EP1743047A1 - Trägerplatte für sputtertargets - Google Patents

Trägerplatte für sputtertargets

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Publication number
EP1743047A1
EP1743047A1 EP05731108A EP05731108A EP1743047A1 EP 1743047 A1 EP1743047 A1 EP 1743047A1 EP 05731108 A EP05731108 A EP 05731108A EP 05731108 A EP05731108 A EP 05731108A EP 1743047 A1 EP1743047 A1 EP 1743047A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
carrier plate
weight
refractory metal
group
composite material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP05731108A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Roland Scholl
Bernd Meyer
Gerd Passing
Gerhard WÖTTING
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of EP1743047A1 publication Critical patent/EP1743047A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00

Definitions

  • the invention relates to a carrier plate for sputteit targets, the carrier plate consisting of a composite material which contains at least one refractory metal and at least one further metallic component from the group Cu, Ag, Au, falsification to manufacture such a carrier plate and units which form the carrier plate and contain a SpuUeilarget
  • substances are characterized by inherent physical properties, for which it is often difficult to describe them theoretically, and which - as natural gnomes - cannot be "improved” even by technical means.
  • a substance often indicates one for a specific one technical application also desired one or several undesired properties.
  • the WAK is inversely proportional to the melting temperature (T m ) of the
  • the E-Modu! Pure metals also correlate with the melting temperature.
  • Metallic materials and components with high thermal conductivity can be manufactured using melt metallurgy.
  • melting temperatures of the metals to be processed are above approx. 2000 K.
  • Components made of metals with higher melting temperatures, such as W, Mo, Re or Ta, are therefore preferably manufactured using powder-melting processes. , This leads to high manufacturing costs (material price, technology costs, machinability).
  • powder metallurgy offers the possibility of being more complicated! ge rrmie to quickly produce rough parts from metallic materials of any composition. It is therefore basically possible, for example the metals and / or mixtures shown in Table 1. to be processed from these metals by powder metallurgy to the desired combinations of welcomers.
  • Corresponding materials can also be produced by a combination of powder metallurgical and melt metallurgical process steps, for example by so-called infiltration methods.
  • the desired functional properties of the material formed for example the thermal conductivity, are caused by metallurgical effects, for example reactions as a result of the formation of intermetallic phases
  • a disadvantage is the complex production of construction parts according to the infill, which usually involves two thermal processes at high temperature (sintering of a skeletal body T:> 1600 ° C., infiltrating the porous body with Cu, T:>
  • Components of the application area (1) are mainly used in the area of microelectronics, components of the application area (2) in the area of power electronics or power electronics, where high-performance areas have to be dissipated by a functional element.
  • Components of the application area (2) are used, for example, as electronic power switches or as a carrier plate for sputtering tarels.
  • Carrier plates for sputtering targets have to perform two functions. On the one hand, the actual sputtering target must be able to be securely attached to the carrier plate, and on the other hand, the heat that arises during the sputtering process must be removed from the sputtering target. As sputler tarels are a variety of different
  • Plates are suitable for sputler targels with significantly higher WAK (15 to 20 x 10 " '7K)
  • Units from the carrier plate and the actual sputtering target must be designed in such a way that the connection between the carrier plate and the sputtering target remains constant even under the extreme thermal loads during the sputtering process, and in particular there is no detachment or breakage of the sputler target.
  • EP 1 331 283 A1 discloses a unit made of a carrier plate made of a Cu-Cr or a Cu-Zn alloy and a tantalum or tungsten target, in which the two units have a special intermediate layer made of aluminum or a Aluminum alloy are interconnected.
  • the intermediate layer must have a minimum thickness of 0.5 mm and allows the connection of materials whose thermal stress
  • WO 92/17622 AI describes corresponding units made of support plates and target material, in which the 'coefficient of thermal expansion of the support plate is set by a layered structure thereof.
  • the carrier plate In addition to a base body made of copper, the carrier plate has a layer of molybdenum or a molybdenum alloy applied to the base body. The target is in turn attached to this layer.
  • a carrier plate is suitable for target materials which have a coefficient of thermal expansion of approximately 10 ⁇ 10 " ′′ / K, for example silicon targets. Such a carrier plate is not suitable for other target materials.
  • the production of the carrier plates is very complex since the upper layer must be firmly connected to the base body.
  • ⁇ are used in which the pressure of an explosion wave is exploited.
  • the disadvantage is that the unit described now has an additional weak point, namely the connection of the base body and the upper layer, where the units can come apart when subjected to thermal stress.
  • the object of the present invention is therefore to provide carrier plates for sputtering targets which are simple to produce, the
  • Coefficient of thermal expansion can be set over a wide range.
  • the carrier plates should also have high thermal conductivity in order to allow efficient dissipation of the heat occurring during the sputtering process.
  • the coefficient of thermal expansion can be set very easily over a wide range if the carrier plates consist of a composite material which contains components with different coefficients of thermal expansion.
  • the invention therefore relates to a carrier plate for sputtering targets, the
  • Carrier plate consists of a composite material which contains 5 to 99% by weight of at least one refractory metal and 95 to 1% by weight of at least one further metallic component from the group Cu, Ag, Au.
  • the other metallic component from the group Cu, Ag, Au is characterized in particular by a high thermal conductivity (320 to 425 W / m * K.) And a high CTE (approx. 14 " to 17 x 10 " * / K).
  • the carrier plates according to the invention are distinguished in particular by the fact that the coefficient of thermal expansion is very simple over a wide range by choosing the
  • Components of the composite material and the respective proportions can be set specifically.
  • the production of the girders also affects the WAK in an irregular way.
  • the carrier plates also have a high thermal conductivity, so that the heat generated during the spooling process can be reliably dissipated
  • the carrier plate is made of a composite material that combines the advantages of selected refractory metals (low CTE, not alloyable or immiscible with selected metals with high thermal conductivity) and metals with high thermal conductivity.
  • the selection of a suitable or desirable one is made Material combination taking into account material, manufacturing and cost criteria.
  • Table 2 "Material selection for the best possible adaptation of the carrier plate to the target material” shows coefficients of thermal expansion of selected materials for sputtering targets for the temperature range from room temperature (20 ° C) to 300 ° C.
  • Table 2 in columns W-Cu, Mo-Cu, Re-Cu and Ta-Cu contains information on the copper content that the corresponding composite material must contain in order to have the desired thermal expansion coefficient of the target material. According to this, it is possible, for example, to use a carrier plate for a MoSi 2 sputtering target (CTE: 8.2 x 10 "6 / K) made of a W-Cu composite material with 40% by weight C, made of a Mo-Cu composite material 50 wt .-% Cu, from a Re-Cu composite material with 21 wt .-% Cu or a Ta-Cu composite material with 18 wt .-% Cu.
