EP0441510B1 - Méthode de programmation d'éléments programmables dans des dispositifs programmables - Google Patents

Méthode de programmation d'éléments programmables dans des dispositifs programmables Download PDF

Info

Publication number
EP0441510B1
EP0441510B1 EP19910300610 EP91300610A EP0441510B1 EP 0441510 B1 EP0441510 B1 EP 0441510B1 EP 19910300610 EP19910300610 EP 19910300610 EP 91300610 A EP91300610 A EP 91300610A EP 0441510 B1 EP0441510 B1 EP 0441510B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
programming
voltage
duration
magnitude
eprom cells
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP19910300610
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0441510A2 (fr
EP0441510A3 (en
Inventor
Kevin A. Norman
James D. Sansbury
Alan L. Herrmann
Matthew C. Hendricks
Behzad Nouban
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Altera Corp
Original Assignee
Altera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Altera Corp filed Critical Altera Corp
Publication of EP0441510A2 publication Critical patent/EP0441510A2/fr
Publication of EP0441510A3 publication Critical patent/EP0441510A3/en
Application granted granted Critical
Publication of EP0441510B1 publication Critical patent/EP0441510B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
    • G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells

Definitions

  • an EPROM element such as a floating gate field effect transistor 10, shown in FIGS. 1 and 2, commonly referred to as an EPROM transistor, is programmed when the voltage on its control gate 11 is at a voltage (e.g., 12 volts) that is significantly higher than the voltage during normal operation (typically 5 volts) and the voltage at the drain 12 of EPROM element 10 is at a voltage (e.g., 10-12 volts) higher than the voltage during normal operation (e.g., 5 volts).
  • a voltage e.g., 12 volts
  • the voltage at the drain 12 of EPROM element 10 is at a voltage (e.g., 10-12 volts) higher than the voltage during normal operation (e.g., 5 volts).
  • a maximum of twenty pulses is applied to each cell, each pulse having a duration of 200 ⁇ sec.
  • a maximum of eighty pulses each having a duration of 50 ⁇ sec are applied to each cell.
  • a maximum of one hundred pulses each having a duration of 20 ⁇ sec are applied to each cell.
  • Steps 30-34 are preliminary steps.
  • the method begins at step 30, and the device to be programmed is identified at step 31, allowing the choice of the appropriate parameters.
  • a voltage value VMARG is set to VMARG_BLANK_CHECK, which is a minimum voltage level which, if present on any cell in the device, indicates that the device is not blank.
  • VMARG_BLANK_CHECK 3.7 volts.
  • each cell is tested to see if the device is blank. If at step 33 the device is not blank, then the device fails the programming process, which then ends at 34. If at step 33 the device is blank, then the process continues with the first programming pass 100, which begins at 101.
  • VMARG is set to VMARG_P3_AIM, the target voltage for the third programming pass.
  • VMARG_P3_AIM 8.2 volts.
  • a counter N which represents the number of programming pulses applied, is set to zero.
  • a cell that had been logged in step 213 is programmed with one programming pulse.
  • a number of overpulses is applied to the cell to further raise the cell voltage to protect it against disturbances that might otherwise cause the cell to become unprogrammed.
  • the number of overpulses is equal to P3_OVP_ADD + N x P3_OVP_MULT, where P3_OVP_ADD and P3_OVP_MULT are predetermined overpulse constants.

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Claims (26)

  1. Procédé de programmation d'un dispositif logique programmable, ledit dispositif étant pourvu d'une matrice de cellules de mémoire morte programmable effaçable (EPROM) (10), chacune d'entre elles disposant d'un seuil de tension, et sur chacune d'entre elles, au moins une impulsion de programmation à haute tension doit normalement être appliquée pendant une durée prédéterminée de façon à programmer ledit dispositif logique programmable, ledit procédé comprenant les étapes consistant : à sélectionner une première durée plus courte que ladite durée prédéterminée ; et à appliquer (104) un premier nombre d'impulsions de programmation à haute tension sur chacune desdites cellules EPROM (10), chacune desdites impulsions de programmation à haute tention présentant une première amplitude et ayant ladite première durée, ledit nombre étant au moins égale à un ; caractérisé en ce que le procédé inclut en outre les étapes consistant ; à sélectionner une deuxième durée plus courte que ladite première durée ; et à appliquer (204) un deuxième nombre d'impulsions de programmation à haute tension sur chacune desdites cellules EPROM (10), chacune desdites impulsions de programmation à haute tension présentant une deuxième amplitude au moins aussi élevée que ladite première amplitude et ayant ladite deuxième durée, ledit deuxième nombre étant au moins égal à un.
  2. Procédé de programmation selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce que : après que chaque impulsion dudit premier nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite première amplitude et de ladite première durée ait été appliquée sur l'une desdites cellules EPROM (10), la mesure (105) de la tension de seuil de ladite cellule desdites cellules EPROM (10) est réalisée ; et si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une première tension prédéterminée, l'arrêt (315) de la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10) est décidé.
  3. Procédé de programmation selon la revendication 2, caractérisé par : le comptage (103, 108) dans une première étape de comptage du premier nombre desdites impulsions de programmation à haute tension de ladite première amplitude et de ladite première durée appliquées sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) ; et, si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une première tension prédéterminée, alors avant d'arrêter, (315) la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10), par une nouvelle application (106) à ladite cellule desdites cellules EPROM du premier nombre d'impulsions de programmation à haute tension comptées dans ladite première étape de comptage.
  4. Procédé de programmation selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il existe un premier nombre maximum prédéterminé desdites impulsions de programmation à haute tension de ladite première durée pouvant être appliquées sur chacune desdites cellules EPROM.
  5. Procédé de programmation selon la revendication 4, caractérisé en ce que, si (107), après que ledit premier nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite première amplitude et de ladite première durée aient été appliquées, ladite tension de seuil telle que mesurée est inférieure à ladite première tension prédéterminée, le procédé inclut les étapes supplémentaires consistant: à appliquer de nouveau (111) sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) ledit premier nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite première amplitude et de ladite première durée, à mesurer de nouveau (113) ladite tension de seuil de ladite cellule desdites EPROM (10) et, si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à ladite première tension prédéterminée, à arrêter (315) la programmation de ladite première desdites cellules EPROM (10).
  6. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en outre en ce que: après que chaque impulsion dudit deuxième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée ait été appliquée sur la cellule desdites cellules EPROM (10), la mesure (205) de la tension de seuil sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) est réalisée ; et si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une deuxième tension prédéterminée, l'arrêt (315) de la programmation de ladite première desdites cellules EPROM (10) est décidé.
  7. Procédé de programmation selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite deuxième tension prédéterminée est au moins égale à ladite première tension prédéterminée.
  8. Procédé de programmation selon la revendication 7, dans lequel ladite deuxième tension prédéterminée est supérieure à ladite première tension prédéterminée.
  9. Procédé de programmation selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en outre en ce que : le comptage (203, 208) dans une deuxième étape de comptage du deuxième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée qui sont appliquées sur l'une desdites cellules EPROM est réalisé ; et si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une deuxième tension prédéterminée, alors avant d'arrêter (315) la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10), l'application de nouveau (206) sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) du deuxième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée comptées dans ladite deuxième étape de comptage est réalisée.
  10. Procédé de programmation selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il existe un deuxième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée pouvant être appliquées sur ladite cellule desdites cellules de mémoire morte programmable effaçable.
  11. Procédé de programmation selon la revendication 10, caractérisé en outre en ce que si (207), après que ledit deuxième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée aient été appliquées, ladite tension de seuil telle que mesurée est inférieure à ladite deuxième tension prédéterminée, le procédé inclut les étapes supplémentaires consistant à appliquer de nouveau (211) sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) ledit deuxième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite deuxième amplitude et de ladite deuxième durée, à mesurer de nouveau ladite tension de seuil de ladite cellule desdites cellules EPROM (10), et, si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à ladite deuxième tension prédéterminée, à arrêter (315) la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10).
  12. Procédé de programmation selon les revendications 10 et 11, caractérisé en ce que ledit deuxième nombre maximum prédéterminée est au moins égal audit premier nombre maximum prédéterminé.
  13. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en outre par : la sélection d'une troisième durée au moins importante que ladite deuxième durée ; et par l'application (304) d'un troisième nombre d'impulsions de programmation à haute tension à chacune desdites cellules EPROM (10), chacune desdites impulsions de programmation à haute tension présentant une troisième amplitude et ladite troisième durée, ledit troisième nombre étant au moins égal à un.
  14. Procédé de programmation selon la revendication 13, caractérisé en outre en ce que : après chaque impulsion dudit troisième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisième amplitude et de ladite troisième durée sur l'une desdites cellules EPROM (10), la mesure (305) de la tension de seuil de ladite cellule desdites cellules EPROM (10) est réalisée ; et si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une troisième tension prédéterminée, l'arrêt (315) de la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10) est décidé.
  15. Procédé de programmation selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite troisième tension prédéterminée est au moins égale à ladite deuxième tension prédéterminée.
  16. Procédé de programmation selon la revendication 15, caractérisé en ce que ladite troisième tension prédéterminée est supérieure à ladite deuxième tension prédéterminée.
  17. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, caractérisé en outre par le comptage (303, 308) dans une troisième étape de comptage du troisième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisième amplitude et de ladite troisième durée appliqué sur l'une desdites cellules EPROM; et si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à une troisième tension prédéterminée, alors, avant l'arrêt (315) de la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10), par l'application (306) sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10) du troisième nombre d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisième amplitude et de ladite troisième durée comptées dans ladite troisième étape de comptage.
  18. Procédé de programmation selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il existe un troisième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisème amplitude et de ladite troisième durée pouvant être appliquées sur ladite cellule desdites cellules EPROM (10).
  19. Procédé de programmation selon la revendication 18, caractérisé en outre en ce que, si (307) après que ledit troisième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisième amplitude et de ladite troisième durée aient été appliquées, ladite tension de seuil telle que mesurée est inférieure à ladite troisième tension prédéterminée, le procédé inclut en outre les étapes consistant : à appliquer de nouveau (311) sur ladite première desdites cellules EPROM (10) ledit troisième nombre maximum prédéterminé d'impulsions de programmation à haute tension de ladite troisième amplitude et de ladite troisième durée, à mesurer de nouveau ladite tension de seuil de ladite cellule desdites cellules EPROM (10), et, si ladite tension de seuil telle que mesurée est au moins égale à ladite troisième tension prédéterminée, à arrêter (315) la programmation de ladite cellule desdites cellules EPROM (10).
  20. Procédé de programmation selon les revendications 18 ou 19, caractérisé en ce que ledit troisième nombre maximum prédéterminé est au moins égal audit deuxième nombre maximum prédéterminé.
  21. Procédé de programmation selon la revendication 20, caractérisé en ce que ledit troisième nombre maximum prédéterminé est supérieur audit deuxième nombre maximum prédéterminé.
  22. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications 13 à 21, caractérisé en ce que ladite troisième amplitude est au moins égale à ladite deuxième amplitude.
  23. Procédé de programmation selon la revendication 22, caractérisé en ce que ladite troisième amplitude est supérieure à ladite deuxième amplitude.
  24. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications 13 à 23, caractérisé en ce que ladite troisième durée est inférieure à ladite deuxième durée.
  25. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications 12 à 24, caractérisé en ce que ledit deuxième nombre maximum prédéterminé est supérieur audit premier nombre maximum prédéterminé.
  26. Procédé de programmation selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite deuxième amplitude est supérieure à ladite première amplitude.
EP19910300610 1990-02-08 1991-01-28 Méthode de programmation d'éléments programmables dans des dispositifs programmables Expired - Lifetime EP0441510B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47671590A 1990-02-08 1990-02-08
US476715 1990-02-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0441510A2 EP0441510A2 (fr) 1991-08-14
EP0441510A3 EP0441510A3 (en) 1992-08-05
EP0441510B1 true EP0441510B1 (fr) 1995-09-20

Family

ID=23892962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19910300610 Expired - Lifetime EP0441510B1 (fr) 1990-02-08 1991-01-28 Méthode de programmation d'éléments programmables dans des dispositifs programmables

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0441510B1 (fr)
JP (1) JPH04214298A (fr)
DE (1) DE69113073D1 (fr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5436913A (en) * 1992-06-02 1995-07-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device using successively longer write pulses
DE69334291D1 (de) * 1993-05-28 2009-08-27 Macronix Int Co Ltd Schneller Flash-EPROM-Programmierungs- und Vorprogrammierungsschaltungsentwurf
EP1120792B1 (fr) * 1993-05-28 2003-12-17 Macronix International Co., Ltd. Configuration d'un circuit de préprogrammation et de programmation de mémoire morte programmable électriquement (EPROM) flash rapide
EP0818788B1 (fr) * 1993-05-28 2001-09-19 Macronix International Co., Ltd. Configuration d'un circuit de préprogrammation et de programmation de mémoire morte programmable électriquement (EPROM) flash rapide

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1224062B (it) * 1979-09-28 1990-09-26 Ates Componenti Elettron Metodo di programmazione per una memoria a semiconduttore non volatile elettricamente alterabile

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04214298A (ja) 1992-08-05
EP0441510A2 (fr) 1991-08-14
EP0441510A3 (en) 1992-08-05
DE69113073D1 (de) 1995-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5200920A (en) Method for programming programmable elements in programmable devices
US5909390A (en) Techniques of programming and erasing an array of multi-state flash EEPROM cells including comparing the states of the cells to desired values
US5008855A (en) Method of programming anti-fuse element
CN1720586B (zh) 多状态存储器的智能检验
CN100538896C (zh) 编程和禁止多电平非易失性存储单元的方法及系统
EP0856188B1 (fr) Memoire flash eeprom avec assemblage de reference separe
US7623390B2 (en) Programming method for non-volatile memory and non-volatile memory-based programmable logic device
JP3267309B2 (ja) メモリ・セルを消去する方法と不揮発性メモリ・アレイ
DE69603742T2 (de) Überlöschungskorrektur für flash-speicher mit überlöschungsbegrenzung und vermeidung von löschprüffehlern
US5272388A (en) High-yield methods for programming antifuses
EP0685852A2 (fr) Système de mémoire et méthode l'utilisant
JP4655245B2 (ja) フラッシュメモリ装置におけるメモリブロック消去
US5233562A (en) Methods of repairing field-effect memory cells in an electrically erasable and electrically programmable memory device
EP1684308A1 (fr) Procédés pour éviter la programmation de motif fixe
EP1306855A2 (fr) Procédé d'effacement d'une cellule mémoire
EP2777065B1 (fr) Procédé d'essai de conservation de données d'une cellule de mémoire non volatile ayant une grille flottante
KR102629318B1 (ko) 다중 비트라인 바이어스 전압을 인가하여 비휘발성 메모리 장치에서의 프로그래밍을 위한 비휘발성 메모리 장치 및 방법
US20030123295A1 (en) Programming non-volatile memory devices
US20080285368A1 (en) Method for nrom array word line retry erasing and threshold voltage recovering
US20070008783A1 (en) Erase verify for non-volatile memory
KR20230002957A (ko) 랜덤 텔레그래프 노이즈를 나타내는 메모리 셀에 대해 프로그램 조정에 의해 아날로그 비휘발성 메모리의 판독 전류 안정성을 개선하는 방법
DE69731255T2 (de) Verfahren zum Löschen eines nichtflüchtigen Speichers
US7397705B1 (en) Method for programming multi-level cell memory array
US5502395A (en) Method for programming antifuses for reliable programmed links
EP0441510B1 (fr) Méthode de programmation d'éléments programmables dans des dispositifs programmables

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): DE FR GB IT NL

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: NOUBAN, BEHZAD

Inventor name: HENDRICKS, MATTHEW C.

Inventor name: HERRMANN, ALAN L.

Inventor name: NORMAN, KEVIN A.

Inventor name: SANSBURY, JAMES D.

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): DE FR GB IT NL

17P Request for examination filed

Effective date: 19930104

17Q First examination report despatched

Effective date: 19940607

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB IT NL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRE;WARNING: LAPSES OF ITALIAN PATENTS WITH EFFECTIVE DATE BEFORE 2007 MAY HAVE OCCURRED AT ANY TIME BEFORE 2007. THE CORRECT EFFECTIVE DATE MAY BE DIFFERENT FROM THE ONE RECORDED.SCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 19950920

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 19950920

Ref country code: FR

Effective date: 19950920

REF Corresponds to:

Ref document number: 69113073

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19951026

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Effective date: 19951221

EN Fr: translation not filed
NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: 732E

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20060322

Year of fee payment: 16

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20070128

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20070128