DK2147487T3 - Pulserende mikrochiplaser - Google Patents
Pulserende mikrochiplaser Download PDFInfo
- Publication number
- DK2147487T3 DK2147487T3 DK08805570.2T DK08805570T DK2147487T3 DK 2147487 T3 DK2147487 T3 DK 2147487T3 DK 08805570 T DK08805570 T DK 08805570T DK 2147487 T3 DK2147487 T3 DK 2147487T3
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- medium
- laser
- microchip
- microchip laser
- amplifying
- Prior art date
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 11
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 11
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08081—Unstable resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Claims (22)
- PULSERENDE MIKROCHIPLASER1. Passivt udløst mikrochiplaser (1) dannet af en kavitet, der er lukket af et inputspejl (4) og et outputspejl (5), hvilken kavitet inkluderer afbøjningsmidler (9, 10, 11, 12, 13, 9A, 9B) arrangeret, så de afbøjer en lysstråle (14) mellem inputspejlet (4) og outputspejlet (5), hvori kaviteten inkluderer, mellem inputspejlet (4) og outputspejlet (5), et separationsmedium (8), som er luft, og afbøjningsmidlerne inkluderer mindst én afbøjningsflade (9, 10, 11, 12, 13, 9A, 9B) i kontakt med separationsmediet, således at lysstrålen afbøjes, når den går igennem afbøjningsfladen, hvilken passivt udløste mikrochiplaser (1) inkluderer et forstærkende lasermedium (2) og et mætbart absorberende medium (3), kendetegnet ved, at inputspejlet (4) og outputspejlet (5) samt afbøjningsfladen eller hver afbøjningsflade (9, 10, 11, 12, 13, 9A, 9B) er planspejle, og inputspejlet (4) er i stand til at udsende en pumpestråle, og det forstærkende lasermedium (2) og det mætbare absorberende medium (3) er arrangeret, så der genereres en laserstråle fra pumpestrålen, og outputspejlet (5) er arrangeret, så det delvist reflekterer laserstrålen, og kavitetens længde er mellem 1 og 20 millimeter, og Fresnel-længden, der er tilknyttet lys strålens bredde (14) i det forstærkende lasermediums forstærkningszone (2), er længere end kavitetens længde.
- 2. Mikrochiplaser ifølge et af de foregående krav, hvori afbøjningsfladen eller hver afbøjningsflade hælder i forhold til inputspejlet.
- 3. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori fladen eller hver flade hælder i forhold til laserstråleudbredelsens retning ifølge Brewsters vinkel.
- 4. Mikrochiplaser ifølge et af krav 1 til 3, hvori medierne på hver side af afbøjningsfladen eller hver afbøjningsflade har forskellige refraktionsindekser.
- 5. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori separationsmediet har et refraktionsindeks, der er forskelligt fra det forstærkende lasermediums refraktionsindeks, og hvori afbøjningsfladen inkluderer en flade af det forstærkende lasermedium.
- 6. Mikrochiplaser ifølge krav 4, hvori separationsmediet har et refraktionsindeks, der er forskelligt fra det mætbare absorberende mediums refraktionsindeks, og hvori afbøjningsfladen inkluderer en flade af det mætbare absorberende medium.
- 7. Mikrochiplaser ifølge et af krav 5 eller 6, hvori separationsmediet har et refraktionsindeks, der er forskelligt fra det forstærkende lasermediums refraktionsindeks og det mætbare absorberende mediums refraktionsindeks, og hvori afbøjningsflademe inkluderer en flade af det mætbare absorberende medium og en flade af det forstærkende lasermedium.
- 8. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori afbøjningsfladerne, der udgøres af fladen af det mætbare absorberende medium og fladen af det forstærkende lasermedium, er parallelle.
- 9. Mikrochiplaser ifølge et af krav 1 til 8, hvori afbøjningsfladen er en flade at en transparent plade for lysstråle.
- 10. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori det forstærkende lasermedium er separeret fra det mætbare absorberende medium af separationsmediet, og den transparente plade er anbragt i separationsmediet.
- 11. Mikrochiplaser ifølge et af krav 1 til 10, hvori afbøjningsfladen eller hver afbøjningsflade hælder i forhold til inputspejlet.
- 12. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori afbøjningsfladen eller hver afbøjningsflade hælder i forhold til laserstrålens udbredelsesretning i Brewsters vinkel.
- 13. Mikrochiplaser ifølge et af de foregående krav, hvori inputspejlet og outputspejlet er parallelle.
- 14. Mikrochiplaser ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvori kaviteten inkluderer et dobbeltstrålebrydende element (16) arrangeret, således at det sammen med afbøjningsmidlet danner et Lyot-type filter.
- 15. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori det dobbeltstrålebrydende element (16) er anbragt i separationsmediet (8).
- 16. Mikrochiplaser ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvori kaviteten inkluderer et non-lineært medium, der er i stand til at generere nye frekvenser inden i kaviteten.
- 17. Mikrochiplaser ifølge det foregående krav, hvori det non-lineære medium er anbragt mellem det forstærkende lasermedium og det mætbare absorberende medium.
- 18. Mikrochiplaser ifølge krav 16, hvori det non-lineære medium er anbragt mellem det mætbare absorberende medium og outputspejlet.
- 19. Mikrochiplaser ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvori det forstærkende lasermedium og det mætbare absorberende medium er monteret, så de er bevægelige i forhold til hinanden.
- 20. System, der inkluderer en mikrochiplaser ifølge et af krav 1 til 19 og forskydningsmidler arrangeret, så det forstærkende lasermedium og det mætbare absorberende medium forskydes i forhold til hinanden.
- 21. System, der inkluderer en mikrochiplaser ifølge et af krav 1 til 19, en optisk pumpe arrangeret, så den pumper mikrochiplaseren i længderetningen, og midler til forskydning af pumpen arrangeret, så pumpen forskydes i forhold til mikrochiplaseren med henblik på at modificere kendetegnene ved den laserstråle, der udsendes i mikrochiplaserens output.
- 22. Fremgangsmåde til generering af en laserstråle, der inkluderer trin omfattende: - tilvejebringelse af en mikrochiplaser ifølge et hvilket som helst af de foregående krav; - injektion af en lysstråle ind i mikrochiplaseren; - deviation aflysstrålen ind i mikrochiplaseren.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0755065A FR2916310B1 (fr) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | Laser a puce pulse |
| PCT/FR2008/000670 WO2008152251A2 (fr) | 2007-05-14 | 2008-05-14 | Laser à puce pulsé |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK2147487T3 true DK2147487T3 (da) | 2017-08-21 |
Family
ID=38874986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK08805570.2T DK2147487T3 (da) | 2007-05-14 | 2008-05-14 | Pulserende mikrochiplaser |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8340142B2 (da) |
| EP (1) | EP2147487B1 (da) |
| DK (1) | DK2147487T3 (da) |
| FR (1) | FR2916310B1 (da) |
| LT (1) | LT2147487T (da) |
| WO (1) | WO2008152251A2 (da) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013001177B4 (de) * | 2012-09-25 | 2018-03-29 | Toptica Photonics Ag | Vorrichtung zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung |
| FR3019388B1 (fr) * | 2014-03-27 | 2017-06-16 | Cilas | Cavite laser instable a declencheur passif pourvu d'un absorbant saturable a gradient d'absorption |
| CN103956641B (zh) * | 2014-05-16 | 2016-09-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 高效宽温半导体阵列泵浦腔内倍频固体激光器 |
| US10630041B2 (en) * | 2017-03-27 | 2020-04-21 | Nlight, Inc. | Beam offset plate for optically offsetting one or more laser beams |
| DE102017205723A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Scannender Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug |
| US11482828B2 (en) * | 2019-06-28 | 2022-10-25 | Thomas James Kane | Passively Q-switched laser and laser system for ranging applications |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1224318A (en) * | 1967-06-30 | 1971-03-10 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to lasers |
| US4951294A (en) * | 1988-04-22 | 1990-08-21 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford, Jr. University | Diode pumped modelocked solid state laser |
| US5063566A (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-05 | Amoco Corporation | Internally-doubled, composite-cavity microlaser |
| FR2734092B1 (fr) * | 1995-05-12 | 1997-06-06 | Commissariat Energie Atomique | Microlaser monolithique declenche et materiau non lineaire intracavite |
| US5651022A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-22 | Atx Telecom Systems, Inc. | Multi-element monolithic solid state laser |
| US20030039274A1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-02-27 | Joseph Neev | Method and apparatus for tissue treatment and modification |
| JP2004128139A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Sony Corp | レーザ光発生装置及びその製造方法 |
| US8031749B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-10-04 | Jds Uniphase Corporation | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density |
-
2007
- 2007-05-14 FR FR0755065A patent/FR2916310B1/fr active Active
-
2008
- 2008-05-14 LT LTEP08805570.2T patent/LT2147487T/lt unknown
- 2008-05-14 DK DK08805570.2T patent/DK2147487T3/da active
- 2008-05-14 US US12/599,947 patent/US8340142B2/en active Active
- 2008-05-14 EP EP08805570.2A patent/EP2147487B1/fr active Active
- 2008-05-14 WO PCT/FR2008/000670 patent/WO2008152251A2/fr not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8340142B2 (en) | 2012-12-25 |
| FR2916310B1 (fr) | 2009-08-28 |
| LT2147487T (lt) | 2017-08-10 |
| FR2916310A1 (fr) | 2008-11-21 |
| EP2147487A2 (fr) | 2010-01-27 |
| EP2147487B1 (fr) | 2017-07-05 |
| US20100309936A1 (en) | 2010-12-09 |
| WO2008152251A2 (fr) | 2008-12-18 |
| WO2008152251A3 (fr) | 2009-09-03 |
| WO2008152251A8 (fr) | 2009-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0744089B1 (en) | Passively q-switched picosecond microlaser | |
| EP3103166B1 (en) | High power ultrashort pulsed fiber laser | |
| US8488638B2 (en) | Method of forming a single common laser resonator cavity and an optically segmented composite gain medium | |
| EP1764886B1 (en) | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density | |
| US20230170664A1 (en) | Method and Device for Altering Repetition Rate in a Mode-Locked Laser | |
| US9966723B2 (en) | High pulse energy and high beam quality mini laser | |
| DK2147487T3 (da) | Pulserende mikrochiplaser | |
| US7016103B2 (en) | Multiwavelength light source using an optical parametric oscillator | |
| CN115133389B (zh) | 一种基于非线性放大环形镜的固体激光器 | |
| US12573804B2 (en) | Passively Q-switched laser and laser system for ranging applications | |
| Kojou et al. | Wavelength tunable Q-switch laser in visible region with Pr3+-doped fluoride-glass fiber pumped by GaN diode laser | |
| US10868402B2 (en) | Passively Q-switched solid-state laser with compressed pulse duration | |
| US6512630B1 (en) | Miniature laser/amplifier system | |
| US7843975B2 (en) | High-power fiber optic pulsed laser device | |
| CN106299984A (zh) | 一种集成化调q激光器及其控制方法 | |
| EP2835881B1 (en) | Optical amplifier arrangement | |
| US7558298B2 (en) | Laser device triggered by a photonic fiber | |
| CN102801098B (zh) | 一种脉冲激光器和控制脉冲激光器的方法 | |
| CN112771735B (zh) | 光振荡器 | |
| WO2009079730A2 (en) | Prism and compact unidirectional single-frequency planar ring cavity laser without intracavity elements | |
| EP2517317B1 (en) | Laser system for the marking of metallic and non-metallic materials | |
| US20050129081A1 (en) | Laser gain module | |
| US20190006811A1 (en) | Laser device with an optical resonator and method for adjusting the laser device | |
| RU2397586C2 (ru) | Импульсный твердотельный лазер | |
| Šulc et al. | Pulsed self-Raman laser operation in Nd: SrMoO4 at 1.57 um |