  • CTE MoSi 2 sputtering target
  • Table 2 Material selection for the best possible adaptation of the carrier plate to the tarael material
  • the carrier plate according to the invention preferably consists of a composite material which contains 10 to 95% by weight of at least one refractory metal and 90 to 5% by weight of at least one further metallic component from the group Cu, Ag, Au, particularly preferably of a composite material, the 15th to 95th at least one refractory metal and 85 to 5 parts by weight 0 /. contains at least one further metallic component from the group Cu, Ag, Au.
  • the refractory metal is preferably W and / or Mo, in particular preferably W or Mo.
  • Cu or a mixture of Cu and Ag and / or gold is preferably used as a further metallic component.
  • the carrier plate particularly preferably consists of a composite material that has 15 to 95
  • Wt .-% Mo or W and 85 to 5 Gcw .-% Cu contains ..
  • proportions of refractory metal and other metallic components with the exception of unavoidable impurities, very particularly preferably add up to 100% by weight.
  • Control composite material infiltration, processing of powder mixtures. With higher contents of further metallic components (in Fig. 2 Cu) one can expect a "disproportionate" influence of the Cu on the CTE (Fig. 2, area III), area III If the volume volume of the Cu is high, a closed Cu network is to be expected, which also affects the CTE disproportionately with regard to the resulting CTE (as in area II). Area IV stands for high copper content. where the properties (WLF. WAK) are expected to be proportional to the Cu content.
  • the range of the required Cu content (% by weight) in a Mo-Cu composite material in which the desired CTE is obtained can accordingly be determined with the aid of FIG. 2.
  • the final CTE is ultimately influenced by the manufacturing conditions, including the choice of raw materials. Appropriate preliminary tests to select the material composition and to set the decay parameters enable the necessary parameters to be determined which allow the production of a composite material with a desired CTE.
  • the ratio of thermal conductivity to. linear thermal expansion coefficient can be used.
  • WLF / WAK values (> approx. 23 (W / m * K) / (10 ' ° / K)) describe the ability of the material to transport large amounts of heat with a small heat-related change in length (in the event of temperature differences occurring) of the component ,
  • FIG. 3 shows the WLF / WAK ratio as a function of the WLF for various metals and the composite materials Mo-Cu, W-Cu, Ta-Cu and Re-Cu. As can be seen in FIG. 3, particularly high WLF / WAK ratios can be achieved with the composite materials Mo-Cu and W-Cu.
  • carrier plates according to the invention in the temperature range of 20 to 300 ° C, a ratio of thermal conductivity to thermal expansion coefficient of> 23.8 (W / m * K) / (l 0- f VK), ie of> 23.8 x 10 + (i W / m on.
  • the linear thermal expansion coefficient (CTE) is a parameter of a solid that is determined in accordance with ASTM E228.
  • the unit of measurement for the CTE of solids is usually 10 "f 7K.
  • FIG. 4 shows the thermal conductivity wedge (WLF) of different metals in comparison to the thermal conductivity of the composite materials W-Cu and Mo-Cu with different ones
  • FIG. 4 shows, for example, that the Mo-Cu composite material modes 10/90, ie. a composite material which contains 10% by weight Mo and 90% Cu, has a WLF of almost 350 W / m * K.
  • the ASTM EI225 method is suitable for determining the thermal conductivity (WLF) up to 250 W / m * IC.
  • WLF thermal conductivity
  • a cylindrical measurement sample representative of the material diameter: 200 mm, length: 40 mm
  • Two holes are made radially in this sample (Diameter: 1 mm, length; 100 mm), in one
  • Two reference samples of the same type are made of solid ultrapure copper (99.99%) with certified WLF, e.g. 400 W / m * IC manufactured.
  • the actual determination of the WLF of the material sample to be assessed takes place as a relative measurement between the two known Cu-P above and the unknown sample. For this, the material sample is made between the two reference samples
  • a heating source is attached to the underside of the arrangement and a cooling surface is placed on the top in good thermal contact with the reference reference samples.
  • the arrangement generated in this way consisting of a heating source, 1st reference sample (R1), measurement sample (M), 2nd reference sample (R2) and the cooled top, is placed in a chamber with argon (99.999%).
  • Previously, thin, previously calibrated Ni-CrNi thermocouples (leg diameter: 0.2 mm) were inserted into the two holes in each disk and connected to a temperature measuring device. Now the arrangement is heated up until a constant heat flow from the heated to the cooled side is established.
  • temperatures are determined for this condition: temperature of the first reference sample at the lower measuring point (T RIU ), temperature of the first reference sample at the upper measuring point (T R] o ), temperature of the measuring sample at the lower measuring point (T Mu ), temperature of the measuring sample on upper measuring point (T MD ), temperature of the second reference probe at the lower measuring point (Tm ,,) and temperature of the second reference sample at the upper measuring point (T R2U ).
  • T R RI0 - T RIU
  • dT T Mo - T M
  • dTju Tru_ - T JU ".
  • the distances between the measuring points in each disc are exactly dx - 20 mm.
  • Thermal conductivity ( ⁇ ), heat sroni (I v ), sample area (A) and temperature gradient in the sample (dT / dx) are linked with each other according to the following formula:
  • the WLF ( ⁇ ) determined in this way corresponds to the WLF for the middle one
  • W / m * K is generally used as the unit of measurement for thermal conductivity.
  • the ratio WLF / WAK used in Fig. 3 is determined by simply dividing the determined material parameters WLF and WAK.
  • the geometry of the carrier plates according to the invention can vary within wide limits and is essentially predetermined by the device into which the carrier plate is to be used for the sputtering process.
  • the carrier cover can for example be round, oval, rectangular, square, but also irregularly shaped.
  • the thickness is to be selected so that the carrier plate has sufficient stability when the sputtering target is being applied and during the sputtering process
  • the carrier plate preferably has on the rear side, ie on the side on which the sputter coating is not applied. Channels on. through the one during the sputtering process Coolant can flow. In this way, heat can be dissipated very efficiently from the sputtering target and the carrier plate.
  • the invention further relates to a method for producing the carrier plate according to the invention, a composite powder containing 5 to 99% by weight of at least one refractory metal from the group Mo, W, Re, Ta and 95 to 1% by weight of at least one further metallic component from the group Cu, Ag, Au at a pressure of 50 - 1000 MPa (500 - 10000 bar) pressed axially or isoslatically and then sintered wild.
  • Suitable sintering processes are vacuum sintering (0 - 0.1 MPa (0 - 1 bar)), pressureless sintering (0.1 - 0.2 MPa (1 - 2 bar)), gas pressure sintering (0.2 - 10 MPa (2 - 100 bar)), H1P (gas pressure liners at 10 -400 MPa (100 - 4000 bar)) and hot presses.
