DK99590C - Fremgangsmåde ved ætsning af halvledende elektrodesystemer med et halvledende legeme af galliumarsenid. - Google Patents

Fremgangsmåde ved ætsning af halvledende elektrodesystemer med et halvledende legeme af galliumarsenid.

Info

Publication number
DK99590C
DK99590C DK227561AA DK227561A DK99590C DK 99590 C DK99590 C DK 99590C DK 227561A A DK227561A A DK 227561AA DK 227561 A DK227561 A DK 227561A DK 99590 C DK99590 C DK 99590C
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
gallium arsenide
electrode systems
semiconductor
etching
semiconductor body
Prior art date
Application number
DK227561AA
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Application granted granted Critical
Publication of DK99590C publication Critical patent/DK99590C/da

Links

DK227561AA 1960-06-07 1961-06-03 Fremgangsmåde ved ætsning af halvledende elektrodesystemer med et halvledende legeme af galliumarsenid. DK99590C (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL99590X 1960-06-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK99590C true DK99590C (da) 1964-08-24

Family

ID=19760625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK227561AA DK99590C (da) 1960-06-07 1961-06-03 Fremgangsmåde ved ætsning af halvledende elektrodesystemer med et halvledende legeme af galliumarsenid.

Country Status (1)

Country Link
DK (1) DK99590C (da)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH430881A (de) Halbleiterbauelement
DK112394B (da) Fremgangsmåde til fastgøring af et kontaktelement til et legeme af en germanium-silicium-legering.
BE600139A (fr) Procédé de fabrication d'un agencement semi-conducteur.
CH394402A (de) Halbleiterbauelement
DK104066C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et octapeptid.
CH401633A (de) Verfahren zum Ätzen von im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörpern
DK99590C (da) Fremgangsmåde ved ætsning af halvledende elektrodesystemer med et halvledende legeme af galliumarsenid.
BE604269A (fr) Procédé d'attaque de homocristaux.
DK104683C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af p-oxybenzoesyre.
DK96446C (da) Fremgangsmåde ved ætsning af halvlederelementer.
CA602880A (en) Electrolytic etching of semiconductors
DK110173C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 6-amino-penicillansyrederivater.
DK103624C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af et halvledende galliumphosphidlegeme med en p-typedel.
DK98696C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af 4-amino-2-klor-5-(metylsulfamyl)-benzensulfonamid.
DK110096C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af phenylcyclopropylamider.
BE604107A (fr) Procédé de fabrication de dispositif semi-conducteurs.
DK96705C (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af halvldende elektrodesystemer.
DK100461C (da) Fremgangsmåde til elektrolytisk ætsning af aluminiumsoverflader.
FR1297973A (fr) Procédé de dopage, par exemple de corps semi-conducteurs
BE604621A (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif à électrodes comprenant un corps semi-conducteur en arséniure de gallium.
DK99425C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en aluminiumholdig legeringskontakt på et halvlederlegeme.
DK98060C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af S-oxidet af α-ethylisonicotinsyrethioamid.
FR1261344A (fr) Extraction du gallium
DK98514C (da) Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter.
DK103057C (da) Fremgangsmåde ved fremstilling af transportkærrer.