DK160118B - Piezoelektrisk resonator og fremgangsmaade til dens fremstilling - Google Patents
Piezoelektrisk resonator og fremgangsmaade til dens fremstilling Download PDFInfo
- Publication number
- DK160118B DK160118B DK242783A DK242783A DK160118B DK 160118 B DK160118 B DK 160118B DK 242783 A DK242783 A DK 242783A DK 242783 A DK242783 A DK 242783A DK 160118 B DK160118 B DK 160118B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- region
- resonator according
- electrode
- tongue
- resonator
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
DK 1601 '13 B
Opfindelsen angår en piezoelektrisk højfrekvent resonator, især et filter, og en fremgangsmåde til fremstilling deraf.
5 Fra US patent nr. 3 694 677 kendes en piezoelektrisk resonator omfattende en kvartsskive, som i sit centrum har en region, der er gjort tynd og udgør en membran, hvor denne tynde region er forbundet med regionen, der ikke er gjort tynd, ved en region, som udgør et trin. En 10 elektrode strækker sig fra skivens ydre til centrum af den tynde region og går gennem regionen, som danner et trin. På skivens anden side er der anbragt en elektrode, som ligeledes strækker sig fra skivens periferi til centrum af tynde region. Denne anden side kan være plan 15 eller ligeledes fremvise en zone, som udgør et trin, som kan passere elektroden.
Det viser sig i praksis, at fremstillingen af elektroder ved pulverisering eller fordampning af et metallag ikke 20 er tilfredsstillende. Fremstillingen af disse elektroder skal opfylde flere krav. Dels skal elektroderne frembyde en så lille elektrisk resistans som mulig og modstå de vibrationer, som den piezoelektriske skive udsættes for, og dels må elektroderne ikke veje så meget, at de frem-25 kalder væsentlige ændringer af krystalfrekvensen.
I praksis er elektroderne af sølv eller fortrinsvis af aluminium, et relativt let materiale med god elektrisk ledningsevne. Deres tykkelse er af størrelsesorden 100 30 nm, hvormed der kan opnås en resonator med en høj overspændingskoefficient .
Såfremt elektroderne fremstilles ved den i ovennævnte patentskrift angivne fremgangsmåde, får de et skrøbeligt 35 punkt ud for trinnet, hvilket medfører, at de efter en vis driftstid, undertiden allerede straks efter den normalt praktiserede ældningsbehandling til stabilisering af
2 DK 16 C118 B
resonatoren, vil gøre resonatoren ubrugelig ved afbrydelse af den galvaniske kontinuitet.
Fremstilling af en pålidelig piezoelektrisk resonator 5 kræver en modificeret proces til fremstilling af elektroderne for at sikre, at disse har lang holdbarhed.
På den anden side har det vist sig, at enhver ophobning af et materiale ud for trinnet vil fremkalde spændinger i 10 den piezoelektriske skives fortyndede område, og disse spændinger forværrer den termiske afdrift af krystallen.
Opfindelsen har til formål at tilvejebringe en højfrekvent resonator med elektroder med en lang levetid og 15 uden indflydelse på resonatorens egenskaber.
Dette opnås ved en resonator med en elektrode af den i krav l's kendetegnende del angivne art.
20 Opfindelsen omhandler også en fremgangsmåde til fremstilling af en sådan resonator og af den i krav 11's indledning angivne art, hvilken fremgangsmåde er ejendommelig ved de i krav 11's kendetegnende del angivne arbejdstrin.
25 Opfindelsen forklares nærmere nedenfor i forbindelse med tegningen, hvor: fig. 1 og 2 viser henholdsvis et lodret snit igennem og en plan afbildning fra oven af en resonator ifølge opfin-30 delsen, fig. 3 viser en overdækningsanordning til fremstilling af de ledende tunger ifølge opfindelsen, 35 fig. 4 og 5 viser aflejringsoperationerne til fremstil ling af de ledende tunger ifølge opfindelsen, og
DK 160118B
3 fig. 6a og 6b viser to på hinanden vinkelret stående lodrette snit igennem en resonator ifølge opfindelsen, hvor elektroderne er anbragt til dannelse af et filter.
