DK81362C - Elektrodesystem med en halvledende krystal med i det mindste én tilsmeltet elektrode, især krystaldiode eller transistor, samt fremgangsmåde til fremstilling af sådanne systemer.
- Google Patents
Elektrodesystem med en halvledende krystal med i det mindste én tilsmeltet elektrode, især krystaldiode eller transistor, samt fremgangsmåde til fremstilling af sådanne systemer.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips NvfiledCriticalPhilips Nv
Application grantedgrantedCritical
Publication of DK81362CpublicationCriticalpatent/DK81362C/da
DK392454A1953-12-091954-12-06Elektrodesystem med en halvledende krystal med i det mindste én tilsmeltet elektrode, især krystaldiode eller transistor, samt fremgangsmåde til fremstilling af sådanne systemer.
DK81362C
(da)
Elektrodesystem med en halvledende krystal med i det mindste én tilsmeltet elektrode, især krystaldiode eller transistor, samt fremgangsmåde til fremstilling af sådanne systemer.
Elektrodesystem med en halvledende krystal med i det mindste én tilsmeltet elektrode, især krystaldiode eller transistor, samt fremgangsmåde til fremstilling af sådanne systemer.
Halvledende spærrelagssystem, specielt en transistor eller en krystaldiode, med en vakuumtæt beholder, samt fremgangsmåde til fremstilling af et sådant system.