines Kühlkörpers aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung eine Eloxalschicht als Isolierung vorgesehen. Diese Eloxalschicht wird durch anodische Oxidation des Kühlkörpers erzeugt. Die Isolierschicht wird damit nicht wie bei der erstbeschriebenen Losung nach Anspruch 1 als zusätzliche Beschichtung aufgetragen, sondern durch Oxidation der Aluminiumoberfläche des Kühlkörpers selbst gewonnen.
Zum Erzeugen einer solchen Eloxalschicht wird der gesamte Kühlkörper in einem Säurebad elektrolytisch oxidiert. Die Kosten für dieses Eloxieren entsprechen ungefähr denen, die bei der Beschichtungslösung nach Anspruch 1 für die Beschichtung für ein Leistungsbauelement anfallen. Das Eloxieren hat damit - bei gleichen Kosten - den Vorteil, daß der gesamte Kühlkörper auch gegen Korrosion geschützt ist. Sind mehrere Leistungsbauelemente auf einem Kühlkörper vorgesehen, ergibt sich damit sogar eine Kosteneinsparung.
Die Erfindung wird anhand der Figuren näher erläutert. Dabei zeigen:
Figur 1 eine Anordnung eines Leistungshalbleiters in Chipform auf einem Kühlkörper gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung
Figur 2 eine Anordnung von Leistungshalbleitern die in einem
Gehäuse integriert sind.
Figur 3 eine Anordnung eines Leistungshalbleiters in Chipform auf einem Kühlkörper gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung und
Figur 4 eine vergorßeite Darstellung einer Isolierschicht auf dem Kühlkörper.
In Figur 1 ist mit 1 ein Leistungshalbleiter bezeichnet, der über eine Lotschicht L mit einem wärmeleitenden Träger 2 aus Kupfer verbunden ist. Der elektrische Anschluß des Leistungshalbleiters 1 erfolgt über in der Figur 1 angedeutete Bonddrähte auf eine nicht dargestellte Schaltung.
G19940E
Der wärmeleitende Träger' 2 ist'mit einem Kühlkörper 4 über eine wärmeleitende Klebschicht K und eine Isolierschicht 3 aus Aluminiumoxid (AL2O3 oder andere nicht elektrisch leitende KeralOikarten) mit einem Kühlkörper 4 aus Aluminium verbunden. 5
Die Isolierschicht 3 ist auf dem Kühlkörper durch Plasmaspritzen aufgetragen. Plasmaspritzen ist in der Technik als eine Untergruppe der thermischen Spritzverfahren bekannt und z.B. in der Deutschen Norm DIN 32530 beschrieben. Die Dicke dieser Isolierschicht 3 richtet sich nach dem geforderten elektrischen Isoliervermögen. Beim Einsatz einer solchen Leistungsbaugruppe in einem Zündsteuergerät für Kraftfahrzeuge wird beispielsweise etwa eine Gleichspannungsfestigkeit von einem Kilovolt gefordert, wofür die Schichtdicke der Isolierschicht 3 dann ungefähr 100 Micrometer betragen muß.
Die erfindungsgemäße Leistungsbaugruppe zeichnet sich besonders durch wenige Wärmeübergänge aus. Das relativ schlecht wärmeleitende Keramikmaterial der Isolierschicht 3 kann sehr dünnschichtig eingesetzt werden, da die erforderliche mechanische Festigkeit bei einer Beschichtung auch dann gegeben ist.
Die Figur 2 zeigt die Anordnung von einem oder mehreren Leistungshalbleitern auf einem Kühlkörper 4A, der oder die am Boden eines Gehäuses 5 angebracht sind, wobei dieser Boden als wärmeleitender Träger 2A dient.
Der wärmeleitende Träger 2A ist mit dem Kühlkörper 4A über eine wärmeleitende Klebschicht K und eine Isolierschicht 3A verbunden.
Die Isolierschicht 3A besteht wiederum aus Keramikoxid und ist auf dem Kühlkörper 4A als Beschichtung aufgetragen.
Auch bei dieser Anordnung ist die Montage gegenüber den beim Stand der Technik üblichen Verfahren vereinfacht. Das bisher verwendete Isolierblättchen mußte auf zwei Seiten verklebt wer-
69 6 1
'*** tr*« * s t &lgr;
* t
&bull; > &igr; &igr; ■ > S <
' Il I I "* t
den, wohingegen bei dem erflndungsgemäßeh Verfahren nur eine Klebschicht notwendig ist.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung ist in Figur 3 dargestellt. Die darin gezeigte Leistungsbaugruppe entspricht größtenteils der Leistungsbaugruppe gemäß Figur 1, wobei gleichbleibende Teile mit gleichen Funktionen auch mit den gleichen Bezugszeichen wie in Figur 1 versehen sind.
Im Unterschied zu Figur 1 ist auf dem Kühlkörper 4 als Isolierschicht eine durch anodische Oxidation des Kühlkörpers 4 gebildete Eloxalschicht 3b vorgesehen. Der Kühlkörper 4 ist allseitig von dieser Eloxalschicht 3b umgeben, die damit gleichzeitig als Isolierung und als Schutz dient.
Eine vorteilhafte Weiterbildung 1st in Figur 4 gezeigt. Die beim Oxidationsvorgang von Aluminium entstehende Eloxalschicht 3b hat eine ungleichmäßige Oberfläche, da auch die Oberfläche des normalerweise gespritzten oder gegossenen Kühlkörpers 4 vor dem Eloxieren bereits ungleichmäßig ist. Es entsteht also eine Art Kraterlandschaft statt einer glatten Oberfläche aus Aluminiumoxid. Dieser Effekt tritt verstärkt auf bei der Verwendung von Aluminiumlegierungen, durch in der Oberfläche des Aluminiums eingeschlossene Legierungszusätze, die den Oxidationsvorgang behindern.
Dies ist in Figur 4 vergrößert dargestellt. Die Spannungsfestigkeit der Eloxalschicht 3b ist im Normalfall trotzdem gewährleistet, da Versuche gezeigt haben, daß die verbleibende Dicke der Eloxalschicht 3b zwischen den Kratertälein noch groß genug ist.
Werden jedoch beispielsweise bei Zündsteuergeräten erhöhte Zündspannungen verlangt, so muß auch die Spannungsfestigkeit der Leistungsbaugruppe erhöht werden.
Dies wird dadurch erreicht, daß die Eloxalschicht 3b zusätzlich mit einer Teflonschicht <£ überzogen wird, die gerade so dick
6199*06
ist, daß sie die beim Oxidieren entstandenen Krater auffüllt. Die Oberfläche der Eloxalschicht 3d wird so geglättet, C4SmIt die isolierende Schicht dicker gemacht und die Spannungsfestigkeit erhöht.
Der besondere Vorteil dabei ist, daß die Teflonschicht 6 besonders billig herzustellen 1st. Die schlechte Wärmeleitfähigkeit von Teflon kommt dabei nicht zum Tragen, da die Teflonschicht sehr dünn ist. Die gesamte Isolierschicht beispielsweise aus
IG Tpflnn auszuführen wäre zwar linctepmäßin sehr günstig; i?t &bgr;£>&bgr;?
wecsn der erforderlichen Abfuhr der Verlustwärme des Leistungsbauelements nicht möglich.
Statt Teflon kann auch ein anderer Kunststoff oder ein Lack verwendet werden. Wichtig dabei ist, daß die Schicht möglichst dünn ist, um dpn Wärmeübergang nicht zu verschlechtern.