5 Som vist på fig. 1 og 2 omfatter en piezoelektrisk skive et ikke fortyndet periferisk område 1, der omgiver et fortyndet område 2, og hvor forbindelsen imellem de to områder danner en zone i form af et trin. Ved en ionise-ringsbehandlding tilvejebringes der et trin, der starter 10 med et cylindrisk område 4 efterfulgt af et konisk område 3. For eksempelvis en skive med en tykkelse på 50 urn og en tykkelse af membranen 2 af størrelsesordenen 5-10 μΐη har det cylindriske område 4 en dybde på ca. 10 uro. En elektrode 5 anbringes ved det underste plane parti af 15 skiven og strækker sig fra dennes periferi ind til centret af membranen 2, hvor den afsluttes i et cirkulært område 11. Elektroden 5 er i det væsentlige trekantformet med grundlinien beliggende ved skivens periferi og toppunktet ved membranen 2. Denne udformning fremmer den 20 elektriske forbindelse af elektroderne ved deres periferi under afgivelse af mindst muligt materiale ud for membranen 2.
Den anden elektrode 6 strækker sig ligeledes fra skivens 25 periferi ind til centret af membranen 2, hvor den afsluttes i et cirkulært område 12 ud for det cirkulære område 11. Også elektroden 6 er i det væsentlige trekantformet med grundlinien beliggende ved skivens periferi. En ledende tunge 8 er anbragt fortrinsvis under elektroden 6 30 og strækker sig fra skivens periferi til det yderste parti af membranen 2, der grænser op til det trinformede område 3. Den ledende tunge 8 består af et metallag, som er aflejret på skiven, og som set ovenfra er rektangelformet. I denne udførelsesform er tungen 8 altså bredere 35 end elektroden 6, hvilket forøger overfladeområdet af den elektriske kontakt ud for den trindannende zone 3. På den anden side strækker den ledende tunge 8 sig ud for mem-
DK 160118 B
4 branen 2 med en længde, der akkurat er tilstrækkelig til at fremme den elektriske forbindelse ud for trinnet 3.
Det bemærkes, at den aktive zone af den ledende tunge 8 er beliggende ud for trinnet 3, dvs. den sone, som er an-5 givet ved 9, dennes forlængelse ved 10 i en kort afstand over membranen 2 og dens forbindelse med det plane parti af elektroden 6.
Den på fig. 3 viste overdækningsanordning 20 til frem-10 stilling af de ledende tunger 8 omfatter en grundplade 15, en mellemliggende plade 16 med et antal huller 17 (af hvilke kun ét hul er vist) og en øverste plade 18 med åbninger 19 (af hvilke kun én åbning er vist) svarende til formen af de ledende tunger, der skal tilvejebringes 15 på en piezoelektrisk skive med en membran 2. Hullerne 17 har en yderdiameter, der svarer til diameteren af de piezoelektriske skiver. Den mellemliggende plade 16 har en tykkelse, der er lidt større end tykkelsen af de piezoelektriske skiver, så at skiverne kan holdes i stil-20 ling ved fastklemning imellem pladerne 15 og 18. Pladerne 15, 16 og 18 fastholdes indbyrdes ved hjælp af klemskruer 22, der går igennem huller 23 og samvirker med møtrikker 22'.
25 Som vist på fig. 4 er anordningen 20 med de piezoelektriske skiver monteret på en plade 21, som danner en vinkel α i forhold til retningen af pulveriseringen eller fordampningen.
30 Som vist detaljeret på fig. 5 muliggør denne hældning at anbringe det parti af området 3, hvor den ledende tunge fremstilles, i det væsentlige vinkelret på pulveriseringsretningen. Dette muliggør ved fordampning at opnå en maksimal tykkelse af den ledende tunge i dennes aktive 35 zone. Den ledende tunge 8 kan bestå af ethvert metal, som kan aflejres ved pulverisering eller fordampning, især guld. Tungens tykkelse, eksempelvis af størrelsesordenen
DK 16 C η 8 B
5 100 ran, er således, at den bevirker en afstivning af elektroden 6 uden at tilføre for meget materiale ud for trinnet 3.
