DK163540B - Optisk integreret boelgelederkomponent - Google Patents

Optisk integreret boelgelederkomponent Download PDF

Info

Publication number
DK163540B
DK163540B DK473785A DK473785A DK163540B DK 163540 B DK163540 B DK 163540B DK 473785 A DK473785 A DK 473785A DK 473785 A DK473785 A DK 473785A DK 163540 B DK163540 B DK 163540B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
crystal
waveguides
end faces
optical axis
cleavage
Prior art date
Application number
DK473785A
Other languages
English (en)
Other versions
DK163540C (da
DK473785D0 (da
DK473785A (da
Inventor
Mats Anders Henrik Jansson
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Publication of DK473785D0 publication Critical patent/DK473785D0/da
Publication of DK473785A publication Critical patent/DK473785A/da
Publication of DK163540B publication Critical patent/DK163540B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK163540C publication Critical patent/DK163540C/da

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/30Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/25Preparing the ends of light guides for coupling, e.g. cutting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Description

1 DK 163540 B
o
Opfindelsen angår en optisk integreret bølgelederkom-ponent omfattende et énkrystallegeme, som har en plan øvre flade med bølgeledere og plane parallelle endeflader, idet krystallen har spaltningsplaner langs hvilke krystalbindinger-5 ne er svagere end krystallens øvrige bindinger, så at spaltning af krystallen lettere sker langs disse spaltningsplaner, og krystallen har et største og et mindste brydningsforhold i to indbyrdes vinkelrette retninger, så at en optisk akse kan bestemmes, i hvis retning krystallens brydningsforhold 10 har en bestemt værdi uafhængigt af en indfaldende lysstråles polarisationsretning, og spaltningsplanerne har bestemt hæl-ning i forhold til den optiske akse.
Ved optisk informationsoverførsel er det væsentligt, at overføringstabene er små både i overføringssystemets forskel-15 lige dele og ved koblingen mellem disse dele. Der kendes bøl-gelederkomponenter af ovennævnte art til sådanne systemer, i hvilke énkrystallegemets orientering i forhold til krystalstrukturen er en sådan at lysets dæmpning og spredning i bølgelederne er lille. For at komponenterne også skal have små • 20 indkoblingstab er krystallegemets endeflader omhyggeligt polerede, hvilket gør komponenternes fremstilling kompliceret.
Der kendes også bølgelederkomponenter, hvor krystallegemets endeflader er spaltningsflader, hvilket giver små indkoblingstab. Disse sidstnævnte komponenter fremstilles på enkel måde, 25 men det énkrystallinske legemes orientering i forhold til krystalstrukturen er en sådan, at der sker store tab i bølgelederne. Ved mange anvendelser er disse komponenter derfor ikke anvendelige.
Ovenstående problem løses ved at énkrystallegemets 30 orientering i forhold til krystalstrukturen vælges på en sådan måde, at indkobling af lys i bølgelederne sker gennem en spaltningsflade, og komponentens plane øvre flade er orienteret på en særlig måde i forhold til den optiske akse, så at der opnås optimale optiske egenskaber. Opfindelsen er 35 ejendommelig ved det i den kendetegnende del af krav 1 angivne.
o
2 DK 163540 B
Opfindelsen forklares i det følgende nærmere under henvisning til tegningen, på hvilken fig. 1 i perspektiv viser en optisk integreret bølge-lederkomponent, 5 fig. 2 skematisk viser krystalstrukturen for lithium- niobat, fig. 3 viser hvorledes énkrystallinske legemer ved kendte komponenter er orienteret i forhold til krystalstrukturen , 10 fig. 4 viser hvorledes et énkrystallegeme ifølge op findelsen er orienteret i forhold til krystalstrukturen, fig. 5 i perspektiv viser et krystallegeme til en bølgelederkomponent ifølge opfindelsen, og fig. 6 i tværsnit viser en endedel af en komponent 15 ifølge opfindelsen.
I fig. 1 er som eksempel på en optisk integreret bølge-lederkomponent vist en såkaldt retningskobler. En nærmere beskrivelse findes i eksempelvis IEEE Journal of Quantum Electronics, bind QE 17, nr. 6, juni 1981, Rod C. Alferness 20 "Guided-Wave Devices for Optical Communication". Et énkrystallegeme 1 af eksempelvis lithiumniobat LiNbOg eller lithium-tantalat LiTaOg har på kendt måde i sin øvre plane flade 2 lysbølgeledere 3 og 4. Disse bølgeledere har højere brydningsforhold énd krystalmaterialet, og kan fremstilles ved at 25 eksempelvis titan diffunderes ind i krystallen til en egnet dybde i et ønsket mønster. Lys ledes ind i den ene bølgeleder 3 gennem eksempelvis et linsesystem eller, således som det er vist i figuren, en optisk fiber 5. Fiberen har retning mod lysbølgelederens udmunding på krystallegemets endeflade 7 30 i lille afstand fra endefladen. Lyset spredes til en lille del af krystallen og kan føres over til den anden bølgeleder 4 langs bølgeledernes vekselvirkningsstrækning L ved at der opstår koblede svingninger mellem bølgelederne. Denne overkobling kan belt eller delvis modvirkes ved at en elektrisk spæn-35 ding påtrykkes metalelektroder 6, som er placeret på krystallens overflade langs med bølgeledernes vekselvirkningsstrækning.