  • the sintering processes can be combined to form multi-stage sintering processes, e.g. B Phase 1: vacuum sintering, phase 2: H1P
  • a molybdenum-copper or tungsten-copper composite powder is preferably used. Particularly preferably a molybdenum-copper or tungsten-copper composite powder which has a metal primary size predominantly ⁇ 2 ⁇ m and an oxygen content ⁇ 0.8% by weight Such composite powders and their production are known from WO 02/16063 A2.
  • the process parameters to be met during the manufacture of the carrier plates according to the invention depend on the properties of the composite material being driven and in particular on the desired proportion of the refractory sleeve and the further metallic components, e.g. Cu, in the composite material.
  • the sintering is carried out in the case of Heislellung a carrier sheet from a Mo-Cu Vei bundtechnikstorf preferably under reducing conditions (z. B. Wasserstoli) at a temperature of 1 100 to 1300 ° C, and particularly preferably from 1 150 to I 250 ° C.
  • the sintering time is preferably 1 to 10 h, particularly preferably 2 to 5 h
  • a carrier plate made of a Mo-Cu composite material with a copper content of 30% by weight can be obtained by cold isostatic pressing (C1P) of a Mo-Cu composite powder in a rubber mold at 200 MPa (12000 bar), green processing (grinding, turning) ) to the final dimensions plus known sintering shrinkage, heating at 5 IC / min (hydrogen-containing atmosphere) to 1050 ° C, holding time at 1050 ° C of 30 min,
  • the exact physical characteristics depend on the properties of the powder used, the processing as well as the thermal treatment during sintering or heat treatment.
  • the desired WAK can be set by variations within the above-mentioned parameter window, the WLF results in the range described,
  • W-Cu carrier plates in particular those with 1 to approximately 30% by weight of Cu, are produced in an analogous manner using appropriate composite powders.
  • the W-Cu system requires a higher sintering temperature.
  • sintering temperatures of up to approx. 1450 ° C and sintering times of approx. 4 h are required.
  • the sintering is therefore preferably carried out under reducing conditions (e.g. hydrogen) at a temperature of 1100 to 1500 ° C., and particularly preferably from 1200 to 1450 ° C.
  • the sintering time is preferably 0.5 to 10 h, particularly preferably 1 to 5 h.
  • Carrier plates made of materials with high proportions of refractory metals (> 60% by weight) and the lowest possible CTE (5 to 6 ⁇ 10 ⁇ / K) are preferably produced by infiltration of a skeleton from a refractory metal with the desired further metallic component, preferably copper.
  • the object of the invention is therefore also a process for the production of carrier plates according to the invention with a proportion of refractory metal of> 60% by weight, with a sintered body of a refractory metal from the group Mo. W. Re, Ta is produced and this is then infiltrated with 1 to 40 wt .-% of a further metallic component from the group Cu, Ag, Au.
  • a refractory metal powder is first pressed into a plate and the pressed body is then sintered under hydrogen at a temperature of at least 1700 ° C.
  • This sintered body is then infiltrated with a melt of the further metallic component, preferably one, in a second step Copper melt, clearly above the melting point of the other metallic component, for example at 1200 ° C.
  • the open pores of the refractory metal skeleton are completely filled with the further metallic component, the resulting body changes its outer dimensions only slightly, so that - assuming completely open porosity of the skeleton - the properties of the composite material with regard to the content of further metallic components and so that WLF and WAK can roughly determine in advance.
  • Starting powder can be determined by simple preliminary tests.
  • the physical properties, for example WAK, WLF, density, modulus of elasticity of the composite material result from the real structure of the composite material and the primary physical properties of the structural components (refractory metal, further metallic component, pores).
  • Carrier panels made of composite materials, where due to a desired high CTE of> approx. 11 x 10 '6 / IC the content of further metallic component, for example the content of
  • Cu which must be very high (for example 70 to 90% by weight), can be produced very easily by pressing and shaping suitable starting powders.
  • pressing and pressing through a forming step such as forging, rolling and the like. ., compacted to> 95% of the theoretical density (TD), a support plate with the desired properties is obtained.
  • TD theoretical density
  • the invention further relates to units which contain a sputtering target and a carrier plate according to the invention.
  • Preferred target material! ien are those that have a CTE in the range of 5 to 16 x 10 "6 / K and that, due to their mechanical strength properties (fracture behavior, brittleness), also require a carrier plate that prevents the development of mechanical stresses during attachment (bonding ) and / or largely prevented during use in a sputtering system
  • CTE in the range of 5 to 16 x 10 "6 / K
  • a few examples are given in Table 2. However, the selection could be expanded almost arbitrarily, since the variety of materials for
  • FIG. 6 shows a unit according to the invention with a carrier plate (1) according to the invention, on which the sputtering target (2) is applied.
  • the unit is in turn on a mounting plate (3) which e.g. can consist of copper, arranged
  • the channels recognizable on the underside of the carrier plate serve to supply and remove a cooling medium during the sputtering process.
  • the carrier plate may have one or more grooves for receiving sealing rings or tapes, e.g. B. to seal the carrier plate (2) to the mounting plate (3) (not shown).
  • a low-melting solder on tin, indium To fix a sputter target on the carrier plate, a low-melting solder on tin, indium,
  • a carrier plate according to the invention was produced in a device as shown schematically in FIG. 5.
  • a composite powder mixture (1) which consisted of 80% by weight of W and 20% by weight of Cu, was placed in a rubber mold (2 ) filled with shaking
  • a profiled metal body (3) with a surface finish.
  • the rubber mold was held by a support cage (4)
  • the surface of the powder container is closed with a second rubber mold, which serves as a lid (5). This winds around the support cage (4) and the rubber mold (2) to form a tightly closed space for the powder to be compressed.
  • a securing tape (6) was attached so that a seal of the filled rubber mold, consisting of Rubber mold (1) and lid (5) was reached, then the rubber mold was evacuated by inserting a cannula (7) which was connected to a vacuum pump (8). After a period of 10 minutes, the cannula (7) was pulled out of the rubber mold (5). The puncture hole of the cannula closes automatically.
  • the rubber mold prepared in this way was introduced into a hydrostatic press (CIP), not shown, by applying a pressure of 4000 bar compression of the powder mixture up to a press density of 9.3 g cm 3 .
  • the non-deformable profiled metal body (3) with a surface finish acts as an embossing tool.
  • This sintered body had one
  • a ceramic WSi 2 target was applied to the W-Cu carrier plate produced in this way.
  • the selected ceramic WSi 2 target has a linear coefficient of thermal expansion of 6 to 6.5 x 10 " ⁇ / K in the temperature range from RT to 300 ° C, after pretreatment of the surfaces to be soldered in a soldering oven under a suitable atmosphere, an open-ended one could Connection to the carrier plate with high adhesion and thus high heat dissipation capacity are produced.