5 Hver af de piezoelektriske skiver med dennes ledende tunge svejses på to ledende stænger ved hjælp af et ledende bindemiddel. Derefter lejres elektroderne 5 og 6 i berøring med hver sin stang. Den elektrode, der overskrider trinnet, dækker i det mindste delvis den ledende tun-10 ge.
Under lejringen af elektroderne måles frekvensen af resonator en, så snart elektrodernes tykkelse muliggør det. Tilførselen af mateiale ud for membranen ved lejringen af 15 elektroderne sænker krystalfrekvensen. Lejringen afbrydes,. når den ønskede krystalfrekvens er nøjagtigt opnået.
Den piezoelektriske skive anbringes derefter i en lufttom kasse og underkastes en ældning (et ophold på nogle timer 0 20 ved en temperatur af størrelsesordenen 95 C).
Fig. 6a og 6b viser fremstillingen af et piezoelektriske filter ud for en membran 2 ved kobling imellem to enkelte resonatorer. Til dette formål nærmes to elektroder til 25 hinanden og anbringes på den ene overflade af membranen, og en jordforbundet elektrode anbringes på den modstående membranoverflade således, at dens ende er beliggende ud for mellemrummet imellem de to elektroder på den anden membranoverflade. Således anbringes en elektrode 27 på 30 oversiden af en kvartsskive og strækker sig fra dennes periferi ind til centret af membranen 2, hvor den frembryder en cirkulær endeflade 32. To elektroder 24 og 25, som i det væsentlige står vinkelret på elektroden 27, strækker sig fra periferien af den piezoelektriske skives 35 underste overflade til centret af membranen 2, hvor de er adskilt af et mellemrum 33, hvis bredde bestemmer koblingen imellem de to resonatorer.
Claims (12)
1. Højfrekvent piezoelektrisk resonator, omfattende en 5 plade eller en skive af et piezoelektrisk materiale med et ikke fortyndet område (1), der omgiver et en membran udgørende fortyndet område (2), som er forbundet med det ikke fortyndede område (1) gennem mindst ét område (3) i form af et trin, og omfattende mindst én elektrode (6), 10 der strækker sig hen over trinområdet (3) fra det ikke fortyndede område (1) til den fortyndede område (2), kendetegnet ved, at elektroden (6) står i forbindelse med en ledende tunge (8) i form af et metallag (9), som er aflejret i den trindannende zone (3). 15
2. Resonator ifølge krav 1, kendetegnet ved, at metallaget (9) er aflejret ved pulverisering eller ved fordampning.
3. Resonator ifølge krav 2, kendetegnet ved, at tungen (8) er beliggende under elektroden (6).
4. Resonator ifølge krav 2 eller 3, kendetegnet ved, at tungen (8) består af guld. 25
5. Resonator ifølge krav 1-4, kendetegnet ved, at tungen (8) har en middeltykkelse af størrelsesordenen 100 nm.
6. Resonator ifølge krav 1-5, kendetegnet ved, at den ene af dens elektroder (5, 6) består af aluminium.
7. Resonator ifølge krav 1-6, kendetegnet ved, at den ene af resonatorens elektrode (5, 6) har en tyk-35 kelse på 50 - 100 nm. DK 160118B
8. Resonator ifølge krav 1-7, kendetegnet ved, at den ledende tunge (8) er bredere end elektroden (6).
9. Resonator ifølge krav 1-8, kendetegnet ved, 5 at den ledende tunge (8) strækker sig fra det ikke fortyndede område (1) til det yderste parti af det fortyndede område (2), der grænser op til den trindannende zone (3).
10. Resonator ifølge krav 1-9, kendetegnet ved, at den omfatter to enkeltresonatorer, som er indbyrdes koblet til dannelse af et filter.
11. Fremgangsmåde til fremstilling af en resonator ifølge 15 krav 1-10 og omfattende et starttrin til ved ioniseringsbehandling at frembringe et fortyndet område i det centrale parti af en piezoelektrisk plade eller skive, hvilket fortyndede område adskilles fra et ikke fortyndet område gennem en et trin dannende zone, kendete g- 20 net ved, at den omfatter følgende arbejdstrin: a) aflejring af en ledende tunge (8) hen over den trindannende zone (3), 25 bj montering af pladen eller skiven på mindst to ledende stænger ved hjælp af et ledende bindemiddel, og c) aflejring af elektroderne (5, 6) ved pulverisering, af hvilke den ene elektrode delvis dækker den ledende tunge 30 (8), hvorhos pulveriseringen tilvejebringes således, at stængerne kommer i berøring med hver sin elektrode.