3 DK 163540 B
o
Lysets fordeling mellem komponentens udgange kan altså styres på elektrisk måde.
For en lysbølge, som overføres via en lyslederkompo-nent af den art, der er beskrevet, opstår overføringstab 5 dels ved ind- og udkobling af lysbølgen ved bølgeledernes ender dels ved lysbølgens passage gennem bølgelederne. Indkoblingstabene afhænger af den optiske kvalitet af krystallens endeflader i de områder, hvor lysbølgelederne munder ud, og tabene i bølgelederne afhænger stærkt af bølgeledernes orien-10 tering i forhold til krystalstrukturen. Det er derfor væsentligt, hvorledes énkrystallegemet er orienteret i forhold til krystalstrukturen.
Fig. 2 viser skematisk strukturen af lithiumniobat henført til et retvinklet koordinatsystem med akserne x,y,z 15 i forhold til den for lithiumniobat normalt anvendte hexagona-le enhedscelle. En nærmere beskrivelse af strukturen findes i eksempelvis J. Phys. Chem. Solids, Pergamon Press 1966, bind 27, "Ferroelectric Lithium Niobate. 3. Single Crystal X-ray Diffraktion Study at 24°C", side 997-1012. Lithiumniobat er 20 dobbeltbrydende og har sit mindste brydningsforhold i z-aksens retning og sit største brydningsforhold i xy-planet uafhængigt af retningen i dette plan. En lysstråle 9 i z-aksens retning påvirkes i krystallen af det for alle polarisationsretninger i xy-rplanet konstante brydnings forhold. Brydningen 25 af en lysstråle i denne retning er altså uafhængig af lysstrålens polarisationsretning og da dette kun gælder z-aksen er denne akse éntydigt bestemt og definerer krystallens optiske akse. Lithiumniobat har spaltningsplaner langs hvilke krystalbindingerne er svagere end krystallens øvrige bindinger.
30 I figuren er med stiplede linier antydet spaltningsplaner 10, som tilhører en gruppe indbyrdes parallelle spaltningsplaner, I krystallen findes også andre grupper med spaltningsplaner, hvis orientering i det viste koordinatsystem bestemmes af krystallens symmetriegenskaber. Planerne danner en vinkel 35 a=32,75° med den optiske akse. Krystallen kan på enkel måde spaltes langs disse planer, og de herved opnåede spaltnings- o
4 DK 163540 B
flader har meget høj optisk kvalitet. Denne egenskab anvendes, som tidligere nævnt, til at fremstille integrerede bølgeleder-komponenter med små indkoblingstab.
Fig. 3 viser hvorledes énkrystallegemerne ved kendte 5 bølgelederkomponenter er orienteret i forhold til krystalstrukturen. En komponent kan have et énkrystallegeme 11 med en plan øvre flade 12, hvis normal er rettet i z-aksens retning, og endeflader 13 som er parallelle med xz-planet. Ved denne orientering er endefladerne polerede for at indkoblingstabene 10 skal være små. En komponent kan også have et énkrystallegeme 15 med en plan øvre flade 16, hvis normal er rettet i x-aksens retning, og endeflader 17 bestående af spaltningsflader. Bølgeledere på fladen 16 får ved denne orientering visse ikke ønskede optiske egenskaber såsom drejning af lysets 15 polarisationsplan og spredning af lyset i krystallen.
Fig. 4 viser hvorledes et énkrystallegeme 20 for en integreret bølgelederkomponent ifølge opfindelsen er orienteret i forhold til krystalstrukturen. Krystallegemet har endeflader 21, som omfatter spaltningsflader, og en plan øvre 20 flade 22 der er orienteret på en sådan måde at krystallens optiske akse, z-aksen, ligger i et plan, der defineres af endefladerne 21's og den øvre flade 22's normaler ril og ΪΪ2.
Fig. 5 viser énkrystallegemet 20 med bølgeledere 23 antydet på dettes øvre flade. Det af normalerne ηϊ og ΪΪ2 definerede 25 plan betegnes i figuren 24 og er antydet med stiplede linier. Dette plan indeholder ifølge ovenstående krystallens optiske akse, z-aksen, der for lithiumniobat, som nævnt, danner vinklen a=32,75° med krystallens spaltningsplan.
Ved beregning af lysudbredelsen i bølgelederne opnås 30 for en komponent ifølge opfindelsen det resultat, at en lysstråle skal indfalde under en vis vinkel i forhold til komponentens endeflade for at tabene i bølgelederne skal være mindst mulige. I fig. 6 er vist, hvorledes en lysstråle 25 . med en indfaldsvinkel rammer lyslederen 23 -Danne munder ud 35 på komponentens endeflade 21, som er vinkelret på den øvre flade 22. Af praktiske grunde er der imidlertid ofte ønske om o
5 DK 163540 B
at lysstrålen skal falde ind parallelt med komponentens øvre flade, således som det er vist i figuren med den punkterede lysstråle. Dette medfører som nævnt tab såfremt den øvre flade og endefladen er vinkelrette. Disse tab kan kompenseres ved 5 at endefladen hældes en vinkel β som antydet med punkteret linie i figuren. Por en komponent af lithiumniobat giver ^jf =4,0° de mindste tab i bølgelederne, hvis endefladen er vinkelret på den øvre flade. Hvis lysstrålen falder ind parallelt med den øvre flade giver β=3,3° de mindste tab.
10 15 20 25 30 35