Claims (4)

Schutzansprüche
1. Leistungsbaugruppe mit einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper (4), wobei das Leistungsbauelement mit einem Träger
(2) aus wärmeleitendem Material und dieser mit dem Kühlkörper (4) wärmeleitend verbunden sind und Kühlkörper (4) und Träger (2) elektrisch voneinander isoliert sind, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierung eine Beschichtung aus Isoliermaterial auf dem Kühlkörper (4) oder auf dem Träger (2) aufgetragen ist.
2. Leistungsbaugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Isolierung aus einem Keramikmaterial besteht. 15
3. Leistungsbaugruppe mit einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper (4) aus Aluminium, wobei das Leistungsbauelement mit einem Träger (2) aus wärmeleitendem Material und dieser mit dem Kühlkörper (4) wärmeleitend verbunden sind und Kühlkörper (4) und Träger (2) elektrisch voneinander isoliert sind, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierung eine Oberflächenschicht aus Eloxal vorgesehen ist.
4. Leistungsbaugruppe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht aus Eloxal mit einem dünnen Lackoder Kunststoffüberzug versehen ist.
I I I
&bull; I
DE8914493U 1989-12-08 1989-12-08 Leistungsbaugruppe Expired - Lifetime DE8914493U1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8914493U DE8914493U1 (de) 1989-12-08 1989-12-08 Leistungsbaugruppe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE8914493U DE8914493U1 (de) 1989-12-08 1989-12-08 Leistungsbaugruppe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE8914493U1 true DE8914493U1 (de) 1990-05-17

Family

ID=6845307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8914493U Expired - Lifetime DE8914493U1 (de) 1989-12-08 1989-12-08 Leistungsbaugruppe

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE8914493U1 (de)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19529627C1 (de) * 1995-08-11 1997-01-16 Siemens Ag Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19960840A1 (de) * 1999-12-16 2001-07-05 Siemens Ag Elektronische Schaltung mit Kühlvorrichtung
DE10014457A1 (de) * 2000-03-23 2001-10-04 Ulrich Grauvogel Kühlkörper mit einem Gehäuse für eine wärmeabgebende elektronische Schaltung
DE10042839A1 (de) * 2000-08-30 2002-04-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10118384A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-24 Siemens Ag Anordnung zur Kühlung eines Leistungs-Halbleiterelementes
DE10142614A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
DE19637285B4 (de) * 1995-09-19 2004-08-26 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Halbleiterbauelement und Verfahren zum Zusammenbau hiervon
DE102004018475A1 (de) * 2004-04-16 2005-11-10 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiteranordnung
WO2005106954A3 (de) * 2004-04-16 2005-12-29 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung
DE102004032368A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-26 Robert Bosch Gmbh Kühlungsaufbau für eine Schaltung
DE102004055534A1 (de) * 2004-11-17 2006-05-24 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul mit einer elektrisch isolierenden und thermisch gut leitenden Schicht
DE102005062600A1 (de) * 2005-12-27 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Positionierung elektronischer Leistungsbauteile auf einer Grundplatte, Positionierungsvorrichtung sowie integriertes elektronisches Bauteil
DE102011112758A1 (de) * 2010-10-06 2012-04-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Schutzschicht

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5948521A (en) * 1995-08-11 1999-09-07 Siemens Aktiengesellscahft Thermally conductive, electrically insulating connection
DE19529627C1 (de) * 1995-08-11 1997-01-16 Siemens Ag Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19637285B4 (de) * 1995-09-19 2004-08-26 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Halbleiterbauelement und Verfahren zum Zusammenbau hiervon
DE19960840A1 (de) * 1999-12-16 2001-07-05 Siemens Ag Elektronische Schaltung mit Kühlvorrichtung
DE10014457B4 (de) * 2000-03-23 2005-02-03 Grauvogel, Ulrich, Dipl.-Ing. Kühlkörper mit einem Gehäuse für eine wärmeabgebende elektronische Schaltung
DE10014457A1 (de) * 2000-03-23 2001-10-04 Ulrich Grauvogel Kühlkörper mit einem Gehäuse für eine wärmeabgebende elektronische Schaltung
DE10042839A1 (de) * 2000-08-30 2002-04-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10042839B4 (de) * 2000-08-30 2009-01-29 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10118384A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-24 Siemens Ag Anordnung zur Kühlung eines Leistungs-Halbleiterelementes
US6846987B2 (en) 2001-08-31 2005-01-25 Siemens Aktiengesellschaft Power electronics component
DE10142614A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
DE102004018475A1 (de) * 2004-04-16 2005-11-10 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiteranordnung
WO2005106954A3 (de) * 2004-04-16 2005-12-29 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung
DE102004032368A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-26 Robert Bosch Gmbh Kühlungsaufbau für eine Schaltung
DE102004032368B4 (de) * 2004-06-30 2015-04-09 Robert Bosch Gmbh Kühlungsaufbau für eine Schaltung
DE102004055534A1 (de) * 2004-11-17 2006-05-24 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul mit einer elektrisch isolierenden und thermisch gut leitenden Schicht
DE102004055534B4 (de) * 2004-11-17 2017-10-05 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul mit einer elektrisch isolierenden und thermisch gut leitenden Schicht
DE102005062600A1 (de) * 2005-12-27 2007-07-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Positionierung elektronischer Leistungsbauteile auf einer Grundplatte, Positionierungsvorrichtung sowie integriertes elektronisches Bauteil
DE102011112758A1 (de) * 2010-10-06 2012-04-26 Volkswagen Aktiengesellschaft Schutzschicht

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69615038T2 (de) Verfahren zur oberflächenmontage eines kühlkörpers auf einer leiterplatte
DE2840514C2 (de)
DE102009042600B4 (de) Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleitermodul
DE10062108B4 (de) Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
DE10251248A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102006028675B4 (de) Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
DE69202625T2 (de) Elektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE102009044659A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE3315583A1 (de) Ein elektrisches bauteil tragendes, gut kuehlbares schaltungsmodul
DE10102621B4 (de) Leistungsmodul
DE19509441A1 (de) Hybrid-integrierte Leistungsschaltungsvorrichtung
DE102004041088B4 (de) Halbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0338447A2 (de) Vorrichtung zur Wärmeabfuhr von Bauelementen auf einer Leiterplatte
DE4132947C2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung
DE8908678U1 (de) Leistungsbaugruppe
WO2006034767A1 (de) Elektrische anordnung und verfahren zum herstellen einer elektrischen anordnung
WO2022033806A2 (de) Leistungsmodul, elektrisches gerät und verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls
DE102011076774A1 (de) Baugruppe mit einem Träger und einem Kühlkörper
WO2003094586A1 (de) Leiterplatte mit smd-bauelement und kühlkörper
EP3345217B1 (de) Kühlvorrichtung, verfahren zur herstellung einer kühlvorrichtung und leistungsschaltung
DE60037650T2 (de) Multichipmodul für hochleistungsanwendungen
DE102005006281B4 (de) Hochfrequenzleistungsbauteil mit Goldbeschichtungen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10042839B4 (de) Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10217214B4 (de) Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung
DE3147789A1 (de) Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung