DK170189B1 - Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf - Google Patents

Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf Download PDF

Info

Publication number
DK170189B1
DK170189B1 DK133890A DK133890A DK170189B1 DK 170189 B1 DK170189 B1 DK 170189B1 DK 133890 A DK133890 A DK 133890A DK 133890 A DK133890 A DK 133890A DK 170189 B1 DK170189 B1 DK 170189B1
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
semiconductor substrate
layer
dopant
source
regions
Prior art date
Application number
DK133890A
Other languages
English (en)
Other versions
DK133890D0 (da
DK133890A (da
Inventor
Yakov Safir
Original Assignee
Yakov Safir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yakov Safir filed Critical Yakov Safir
Publication of DK133890D0 publication Critical patent/DK133890D0/da
Priority to DK133890A priority Critical patent/DK170189B1/da
Priority to AT91911085T priority patent/ATE136402T1/de
Priority to CA002084089A priority patent/CA2084089A1/en
Priority to RO92-01476A priority patent/RO111230B1/ro
Priority to US07/949,539 priority patent/US5461002A/en
Priority to PCT/DK1991/000144 priority patent/WO1991019323A1/en
Priority to DE69118530T priority patent/DE69118530T2/de
Priority to HU923773A priority patent/HUT63711A/hu
Priority to BR919106519A priority patent/BR9106519A/pt
Priority to ES91911085T priority patent/ES2088793T3/es
Priority to PL91296932A priority patent/PL167243B1/pl
Priority to AU79765/91A priority patent/AU646263B2/en
Priority to EP91911085A priority patent/EP0531430B1/en
Priority to JP91510025A priority patent/JPH05508742A/ja
Priority to CN91104372A priority patent/CN1025392C/zh
Publication of DK133890A publication Critical patent/DK133890A/da
Priority to NO92924568A priority patent/NO924568L/no
Priority to FI925409A priority patent/FI925409A7/fi
Application granted granted Critical
Publication of DK170189B1 publication Critical patent/DK170189B1/da
Priority to US08/512,161 priority patent/US5665175A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
    • H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
    • H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
    • H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/916—Autodoping control or utilization

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)

Description

i DK 170189 B1
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af doterede områder på halvlederkomponenter, fortrinsvis solceller. Opfindelsen angår yderligere en solcelle med indbygget bypassdiode, og som er fremstillet ifølge frem-5 gangsmåden.
En solcelle består i hovedsagen af en tynd siliciumskive med et enkelt stort område med typisk en PN-overgang, som dækker skivens ene side, der vender imod lyskilden. De 10 fotoexciterede ladningsbærer strømmer til forsidens hhv. bagsidens metalkontakt, hvor førstnævnte har en geometri, så der sker en i hovedsagen maximal opsamling af ladningsbærerne, samtidig med at arealet af metalkontakten, der dækker cellens overflade, og derved spærrer for 15 lyset, minimeres. Den beskrevne solcelle er monofacial, dvs. at solcellen kun er fotoaktiv med hensyn til lys, der rammer cellens forside. Ved yderligere at lave et tyndt overgangslag på cellens bagside kan dette også gøres fotoaktivt, hvorved der dannes en bifaciel solcelle.
20 Solcellerne kan have enten et intrinsisk, P- eller N-type substrat, mens det eller de doterede lag enten kan være N+ eller P+.
Ved kendt teknik er det kendt at anvende et oxid, der in-25 deholder doteringsmiddel. US patentskrift nr. 4 101 351 angiver, hvorledes et oxid dyrkes på en krystal, hvorefter dele af krystallen igen renses for oxid til definition af de aktive områder. Denne fjernelse sker typisk ved at tilføre denne oxidbelagte krystal et med hensyn til 30 flussyre resistant maskelag (fotoresist), hvorved oxidlaget vil bortætses med flussyre i de områder, hvor krystallen ikke er belagt med et fotoresistlag. De derved blotlagte områder af krystallen kan så efter fjernelse af fotoresistlaget doteres ved at lade et passende stof dif-35 fundere ind i krystallen ved en høj temperatur, typisk i området omkring 1000 °C. Doteringskildematerialet kan tilføres ved, at krystallens blotlagte område påføres et 2 DK 170189 B1 lag af eksempelvis silica, som indeholder doteringskildemateriale. Der vil ikke ske nogen uønsket autodotering, da resten af krystallen er beskyttet med oxidlaget. Oxy- 4 derings-, fotoresist- maskerings-, ætse- og doteringspro-5 cessen kan gentages flere gange, så krystallen får det , ønskede antal doterede områder. Den angivne fremgangsmåde har flere ulemper, hvor der bl.a. kan nævnes mange komplicerede procestrin, såsom dyrkningen af oxidet på krystallens overflade, hvilket kræver en temperaturbehand-10 ling på omkring 1000 °C, samt krav om rene omgivelser i enten ren ilt eller vanddamp. Blotlæggelsen af dele af krystallens overflade kræver normalt anvendelse af flussyre, der på grund af dets giftighed er et uhyre vanskeligt kemikalie at arbejde med.
15
Fra en japansk patentansøgning JP-A 50007478 kendes en teknik, hvor et halvledersubstrat påføres et kildelag med doteringsmiddel. Ved opvarmning diffunderer doteringsmidlet ind i de under kildelaget beliggende områder af halv-20 ledersubstratet. Kildelaget fjernes efterfølgende ved ætsning med flussyre.
Opfindelsen har til formål at angive en fremgangsmåde til fremstilling af doterede områder på halvlederkomponenter, 25 fortrinsvis solceller.
Dette formål opnås ved, at en del af et halvleder substrats overflade påføres et oxiddannende maskelag, der indeholder doteringsmiddel, hvor halvledersubstratet med 30 pålagt maskelag opvarmes til en temperatur, der er tilstrækkelig til diffusion af en del af doteringsmaterialet fra maskelaget til halvledersubstratet. Under doteringsprocessen sker der også en uønsket autodotering af halv- 4 ledersubstratets nøgne overflade. De autodoterede områder 35 af halvledersubstratet ætses ifølge opfindelsen bort f.eks. med alkalisk æstning, herunder choline, kaliumeller natriumhydroxid eller plasmaætsning, mens maske- 3 DK 170189 B1 laget udgør en beskyttelsesbarriere for de doterede områder under maskelaget. Herved overflødiggøres anvendelsen af fotoresistmaskering, da de anvendte doteringskildelag af silica opfylder flere funktioner og således også 5 fungerer som beskyttelsesbarrierer for et doteret område ved senere doteringsprocesser. Samtidig mindskes antallet af højtemperaturtrin, så det i hovedsagen svarer til antallet af doteringsprocesser og kan endog være mindre end dette antal, hvis der anvendes et doteringskildde lag, 10 der samtidig fungerer som barriere for en gasbåren kilde. Dette er en væsentlig fordel, da gentagne højtemperaturtrin ødelægger skivens krystalstruktur.
Ifølge opfindelsen udnyttes kildelagets egenskaber, idet 15 det ved ætsning beskytter det underliggende, doterede område af halvledersubstratet mod bortætsning.
Fremgangsmåden ifølge opfindelsen er ejendommelig ved, at de autodoterede områder af halvledersubstratet ætses 20 bort, mens kildelaget fungerer som en beskyttelsesbarriere for de underliggende, doterede områder. Opfindelsen udmærker sig ved, at man ved kun ét enkelt højtemperaturtrin kan fremstille flere indbyrdes adskilte doterede områder af forskellig type og koncentration. Hensigtsmæs-25 sige enkeltheder er angivet i krav 2-7. Krav 8-10 angiver en solcelle, som er fremstillet ved fremgangsmåden ifølge krav 1 og 2, og som er tilvirket med en bypass-diode, der er modsatrettet "fotodioden", så solcellen ved delvis skygge eller ved brud vil fungere som en ledende 30 diode i stedet for at afbryde solcellepanelet.
Fremgangsmåden til fremstilling af solceller ifølge opfindelsen er fordelagtig ved, at brugen af flussyre og fotoresist undgås helt, hvorfor fremgangsmåden er meget 35 miljøvenlig. Desuden er antallet af procestrin og af højtemperaturbehandlingstrin reduceret væsentligt, hvilket giver en økonomisk gevinst. Fremstilling af solceller med 4 DK 170189 B1 en rimelig virkningsgrad har tidligere været forbeholdt laboratoriemiljøer, da der blev stillet store krav til omgivelsernes renhed og brugt mange sundhedsskadelige kemikalier samt avanceret udstyr. Den her angivne frem-5 gangsmåde stiller ikke de samme krav med hensyn til omgi- * velserne, hvorfor den er særdeles velegnet til anvendelse i virksomheder uden tilgang til højteknologi.
Opfindelsen skal forklares nærmere i forbindelse med fo-10 retrukne udførelseseksempler under henvisning til tegningen, hvor: fig. 1 viser et eksempel på et procesdiagram for fremgangsmåden ifølge opfindelsen, og 15 fig. 2-8 viser skematisk forskellige stadier under frembringelse af en foretrukket udførelsesform af en bifaciel solcelle fremstillet ifølge det i fig. 1 angivne procesdiagram.
20 På fig. 1 ses et procesdiagram til fremstilling af solceller ifølge opfindelsen. Inden dannelse af doterede områder i substratskiven foretages der en række i og for sig kendte behandlingstrin, hvor f.eks. savefejl fjernes 25 og refleksionsegenskaber ændres, hvilke trin omtales pe-rifært for fuldstændighedens skyld. Der gives ligeledes eksempler på hvordan kontakteringen af den færdigbehandlede halvleder/solcelle kan udføres. 1 2 3 4 5 6
Substratmaterialet vælges i afhængighed af et krav, der 2 v 3 stilles til den færdige solcelle og er ved det illustre 4 rede eksempel valgt som et siliciumsubstrat af n - type, 5 med en resistivitet på 100 Ω cm. Substratet er en monokrystallinsk skive med en (100)-orientering og med en 6 tykkelse på 350 μπι før behandling, hvor skiven som følge af udsavning fra et siliciumstang har mindre savefejl i overfladen.
5 DK 170189 B1
Af hensyn til den afsluttende kontaktering kan der i trin 101 påtrykkes et silicanetmønster f.eks. ved en tykfilm-trykteknik, hvor der ved en efterfølgende ætsning af overfladen med f.eks. KOH i trin 111, dannes en række 5 sammenhængende fordybninger, hvori kontakteringen kan foretages, så der ikke skygges for de aktive områder. Alternativt kan de omtalte fordybninger tilvirkes ved la-sergrooving. For bifaciale solceller udføres processen på begge skivens sider.
10
For at forøge solcellens virkningsgrad, kan der i trin 112 med fordel udføres en iøvrigt kendt ætsning med f.eks. en Choline opløsning, hvorved der dannes en pyramideformet, tekstureret overflade med pyramidehøjder på 15 omkring 5 um, hvorefter ætseprocessen i lighed med de andre ætseprocesser standses ved, at skiverne anbringes i et vandbad og derefter tørres, hvorved skiven samtidig renses kemisk. Hvis ikke solcellernes overflade tekstureres, kan de alternativt belægges med et antireflekslag, 20 som eventuelt kan kombineres med et af de senere omtalte kildelag med doteringsmateriale. Antireflekslag vil sædvanligvis have en tykkelse på ca. 1/4 bølgelængde.
Trin 121 giver mulighed for anbringelse af et tyndt, møn-25 stret silicalag med en meget høj raolprocent af phosphor på skivens forside, hvilket kan gøres ved hjælp af en tykfilmteknik. Mønstret er tilpasset, så det dækker de ved undertrin 101 og 111 dannede fordybninger og har til formål at formindske kontaktmodstanden mellem metalkon-30 takterne og siliciummaterialet. Da den høje dotering ødelægger krystalstrukturen er det vigtigt, at mønstrets udbredelse begrænses til kontaktområderne. Lagets tykkelse kan med fordel være begrænset til 0,05 μπι og liniebredden i mønstret vil sædvanligvis være ca. 1/3 breddere end de 35 ovenfor omtalte fordybinger. Det til kontakteringen anvendte metalmateriale anbringes oven på de højt doterede siliciumlinier, når fremstillingsprocessen afsluttes, 6 DK 170189 B1 oven på de højt doterede siliciumlinier, så eventuel kortslutning gennem de svagt doterede områder undgås.
Derudover kan der udlægges ekstra linier - udover dem, * der anvendes til kontaktering - som så mindsker kravet 5 til det metalliserede kontaktnet, da disse ekstra linier 3 så fungerer som supplement hertil og samtidig tillader lys at passere.
Under trin 122 forsynes den i fig. 2 viste siliciumskive 10 1 med et lavt doteret silicalag 3, hvilket kan gøres med enhver passende teknik, såsom en tykfilmtrykteknik, spinning, spraying og CVD. Her er dog valgt en spin-on teknik, hvor et opløst silica påføres skiven 1 under rotation og vil således lægge sig på skivens overflade 2, som 15 et tyndt lag 3. Ved at styre forskellige parametre, f.eks. skivens rotationshastighed og silica'ets viskositet, kan udbredningen af laget 3 kontrolleres, herudover også hvor langt det strækker sig ind på skivens bag- eller underside. Laget 3 har flere funktioner, men skal 20 primært fungere som doteringskilde. Herudover skærmer laget 3 også mod autodoping fra eventuelt under trin 121 anbragte underliggende, højt doterede lag eller mønstre.
Det skærmer således også det underliggende lag mod uønskede urenheder og skærmer mod påvirkning fra efterføl-25 gende ætsning. Derudover kan laget 3 tilvirkes med en tykkelse, så det på en færdig solcelle kan fungere som et antireflekslag. Laget 3 kan således efter tørring ved 100 °C antage en tykkelse på 0,15 um. 1 2 3 4 5 6
For at opnå en cellevirkningsgrad i størrelsesordenen 18- 2 v 3 25% er anbringelsen af laget 3 og indholdet af dette helt 4 afgørende, da en sådan virkningsgrad er betinget af en lav overfladekoncentration. Med en solcelle overlejres * 5 fotostrømmen (strøm dannet i pn-overgangen af indfaldende 6 lys) med en modsatrettet strøm (mørkestrøm), hvorfor sidstnævnte søges begrænset. En væsentlig årsag til stor mørkestrøm er mange rekombinationscentre ved overfladen 7 DK 170189 B1 (høj overflade rekombinationshastighed), hvilket kan neutraliseres ved at passivere cellens overflade med et tyndt Si02“lag - et såkaldt passivationslag, som dog kun er virksom, når overfladekoncentrationen af doterings- 5 urenheder (her phosphor atomer) er tilstrækkelig lav, 18 —3 d.v.s. mindre end ca. 2,5 x 10 cm
Efter at en del af overfladen 2 på skiven 1 er blevet belagt med et doteringskildelag, højtemperaturbehandles 10 cellen, hvilket sker i trin 131 med en temperatur omkring 1100 °C, fortrinsvis i en atmosfære af tør kvælstof og trinet har en varighed på 15 minutter. Formålet med denne behandling er at dotere områder på skiven ved hjælp af diffusion fra det pålagte lag 3 til områder ved og umid-15 delbart under overfladen af skiven 1. Dette trin 131 kan afstemmes, så der opnås en effektiv gettering, hvor uønskede urenheder i skiven fjernes. Hvis der ikke er behov for gettering, kan højtemperaturtrinet 131 forlænges og trin 132 springes over. Der benyttes et gasf low af rent 20 kvælstof (uden tilstedeværelse af ilt), hvorved dannelse af et Si02~maskelag på cellens bagside undgås, hvilket ellers ville forhindre diffusionen af gasbåren phosphor fra en POCl^-kilde under trin 132.
25 Dannelsen af det i fig. 3 viste doterede junction-område 4, hvor de til dannelse af et n-område anvendte phosphor-partikler stammer fra det under trin 122 påførte silica-lag, foregår under trin 131, hvor silicalaget 3 fortættes yderligere, så der opnås en maskerende virkning på forsi-30 den imod uønsket indtrængning af et stort antal phosphor-atomer under trin 132. Opfindelsen udmærker sig ved, at man ved kun ét enkelt højtemperaturtrin kan fremstille flere indbyrdes adskilte doterede områder af forskellig type og koncentration.
Ved overgang til trin 132 opretholdes temperaturen på 1100 °C, medens skiverne føres til en anden zone i ovnen.
35 DK 170189 B1 s hvor atmosfæren indeholder ilt og en bæregas fra POClg-kilden. Denne del af højtemperaturbehandlingen varer 15 minutter og afsluttes med langsom afkøling, hvorunder POClg-kilden afbrydes. Den langsomme afkøling er nødven-5 dig for at få det fulde udbytte af getteringprocessen. -
Desuden er hurtige afkølinger uhensigtsmæssige med hensyn til opretholdelse af krystalstrukturen, idet der kan opstå krystalfejl, hvilket reducerer diffusionslængden af minoritetsladningsbærerne og derved cellens virknings-10 grad. Det er således væsentligt, at trin 131 og 132 foregår i samme diffusionskammer eller ovn, uden en mellemliggende nedkøling og opvarmning. For hver nedkøling og opvarmning dannes der nye krystalfejl. De 1100 °C kan varieres indenfor brede tolerencer, men er valgt som et ty-15 pisk eksempel af hensyn til overskueligheden.
Som det ses på fig. 3, vil der fra den gasbårne kilde dannes et doteret område 5, på hvilket der under diffusionen dannes et oxidlag 6.
20
Under diffusionen opstår der et kraftigt doteret phosphor silicalag over specielt bagsiden, hvilket dog fjernes ved den i trin 141 angivne ætsning. Et dif funderet lag kan karakteriseres ved hjælp af parametrene junctiondybde og 25 overflademodstand (Ohm pr. areal). Junctiondybden er afstanden fra overfladen til det punkt, hvor koncentrationen af en første type urenheder er lig med substratets koncentration af den anden type urenheder, d.v.s. der, hvor der opstår elektrisk ligevægt mellem p- og n-type 30 urenhederne også kaldet henholdsvis acceptor- og donoratomerne.
Ætsningen under punkt 141 kan med fordel udføres med Choline, hvorved bagsidens tynde phosphoroxidlag 6 bort-35 ætses, så de deri lejrede urenheder fjernes sammen med de yderste 5 wm silicium. Efter ophør af ætsningen, er tykkelsen af forsidens silicalag ligeledes reduceret og er 9 DK 170189 B1 nu omkring 0,1 um. Ætsningen kan med fordel være selektiv, så pyramidestrukturen bevares, hvor man dog risikerer, at tekstureringen ikke er nær så ensartet som før ætsningen, idet nogle af pyramiderne ætses hurtigere end 5 andre. Pyramiderne på bagsiden bliver efter ætsningen 5 um højere end forsidens pyramide. Ætsehastigheden er mange gange større i (100)-retningen i forhold til især (111)-retningen, hvorfor det er vigtigt, at det sikres, at ætsedybden (her 5 um) er større end indtrængningsdyb-10 den i bagsiden (her 3 um) for phosphoratomerne fra den gasbårne eksterne kilde i trin 132.
I lighed med trin 121, kan der nu i trin 151 anbringes et silicalag med meget høj molprocent af bor på skives bag-15 side, hvilket kan ske ved hjælp af en tykfilmtrykteknik. Lagets tykkelse efter tørring ved 150 °C er 0,1 um og udover at være doteringskilde til det højt doterede kontaktområde fungerer det også som en ekstra beskyttelsesmaske mod indtrængning af uønsket metalmateriale. Møn-20 stret svarer iøvrigt til det i trin 121 anvendte mønster og dækker på samme måde de i trin 101 dannede kontakte-ringsspor.
Hvis dioden ønskes tilvirket med en senere omtalt bypass-25 diode, tilføres bagsiden langs kanten et silicalag med en høj molprocent af phosphor, hvilket hensigtsmæssigt kan ske ved hjælp af tykfilmteknik, hvilket sker ved trin 152. Herefter anbringes et silicalag 9 (fig. 5) med et lav molprocent på bagsiden, hvilket sker under trin 153 30 og dette kan hensigtsmæssigt ske ved en tykfilmtrykteknik. Laget 9 (fig. 5) dækker hele bagsiden på nær et rundtgående område langs kanten af skiven. Lagets tykkelse er efter tørring ved 100 °C ca. 0,1 um. Den lave mol- procent sikrer, at overfladekoncentrationen ikke oversti-18 3 35 ger 8 x 10 boratomer pr. cm uden for kontaktområdet. Koncentrationen af bor er højere end den tidligere omtalte koncentration af phosphor, hvilket skyldes, at bor 10 DK 170189 B1 diffunderer langsommere end phosphor, og at koncentrationen for at opnå samme lave overflademodstand må øges. Desuden skal man tage i betragtning, at man under højtemperaturbehandlingen i trin 161, gennem diffusion fører 5 phosphor dybere ned i skiven. En løsning på dette problem er starte med at anbringe et borlag under trin 121-122 og derpå anbringe et phosphorlag (trin 151-153).
Diffusionen under trin 161 foretages ved 1000 °C i en tør 10 atmosfære af kvælstof og ilt i 30 minutter. Højtemperaturtrinet afsluttes med en meget langsom nedkøling i en iltrig atmosfære, således at der dannes et 0,01 um tykt overfladepassiveringslag, hvilket bedst sker ved en tør oxidation. Det bør bemærkes at oxiden vokser ved silici-15 umkrystallets overflade og ikke uden på de doterede sili-calag. Nedkølingen er meget vigtig her og det bedste resultat opnås ved en meget langsom nedkøling (ca.
2 °C/minut).
20 Under trin 161 vil der fra silicalaget 9 trænge bor ind i skiven i et område 10, umiddelbart under silicalaget 9. I det nøgne område mellem de to silicalag vil der ske en autodotering af området 11, og hvor der ovenpå vil dannes en oxid 12. Det doterede område 4 vil udvide sig en anel-25 se under diffusionsprocessen.
På fig. 7 ses, hvorledes ætsningen ved trin 171 fjerner det autodoterede område 11 og den derpå dannede oxid 12. Ætsningen udføres med en varm Choline-opløsning, så der i 30 området mellem silicalagene fjernes 2 um silicium fra overfladen. I løbet af ætseprocessen reduceres tykkelsen af silicalagene 3 og 10 til 0,01 um for at kunne påføre et bedre antal antireflekslag i de efterfølgende trin. Grunden til at man med fordel kan ætse silicalaget væk 35 er, at det i dette tilfælde hovedsaglig består af Si02, som har et for lavt brygningsindeks (typisk 1,45). Med et højere brydningsindeks opnås et bedre antireflekslag. Al- 11 DK 170189 B1 ternativt kunne man til lagene 3 og 9 have valgt at anvende Ti02 med et brydningsindeks 2.1 og have beholdt dette. Man kunne desuden have valgt at kombinere dette lag med andet antireflekslag, eksempelvis Ta20g, ZnS el-5 ler MgF2 så man således får et dobbeltlag, hvilket giver en bedre antirefleksvirkning.
Herefter kan der på kendt vis anbringes kontakter, hvilket vil være en fagmand bekendt og derfor ikke vil blive 10 omtalt yderligere. Procesdiagrammet er gennemgået under henvisning til en bifasial solcelle, men kan efter ætsningen i trin 141 afbrydes, så der blot dannes en monofa-sial solcelle, som herefter er klar til kontaktering.
15 Det kan således siges, at man ved at anvende et silicalag både som doteringskilde og som maske får en række positive effekter. Ved fremstilling af en monofasial solcelle belægges substratskivens ene side med et silicalag, der fungerer dels som kildemateriale og dels som maskelag.
20 Med et højtemperaturtrin diffunderer atomer fra doteringskilden direkte ind i den underliggende del af skiven og gennem luften ind i skivens ubeskyttede bagside i form af autodotering. Ved den efterfølgende ætsning fjernes den autodoterede del af skiven, mens silicalaget beskyt-25 ter det underliggende doterede område. Skiven vil herefter kunne kontakteres og anvendes som monofasiale solcelle.
På fig. 8 ses, hvorledes det fra den gasbårne doterings-30 kilde doterede område 11 ikke er fjernet helt ved den afsluttende ætsning under trin 171. Der er således andet end rundtgående kanal med det under trin 152 dannede junction-lag i bunden. Kanalen har en bredde, der hensigtsmæssigt er større end de respektive indtrængnings-35 dybder for de doterede områder 4 og 10. Afstanden λ mellem de to silicalag 3 og 9 kan anvendes til at justere gradienten for mørkestrømmen for den af halvlederlagene 12 DK 170189 B1 dannede diode forspændt i spærreretningen, hvorved hot-spot-risikoen mindskes. Afstanden λ er afgørende for lækstrømmen mellem n + og P+ områderne. Ved således at forsyne solcellerne med en diodevirkning, opnår man at et 5 stort solcellepanel fortsat vil fungere, selvom en eller flere enkelte solceller bliver behæftet med fejl eller udsættes for skygge. Den omtalte diodevirkning kan opnås ved, at det i forbindelse med fig. 6 omtalte autodoterede område fjernes ved selektiv ætsning, så den rundtgående 10 kanal blotlægges mod skiven 1, mens der langs kanterne mod de aktive områder 4 og 10 stadig vil være en rest af laget 11. Da laget 11 er dannet ved autodotering fra kildelaget 9 og derfor er af samme ledertype som det aktive område 10, vil denne mod dette område 10 vendende rest af 15 laget 11 herefter blive betragtet som en integreret del af dette, mens den mod området 4 vendende rest vil kunne betragtes som et doteret område 16 (fig. 8) af en fra det aktive område 4 divergerende ledertype. Et område 15 med samme ledertype som området 4 bringes efterfølgende i 20 kontakt med området 10 i kanalen, hvorved der dannes en PN- eller PIN-overgang. Området 15 kan f.eks. dannes i forbindelse med kontakteringen og kan således være af aluminium. Denne halvlederovergang danner en diode, der er modsatrettet den af solcellen dannede "fotodiode" og 25 sikrer, at panelet, hvori en solcelle er anbragt, fortsat fungerer, selv om solcellen bringes ud af drift, f.eks. ved brud, skygge eller lignende. Med et monokrystallinsk udgangsmateriale, vil dioden forløbe tværs over den rundtgående kanal, mens dioden ved et polykrystallinsk 30 udgangsmateriale vil bestå af segmenter på tværs af kanalen og derfor vil bestå af flere parallelforbundne dioder.
I det foregående er kildelagene blevet omtalt som silica-35 lag med bor eller phosphor, men det vil kunne forstås, at doteringsmidlet kan vælges vilkårligt blandt f.eks. antimon og arsen. Silica, der normalt dækker over et silici- 13 DK 170189 B1 um- og iltholdigt materiale, som ved kraftig opvarmning og tilførsel af ilt danner kvarts, kan f.eks. erstattes af siliciumnitrid, titaniumoxid eller et andet materiale, der besidder de fornødne egenskaber som blandt andet bar-5 rierelag. Udgangsmaterialet ved det tidligere gennemgåede eksempel fra en monokrystallinsk silicium skive, og denne kan erstattes af en polykrystallinsk skive eller endog af en amorf skive, hvor materialet vælges i afhængighed af solcellens ønskede egenskaber.
10
Som det kan forstås af det foregående, kan skiven belægges med flere kildelag af forskellig ledertype, som med en fælles diffusion fungerer både som kildelag og som maskelag mod uønsket autodotering. Lagene kan påføres på 15 sædvanligvis vis ved f.eks. CVD, spin-on eller tykfilm-trykteknik. Det er således muligt at fremstille en bifa-sial solcelle ved et enkelt højtemperaturtrin hvor autodoterede områder fjernes ved efterfølgende ætsning. Det vil ligeledes kunne forstås, at den her skitserede teknik 20 er anvendelig til fremstilling af doterede områder til mange forskellige halvledertyper, herunder også tyristorer. Der kan således dannes en vilkårlig struktur af doterede områder i en halvleder. 1 2 3 4 5 6 7 8 35 I det foregående er ætsemidlet beskrevet som en alkalisk 2 opløsning, men ætsetrinet kan med fordel erstattes af 3 plasmaætsning, så både diffusionstrinet og ætsetrinet fo 4 regår i et og samme ovnkammer, uden at skiverne skal 5 flyttes mellem trinene. En væsentlig fordel herved vil 6 således være, at ovnrøret renses under ætsningen, og at 7 de efterfølgende procestrin med vandskyl, kemisk rens og 8 tørring undgås.

Claims (9)

14 DK 170189 B1
1. Fremgangsmåde til fremstilling af doterede områder på 5 halvlederkomponenter, fortrinsvis solceller, idet en del .. af et halvledersubstrats overflade påføres ét kildelag med en første type doteringsmiddel, hvorpå halvledersub-stratet med kildelaget opvarmes til en temperatur, der er tilstrækkelig til diffusion af en del af doteringsmidlet 10 fra kildelaget til halvledersubstratet, hvor der under doteringsprocessen også sker en uønsket autodotering af halvledersubstratets ubeskyttede overflader, kendetegnet ved, at de autodoterede områder af halvledersubstratet ætses bort, mens kildelaget udgør en beskyt-15 telsesbarriere for de underliggende doterede områder.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at en anden del af halvledersubstratets overflade efter ætsningen påføres et andet kildelag med en anden 20 type doteringsmiddel, at halvledersubstratet med påførte kildelag opvarmes til en temperatur, der er tilstrækkelig til diffusion af en del af den anden type doteringsmiddel fra det andet kildelag til halvledersubstratet, hvor der under doteringsprocessen også sker en uønsket autodote-25 ring af halvledersubstratets ubeskyttede overflader, og at de autodoterede områder af halvledersubstratet ætses bort, mens de to kildelag udgør en beskyttelsesbarriere for de underliggende doterede områder.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, kendeteg net ved, at det i forbindelse med påføringen af kilde-laget med doteringsmidlet og inden opvarmningen, påføres et eller flere kildelag med doteringsmiddel. f 1
4. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, kendeteg net ved, at halvledersubstratet er krystallinsk silicium. 15 DK 170189 B1
5. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at kildelagene, der indeholder doteringsmiddel, er silica'er.
6. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, kendeteg net ved, at kildelagene, der indeholder doteringsmiddel vælges blandt gruppen: TiO, TiC^, Al02, Sn02' siliciumni-trid.
7. Fremgangsmåde ifølge krav 1-5, kendetegnet ved, at doteringsmidlerne vælges blandt phosphor, bor, arsen og antimon.
8. Solcelle fremstillet ifølge den i krav 1 og 2 angivne 15 fremgangsmåde, kendetegnet ved, at den omfatter en skive (1) af et halvledersubstrat, at en del af skivens ene side har et første aktivt område (10) af en første ledertype, at skivens anden side, skivens kantflade og periferien af skivens første side har et andet aktivt 20 område (4) af en anden leder type, og at de to aktive områder (4, 10) er adskilt med en afstand λ.
9. Solcelle ifølge krav 8, kendetegnet ved, at de aktive områder (4, 10) er belagt med et antirefleks- 25 lag. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Solcelle ifølge krav 8 eller 9, kendetegnet 2 ved, at der i området mellem det første (10) og det andet 3 (4) aktive område findes et tredie aktivt område (15) af 4 30 den anden ledertype med forbindelse til det første aktive 5 område (10) og et fjerde aktivt område (16) af den første 6 ledertype med forbindelse til det andet aktive område 7 (4), hvorved der dannes en modsatrettet PN-overgang i 8 forhold til den af det første og det andet aktive område 9 35 (4, 10) dannede PN-overgang.
DK133890A 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf DK170189B1 (da)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
BR919106519A BR9106519A (pt) 1990-05-30 1991-05-29 Um metodo de fabricacao de componentes semicondutores bem como uma celula solar feita deste
PL91296932A PL167243B1 (pl) 1990-05-30 1991-05-29 S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL
RO92-01476A RO111230B1 (ro) 1990-05-30 1991-05-29 Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu
US07/949,539 US5461002A (en) 1990-05-30 1991-05-29 Method of making diffused doped areas for semiconductor components
PCT/DK1991/000144 WO1991019323A1 (en) 1990-05-30 1991-05-29 A method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom
DE69118530T DE69118530T2 (de) 1990-05-30 1991-05-29 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen und damit hergestellte Solarzelle
HU923773A HUT63711A (en) 1990-05-30 1991-05-29 Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device
AT91911085T ATE136402T1 (de) 1990-05-30 1991-05-29 Verfahren zum herstellen von halbleiter- bauelementen und damit hergestellte solarzelle
ES91911085T ES2088793T3 (es) 1990-05-30 1991-05-29 Un metodo de fabricar componentes semiconductores asi como una celula solar fabricada a partir de los mismos.
CA002084089A CA2084089A1 (en) 1990-05-30 1991-05-29 Method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom
AU79765/91A AU646263B2 (en) 1990-05-30 1991-05-29 A method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom
EP91911085A EP0531430B1 (en) 1990-05-30 1991-05-29 A method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom
JP91510025A JPH05508742A (ja) 1990-05-30 1991-05-29 半導体素子を製造する方法並びにそれらから製造された太陽電池
CN91104372A CN1025392C (zh) 1990-05-30 1991-05-30 一种制造半导体元件的方法和由此方法制成的太阳能电池
NO92924568A NO924568L (no) 1990-05-30 1992-11-26 Fremgangsmaate for fremstilling av halvlederbestanddeler og derav fremstilt solcelle
FI925409A FI925409A7 (fi) 1990-05-30 1992-11-27 Foerfarande foer framstaellning av halvledarkomponenter samt en solcell framstaellt daerav
US08/512,161 US5665175A (en) 1990-05-30 1995-08-07 Bifacial solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK133890 1990-05-30
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK133890D0 DK133890D0 (da) 1990-05-30
DK133890A DK133890A (da) 1991-12-01
DK170189B1 true DK170189B1 (da) 1995-06-06

Family

ID=8103745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf

Country Status (17)

Country Link
US (2) US5461002A (da)
EP (1) EP0531430B1 (da)
JP (1) JPH05508742A (da)
CN (1) CN1025392C (da)
AT (1) ATE136402T1 (da)
AU (1) AU646263B2 (da)
BR (1) BR9106519A (da)
CA (1) CA2084089A1 (da)
DE (1) DE69118530T2 (da)
DK (1) DK170189B1 (da)
ES (1) ES2088793T3 (da)
FI (1) FI925409A7 (da)
HU (1) HUT63711A (da)
NO (1) NO924568L (da)
PL (1) PL167243B1 (da)
RO (1) RO111230B1 (da)
WO (1) WO1991019323A1 (da)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
DE19508712C2 (de) * 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
US6331457B1 (en) * 1997-01-24 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory., Ltd. Co. Method for manufacturing a semiconductor thin film
US5716873A (en) * 1996-05-06 1998-02-10 Micro Technology, Inc. Method for cleaning waste matter from the backside of a semiconductor wafer substrate
JP3454033B2 (ja) * 1996-08-19 2003-10-06 信越半導体株式会社 シリコンウェーハおよびその製造方法
KR100237183B1 (ko) * 1996-12-14 2000-01-15 정선종 금속-반도체 광소자
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6224016B1 (en) 1997-12-19 2001-05-01 Sky Station International, Inc. Integrated flexible solar cell material and method of production
DE19813188A1 (de) 1998-03-25 1999-10-07 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur einseitigen Dotierung eines Halbleiterkörpers
US6033950A (en) * 1998-04-10 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual layer poly deposition to prevent auto-doping in mixed-mode product fabrication
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
AT408158B (de) * 1998-12-28 2001-09-25 Kroener Friedrich Dr Maske zur strukturierten, elektrochemischen bearbeitung eines siliziumplättchens für die solarzellenherstellung
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
DE10020541A1 (de) * 2000-04-27 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
DE10021440A1 (de) * 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
AUPR174800A0 (en) 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
WO2003047005A2 (en) * 2001-11-26 2003-06-05 Shell Solar Gmbh Manufacturing a solar cell with backside contacts
MY144264A (en) * 2001-11-29 2011-08-29 Transform Solar Pty Ltd Semiconductur texturing process
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
CN100490186C (zh) * 2003-01-31 2009-05-20 Bp北美公司 改进的光生伏打电池及其生产
US7402448B2 (en) * 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US7906722B2 (en) 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
US7765949B2 (en) 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US20070107773A1 (en) 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US7799371B2 (en) 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
CN106409970A (zh) * 2005-12-21 2017-02-15 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
US7855335B2 (en) * 2006-04-26 2010-12-21 Palo Alto Research Center Incorporated Beam integration for concentrating solar collector
US7638708B2 (en) 2006-05-05 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Laminated solar concentrating photovoltaic device
US7851693B2 (en) 2006-05-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Passively cooled solar concentrating photovoltaic device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung
US20110132423A1 (en) * 2006-10-11 2011-06-09 Gamma Solar Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells
US8226391B2 (en) 2006-11-01 2012-07-24 Solarworld Innovations Gmbh Micro-extrusion printhead nozzle with tapered cross-section
US7780812B2 (en) 2006-11-01 2010-08-24 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion head with planarized edge surface
US7922471B2 (en) 2006-11-01 2011-04-12 Palo Alto Research Center Incorporated Extruded structure with equilibrium shape
US8322025B2 (en) 2006-11-01 2012-12-04 Solarworld Innovations Gmbh Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures
US7928015B2 (en) * 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials
US7638438B2 (en) 2006-12-12 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extrusion mask
US20080185039A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Hing Wah Chan Conductor fabrication for optical element
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8058092B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
NL2000999C2 (nl) * 2007-11-13 2009-05-14 Stichting Energie Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor.
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US20110017298A1 (en) * 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8076175B2 (en) 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211627A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) * 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
DE102008052660A1 (de) * 2008-07-25 2010-03-04 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
US7999175B2 (en) * 2008-09-09 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) * 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US8232134B2 (en) 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US7964434B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-21 Stion Corporation Sodium doping method and system of CIGS based materials using large scale batch processing
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US8008198B1 (en) 2008-09-30 2011-08-30 Stion Corporation Large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US7960204B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-14 Stion Corporation Method and structure for adhesion of absorber material for thin film photovoltaic cell
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) * 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
WO2010063530A2 (en) * 2008-11-05 2010-06-10 Oerlikon Solar Ip Ag, Truebbach Solar cell device and method for manufacturing same
US20100117254A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-Extrusion System With Airjet Assisted Bead Deflection
US8117983B2 (en) 2008-11-07 2012-02-21 Solarworld Innovations Gmbh Directional extruded bead control
US9150966B2 (en) * 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
DK2359401T3 (da) 2008-11-20 2015-08-31 Saphire Solar Technologies Aps Solmodul med integrerede elektroniske indretninger og relateret fremgangsmåde til fremstilling heraf
EP2226850A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 SAPHIRE ApS Solar module having integrated electronic devices
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
US8080729B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Melt planarization of solar cell bus bars
US8960120B2 (en) 2008-12-09 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-extrusion printhead with nozzle valves
CN102318078B (zh) 2008-12-10 2013-10-30 应用材料公司 用于网版印刷图案对准的增强型检视系统
TWI385809B (zh) * 2008-12-17 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 表面織化的方法
CN101771095B (zh) * 2009-01-06 2012-03-21 台湾茂矽电子股份有限公司 太阳能电池
CN102386280B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 显示器生产服务株式会社 制备太阳能电池上的选择性发射极的方法中使用的扩散设备
DE102009008371A1 (de) * 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US20100275995A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Calisolar, Inc. Bifacial solar cells with back surface reflector
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
NL2003390C2 (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
NL2003510C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-22 Solar Cell Company Holding B V Photovoltaic cell and method for fabricating a photovoltaic cell.
US8174444B2 (en) * 2009-09-26 2012-05-08 Rincon Research Corporation Method of correlating known image data of moving transmitters with measured radio signals
US8912431B2 (en) 2009-09-29 2014-12-16 Kyocera Corporation Solar cell element and solar cell module
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110100418A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Solid Linear Solar Concentrator Optical System With Micro-Faceted Mirror Array
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8586862B2 (en) * 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114147A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
TW201121066A (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Ind Tech Res Inst Bificial solar cell
TWI472049B (zh) * 2009-12-14 2015-02-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池的製造方法
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US20110216401A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-08 Palo Alto Research Center Incorporated Scanning System With Orbiting Objective
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
CN101930912B (zh) * 2010-07-20 2012-03-14 晶澳太阳能有限公司 一种利用掩模在硅片两面实现p+和n+扩散的工艺
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN102403396A (zh) * 2010-09-10 2012-04-04 杜邦太阳能有限公司 薄膜太阳能电池的制造方法
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
KR101699300B1 (ko) * 2010-09-27 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) * 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
CN102064232A (zh) * 2010-10-28 2011-05-18 中山大学 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
CN102097534A (zh) * 2010-11-18 2011-06-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 同时形成晶体硅太阳能电池pn结和氮化硅减反射膜的方法
US8134217B2 (en) * 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8962424B2 (en) 2011-03-03 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated N-type silicon solar cell with contact/protection structures
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
WO2013062727A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
JP6351601B2 (ja) 2012-10-04 2018-07-04 ソーラーシティ コーポレーション 電気めっき金属グリッドを用いた光起電力装置
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
JP6063577B2 (ja) 2012-10-16 2017-01-18 ソレクセル、インコーポレイテッド 光起電力太陽電池及びモジュールにおけるモノリシック集積バイパススイッチのためのシステム及び方法
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
KR102065595B1 (ko) * 2013-01-17 2020-01-13 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
US20150101761A1 (en) * 2013-05-12 2015-04-16 Solexel, Inc. Solar photovoltaic blinds and curtains for residential and commercial buildings
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR20170019597A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
EP3365920B1 (en) * 2015-10-25 2023-02-22 Solaround Ltd. Method of bifacial cell fabrication
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
CN107305839B (zh) * 2016-04-18 2020-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止自掺杂效应的方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
FR3073975B1 (fr) * 2017-11-22 2020-09-18 Commissariat Energie Atomique Procede ameliore de dopage de cellule solaire
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99619C (da) * 1955-06-28
US3767485A (en) * 1971-12-29 1973-10-23 A Sahagun Method for producing improved pn junction
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
US4101351A (en) * 1976-11-15 1978-07-18 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating inexpensive high performance solar cells using doped oxide junction and insitu anti-reflection coatings
JPS55130176A (en) * 1979-03-30 1980-10-08 Hitachi Ltd Field effect semiconductor element and method of fabricating the same
DE3316417A1 (de) * 1983-05-05 1984-11-08 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Solarzelle
US4662956A (en) * 1985-04-01 1987-05-05 Motorola, Inc. Method for prevention of autodoping of epitaxial layers
DE3520699A1 (de) * 1985-06-10 1986-01-23 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Verfahren zum selektiven diffundieren von aluminium in ein siliziumsubstrat
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4914500A (en) * 1987-12-04 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions, and the resulting devices
US5082791A (en) * 1988-05-13 1992-01-21 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller

Also Published As

Publication number Publication date
EP0531430B1 (en) 1996-04-03
FI925409A0 (fi) 1992-11-27
CA2084089A1 (en) 1991-12-01
CN1057735A (zh) 1992-01-08
EP0531430A1 (en) 1993-03-17
ATE136402T1 (de) 1996-04-15
CN1025392C (zh) 1994-07-06
DE69118530T2 (de) 1996-11-21
DK133890D0 (da) 1990-05-30
NO924568D0 (no) 1992-11-26
DK133890A (da) 1991-12-01
AU646263B2 (en) 1994-02-17
WO1991019323A1 (en) 1991-12-12
AU7976591A (en) 1991-12-31
US5461002A (en) 1995-10-24
DE69118530D1 (de) 1996-05-09
FI925409A7 (fi) 1992-11-27
PL167243B1 (pl) 1995-08-31
HUT63711A (en) 1993-09-28
BR9106519A (pt) 1993-05-25
US5665175A (en) 1997-09-09
NO924568L (no) 1992-11-26
HU9203773D0 (en) 1993-04-28
JPH05508742A (ja) 1993-12-02
ES2088793T3 (es) 1996-09-16
RO111230B1 (ro) 1996-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5461002A (en) Method of making diffused doped areas for semiconductor components
JP7777687B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP2024509329A (ja) 選択的接触領域埋込型太陽電池及びその裏面接触構造
NL2003390C2 (en) Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
TWI408816B (zh) A solar cell manufacturing method, a solar cell, and a method of manufacturing a semiconductor device
EP2356687B1 (en) Deep grooved rear contact photovoltaic solar cells
TWI528574B (zh) 具有選擇性前表面場之背接面太陽能電池
US9583653B2 (en) Solar cell and fabrication method thereof
US4468853A (en) Method of manufacturing a solar cell
CN110838536A (zh) 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
JP5414298B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP2015111721A (ja) Ｉｎ−ｓｉｔｕ表面不動態化を伴うイオン注入された選択エミッタ太陽電池
JP2010521824A (ja) 太陽電池
AU2006243111A1 (en) Solar cell manufacturing method and solar cell
CN111063760A (zh) 一种太阳能电池的制备工艺
CN118782688A (zh) 一种tbc太阳能电池的制备方法
JP2989373B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
KR101464002B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
TW201440235A (zh) 具有加強射極層之背接面太陽能電池
WO2025209327A1 (zh) 一种背面SE结构TOPCon电池的制作方法
JP3652128B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP2015106624A (ja) 太陽電池の製造方法
CN111599892A (zh) 一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺
JPH05326989A (ja) 太陽電池の製造方法
KR100204916B1 (ko) 태양전지 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed

Country of ref document: DK