Claims (2)

1. Optisk integreret bølgelederkomponent omfattende et énkrystallegeme (20), som har en plan øvre flade (22) med bølgeledere (23) og plane parallelle endeflader, idet 5 krystallen har spaltningsplaner (10) langs hvilke krystalbindingerne er svagere end krystallens øvrige bindinger, så at spaltning af krystallen lettere sker langs disse spaltningsplaner, og krystallen har et største og et mindste brydningsforhold i to indbyrdes vinkelrette retninger, så at en optisk 10 akse kan bestemmes, i hvis retning krystallens brydningsforhold har en bestemt værdi uafhængigt af en indfaldende lysstråles polarisationsretning og spaltningsplanerne har bestemt hældning (a) i forhold til den optiske akse, kendetegnet ved, at endefladerne (21) omfatter spalt-15 ningsplaner (10) til på kendt måde at opnå små tab ved lysindkobling i bølgelederne (23) og den plane øvre flade (22) er orienteret på en sådan måde i forhold til krystalstrukturen at krystallens optiske akse ligger i et plan (24), som defineres af den plane øvre flades og endefladernes 20 normaler (η2,ϊϊϊ) således at der opnås gunstig bølgeudbredelse i bølgelederne.
2. Bølgelederkomponent ifølge krav 1, kendetegnet ved, at vinklen mellem den plane øvre flade (22) og endefladerne (21) afviger fra en ret vinkel med en 25 vinkel (f3) på højst 10°, som er den optimale indfaldsvinkel for det pågældende krystalmateriale, så at lysets indfaldsretning bliver parallel med den plane øvre flade (22). 30 35
DK473785A 1984-02-17 1985-10-16 Optisk integreret boelgelederkomponent DK163540C (da)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8400858 1984-02-17
SE8400858A SE455892B (sv) 1984-02-17 1984-02-17 Optisk integrerad vagledarkomponent
SE8500041 1985-01-29
PCT/SE1985/000041 WO1985003780A1 (en) 1984-02-17 1985-01-29 Optical, integrated waveguide component

Publications (4)

Publication Number Publication Date
DK473785D0 DK473785D0 (da) 1985-10-16
DK473785A DK473785A (da) 1985-10-16
DK163540B true DK163540B (da) 1992-03-09
DK163540C DK163540C (da) 1992-08-03

Family

ID=20354779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK473785A DK163540C (da) 1984-02-17 1985-10-16 Optisk integreret boelgelederkomponent

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4688881A (da)
JP (1) JPS61501287A (da)
CA (1) CA1250167A (da)
DE (2) DE3590069T1 (da)
DK (1) DK163540C (da)
FI (1) FI81683C (da)
FR (1) FR2559915B1 (da)
GB (1) GB2165959B (da)
IT (1) IT1183239B (da)
NO (1) NO165895C (da)
SE (1) SE455892B (da)
WO (1) WO1985003780A1 (da)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0610689B2 (ja) * 1984-07-06 1994-02-09 松下電器産業株式会社 光結合器の製造方法
SE450173B (sv) * 1985-08-15 1987-06-09 Ericsson Telefon Ab L M Polarisationsoberoende elektrooptisk omkopplare
DE4012747A1 (de) * 1990-04-21 1991-10-24 Bodenseewerk Geraetetech Verfahren zur herstellung von feinoptischen stirnflaechen an wellenleitern
JP5223239B2 (ja) * 2007-05-17 2013-06-26 株式会社日立製作所 光合分波器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4198115A (en) * 1978-08-16 1980-04-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabry-Perot resonator using a birefringent crystal
FR2490835A1 (fr) * 1980-08-29 1982-03-26 Thomson Csf Structure optique integree a couplage directionnel conforme
US4400052A (en) * 1981-03-19 1983-08-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for manufacturing birefringent integrated optics devices

Also Published As

Publication number Publication date
DK163540C (da) 1992-08-03
FI81683C (sv) 1990-11-12
SE8400858D0 (sv) 1984-02-17
GB8524554D0 (en) 1985-11-06
CA1250167A (en) 1989-02-21
FI853454L (fi) 1985-09-10
US4688881A (en) 1987-08-25
DK473785D0 (da) 1985-10-16
DE3590069T1 (de) 1986-01-23
NO165895C (no) 1991-04-24
FR2559915A1 (fr) 1985-08-23
DE3590069C2 (de) 1999-01-07
GB2165959B (en) 1987-09-30
SE455892B (sv) 1988-08-15
SE8400858L (sv) 1985-08-18
FI81683B (fi) 1990-07-31
NO165895B (no) 1991-01-14
WO1985003780A1 (en) 1985-08-29
GB2165959A (en) 1986-04-23
FR2559915B1 (fr) 1988-04-29
NO853877L (no) 1985-10-01
DK473785A (da) 1985-10-16
IT8519468A0 (it) 1985-02-11
JPS61501287A (ja) 1986-06-26
FI853454A0 (fi) 1985-09-10
IT1183239B (it) 1987-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4712880A (en) Polarization rotation compensator and optical isolator using the same
US4512638A (en) Wire grid polarizer
EP0473071B1 (en) Beam combining apparatus for semiconductor lasers
US3827000A (en) Optical modulator
US5689367A (en) Polarization beam splitter
US4756588A (en) Polarization-independent optoelectronic directional coupler
US5042895A (en) Waveguide structure using potassium titanyl phosphate
NO844693L (no) Fiberoptisk polarisator med feilsignal-tilbakekobling
US2607272A (en) Composite wave plate for light
JPH06289241A (ja) 偏光分離素子
NO813421L (no) Hybrid optisk forbindelse og dens anvendelse i et sloeyfe interferometer
DK163540B (da) Optisk integreret boelgelederkomponent
EP0488211A2 (en) Polarization independent optical device
CN1266502C (zh) 抗偏振相关损耗的光束交换方法和器件
US4183617A (en) Thin film As2 S5 optical wave guide
US4469500A (en) Method of cleaving a crystal to produce a high optical quality corner
JPH0668585B2 (ja) 光アイソレ−タ
US4669831A (en) Total internal reflection modulator/deflector
US3460883A (en) Total internal reflection deflector
JPS6123530B2 (da)
US7577322B2 (en) Optical integrated circuit comprising a light guide forming at least one optical separation
JP2561912B2 (ja) 偏光分離導波路
JP3263501B2 (ja) 偏光分離素子
JPH0833523B2 (ja) 偏波面保存光アイソレ−タ
JPS6126050B2 (da)

Legal Events

Date Code Title Description
PUP Patent expired