12. Fremgangsmåde ifølge krav 11, kendetegnet ved, at den omfatter en måling af resonatorens frekvens 35 under aflejring af elektroderne således, at aflejringen standses, når den ønskede værdi af frekvensen er nået.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8209511A FR2527865A1 (fr) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | Resonateur piezo-electrique a haute frequence et son procede de fabrication |
| FR8209511 | 1982-06-01 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK242783D0 DK242783D0 (da) | 1983-05-30 |
| DK242783A DK242783A (da) | 1983-12-02 |
| DK160118B true DK160118B (da) | 1991-01-28 |
| DK160118C DK160118C (da) | 1991-07-01 |
Family
ID=9274512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK242783A DK160118C (da) | 1982-06-01 | 1983-05-30 | Piezoelektrisk resonator og fremgangsmaade til dens fremstilling |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4517485A (da) |
| EP (1) | EP0096611B1 (da) |
| JP (1) | JPS58219810A (da) |
| CA (1) | CA1205533A (da) |
| DE (1) | DE3375265D1 (da) |
| DK (1) | DK160118C (da) |
| FR (1) | FR2527865A1 (da) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2527865A1 (fr) * | 1982-06-01 | 1983-12-02 | Cepe | Resonateur piezo-electrique a haute frequence et son procede de fabrication |
| FR2592247A1 (fr) * | 1985-12-24 | 1987-06-26 | Electronique Piezo Electr Cie | Perfectionnement aux resonateurs piezoelectriques. |
| WO1991012663A1 (fr) * | 1990-02-09 | 1991-08-22 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Structure pour maintenir dans un module un resonateur piezo-electrique plat ultra-mince |
| JP3102869B2 (ja) * | 1990-02-09 | 2000-10-23 | 東洋通信機株式会社 | 超薄板圧電共振子の構造 |
| US5235240A (en) * | 1990-05-25 | 1993-08-10 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Electrodes and their lead structures of an ultrathin piezoelectric resonator |
| US5668057A (en) * | 1991-03-13 | 1997-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of manufacture for electronic components having high-frequency elements |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
| JPH06291587A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子 |
| US8001962B2 (en) * | 2002-08-23 | 2011-08-23 | Sheiman Ultrasonic Research Foundation Pty Ltd. | Nebulizing and drug delivery device |
| SE0300375D0 (sv) | 2003-02-12 | 2003-02-12 | Attana Ab | Piezoelectric resonator |
| JP2006020020A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JP2006238266A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、及び圧電振動子 |
| US8056557B2 (en) * | 2005-03-09 | 2011-11-15 | Ric Investments, Llc | Nebulizing drug delivery device with barrier |
| US7814901B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-10-19 | Ric Investments, Llc | Nebulizing drug delivery device with increased flow rate |
| WO2006125251A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Biosonic Australia Pty. Ltd. | Apparatus for atomisation and liquid filtration |
| US7568377B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-08-04 | University Of South Florida | High frequency thickness shear mode acoustic wave sensor for gas and organic vapor detection |
| US20100313883A1 (en) * | 2006-04-20 | 2010-12-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ultrasonic bebulilzer with metal coated ultrasonic genrator |
| EP3067723A1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-14 | Université Paris Diderot - Paris 7 | Method for tuning one or more resonator(s) |
| US10352800B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-07-16 | Mks Instruments, Inc. | Micromachined bulk acoustic wave resonator pressure sensor |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2095376A (en) * | 1934-11-24 | 1937-10-12 | Telefunken Gmbh | Piezoelectric oscillator crystal |
| GB579237A (en) * | 1942-12-08 | 1946-07-29 | Scophony Ltd | Improvements in or relating to piezo-electric crystals for generating mechanical supersonic waves in fluids and for other purposes |
| US3222622A (en) * | 1962-08-14 | 1965-12-07 | Clevite Corp | Wave filter comprising piezoelectric wafer electroded to define a plurality of resonant regions independently operable without significant electro-mechanical interaction |
| US3396287A (en) * | 1965-09-29 | 1968-08-06 | Piezo Technology Inc | Crystal structures and method of fabricating them |
| US3694677A (en) * | 1971-03-03 | 1972-09-26 | Us Army | Vhf-uhf piezoelectric resonators |
| US3721841A (en) * | 1971-06-16 | 1973-03-20 | Motorola Inc | Contact for piezoelectric crystals |
| JPS5236540Y2 (da) * | 1972-09-04 | 1977-08-19 | ||
| US4339683A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrical connection |
| FR2484734A1 (fr) * | 1980-06-13 | 1981-12-18 | Cepe | Resonateur piezoelectrique a composants electroniques integres, et oscillateur muni d'un tel resonateur |
| FR2527865A1 (fr) * | 1982-06-01 | 1983-12-02 | Cepe | Resonateur piezo-electrique a haute frequence et son procede de fabrication |
-
1982
- 1982-06-01 FR FR8209511A patent/FR2527865A1/fr active Granted
-
1983
- 1983-05-24 EP EP83401025A patent/EP0096611B1/fr not_active Expired
- 1983-05-24 DE DE8383401025T patent/DE3375265D1/de not_active Expired
- 1983-05-26 US US06/498,513 patent/US4517485A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-05-30 DK DK242783A patent/DK160118C/da not_active IP Right Cessation
- 1983-05-30 CA CA000429180A patent/CA1205533A/en not_active Expired
- 1983-06-01 JP JP58095882A patent/JPS58219810A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-25 US US06/705,025 patent/US4656707A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2527865A1 (fr) | 1983-12-02 |
| DK242783A (da) | 1983-12-02 |
| DK160118C (da) | 1991-07-01 |
| CA1205533A (en) | 1986-06-03 |
| US4656707A (en) | 1987-04-14 |
| DE3375265D1 (en) | 1988-02-11 |
| FR2527865B1 (da) | 1985-02-22 |
| JPS58219810A (ja) | 1983-12-21 |
| JPH0437603B2 (da) | 1992-06-19 |
| DK242783D0 (da) | 1983-05-30 |
| EP0096611B1 (fr) | 1988-01-07 |
| US4517485A (en) | 1985-05-14 |
| EP0096611A1 (fr) | 1983-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK160118B (da) | Piezoelektrisk resonator og fremgangsmaade til dens fremstilling | |
| US3694677A (en) | Vhf-uhf piezoelectric resonators | |
| DK166556B1 (da) | Negativ elektrode til blyakkumulatorer | |
| WO2010001043A1 (fr) | Installation et procédé d'imprégnation d'un matériau poreux par de la poudre | |
| US4012648A (en) | Process for manufacturing piezoelectric resonators and resonators resulting from such process | |
| US2816239A (en) | Sealed crystal assembly | |
| US4839618A (en) | Monolithic crystal filter with wide bandwidth and method of making same | |
| WO1996009655A1 (en) | Piezoelectric resonator with an attenuated spurious response | |
| DK150836B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af en integreret carbon/isolatorstruktur og elektrokemisk element indeholdende en saadan struktur | |
| CN108565333B (zh) | 一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法 | |
| US4695760A (en) | Self-aligned double grids for vacuum tubes | |
| JPS6122325Y2 (da) | ||
| JP2620945B2 (ja) | 薄膜アレイ超音波変換器の製造方法 | |
| JPH02246105A (ja) | セラミック素体の製造方法 | |
| JPS61117913A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| SU111685A1 (ru) | Способ изготовлени медных сеток дл клистронов | |
| JPH0744095B2 (ja) | 抵抗エレメントの製造法 | |
| CN210108817U (zh) | 用于检测涂层浓度的取样坩埚 | |
| JPH1022702A (ja) | 誘電体フィルタおよびその製造方法 | |
| JPS629704Y2 (da) | ||
| SU21272A1 (ru) | Способ изготовлени конденсаторов с диэлектриком из монокристалла | |
| JPS62150Y2 (da) | ||
| JPS6412710A (en) | Surface acoustic wave element | |
| JPS6127702Y2 (da) | ||
| US2192764A (en) | Variable capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |