DK153248B - Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning - Google Patents
Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning Download PDFInfo
- Publication number
- DK153248B DK153248B DK033479AA DK33479A DK153248B DK 153248 B DK153248 B DK 153248B DK 033479A A DK033479A A DK 033479AA DK 33479 A DK33479 A DK 33479A DK 153248 B DK153248 B DK 153248B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- coating
- metal
- solar energy
- selective absorption
- selective
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Nickel - nickel oxide- nickel sulphide - zinc sulphide Chemical compound 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 150000003567 thiocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAPUDVOJPZKTSI-UHFFFAOYSA-L ammonium nickel sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DAPUDVOJPZKTSI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VKEFNVOFPGMYPU-UHFFFAOYSA-N nickel oxocobalt oxonickel Chemical compound [Ni].[Ni]=O.[Co]=O VKEFNVOFPGMYPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
i
DK 153248B
Opfindelsen angår en belægning af den i krav l's indledning angivne art.
Selektive belægninger må for at være gode solkollektorer, have så lille en lysreflektion som muligt og lille transparens for lys, dvs.
5 være så sort som muligt. Imidlertid er det således rent fysisk, at jo større og mørkere et legeme er, desto større er energitabet ved varmestråling.
Sort maling har længe været anvendt som en ikke-selektiv belægning, hvis absorption og emission forbliver konstant over det fulde spek-10 trum af solstråling og termisk stråling. Maling kan arbejde op til ca. 100 grader celcius, men over denne temperatur aftager kollekto-rens effektivitet stærkt på grund af de termiske tab ved genudstråling fra kollektoren.
Malinger har endvidere den alvorlige fejl at være baseret på orga-15 niske materialer, som nedbrydes under normale sol- og driftsforhold.
Disse problemer har man forsøgt at undgå ved at anvende forskellige elektrolytiske belægninger.
Tidligere beskrevne metoder til fremstilling af selektive belægninger har anvendt metoder og processer med udgangspunkt i U.S. pat.
20 2.917,817 og 3.129,703.
DK 153248B
2
De indtil nu anvendte metoder beror på belægninger af sort-nikkel, sort-kobber, sort-zink, sort-sølv og sort-krom samt kombinationer af kemiske, elektrolytiske og varmetekniske behandlinger.
Andre udførelsesformer af selektive belægninger, består i oxydering 5 af stållegeringer i sure oxyderende opløsninger, som iltende syrer, hvorved det øverste metallag omdannes til et oxidlag med selektive egenskaber, direkte knyttet til den benyttede stållegering.
En ulempe ved denne metode er, at selektiviteten er knyttet alene til den benyttede stålsort. Endvidere kan der let opstå diffusion 10 mellem oxidlag og stålet, da der mangler et skillelag af et andet materiale.
Dette giver en mindre stabil belægning ved langvarig drift, tfed vacuumpådampning kan der fremstilles interferensbelægninger baseret på halvtransparente tynde metallag belagt med halvleden-15 de interferenslag. Disse to lag er udfældet på et poleret aluminiumsubstrat, med det halvledende lag øverst.
På grund af de gentagne reflektioner gennem lagene opnås selektiviteten.
Disse fremstillingsmetoder er dog langsomme og kostbare ved store 20 flader, da de anvendte materialer skal være af stor renhed. Metoden anvendes derfor fortrinsvis til optiske filtre og i rumfartsteknik.
Disse processer har været vanskelige at reproducere, alt for kostbare, eller forholdet mellem solabsorbtionen ύζ , og emissionen 25 , har været utilfredsstillende.
DK 153248B
3
Opfindelsen adskiller sig fra kendte principper og processer, hvor selektiviteten er knyttet til underlaget, som kendt fra dansk patent ansøgning nr. 4184/76 , og tysk offentliggørelsesskrift 2.702.079 , hvor selektiviteten alene frembringes ved interferens-5 virkninger i et eller flere lag, og fremstillingsmetoderne er henholdsvis kemisk oxydation og højvacuumpådampning.
Opfindelsen bryder med ovennævnte principper og processer ved indførelse af elektrolytiske dispersionsbelægninger i solteknologi.
Det bliver derved muligt i højere grad at styre pore strukturen 10 ved at tilsætte uopløselige stoffer med veldefineret komstørrel-se, som udfældes sammen med den elektrokemiske belægning bestående af metaloxider, metalsulfider og metal.
Derved muliggøres fremstilling af en kontrolleret belægning med såkaldte 'sorte huller1. Ved en kombination af halvlederegenskaber 15 i såvel den elektrokemiske grundbelægning, som i de faste stoffer der indlejres, og selektive strukturegenskaber øges selektiviteten væsentligt.
Fremstillingsmetoderne er billige og egnet til masseproduktion.
Belægningen af den indledningsvis angivne art er ejendommelig ved 20 det i krav l's kendetegnende del angivne.
Herved opnås en overflade med halvledende dielektriske egenskaber, og optræder med en dendritisk overfladestruktur og mikrohulrum i størrelsesorden o,2- 2^tm. Det er endvidere karakteristisk, at lagtykkelsen er veldefineret, og i størrelsesorden 500-3000 Ångstrøm.
25 Dette kan således opnås på et metallisk eller metalliseret substrat med lille hemisfærisk udstråling,£ Z 0,1 , og ved bølgelængder i området 0,35-12julm.
DK 153248B
4
Derved bliver forholdet mellem absorbtionsfaktoren for solenergi θ< og emissionsfaktoren £ , større end 9 og differencen o^— £ bliver større end eller lig 0,7.
Der opnås således, at overfladen absorberer størst mulig solenergi 5 og udstråler mindst mulig varme. Derved opnås den maksimale virkningsgrad af en solfanger ved den højeste arbejdstemperatur.
Den forøgede selektivitet, opnås ved en kombination af struktur-og halvlederegenskaber. Mikrohulrummene kan dannes ved en kombineret teknik bestående af ætsning af overfladen med syre, og belægning 10 med en elektrolytisk dispersionsbelægning. Ved en dispersions belægning forstås en udfældning af metal, plus faste uopløselige stoffer, son udfældes samtidigt f. eks. ved elektrolyse som i dette tilfælde.
Tidligere har man fremstillet slibeskiver af nikkel med diamantpul-15 ver indfældet, samt selvsmørende lejer af nikkel med grafitpulver ved dispersionsbelægning. Opfindelsen angår ligeledes en fremgangsmåde til fremstilling af en sådan belægning, der er ejendommelig ved det i krav 4's kendetegnende del angivne, belyses nærmere ved de efter følgende eksempler.
20 Den forbedrede belægning er opnået med tynde belægninger af kolloid natur med en sammensætning vist ved følgende eksempler.
EKS. 1 : .Nikkel - nikkeloxid- nikkelsulfid - zinksulfid r .. blysulfid.
EKS. 2 : Nikkel- nikkeloxid- koboltoxid.
25 EKS. 3 : Nikkel- nikkeloxid- molybdænoxid.
Derudover indeholder belægningen kom af et eller flere af følgende stoffer: Karbider ,nitrider , silicider , borider , siliciumoxid, aluminiumoxid , chalkonenide glasser , kulstof , titanater .
Den procentiske sammensætning varieres som følger.
DK 153248B
5 EKS. 1 : Nikkel : 23-50%
Zink : 7-48"
Svovl : 8-15"
Kvælstof : 0-3,5" 5 Ilt : 0-5 "
Kulstof : 0-4,5"
Bly : 0-10" EKS. 2 : Nikkel : 0-50%
Kobolt : 0-50" 10 Ilt : 0-50" EKS. 3 : Nikkel : 5-25%
Molybdæn : 10-60"
Ilt : 20-40"
Bly : 0-10” 15 EKS. 1 : Udfældes fra bade bestående af nikkel sulfat, nikkelammoniumsulf at, zinksulfat, thiocyanater.og blyforbindelser.
EKS. 2 : Nikkelklorid, zinkklorid , thiocyanater og blyforbindelser, ved ph 5-6,5 og strømtætheder fra 0,1-1 Arap/dnt2 og tempe-20 raturer fra 18- 60 grader celcius.
EKS. 3 : Udfældes fra bad indeholdende nikkelsulfater, molybda-ter og blyforbindelser ved samme betingelser som eks. 1 og 2 .
• $ 6
DK 153248B
Opfindelsen forklares i det følgende nærmere under henvisning til den skematiske tegning, hvor fig. 1 viser en enkel udførelsesform for en selektiv belægning, fig. 2 viser en forstørrelse af den selektive belægnings struktur.
5 fig. 3 viser en forstørrelse af fig. 2, til illustration af re-f lektionsforholdene i et såkaldt 'absolut sort hul' .
