DK155955B - Fremgangsmaade og apparat til aflejring af halvledermateriale af hoej renhed - Google Patents
Fremgangsmaade og apparat til aflejring af halvledermateriale af hoej renhed Download PDFInfo
- Publication number
- DK155955B DK155955B DK141183A DK141183A DK155955B DK 155955 B DK155955 B DK 155955B DK 141183 A DK141183 A DK 141183A DK 141183 A DK141183 A DK 141183A DK 155955 B DK155955 B DK 155955B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- bell
- reaction chamber
- bottom plate
- thin rods
- silicon
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002436 steel type Substances 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000035611 feeding Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
DK 155955B
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af rent halvledermateriale/ navnlig silicium, hvilken fremgangsmåde er af den art, der er nærmere angivet i indledningen til krav 1.
5 Denne fremgangsmåde, som navnlig er velkendt i forbindelse med aflejring af halvledende silicium, udføres ifølge teknikkens nuværende stade i reaktionsbeholdere, der består af en vandkølet metallisk bundplade, hvorigennem der strækker sig et eller flere par elektriske strømgennemføringer med 10 holdeorganer for bærelegemer, såvel som rørforbindelser til tilførsel og fraførsel af de gasformige forbindelser, samt af en af kvarts bestående klokke, der er beklædt med en rustfri stålklokke, hvis opgave det er at modstå de i reaktionskammeret herskende indre tryk og tilvejebringe den 15 hermetiske tætning i forhold til bundpladen. Udenpå denne første stålklokke er der anbragt en anden stålklokke, idet rummet mellem disse to klokker tjener som kølemediumkammer og indgår i et køleanlæg, hvori der anvendes vand som kølemedium.
20 Med henblik på fremstilling af siliciumstænger, som udgør den mest anvendte form af silicium af elektronisk kvalitet, fastgøres et eller flere par tynde siliciumstave eller -filamenter lodret på bundpladen på de øverste ender af de pågældende strømgennemføringer, idet de øverste ender af fila-25 menterne i hvert par forbindes med hinanden ved hjælp af en bro af silicium eller grafit, så at hvert par danner et elektrisk kredsløb i form af et omvendt U.
Efter at reaktionsbeholderen er lukket, underkastes systemet en ætsning og udskylning, filamenterne opvarmes til sili-30 ciumforbindelsernes spaltningstemperatur, idet de nævnte forbindelser indblæses i reaktionskammeret og aflejringen af silicium finder sted på filamenternes overflade, idet filamenterne vokser til den endelige ønskede tykkelse.
DK 155955B
2
De kvartsklokker, som for tiden er tilgængelige på markedet, har diametre på højst ca. 900 mm og maksimale højder på højst 2500 mm, og deres vægtykkelse er mindst 15 til 20 mm. Disse dimensioner medfører visse ulemper for reak-5 toren og fremgangsmåden.
På grund af den store følsomhed, som sådanne kvartsklokker udviser overfor de gentagne termiske chok, som den cykliske drift medfører, er deres levetid forholdsvis kort, hvad der medfører høje driftsomkostninger.
10 Ydermere er det nødvendigt at holde gennemstrømningshastigheden og molforholdet af blandingen af gasformige siliciumforbindelser og hydrogen og temperaturen af de voksende stave indenfor visse grænser, som ikke er de mest hensigtsmæssige med henblik på optimal ydelse og aflejrings-15 hastighed for processen. Dersom disse grænser overskrides, fremkommer en uønsket aflejring af silicium på klokkens indervægge, eftersom i disse tilfælde kan disse vægge tit ikke længere holdes tilstrækkeligt kølige til at forhindre denne afsætning.
20 Det er opfindelsens formål at anvise en fremgangsmåde af den indledningsvis nævnte art, som ikke er behæftet med de ovenfor omtalte ulemper, og dette formål opnås ved at gå frem som angivet i den kendetegnende del af krav 1.
Ganske vist kendes der fra US-PS nr. 4.173.944 reaktorer 25 til fremstilling af halvleder-silicium, som heller ikke har en kvartsklokke. Disse reaktorer har en stålklokke, hvis indvendige overflade er pletteret med sølv. Den plettering af stål med sølv, der er omtalt i dette patentskrift, udføres i en proces med mange trin, hvorfor fremstillingen 30 af klokker i overensstemmelse med dette patentskrift kræver meget mere tid og er dyrere end fremstillingen af klokker til en reaktor ifølge nærværende opfindelse.
DK 155955 B
3
Ved udøvelse af opfindelsen anvendes et reaktionskammer, hvori både bundpladen og klokken består af metal, fortrinsvis i form af en mod korrosion modstandsdygtig legering. Der kendes allerede passende legeringer, der kan anvendes til 5 dette formål. Navnlig har ståltyper i overensstemmelse med DIN X2 CrNiMn 1810 eller AISI 316L vist sig at være velegnede. Andre legeringsståltyper af grupperne URANUS (R) og HASTELLOY(R), såsom URANUS B6 eller Hastelloy B, kan også anvendes.
10 Poleringen af disse legeringers overflade udføres efter kendte metoder. Overfladerne bør poleres på en sådan måde, at de opfylder betingelserne ifølge ASTM A 480, betingelse 8. Klokken udstyres med kølekapper, og reaktoren bygges til at tåle et indvendigt tryk så højt som 25 bar. I bund-15 pladen er der udformet kølekanaler og anbragt strømgennemføringer samt organer til at fastholde afsætningsfilamenterne eller -stavene.
Til trods for fraværet af den varmeisolerende kvartsvæg, er det let at styre temperaturen på den indvendige overfla-20 de i området fra 50 til 300°C. Dette gøres ved hjælp af et dertil egnet kølemedium, som gennemstrømmer kølekappen.
Det foretrukne kølemedium er diatermisk olie eller varme-ledende olie.
Når temperaturen på væggens indvendige overflade holdes 25 indenfor det nævnte område, sker der ingen aflejring af silicium på væggen, og lejlighedsvise aflejringer af polymere biprodukter af siliciumforbindelsernes spaltningsproces er ikke skadelige for processen og for apparatet, og dette sker selv under ret ekstreme driftsbetingelser 30 som de følgende, der har vist sig at være de mest velegnede for spaltningsprocessen: Stavenes temperatur så høj som 1200°C (i almindelighed mellem 1000 og 1250°C), molforhold mellem siliciumforbindelser og hydrogen op til 1,0, 4
DK 155955 B
gennemstrømningshastighed af siliciumforbindelserne eller 3 deres blandinger op til 300 kg/h pr- m reaktionskammer-rumfang, og et driftstryk op til 10 bar.
En yderligere fordel ved udeladelsen af kvartsklokken er 5 den opnåede fuldstændige frihed ved dimensioneringen af reaktoren, således at mange store stave, f.eks. otte, tolv eller flere, kan anbringes inden i reaktionskammeret i kendte opstillinger, f.eks. symmetrisk som par omkring reaktorens længdeakse.
10 Ved hjælp af fremgangsmåden ifølge opfindelsen opnås en længere levetid for udstyret sammenlignet med tidligere til det samme formål anvendte fremgangsmåder, der er baseret på anvendelsen af en skør kvartsklokke. Ydermere opnås der en højere ydelse og en større aflejringshastighed, på grund 15 af bærelegemernes højere driftstemperatur, det højere molforhold mellem siliciumforbindelserne og hydrogenet, og halvlederforbindelsernes højere strømningshastighed for hver rumfangsenhed af reaktionskammerets rumfang. Det samlede resultat af disse fordele er færre drifts- og vedligeholdel-20 sesproblemer, ingen skadelig aflejring af polymere siliciumforbindelser på indervæggen, intet tab af silicium, der på uønsket måde aflejres på indervæggene, samt en nedsættelse af det elektriske energiforbrug pr. kg aflejret silicium fra den typiske værdi på 200-250 kWh/kg med den kendte tek-25 nik, ned til 70-80 kWh/kg eller mindre.
Opfindelsen angår også et apparat til udøvelse af fremgangsmåden. Dette apparat er af den art, der er angivet i indledningen til krav 6, og udviser ifølge opfindelsen de nye træk, der er angivet i det samme kravs kendetegnende del.
30 Opfindelsen skal i det følgende forklares nærmere under henvisning til det på tegningen viste udførelseseksempel på en reaktor ifølge opfindelsen.
5
DK 155955 B
Reaktionsrummet består af en bundplade 1 og en klokkeformet hætte 2. Bundpladen 1, der består af en mod korrosion modstandsdygtig metallegering, er udformet med en til spejlblankhed poleret overside og med en hul kølelabyrint 21, 5 der dækker hele bundpladen og er forbundet med to korte rør 9 og 10, der tjener som indløb henholdsvis udløb for kølemediet, som fortrinsvis består af mineralsk eller syntetisk diatermisk eller varmeledende olie.
Gennem bundpladen 1 strækker der sig to rør 13 og 14, 10 der tjener som indløb henholdsvis udløb for reaktionsgasserne .
Yderligere strækker der sig igennem bundpladen 1 nogle par strømgennemføringer 16, som afkøles med et kølemedium, der strømmer ind gennem indløb 11 og ud gennem udløb 12 15 og omfatter desuden strømforsyningsklemmerne 15. Strømgennemføringerne 16 bærer også grafitholdeblokkene 18, hvori siliciumfilamenterne 19 er fastgjort.
Klokken 2 består af to koncentriske skaller, hvoraf inder-skallen 3 består af korrosionsfast metallegering med en til 20 spejlblankhed poleret indvendig overflade, idet yderskallen 23 består af normalt rustfrit stål. Mellem de to skaller ligger kølekapperummet 22. Kølefluidet, dvs. den diatermiske eller varmeledende olie, strømmer ind i kapperummet gennem indløbet 7 og strømmer ud fra udløbet 8, der er 25 anbragt øverst på klokken. Indløbet 7 og udløbet 8 er forbundet med et ikke vist ydre lukket kredsløb, som styres termostatisk.
Klokken 2's bundflange, hvori der er udformet et sæde for en pakning i form af en af PTFE-elastomer bestående O-ring 30 17, der tilvejebringer tætning mellem klokken 2 og bundpladen 1, har et særskilt ringformet kølehulrum 4 med et indløb 5 og et udløb 6.
6
DK 155955 B
Eksempel
Tolv ikke-doterede siliciumfilamenter 19 af en høj renheds-grad og med et tværsnitsareal på omkring 0,45 cm og en længde på 200 cm fastgøres til grafitholdeblokkene 18 5 på bundpladen 1 og forbindes ved deres øvre ender med silicium-broer 20, idet filamentparrene forbindes to og to, således at de sammen med de ydre forbindelser danner et elektrisk trefasekredsløb i stjernekobling. Klokken 2, hvis indvendige diameter er 800 mm, og hvis højde er 10 2250 mm, sænkes og fastgøres til bundpladen 1, hvorpå reaktionskammeret gennemskylles gentagne gange, filamenterne 19 opvarmes til 1120°C og ætses, idet der i reaktionskammeret indføres en reaktionsgas bestående af tri-chlorsilan og hydrogen i et molforhold på 0,2.
15 Gennemstrømningshastighedexv beregnet på trichlorsilanet, når op på et maksimum på 290 kg/h med en gennemsnitsværdi på 260 kg/h, og det i reaktionskammeret herskende tryk er 5 bar. I løbet af en aflejringsperiode på 90 timer frembringes 390 kg polykrystallinsk silicium med et elek-20 trisk energiforbrug på 70 kWh/kg.
Claims (6)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af rent halvledermateriale, navnlig silicium, ved spaltning af gasformige forbindelser af det nævnte materiale på overfladen af 5 tynde stave af det samme materiale, som ved hjælp af en elektrisk strøm gennem de tynde stave eller filamenter holdes opvarmet på forbindelsernes spaltningstemperatur, idet der anvendes et reaktionskammer bestående af en bundplade med hulrum for et kølemedium og en hertil fast-10 gjort dobbeltvægget klokke, der indeholder en kølekappe, kendetegnet ved, at processen udføres med en gennemstrømningshastighed af de nævnte gasformige forbin- 3 delser på op til 300 kg/h. pr. m reaktionskammer og ved en spaltningstemperatur ved de tynde stave eller filamenter 15 på mellem 1000 og 1250°C, idet der anvendes et reaktionskammer, hvis vægge består af en korrosionsmodstandsdygtig legering, og hvis spejlende indvendige overflader er opnået ved polering.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet 20 ved, at arbejdstrykket i reaktionskammeret holdes mellem 5 og 10 bar.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 og 2, kendetegnet ved, at der som den tilførte gas anvendes en blanding af hydrogen, trichlorsilan eller siliciumtetrachlorid 25 eller dichlorsilan eller en blanding af disse med et gennemsnitligt molforhold mellem chlorsilaner og hydrogen på op til 1,0.
4. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at reaktionskammerets bundplade og klokke holdes af- 30 kølet til temperaturer mellem 50 og 3.00°C ved hjælp af en væske med højt kogepunkt, der strømmer gennem klokkens kølekappe og gennem bundpladens kølekammer. DK 155955 B
5. Fremgangsmåde ifølge krav 4, kendetegnet ved, at der som kølevæske anvendes en diatermisk eller varmeledende olie.
6. Apparat til udøvelse af fremgangsmåden ifølge 5 krav 1-5 til fremstilling af rent halvledermateriale, navnlig silicium, ved spaltning af gasformige forbindelser af det nævnte halvledermateriale på overfladen af tynde stave (19) af det samme materiale, som ved hjælp af en elektrisk strøm gennem de tynde stave holdes opvarmet 10 til forbindelsernes spaltningstemperatur, idet reaktionskammeret har spejlende indervægge og består af en bundplade (1) med hulrum (21) for et kølemedium og en dertil fastgjort dobbeltvægget klokke (2) indeholdende en kølekappe (22), kendetegnet ved, at både klokken (1) og 15 bundpladen (2) består af en korrosionsmodstandsdygtig legering, og at klokkens og bundpladens spejlende indvendige overflade er opnået ved polering.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT4811382 | 1982-03-29 | ||
| IT48113/82A IT1147832B (it) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | Apparecchio e procedimento per la produzione di materiali semiconduttori iperpuri |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK141183D0 DK141183D0 (da) | 1983-03-28 |
| DK141183A DK141183A (da) | 1983-09-30 |
| DK155955B true DK155955B (da) | 1989-06-05 |
| DK155955C DK155955C (da) | 1989-10-23 |
Family
ID=11264599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK141183A DK155955C (da) | 1982-03-29 | 1983-03-28 | Fremgangsmaade og apparat til aflejring af halvledermateriale af hoej renhed |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0090321A3 (da) |
| JP (1) | JPS58176924A (da) |
| DK (1) | DK155955C (da) |
| IT (1) | IT1147832B (da) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169962A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 霧化薄膜作製装置 |
| DE69126724T2 (de) * | 1990-03-19 | 1998-01-15 | Toshiba Kawasaki Kk | Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung |
| JPH04175294A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-23 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| EP1772429A4 (en) * | 2004-06-22 | 2010-01-06 | Shin Etsu Film Co Ltd | METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON AND POLYCRYSTALLINE SILICON FOR SOLAR CELLS MADE ACCORDING TO THE PROCESS |
| JP5308288B2 (ja) | 2009-09-14 | 2013-10-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造システム、および多結晶シリコンの製造方法 |
| DE112011102417T5 (de) | 2010-07-19 | 2013-05-16 | Rec Silicon Inc. | Herstellung von polykristallinem Silizium |
| DE102015200070A1 (de) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Wacker Chemie Ag | Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1341482A (fr) * | 1960-02-23 | 1963-11-02 | Siemens Ag | Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur de grande pureté, en particulier de silicium |
| US3717439A (en) * | 1970-11-18 | 1973-02-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vapour phase reaction apparatus |
| US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
| DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
| DD156273A1 (de) * | 1981-02-11 | 1982-08-11 | Hans Kraemer | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silizium |
-
1982
- 1982-03-29 IT IT48113/82A patent/IT1147832B/it active
-
1983
- 1983-03-22 EP EP83102810A patent/EP0090321A3/de not_active Ceased
- 1983-03-28 JP JP58050573A patent/JPS58176924A/ja active Pending
- 1983-03-28 DK DK141183A patent/DK155955C/da not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58176924A (ja) | 1983-10-17 |
| EP0090321A2 (de) | 1983-10-05 |
| IT1147832B (it) | 1986-11-26 |
| EP0090321A3 (de) | 1986-05-14 |
| DK141183A (da) | 1983-09-30 |
| DK141183D0 (da) | 1983-03-28 |
| DK155955C (da) | 1989-10-23 |
| IT8248113A0 (it) | 1982-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4179530A (en) | Process for the deposition of pure semiconductor material | |
| US4173944A (en) | Silverplated vapor deposition chamber | |
| EP1257684B1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon | |
| US6365225B1 (en) | Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon | |
| US4150168A (en) | Method and apparatus for manufacturing high-purity silicon rods | |
| US8399072B2 (en) | Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon | |
| EP2008969A1 (en) | Trichlorosilane production apparatus | |
| US9217609B2 (en) | Apparatus and methods for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane | |
| US20090155140A1 (en) | Apparatus for Producing Trichlorosilane | |
| JPWO2005016820A1 (ja) | 管型反応容器および該反応容器を用いたシリコンの製造方法 | |
| US9416014B2 (en) | Method for producing trichlorosilane | |
| US4265859A (en) | Apparatus for producing semiconductor grade silicon and replenishing the melt of a crystal growth system | |
| KR20160148601A (ko) | 다결정질 실리콘 과립 제조용 유동층 반응기 및 제조 방법 | |
| US8282902B2 (en) | Apparatus for producing trichlorosilane, and method for producing trichlorosilane | |
| EP0180397B1 (en) | Method and apparatus for the production of polycrystalline silicon | |
| CN105473501B (zh) | 卤代硅烷加氢用单块整体热交换器和设备及方法 | |
| JPWO2005019106A1 (ja) | シリコン製造装置 | |
| JP6370232B2 (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 | |
| EP2003092B1 (en) | Trichlorosilane production apparatus | |
| JP5708332B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| CN112048762B (zh) | 一种半导体单晶硅炉水冷套 | |
| JPS58176924A (ja) | 純粋な半導体材料の製法及びその装置 | |
| JP7023951B2 (ja) | ポリシリコンの製造方法 | |
| EP2633096B1 (en) | Thermal shield for silicon production reactors | |
| JP5334490B2 (ja) | シリコン製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed | ||
| PBP | Patent lapsed |