DE949802C - Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege

Info

Publication number
DE949802C
DE949802C DEW16515A DEW0016515A DE949802C DE 949802 C DE949802 C DE 949802C DE W16515 A DEW16515 A DE W16515A DE W0016515 A DEW0016515 A DE W0016515A DE 949802 C DE949802 C DE 949802C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grids
production
lines
containing lines
photomechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW16515A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Johannes Heidenhain
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Firma Wenczler and Heidenhain
Original Assignee
Firma Wenczler and Heidenhain
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Firma Wenczler and Heidenhain filed Critical Firma Wenczler and Heidenhain
Priority to DEW16515A priority Critical patent/DE949802C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE949802C publication Critical patent/DE949802C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F5/00Screening processes; Screens therefor
    • G03F5/02Screening processes; Screens therefor by projection methods
    • G03F5/08Screening processes; Screens therefor by projection methods using line screens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf photomechanischem Wege Die in der Reproduktionstechnik gebräuchlichen Raster werden in der Mehrzahl als sogenannte gravierte Raster durch Ätzen in Verbindung mit Einlassen hergestellt. Nur bei den Offsetrastern werden neben den gravierten Rastern auch auf photomechanischem Wege erzeugte Raster verwendet, da diese Raster stets aus zwei Glasplatten bestehen und die Linien des photomechanischen Rasters durch die Glasplatten gegen mechanische und sonstige Beschädigungen geschützt sind. Diese Deckglasplatten machen es unmöglich, daß der Raster selbst beliebig nahe an die lichtempfindliche Schicht herangebracht werden kann, so daß die vom Abstand zwischen Raster und lichtempfindlicher Schicht abhängige Variationsmöglichkeit im Aufbau der Bildpunkte erheblich eingeschränkt wird. Zudem haben die beim Tiefdruck verwendeten ungeschützten gravierten Raster den Nachteil, daß die Vollständigkeit des Einlasses immer wieder nachgeprüft werden muß. Es ist auch bekannt, Kornraster durch Aufdestillieren oder Aufsublimieren von kornbildenden festen oder flüssigen Stoffen, wie Kampfer, Arsen, Paraffin usw., auf geeignete Unterlagen herzustellen. Nach diesem Verfahren lassen sich aber nicht ohne weiteres Linienraster herstellen. Solche Linienraster würden außerdem ebenfalls eine sehr geringe Widerstandsfähigkeit besitzen. Zweck der Erfindung ist es, Raster zu erzeugen, die die obigen Mängel nicht aufweisen, deren Linien insbesondere so widerstandsfähig gegen mechanische und chemische Beanspruchung sind, daß ein Schutz durch Glasplatten nicht nötig ist und die zudem wesentlich einfacher und billiger herzustellen sind als die gravierten Raster.
  • Um dies zu erreichen, werden die Raster auf photomechanischem Wege in Verbindung mit Aufdampfen im Vakuum in der Weise erzeugt, daß die linienbildenden Belegungen auf dem Rasterträger aus in Vakuum aufgedampften Materialienbestehen. Dies geschieht in an sich bekannter Weise dadurch, daß zunächst auf den. Träger eine lichtempfindliche auswaschbare Schicht aufgebracht, unter Zwischenfügung eines Originals oder einer sonstigen Vorlage belichtet und dann ausgewaschen wird und sodann auf den mit dieser ausgewaschenen Schicht versehenen Träger kopiebildende Stoffe beliebiger Art, z. B. Chrom und Siliziumoxyd, aufgedampft werden, worauf die nicht ausgewaschenen Stellen oder Zonen der Schicht zusammen mit den diese Stellen oder Zonen bedeckenden, aufgedampften Stoffen gelöst werden, bis auf dem Träger lediglich die auf den ausgewaschenen Stellen oder Zonen der Schicht aufgedampften Stoffe in Form einer dem Original entsprechenden Kopie zurückbleiben.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf photomechanischem Wege, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf einem Träger aufgebrachte lichtempfindliche Schicht unter einem Linien enthaltenden Raster belichtet wird, worauf nach dem Entwickeln und Freilegen der Linien auf dem Träger in an sich bekannter Weise chemisch und mechanisch widerstandsfähige Schichten bildende Stoffe im Vakuum aufgedampft und die Reste der lichtempfindlichen Schicht entfernt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 161 957; britische Patentschrift Nr. q.8o 670; österreichische Patentschrift Nr. 132 q.66.
DEW16515A 1955-04-23 1955-04-23 Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege Expired DE949802C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW16515A DE949802C (de) 1955-04-23 1955-04-23 Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW16515A DE949802C (de) 1955-04-23 1955-04-23 Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE949802C true DE949802C (de) 1956-09-27

Family

ID=7595772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW16515A Expired DE949802C (de) 1955-04-23 1955-04-23 Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE949802C (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE161957C (de) *
AT132466B (de) * 1931-03-13 1933-03-25 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Herstellung von Glasteilungen, Rastern und Beugungsgittern auf photomechanischem Wege.
GB480670A (en) * 1936-08-29 1938-02-28 Kevin William Caton Webb Improvements relating to the production of pattern-structures, particularly screens for use in photo-mechanical printing processes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE161957C (de) *
AT132466B (de) * 1931-03-13 1933-03-25 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Herstellung von Glasteilungen, Rastern und Beugungsgittern auf photomechanischem Wege.
GB480670A (en) * 1936-08-29 1938-02-28 Kevin William Caton Webb Improvements relating to the production of pattern-structures, particularly screens for use in photo-mechanical printing processes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2624832C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Lackmustern
DE2057929C3 (de) Transparente Fotomaske
EP0222738A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Transmissionsmaske
DE1597756A1 (de) Maske zum Herstellen einer Maskierung durch Belichten und Herstellungsverfahren
DE1622333A1 (de) Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung
DE3783239T2 (de) Roentgenstrahlmaske.
DE1797255A1 (de) Verfahren zum Verhindern des Schaeumens bei der Herstellung von Photoresistmustern
DE3337315A1 (de) Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten
DE949802C (de) Verfahren zur Herstellung von Linien enthaltenden Rastern auf Photomechanischem Wege
DE2016056B2 (de) Gefaerbte transparente photomaske
DE2643811A1 (de) Verfahren zur herstellung eines musters in einer photolackschicht und hierfuer geeignete maske
DE2123887C3 (de)
DE1277306B (de) Speicherelektrode fuer Bildaufnahmeroehren und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1166935B (de) Verfahren zum Erzeugen von Masken auf Halbleiterkoerpern
DEW0016515MA (de)
EP1221072B1 (de) Kontaktlochherstellung mit hilfe sich kreuzender phasensprungkanten einer einzigen phasenmaske
DE2452326A1 (de) Verfahren zur herstellung einer aetzmaske mittels energiereicher strahlung
DE2261123A1 (de) Maske fuer photolithographische verfahren
DE2924714C2 (de) Verfahren zur Wiederaufbereitung eines Leuchtschirms einer Kathodenstrahlröhre unter Erhaltung einer lichtabsorbierenden Matrix
DE68912664T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Feinstrukturen.
DE2227342C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Musters hoher Auflösung
DE2727646C2 (de) Verfahren zur Herstellung feiner Gitterstrukturen mit zwei sich kreuzenden Stegscharen und Verwendung
DE69403462T2 (de) Dünne filmmaske für rötngenstrahllithographie und herstellungsverfahren
DE4126635A1 (de) Verfahren zur bildung eines mikromusters unterhalb der aufloesungsgrenze eines photolithographischen prozesses
DE1246127B (de) Verfahren zum Aufbringen von metallischen Elektroden auf Bereichen der Oberflaeche eines pn-UEbergaenge enthaltenden Halbleiterkoerpers