FIG.l viser en metalplade (1) belagt med et lag elektrolytisk udfældet metal (2) og derover yderligere et lag metal eller metaloxid (3) og yderst den selektive sorte belægning (4) , som 10 bestråles af sollys (5) .
FIG. 2 viser en forstørrelse af den selektiv sorte belægnings struktur (4) som danner 'absolut sorte huller' (6), i det følgende skal dette forklares nærmere.
Hullernes størrelsesorden er 0,2- 2yu'm. Derved øges absorbtionen 15 i området op til 2yttm, og samtidig fungerer hullerne son reflekter for det infrarøde område over 2yUm.
FIG.3 viser et 'absolut sort hul' (6) .
Ingen materiel flade udgør et absolut sort legeme, men et hul i en væg eller overflade, kan betragtes som et absolut sort legeme.
20 Den stråling (7) , scan trænger ind gennem hullet, reflekteres fra de indre vægge, men kun en forsvindende del finder vej ud igen. Emissionsspektret fra et absolut sort legeme fastlægges helt og holdent af hulrummets temperatur.
Dette medfører forøget selektiv absorbtion i området 0,35- 2,5yum 25 ( solens spektrum ) og minimal emission i det infrarøde område for bølgelænder over 2ytt.ni.
Selektiviteten er karakteriseret ved forholdet , hvor er absorbtionen, og £ er emissionen. Jo større dette forhold er, des større er selektiviteten. Absorbtionen skal dog være i 30 størrelsesorden > 0,9 , da o( indgår i solfangerligningen med større vægt end £ , for at der kan opnås fuld nytte af effekten.
Claims (4)
1. En belægning (4) til selektiv absorbtion af solenergi '(5) kendetegnet ved , at belægningen består af en dispersion af faste stoffer, scan partikler i størrelsesorden o-3yU,ni, indlejret i en bærermatriks af halvledende eller di-5 elektrisk stof, at belægningens tykkelse er 500-3ooo Ångstrøm, at overfladestrukturen af belægningen udgøres af mikrohiiller af en størrelse på 0,2-2^um3 og at dispersionen af faste stoffer er homogen, at belægningen har en kemisk sammensætning, hvori metalindholdet udgør 0-50 % efter vagt af Ni, eller en blanding 10 af Ni og mindst eet metal og højst tre fra gruppen bestående af : Co , Mo , Cr , W , Mn , Fe , V , Cu , Fb , Zn , Al , Si „ samt mindst et af metalloiderne : N , S , C , B , 0 , eller en kemisk forbindelse mellem to eller flere, alene 15 eller i forbindelse med et metal, indfældet som faste partikler i mængden 0-20 % efter vægt. DK 153248B<
2. En belægning til selektiv absorbtion af solenergi ifølge krav 1, kendetegnet ved at belægningen er anbragt på et metallisk substrat eller metalliseret substrat, son udviser en lille hemisfærisk udstrålingsfaktor £ < 0,1 indenfor 5 bølgelængderne 0,35- 12 ytxm.
3. En belægning til selektiv absorbtion af solenergi ifølge krav 1 og 2, kendetegnet ved, at forholdet mellem absorbtionsfaktoren for solenergi OC og emissionsfaktoren £ udtrykt ved brøken er lig med eller større end 9 eller 10 differencen £ i 0,7.
4. Fremgangsmetode til franstilling af en belægning til selektiv absorbtion af solenergi ifølge kravene 1 , 2 og 3 , kendetegnet ved at belægningen fremstilles ved elektrolytiske påføringsmetoder i en udformning hvor en 15 metalplade (1) belægges med et lag elektrolytisk udfældet metal (2) eller en legering, bestående af en eller flere fra gruppen : Ni , Co , Mo , Cr , W , Mn , Fe , V , Cu , Pb , Zn , Al , Si , derover forsynes med en belægning af et metal eller metaloxid (3) fra ovenstående gruppe, og yderst forsynes med en selektiv belæg-20 ning (4).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DK033479A DK153248C (da) | 1979-01-26 | 1979-01-26 | Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DK033479A DK153248C (da) | 1979-01-26 | 1979-01-26 | Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning |
| DK33479 | 1979-01-26 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK33479A DK33479A (da) | 1980-07-27 |
| DK153248B true DK153248B (da) | 1988-06-27 |
| DK153248C DK153248C (da) | 1988-11-21 |
Family
ID=8092363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK033479A DK153248C (da) | 1979-01-26 | 1979-01-26 | Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DK (1) | DK153248C (da) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017054780A1 (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 淄博环能海臣环保技术服务有限公司 | 一种蚀刻生成耐高温选择性吸收功能膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2702079A1 (de) * | 1976-01-19 | 1977-08-04 | Centre Nat Etd Spatiales | Sonnenabsorber |
| DK152624B (da) * | 1975-09-22 | 1988-03-28 | Yazaki Corp | Selektiv absorptionsoverflade for et solfang og fremgangsmaade ved fremstilling heraf |
-
1979
- 1979-01-26 DK DK033479A patent/DK153248C/da not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK152624B (da) * | 1975-09-22 | 1988-03-28 | Yazaki Corp | Selektiv absorptionsoverflade for et solfang og fremgangsmaade ved fremstilling heraf |
| DE2702079A1 (de) * | 1976-01-19 | 1977-08-04 | Centre Nat Etd Spatiales | Sonnenabsorber |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017054780A1 (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 淄博环能海臣环保技术服务有限公司 | 一种蚀刻生成耐高温选择性吸收功能膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK33479A (da) | 1980-07-27 |
| DK153248C (da) | 1988-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nair et al. | Chemically deposited Sb2 S 3 and Sb2 S 3‐CuS thin films | |
| Chen et al. | Metal selenide photocatalysts for visible-light-driven Z-scheme pure water splitting | |
| Kumar et al. | Large-area, green solvent spray deposited nickel oxide films for scalable fabrication of triple-cation perovskite solar cells | |
| Scarminio et al. | Electrochromism and photochromism in amorphous molybdenum oxide films | |
| Sayama et al. | Photoelectrochemical decomposition of water on nanocrystalline BiVO 4 film electrodes under visible light | |
| Mirabolghasemi et al. | Formation of ‘single walled’TiO 2 nanotubes with significantly enhanced electronic properties for higher efficiency dye-sensitized solar cells | |
| Basnet et al. | Tuning the Cu x O nanorod composition for efficient visible light induced photocatalysis | |
| Raevskaya et al. | Non-stoichiometric Cu–In–S@ ZnS nanoparticles produced in aqueous solutions as light harvesters for liquid-junction photoelectrochemical solar cells | |
| Cory et al. | Electrodeposited CuO thin film for wide linear range photoelectrochemical glucose sensing | |
| Gopi et al. | Improving the performance of quantum dot sensitized solar cells through CdNiS quantum dots with reduced recombination and enhanced electron lifetime | |
| Zhang et al. | Zn-Ag-In-S quantum dot sensitized solar cells with enhanced efficiency by tuning defects | |
| US20100248417A1 (en) | Method for producing chalcopyrite-type solar cell | |
| Raievska et al. | Ultra-small aqueous glutathione-capped Ag–In–Se quantum dots: luminescence and vibrational properties | |
| Sun et al. | Eco-friendly NaSbS 2 quantum dot-sensitized solar cells | |
| Duta et al. | Coloured solar-thermal absorbers–a comparative analysis of cermet structures | |
| CN116125716B (zh) | 钨铌双金属氧化物电致变色薄膜、电致变色薄膜电极及其制备方法 | |
| Hajimazdarani et al. | Enhanced optical properties of ZnS–rGO nanocomposites for ultraviolet detection applications | |
| Lee et al. | Electrochemical approach for preparing conformal methylammonium lead iodide layer | |
| Huang et al. | Interfacial Diffusion of Metal Atoms during Air Annealing of Chemically Deposited ZnS‐CuS and PbS‐CuS Thin Films | |
| DK153248B (da) | Belaegning til selektiv absorbtion af solenergi og en fremgangsmaade til fremstilling af en saadan belaegning | |
| Dloczik et al. | CuAlO2 prepared by ion exchange from LiAlO2 | |
| Larsen et al. | Nanostructured homogenous CdSe–TiO 2 composite visible light photoanodes fabricated by oblique angle codeposition | |
| Boon-On et al. | Band gap tunable quaternary Pb x Cd 1− x S 1− y Se y quantum dot-sensitized solar cells with an efficiency of 9.24% under 1% sun | |
| Ammar et al. | The effect of TSC and nickel doping on SnS thin films | |
| US20230037147A1 (en) | High-efficiency photoelectrochemical electrode as hydrogen generator composed of metal oxide and transition metal dichalcogenide bond on three-dimensional carbon textile and method of manufacturing same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |