DK2143264T3 - Laserimpulsmatrixdetektor med hurtig summering - Google Patents

Laserimpulsmatrixdetektor med hurtig summering Download PDF

Info

Publication number
DK2143264T3
DK2143264T3 DK08749668.3T DK08749668T DK2143264T3 DK 2143264 T3 DK2143264 T3 DK 2143264T3 DK 08749668 T DK08749668 T DK 08749668T DK 2143264 T3 DK2143264 T3 DK 2143264T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
integrator
pulses
detector
transistor
transducer
Prior art date
Application number
DK08749668.3T
Other languages
English (en)
Inventor
Marcel-Francis Audier
Original Assignee
Thales Sa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thales Sa filed Critical Thales Sa
Application granted granted Critical
Publication of DK2143264T3 publication Critical patent/DK2143264T3/da

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/707Pixels for event detection
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Claims (13)

  1. LASERIMPULSMATRIXDETEKTOR MED HURTIG SUMMERING
    1. Lysimpulsdetektor (100) med direkte modreaktionsinjektion, der omfatter en matrix af fotodetektorer, hvor hver fotodetektor omfatter en transducer (1) og en integrator (2), der omfatter en MOSEET injektionstransistor (21), der er monteret som fælles gate, en modreaktionsforstærker, en integrationskapacitor (22), hvor modreaktionsforstærkeren er en kaskadeinverterende differentialforstærker (20'), hvis negative indgang er forbundet med indgangen til injektionstransistoren (21), og hvis udgang er forbundet med denne transistors gate, kendetegnet ved, at den omfatter for hver fotodetektor et demultiplexing-kredsløb (4), der er indlejret mellem transduceren (1) og integratoren (2), og som er i stand til at successivt forbinde transduceren (1) på injektionstransistorens (21) indgang derefter på en referencespænding (Vref), hvortil differentialforstærkerens (20') positive indgang ligeledes er forbundet.
  2. 2. Matrixdetektor (100) ifølge det foregående krav, kendetegnet ved, at demultiplexing-kredsløbet (4) omfatter to transistorer Φ?3,ιη? (41) og ®gatmg (42), der styres i faseopposition for at sikre en hurtig lukning af fotodetektoren.
  3. 3. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at den omfatter en feedbackkapacitor CBL (25), der er placeret parallelt med differentialforstærkeren (20'), og som er i stand til at optimere denne forstærkers båndbredde.
  4. 4. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at den omfatter en skærmtransistor Mécr (26), der er placeret mellem injektionstransistorens (21) udgang og integrationskapacitoren (22).
  5. 5. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at transduceren (1) omfatter en fotodiode (10).
  6. 6. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at den endvidere omfatter et lagringskredsløb (3), der er forbundet med integratoren (2).
  7. 7. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at lysimpulserne er IR-impulser.
  8. 8. Matrixdetektor (100) ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at lysimpulseme har en rate, der er højere end nogle få hundrede Hertz.
  9. 9. Fremgangsmåde til detektering af lysimpulser ved hjælp af en detektor ifølge et af de foregående krav, der for hver fotodetektor omfatter trin med integration af ladninger ved hjælp af en integrator derefter læsning af disse ladninger, kendetegnet ved, at integrationstrinnet omfatter: a. et trin med åbning af integratoren under modtagelsen af hver impuls derefter lukning af integratoren mellem to modtagelser for demultiplexing-kredsløbet (4), b. summering af ladninger integreret af integratoren (2) på flere impulser, og ved at læsningstrinnet omfatter en læsning af summen af de integrerede ladninger på flere impulser.
  10. 10. Fremgangsmåde til detektering af lysimpulser ifølge det foregående krav, kendetegnet ved, at åbningen af integratoren opnås ved hjælp af to omskiftere, der fungerer i faseopposition.
  11. 11. Fremgangsmåde til detektering af lysimpulser ifølge det foregående krav, kendetegnet ved, at hver fotodetektor omfatter en transducer, hvor lukning af integratoren opnås ved lukning af en første omskifter og samtidig åbning af den anden omskifter.
  12. 12. Fremgangsmåde til detektering af laserimpulser ifølge et af kravene 9 til 11, kendetegnet ved, at lysimpulserne er IR-impulser.
  13. 13. Fremgangsmåde til detektering af laserimpulser ifølge et af kravene 9 til 12, kendetegnet ved, at lysimpulserne har en rate, der er højere end nogle få hundrede Hertz.
DK08749668.3T 2007-05-04 2008-04-23 Laserimpulsmatrixdetektor med hurtig summering DK2143264T3 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0703244A FR2915833B1 (fr) 2007-05-04 2007-05-04 Detecteur matriciel d'impulsions laser avec sommation rapide.
PCT/EP2008/054922 WO2008135388A1 (fr) 2007-05-04 2008-04-23 Detecteur matriciel d'impulsions laser avec sommation rapide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK2143264T3 true DK2143264T3 (da) 2018-06-14

Family

ID=38621064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK08749668.3T DK2143264T3 (da) 2007-05-04 2008-04-23 Laserimpulsmatrixdetektor med hurtig summering

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8421016B2 (da)
EP (1) EP2143264B1 (da)
DK (1) DK2143264T3 (da)
ES (1) ES2669371T3 (da)
FR (1) FR2915833B1 (da)
IL (1) IL201930A (da)
TR (1) TR201808251T4 (da)
WO (1) WO2008135388A1 (da)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2937150B1 (fr) * 2008-10-15 2010-12-24 Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir Dispositif et procede pour realiser la lecture de courants electriques resultant d'un detecteur de signaux electromagnetiques
FR2940463B1 (fr) * 2008-12-23 2012-07-27 Thales Sa Systeme d'imagerie passive equipe d'un telemetre
FR3048124B1 (fr) * 2016-02-18 2018-03-23 Sagem Defense Securite Circuit de detection d'impulsions lumineuses
US9857145B1 (en) 2016-06-28 2018-01-02 Rosemount Aerospace Inc. Target-designation detection used to shutter camera images for locating target
CN109116273B (zh) * 2018-08-29 2024-01-30 中国地质大学(武汉) 一种快速响应的负反馈型gmi磁场测量传感器
EP4329193A1 (en) * 2022-08-25 2024-02-28 NXP USA, Inc. A receiver circuit
FR3143931A1 (fr) * 2022-12-20 2024-06-21 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Détection de pulse laser asynchrone et imagerie passive

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4440613C1 (de) * 1994-11-14 1996-07-25 Leica Ag Vorrichtung und Verfahren zur Detektion und Demodulation eines intensitätsmodulierten Strahlungsfeldes
FR2733111B1 (fr) 1995-04-11 1997-05-23 Thomson Csf Procede de detection a cycles d'integration et de lecture repartis pour camera a balayage, et barrette de detection correspondante
FR2751500B1 (fr) 1996-07-16 1998-10-23 Thomson Csf Circuit de lecture de barrettes de photodetecteurs
FR2756666B1 (fr) 1996-12-04 1999-02-19 Thomson Csf Detecteur d'ondes electromagnetiques
EP1515541A3 (en) * 1998-09-28 2008-07-23 3DV Systems Ltd. Distance measurement with a camera
US6384413B1 (en) * 1998-10-13 2002-05-07 California Institute Of Technology Focal plane infrared readout circuit
FR2808925B1 (fr) 2000-05-12 2003-08-08 Thomson Csf Detecteur optique bi-spectral
FR2808926B1 (fr) 2000-05-12 2003-08-01 Thomson Csf Detecteur optique polarimetrique
FR2811808B1 (fr) 2000-07-11 2002-10-25 Thomson Csf Dispositif d'auto-compensation pour detecteurs soustractifs
US6504141B1 (en) * 2000-09-29 2003-01-07 Rockwell Science Center, Llc Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range

Also Published As

Publication number Publication date
FR2915833B1 (fr) 2010-03-12
WO2008135388A1 (fr) 2008-11-13
WO2008135388A9 (fr) 2009-04-23
US20100207028A1 (en) 2010-08-19
TR201808251T4 (tr) 2018-07-23
US8421016B2 (en) 2013-04-16
IL201930A0 (en) 2010-06-16
EP2143264B1 (fr) 2018-03-14
FR2915833A1 (fr) 2008-11-07
IL201930A (en) 2013-11-28
ES2669371T3 (es) 2018-05-25
EP2143264A1 (fr) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK2143264T3 (da) Laserimpulsmatrixdetektor med hurtig summering
US8987667B2 (en) Systems and methods for image lag mitigation for buffered direct injection readout with current mirror
US7173230B2 (en) Electromagnetic wave detection arrangement with capacitive feedback
US9807323B2 (en) Pixel circuit with constant voltage biased photodiode and related imaging method
JP4310428B2 (ja) 光検出器の単光子読出し用のコンパクトな超低雑音広帯域幅ピクセル増幅器
EP0897214A2 (en) Ultra-low noise high bandwidth interface circuit for singlephoton readout of photodetectors
US6642501B2 (en) Photo-detecting apparatus
JP2010063096A6 (ja) 単一光子画像形成素子
JP2010063096A (ja) 単一光子画像形成素子
US6757627B2 (en) Photo-detecting apparatus
US7830425B2 (en) Areal active pixel image sensor with programmable row-specific gain for hyper-spectral imaging
US6538245B1 (en) Amplified CMOS transducer for single photon read-out of photodetectors
US20180227518A1 (en) Pixel circuit with constant voltage biased photodiode and related imaging method
US9497402B2 (en) Image lag mitigation for buffered direct injection readout with current mirror
US10687004B1 (en) Low noise passive pixel readout circuit
CN121815109A (zh) 一种像素读出电路及其控制方法