  • an infiltration material Mo-Cu (53% Mo / 47% Cu) would be present, which has a CTE of approx. 8 x 10 "6 / IC.
  • a precise setting of the CTE is typically done by experiments and measurement of the actual coefficient of expansion Due to the fact that the Mo skeleton does not exactly describe the WAK, experiments are necessary to reliably set a desired WAK.
  • the functional surfaces are finished by turning or grinding.
  • a suitable powder mixture can also be subjected to a Umlbrm process to produce a carrier plinth according to the invention.
  • a Umlbrm process to produce a carrier plinth according to the invention.
  • Functional surfaces are made by turning or grinding.

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Abstract

Trägerplatte für Sputtertargets aus einem Verbundwerkstoff, der 5 bis 99 Gew.-% mindestens eines Refraktärmetalls aus der Gruppe Mo, W, Re, Ta und 95 bis 1 Gew.-% mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält, Verfahren zu deren Herstellung und Einheit, die die Trägerplatte und ein Sputtertarget enthält.

Description

Tπigcrplattc für Sputtcrtargets
Die Ei indung beltifft eine Trägerplatte für Sputteitargets, wobei die Trägerplatte aus einem Verbundwerkstoff besteht, dei mindestens ein Refraictärmetali und mindestens eine weitere metallische Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält, ein Verfalnen zui Herstellung einer solchen Trägerplatle und Einheiten, die die Trägerplatle und ein SpuUeilarget enthalten
Weikstoffe im allgemeinsten Sinne zeichnen sich durch i häiente physikalische Eigenschaften aus, für die oft eine theoretische Beschreibung schwer möglich ist, und die - als natürliche Gienzwerle - auch durch technische Kunstgriffe nicht „verbessert" werden können. Ein Weikεtoff weist häufig neben einer für eine bestimmte technische Anwendung gewünschten auch eine odei mehrere nicht gewünschte Eigenschaften auf.
Für veischiedene Anwendungen sind neben den physikalischen Eigenschaften der
Werkstoffe, wie Wärmeleitfähigkeit (WLF), linearer thermischer Ausdehnungskoeffizient (WAK) und Elastizitätsmodul (E-Modtil), auch technisch/technologische Eigenschaften, wie Heislellbarkeit, Bεaibeilbarkeit, Kosten von entscheidender Bedeutung,
Hohe Wärmeleitfähigkeiten werden an teiπen Metallen (Ag, Au, Cu, W, Mo, . ) erreicht
Geringe (0, 1 bis 3 at-%) Verunreinigungen rühren dabei häufig zu einem dramatischen Abfall der Wärmeleitfähigkeit Dies hat seine Ursache beispielsweise in einer Mischkristallbiidung, der Bildung intei metallischer Verbindungen oder von Zweilphasen
Der WAK ist in erster Nähiung umgekehrt proportional zur Schmelztemperatur (Tm) des
Metalls. Damit kommen die sogenannten Refraklärmetalle (W, Mo, Re, Ta, Ru) mit einer hohen T,„ zwischen 3700 K (W) und 2600 K (Ru) für Anwendungen in Fiage, bei denen ein sein get inger WAK gewünscht wird (W: \.l x I C* / K bis Ta: 6,8 x 10"fi /K) In Tabelle 1 sind die wesentlichsten Eigenschaften Rerraktärmetallen und Metallen mit hohei Wäi meleitfähigkeit zusammengestellt:
Tabelle 1 : „Eigenschaften R ϊ:ιkιärmetallcn und Metallen mit hoher Wärmeleitfähigkeit" [Quelle: TAPP: E S Microware, Inc. 2234 Wade Court. Hamilton, OH 450131 1 -
: T„, = Sch e ztemperatur -: keine Daten verfügbar
Der E-Modu! reiner Metalle korreliert in erster N hrung ebenfalls mit der o Schmelztemperatur. Hohe E-Moduli, wie sie beispielsweise W, Mo, Re und Ta aufweisen, führen dazu, dass sich die entsprechenden Metalle nur schwer bearbeiten lassen
Die Herstellung von metallischen Werkstoffen und Bauteilen mit hoher Wärmeleitfähigkeit kann über die Schmelzmetallurgie erfolgen. Kommerzielle und technische Grenzen ergeben0 sich jedoch, wenn die Schmelztemperaturen der zu verarbeitenden Metalle über ca. 2000 K liegen. Bauteile aus Metallen mit höheren Schmelztemperaturen, wie beispielsweise W, Mo, Re oder Ta, werden deshalb bevorzugt über pulvermelallurgische Verfahren hergestellt. . Dies führt zu hohen Fertigungskosten (Materialpreis, Technologiekoslen. Bearbeilbarkeit).
Grundsätzlich bietet die Pulv ermetallurgie die Möglichkeil, komplizier! ge υrmie Rauteile aus metallischen Werkstoffen eilgehend beliebiger Zusammensetzung zu erzeugen. Somit ist es grundsätzlich möglich, beispielsweise die in Tabelle 1 dargestellten Metalle und/oder Mischungen . aus diesen Metallen pulvermetallurgisch zu gew ünschten Welkstoffkombinationen zu verarbeiten. 0 Entsprechende Werkstoffe lassen sich auch durch eine Kombination pulvermetallurgischer und schmelzmetallurgischer Verfahrensschritte, beispielsweise durch sogenannte Infiltrationsmethoden herstellen. Dabei ist jedoch zu beachten, dass die gewünschten funktionellen Eigenschaften, des gebildeten Werkstoffes, z.B. die Wärmeleitfähigkeit, durch metallurgische Effekte, etwa Reaktionen in Folge der Bildung intermetallischer Phasen, von
Mischkristallen oder von anderen Fremdphasen, die jeweils zu einer deutlichen Erniedrigung der Wärmeleitfähigkeit führen, nicht negativ beeinflusst werden dürfen..
Auf den beschriebenen Wegen gelingt es, sogenannte Verbundwerkstoffe zu erzeugen, die Komponenten mit einem geringen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und einer moderaten Wärmeleitfähigkeit, etwa W, Mo, Re oder Ta, und Komponenten mit einer sehr hohen Wärmeleitfähigkeit und hohem linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, etwa Cu, Ag oder Au enthalten, Auf diese Weise entsteht ein Weikstoff mit relativ hoher WLF (> 200 W/m*K) bei einem vergleichsweise geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, Diese Werkstoffe sind darüber hinaus auch gut spanend zu bearbeiten, im Gegensatz zu reinen Refraktärmetallen.
Von Nachteil ist jedoch die aufwendige Herstellung von Bauleilen nach dem lnfillrationsvei fähren, das in der Regel zwei thermische Prozesse bei hoher Temperatur (Sintern eines Skelett-Körpers T: > 1600 °C, infiltrieren des porösen Körpeis mit Cu, T: >
1200 °C) beinhaltet Danach ist eine aufwendige mechanische Bearbeitung notwendig, um die exakten Anschlussmaße zu erreichen. Wenn es durch pulvermetallurgische Verfahren gelingt, einen porösen Formkörper aus einem Refraktärmetall zu erzeugen, lässt sich auch eine einstufige Herstellung eines Verbundwerkstoffes erreichen, indem die Infiltration direkt in einem thermischen Schritt gemeinsam mit der Verdichtung erfolgt.
Für Anwendungen, bei denen Werkstoffe mit besonders geringem linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und nur moderater Wärmeleitfähigkeit benötigt werden, kommen Werkstoffe aus Refraktärmetallen (W, Mo, Re, Ta,..) ohne wehere Zusätze in Beirauhl Neben den hohen Werkstoffkosten, der schwierigen Herstellung dichter Bauteile
(Warmumformverfahren) ist überdies eine aufwendige mechanische Piäzisionsbearbehunu notwendig.
Typische Anwendungen, bei denen Werkstoffe mit hoher Wärmeleitfähigkeit und einstellbarem linearem thermischem Ausdehnungskoeffizienten benötigt- werden, sind Wärmesenken (sogenannte Heat Sinks). Man kann zwei wesentliche Anwendungsbereiche unterscheiden:
(1) Bauteile, mit maximaler Abmessung in einer Richtung von bis ca. 5 cm und filigranen Funktionsstrukturen, bei denen es auf eine exakte Einhaltung und kostengünstige
Reproduzierung der Gestalt für große Stückzahlen ankommt. Bei dieser Anwendungsgruppe kommt es hauptsächlich auf eine maximale WLF an. Der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient muss an die verbundenen Funktionsstrukturen angepasst werden. Aufgrund der geringen Länge sind die absoluten Längenunterschiede bei den zu erwartenden Temperaturänderungen an den Bauteilen eher gering.
(2) Weniger fein strukturierte Bauteile mit maximalen Abmessungen in einer Richtung von deutlich mehr als 10 cm bis über 100 cm. Dabei werden moderatε Wärmeleitfähigkeiten in Kauf genommen. Wichtigere Kriterien sind dabei, der an einen Funktio sweikstolT angepasste lineare thermische Ausdehnungskoeffizient, die einfache Herstellbarkeit auch komplexer Strukturen, die gute mechanische Be- und Verarbeitbarkeit und der marktfähige Preis der Bauteile.
Bauteile des Anwendungsbereichs (1) werden vor allem im Bereich der Mikroelektronik eingesetzt, Bauteile des Anwendungsbeieichs (2) im Bereich der Leistungselektronik oder Leistungselektrik, wo gioßflächig hohe Leistungen von einem Funktionseiement abgeführt werden müssen. Bauteile des Anwendungsbereichs (2) weiden beispielsweise als elektronische Leislungsschalter oder als Trägerplatte für Sputlertargels eingesetzt.
Trägerplatten für Sputlertargets müssen im wesentlichen zwei Funktionen erfüllen. Zum einen muss das eigentliche Sputtertarget sicher auf der Trägerplatte befestigt werden können, zum anderen muss die Wärme, die beim Spultervorgang entsteht, vom Sputtertarget abgeführt werden. Als Sputlertargels werden eine Vielzahl von unterschiedlichen
Weiksloffen eingesetzt, die ganz unterschiedliche Weiksloffeigenschaften besitzen. Die
Eigenschaften der Trüget plane, insbesondere deren Wärmeausdehnungskoeffizient, muss an die Eigenschaften des Sputterlaigels angepasst werden . Man verwendet daher derzeit bei sehr geringem WΛK des Sputteitaigets (5 bis ca. 10 x 10'f7K) Mo oder W als Trägerplalten.
Für Sputlertargels mil deutlich höherem WAK (15 bis 20 x 10"'7K) eignen sich Platten aus
Reinstkupfer, Aluminium oder ausgewählten Sondenverkslof en (Al-Si, Al-SiC). Besondere
Schw ierigkeiten ergeben sich, wenn großflächige Sputterlargets mit geringem WAK mit der Trägerplatte verbunden werden müssen. Dann können bereits bei der Befestigung des Sputlertargets auf der- Trägerplatte, z.B. durch Löten, aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten von Sputtertarget und Trägerplatte mechanische Spannungen entstehen, die unmittelbar oder beim Sputtern zur Schädigung am Sputtertarget führen.
Einheiten aus Trägerplatte und eigentlichem Sputtertarget müssen so beschaffen sein, dass die Verbindung zwischen der Trägerplatte und dem Sputtertarget auch unter den extremen thermischen Belastungen beim Sputter-Vorgang beständig bleibt, und es insbesondere nicht zu einem Ablösen oder Brechen des Sputlertargets kommt.
Aus EP 1 331 283 AI ist eine Einheit aus einer Trägerplatte aus einer Cu-Cr- bzw.. einer Cu- Zn-Legierung und einem Tantal- oder Wolfram-Target bekannt, bei der die beiden Einheiten über eine spezielle Zwischenschicht aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung miteinander verbunden sind. Die Zwischenschicht muss eine Mindestdicke von 0,5 mm aufweisen und erlaubt die Verbindung von Materialien, deren thermische
Ausdehnungskoeffizienten stark unterschiedlich sind. Das Zusammenfügen von Trägerplatte" und Targetmaterial erfolgt mittels heisstsostatischem Pressen (H1P) in einer sogenannten Diffusions-Bindung. Das Einarbeiten der Zwischenschicht ist aufwändig und nicht ohne weiteres auf andere Materialkombinationen übertragbar.
Spannungen, die durch die thermische Belastung beim Sputter-Vorgang entstehen, lassen sich minimieren, indem Trägerplatte und Targetmaterial so ausgewählt werden, dass sie sehr ähnliche thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen. WO 92/17622 AI beschreibt entsprechende Einheiten aus Trägerplalte und Targetmaterial, in denen der' Wärmeausdehnungskoeffizient der Trägerplatte durch einen schichtförmigen Aufbau derselben eingestellt wird . Die Trägerplatte weist neben einem Grundkörper aus Kupfer eine auf dem Grundkörper angebrachte Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegϊerung auf. Auf dieser Schicht wird wiederum das Target angebracht. Eine solche Trägerplatte eignet sich für Targetmaterialien, die einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 10 x 10"'' /K aufweisen, etwa Siiicium-Targets. Für andere Targetmaterialien ist eine solche Trägerplatte nicht geeignet Zudem ist die Herstellung der Trägerplatten sehr aufwändig, da die obere Schicht fest mit dem Grundkörper verbunden werden muss. Zur Anwendung kommen beispielsweise \ erfahren, bei denen der Druck einer Explosionswelle ausgenutzt wird. Nachteilig ist weilerhin. dass die beschriebene Einheit nun eine zusätzliche Schwachstelle, nämlich die Verbindung von Grundkörpεr und oberer Schicht, aufweist, wo es bei thermischer Belastung zum Ablösen der Einheiten voneinander kommen kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, Trägerplatten für Sputtertargets zur Verfügung zu stellen, die einfach herzustellen sind, wobei der
Wärmeausdehnungskoeffizient über einen weiten Bereich gezielt eingestellt werden kann.. Die Trägerplatten sollen darüber hinaus hohe Wärmeleitfähigkeit besitzen, um ein effizientes Abführen der beim Sputter-Vorgang auftretenden Wärme zu erlauben.
Es urde nun gefunden, dass sich der Wärmeausdehnungskoeffizient sehr einfach über einen eiten Bereich gezielt einstellen lässt, wenn die Trägerplatten aus einem Verbundwerkstoff bestehen, der Komponenten mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten enthält.
Gegenstand der Erfindung ist daher eine Trägerplatte für Sputtertargets, wobei die
Trägerplatte aus einem Verbundwerkstoff besteht, der 5 bis 99 Gew..-% mindestens eines Refraktärmetalls und 95 bis 1 Ge\v..-% mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält.
Die weitere metallische Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au zeichnet sich insbesondere durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit (320 bis 425 W/m*K.) und einen hohen WAK (ca. 14 " bis 17 x 10"*/K) aus.
Die erfindungsgemäßen Trägerplatten zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass der Wärmeausdehnungskoeffizient sehr einfach über einen weiten Bereich durch Wahl der
Komponenten des Verbundwerkstoffs und der jeweiligen Anteile gezielt eingestellt werden kann. In unlergeordnelem Maße beeinfiusst auch die Herstellung der Trägerplalte dessen WAK. Die Trägerplatten weisen zudem eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf, so dass die beim Spuller-Vorgang entstehende Wärme zuverlässig abgeführt werden kann
Die Trägerplatle besieht aus einem Verbundwerkstoff, der die Vorzüge von ausgewählten Refraktärmetallen (geringer WAK, nicht legierbar oder nicht mischbar mit ausgewählten Metallen hoher Wärmeleitfähigkeit) und Metallen mit hoher Wärmeleitfähigkeit in sich vereinigt. Je nach den Erfordernissen an den WAK, das heißt die Besonderheiten des Sputlertai gels, erfolgt die Auswahl einer geeigneten oder anzustrebenden Werkstoffkombination unter Berücksichtigung von Werkstoff-, Herstεllungs- und Kostenkriterien. In Tabelle 2 „Werkstoffauswahl zur bestmöglichen Anpassung der Trägerplatte an den Targetwerkstoff' sind für den Temperaturbereich von Raumtemperatur (20°C) bis 300°C Wärmeausdehnungskoeffizienten von ausgewählten Werkstoffen für Sputtertargets angegeben. Des weiteren enthält Tabelle 2 in den Spalten W-Cu, Mo-Cu, Re- Cu und Ta-Cu Angaben zum Kupfergehalt, den der entsprechende Verbundwerkstoff enthalten muss, um den gewünschten Wärmeausdehnungskoeffizienten des Targetwerkstoffes aufzuweisen. Danach ist es z.B. möglich, eine Trägerplatte für ein MoSi2 - Sputtertarget (WAK: 8,2 x 10"6 /K) aus einem W-Cu-Verbundwerkstoff mit 40 Gew.-% C , aus einem Mo-Cu-Verbundwerkstoff mit 50 Gew.-% Cu, aus einem Re-Cu- Verbundwerkstoff mit 21 Gew,-% Cu oder einem Ta-Cu- Verbundwerkstoff mit 18 Gew.-% Cu zu fertigen.
Tabelle 2: Werkstoffauswahl zur bestmöglichen Anpassung der Trägεrplatte an den Taraelwerkstoff
(S) G.V. Samsonov Handbook of High Temperature Materials No. 2, Propeities Tndex,
Plenum Press New York, 1 64 (A) Anisotropie des Ausdehnungskoeffizienten' erfordert besondere Maßnahmen hinsichtlich Targetgestaltung n.e. : WAK mit diesem Werkstoff nicht erreichbar
Wie aus Tabelle 2 ersichtlich, sind in der Regel Gehalte an Kupfer von 7 bis 70 Gew.-% nötig, um den Wärmeausdehnungskoeffizienten des Verbundwerkstoffes an den WAK gängiger Targetwerkstoffe anzupassen.
Vorzugsweise besteht die erfindungsgemäße Trägerplatte demnach aus einem Verbundwerkstoff, der 10 bis 95 Gew.-% mindestens eines Refraktärmetalls und 90 bis 5 Gew.-% mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält, insbesondere bevorzugt aus einem Verbundwerkstoff, der 15 bis 95 mindestens eines Refraktärmetalls und 85 bis 5 Gew.-0/. mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält.
Vorzugsweise handelt es sich bei dem Refraktärmetall um W und/oder Mo, insbesondere bevoizugt um W oder Mo.
Als weitere metallische Komponente kommt vorzugsweise Cu oder eine Mischung aus Cu und Ag und/oder Gold zum Einsatz. Besonders bevorzugt wird Cu oder eine Mischung aus Cu und nicht mehr als 5 Gew.-% Ag und/oder Gold, insbesondere bevorzugt Cu eingesetzt..
Insbesondere bevorzugt besteht die Trägerplatte aus einem Verbundwerkstoff, der 15 bis 95
Gew.-% Mo oder W und 85 bis 5 Gcw.-% Cu enthält..
Ganz besonders bevorzugt ergänzen sich die Anteile an Refraktärmetall und weiterer' metallischer Komponente, abgesehen um unvermeidbaren Verunreinigungen, zu 100 Gew.- %.
Aus Fig. 1 können liir die Verbundwerkstoffe W-Cu, Mo-Cu. Re-Cu und Ta-Cu die theoretischen Cu-Gehalle in Gew -% abgelesen werden, die der jeweilige Verbundwerkstoff enthalten muss. um einen gewünschten WAK im Bereich von ca. 5 bis 17 x 10* /K aufzuweisen. Es ist jedoch zu berücksichtigen, dass dieser Darstellung eine „volumenbasierte" Mischungsregel zugrunde liegt, die die reale Struktur des Verbundwerkstoff nicht berücksichtigt. In der Praxis sind folgende herstellungsbedingten Parameter mit zu beachten, die die gewünschten funktioneilen Eigenschaft (WLF, WAK) des Verbundwerkstoff beeinflussen werden:
Größe und Morphologie ' der Gefügebestandteile (R.efraktärmetali, weitere metallische Komponente, Poren); - Anordnung der Bestandteile (durchgehendes Refraktärmetall-Netzwerk, durchgehendes Netzwerk der weiteren metallischen Komponente, Poren im
Refraktäπnetall, Poren in der weiteren metallischen Komponente);
Größe der Grenzflächen zwischen Refraktärmetall und weiterer metallischer
Komponente, zu den Poren in der weiteren metallischen Komponente und zu den Poren im Refraktärmetall und
Porenanteil.. „
Im Falle hoher Anteile des Refiaktäi etalls (99 bis 50 Vol..-%) ist die Ausbildung eines geschlossenen Netzwerkes des Refraktärmetalls, insbesondere durch Infillrationsvεrfahren möglich. In diesem Falle führt der hohe E-Modul des Netzwerkes dazu, dass der WAK bezogen auf* den Cu-Gεhalt „unterproportiona zunimmt. Dies ist schematisch für einen Mo-Cu-Vεrbundwerkstoff in Fig, 2, Bereich (I) dargestellt. Im Bereich mittlerer Volumengehalte des Refraktärmetalls (Bereich II) kann sich sowohl ein Refraktärmetall- Netzwerk, als auch ein Netzwerk der weiteren metallischen Komponente ausbilden, Welches Netzwerk sich bildet, lässt sich gezielt über die Art der Herstellung des
Verbundwerkstoffs steuern (Infiltration, Verarbeitung von Pulvermischungeπ).. Bei höheren Gehalten an weitεrer metallischer Komponente (in Fig. 2 Cu) kann man einen "überproportionalcn" Einfluss des Cu auf den WAK (Fig. 2, Bereich III) erwarten, Der Bereich III lässi bei hohen Volumengehallen des Cu ein geschlossenes Cu-Netzwcrk erwarten, was hinsichtlich des resultierenden WAK ebenfalls (wie im Bereich II) überproportional den WAK beeinflussl. Der Bereich IV steht für hohe Cu-Gehahe. bei denen die Eigenschaften (WLF. WAK) proportional zum Cu-Gehall erwartet werden.
Anhand von Fig. 2 lässt sich demnach der Bereich des erforderlichen Cu-Gehalts (Gew -%) in einem Mo-Cu-Verbundwcrkstoff bestimmen, in dem der angestrebte WAK erhalten wird. Der letztlich erzielte WAK wird schließlich durch die Herstellungsbedingungen, einschließlich der Auswahl der Rohstoffe beeinflusst- Durch geeignete Vorversuche zur Wahl der Werkstoffzusammεnsetzung und zur Einstellung der Verfall rensparameter lassen sich die notwendigen Parameter ermitteln, die die Herstellung eines Verbundwerkstoffs mit einem gewünschten WAK erlauben..
Als Maß für eine besondere Eignung als Werkstoff für eine Trägerplatte für Sputtertargets oder Anwendungen mit ähnlichen Anforderungen (andere Heat Sinks) an den Werkstoff kann das Verhältnis von Wärmeleitfähigkeit zu. linearem thermischem Ausdehnungskoeffizienten (WLF/WAK-Verhältnis) herangezogen werden. Hohe
WLF/WAK-Werte (> ca. 23 (W/m*K)/(10'°/K)) beschreiben die Fähigkeit des Materials, große Wärmemengen bei gleichzeitig geringer wärmebedingter Längenänderung (im Falle von auftretenden Temperalurdifferεnzen) des Bauteils zu transportieren.
Fig. 3 zeigt das WLF/WAK-Verhäitnis als Funktion der WLF für verschiedene Metalle und die Verbundwerkstoffe Mo-Cu, W-Cu, Ta-Cu und Re-Cu. Wie Fig. 3 zu entnehmen ist, lassen sich mit den Verbundwerkstoffen Mo-Cu und W-Cu besonders hohe WLF/WAK- Verhältnisse^erzielen..
Vorzugsweise weisen die erfindungsgemäßen Träge platten im Temperaturbereich von 20 bis 300°C ein Verhältnis von Wärmeleitfähigkeit zu Wärmeausdehnungskoeffizienten von > 23,8 (W/m*K)/(l 0-fVK), d.h. von > 23,8 x 10+(i W/m auf.
Der lineare thermische Ausdehnungskoeffizient (WAK) ist eine Kenngröße eines Festkörpeis der gemäß ASTM E228 ermittelt wird.
Als Maßeinheit für den WAK von Festkörpern wird zumeist 10"f7K verwendet.
Fig. 4 zeigt die Wäπncleitfähigkeil (WLF) verschiedener Metalle im Vergleich zur Wärmeleilfiϊhigkeit der Verbundwerkstoffe W-Cu und Mo-Cu mit verschiedener
Zusammensetzung. Fig. 4 lässt sich beispielsweise entnehmen, dass der Mo-Cu Verbundwerkstoff Modi 10/90, d.h.. ein Verbundwerkstoff, der 10 Gew -".ι Mo und 90 Gew.- Cu enthält, eine WLF von nahezu 350 W/m*K aufweist. Zur Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit (WLF) bis 250 W/m* IC ist die Methode ASTM EI225 geeignet. Zur Bestimmung der Wärmeleitfähigkeit (WLF) > 250 W/m*K wird eine für den Werkstoff repräsentative zylindrische Messprobe (Durchmesse : 200 mm, Länge: 40 mm) mit planparallelen und exakt geschliffener Grund- und Deckfläche erzeugt In diese Probe werden radial zwei Bohrungen (Durchmesser: 1 mm, Länge; 100 mm), in einem
Längsabstand von 20 mm symmetrisch zur Länge der Probe eingebracht Zwei gleichartige Referenzproben werden aus massivem Reinstkupfer (99,99 %) mit zertifizierter WLF, z.B. 400 W/m* IC hergestellt. Die eigentliche Bestimmung der WLF der zu bewertenden Werkstoffprobe erfolgt als Relativmessung zwischen den beiden bekannten Cu-P oben und der unbekannten Probe,. Dazu wird die Werkstoffprobe zwischen beiden Referenzproben aus
Kupfer eingespannt. An der Unterseite der Anordnung werden eine Heizquelle und an der Oberseite eine Kühlfläche in gutem thermischen Kontakt zu den upferreferenzprOben angebracht. Die so erzeugte Anordnung bestehend aus Hεizquelle, 1. Referenzprobe (Rl), Messprobe (M), 2. Referenzprobe (R2) und gekühlter Oberseite wird in eine Kammer mit Argon (99,999%) gegeben. Zuvor wurden in die beiden Bohrungen jeder Scheibe dünne, zuvor kalibrierte Ni-CrNi-Thermoelementε (Schenkeldurchmesser: 0,2 mm) bis in die Mitte der Scheibe eingeführt und an ein Temperaturmessgerät angeschlossen. Nun erfolgt das Aufheizen der Anordnung bis sich ein konstanter Wärmestrom von der beheizten zur gekühlten Seite eingestellt hat. Für diesen Zustand werden folgende 6 Temperaturen ermittelt: Temperatur der eisten Referenzprobe am unteren Messpunkt (TRIU), Temperatur der ersten Referenzprobe am obeien Messpunkt (TR]o), Temperatur der Messprobe am unleren Messpunkt (TMu), Temperatur der Messprobe am oberen Messpunkt (TMD), Temperatur der zweiten Refeienzp obe am unleren Messpunkt (Tm,,) und Temperatur der zweiten Referenzprobe am obeien Messpunkt (TR2U). AUS diesen werden die Temperalurdifferenzen: dTR! = RI0 - TRIU , dT =TMo - TM„ und dTju =Tru_ - TJU,, bestimmt.
Die Abstände zwischen den Messpunkten in jeder Scheibe betragen genau dx - 20 mm. Wärmeleitfähigkeit (λ), Wärmeslroni (I v), Probenfläche (A) und Temperaturgradieπt in der Probe (dT/dx) sind nach folgender Formel miteinander verknüpft:
- I„ = 7. * Λ * (dT/dx) (Formel 1).
Damit ergibl sich für die Referenzproben und die Messprobe folgender Zusammenhang:
."'* = λm * A,,ι * (dT, /dx) (Formel l a) lM tt = λ * AM * (dTM/dx) (Formel 1 b) I 3« = λR2 * Ar * (dTR2/dx) (Formel 1 c).
Unter der Voraussetzung, dass die Flächen (A) der 3 Proben und die Abstände (dx) der Thermoelemente in jeder Scheibe identisch sind und der Wärmestrom (1M W) über die unbekannte Probe (M) sich zu IM W = (IR, W + 1R2 W )/2 bestimmt, erhält man folgende
Zusammenhänge, aus denen man die gewünschte Wärmeleitfähigkeit (λ^) des Werkstoffes bestimmt:
λκl M " hu . (dTR1/dTM) bzw, λκ"M = λR, . (dTR2/dTM) (Formel 2)
und schließlich:
λκι — (λ M + λ "M)/ (Formel 3).
Die auf diese Weise bestimmte WLF (Λ ) entspricht der WLF bei der mittleren
Werkstofftemperatur T^ = (TMo + TMu )/2. Zur Bestimmung der WLF bei anderen (zum Beispiel höheren Temperaturen) wird die Heizleistung herauf und/oder die Kühlleistung herabgesetzt. Dadurch erhält man eine höhere Temperatur im Inneren der Anordnung, und unter analoger Verwendung der oben genannten Formeln die WLF bei der neuen (höheren) Werkstofftemperatur..
Als Maßeinheit für die Wärmeleitfähigkeit verwendet man in der Regel W/m*K.
Das in Fig.. 3 verwendete Verhältnis WLF/ WAK wird durch einfache Division der ermittelten Werkstoffkenngrößen WLF und WAK ermittelt.
Die Geometrie der erfindungsgemäßen Trägerplatlen kann in weiten Grenzen variieren und wird im wesentlichen durch die Vorrichtung vorgegeben, in die die Trägerplatte für den Sputtervorgang eingesetzt werden soll. Die Trägerplalle kann beispielsweise rund, oval, rechteckig, quadratisch, aber auch unregelmäßig geformt ausgebildet sein. Die Dicke ist so zu wählen, dass die Trägerplalle hinreichende Stabilität beim Aulbringen des Sputtertargets und während des Sputtervorgangs besitzt
Vorzugsweise weist die Trägerplatle auf der Rückseite, d.h, auf der Seite, auf der das Sputtertai »et nicht aufgebracht wird. Kanäle auf. durch die während des Sputtervorgangs ein Kühlmiltel strömen kann. Auf diese Weise lässt sich Wärme sehr effizient vom Sputtertarget und der Tiägerplatte abführen.
Gegenstand der Erfindung ist weiterhin ein Vei fahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Trägerplatte, wobei ein Verbundpulver enthaltend 5 bis 99 Gew.-% mindestens eines Refraktärmetalls aus der Gruppe Mo, W, Re, Ta und 95 bis 1 Gew -% mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au bei einem Druck von 50 - 1000 MPa (500 - 10000 bar) axial oder isoslatisch verpresst und anschließend gesintert wild.
Geeignete Sinterverfahien sind Vakuumsiπtein (0 - 0,1 MPa (0 - 1 bar)), druckloses Sintern (0,1 - 0,2 MPa (1 - 2 bar)), Gasdrucksintern (0,2 - 10 MPa (2 - 100 bar)), H1P (Gasdrucksinlern bei 10 -400 MPa (100 - 4000 bar)) und Heißpressen Die Sinterverfahien können miteinander zu mehrstufigen Sinteipiozessen kombiniert werden, z. B Phase 1: Vakuumsintern, Phase 2: H1P
Vorzugsweise wird ein Molybdän-Kupfer- oder Wolfram-Kupfer-Verbundpulver eingesetzt Insbesondere bevorzugt ein Molybdän-Kupfer- oder Wolfram-Kupfer-Verbundpulvei, das eine Metall-Primäi roße überwiegend <2 μm und einen Sauerstoffgehalt <0,8 Gew.-% aufweist Solche Verbundpulver und deren Herstellung sind aus WO 02/16063 A2 bekannt.
Die bei der Herstellung der eifindungsgemäßen Tiägerplatten einzuhallenden Verfahrensparameter sind abhängig von den angestiebten Eigenschaften des Verbundwerkstoffes und insbesondere vom gewünschten Anteil der Refraktärmelalle und der weiteren metallischen Komponenten, z.B Cu, im Verbundwerkstoff.
Durch Pressen und Sintern von Verbundpulvern lassen sich insbesondere Trägerplalten mit geringen bis zu mittleren Gehalten von 1 bis etwa 40 Gew-% an weiterer metallischer Komponente herslellen
Die Sinterung wird im Falle der Heislellung einer Trägerplalle aus einem Mo-Cu Vei bundwerkstorf vorzugsweise unter reduzierenden Bedingungen (z B Wasserstoli) bei einer Temperatur von 1 100 bis 1300 °C, und besondeis bevorzugt von 1 150 bis I 250°C durchgeführt. Die Sinterzeit beträgt vorzugsweise 1 bis 10 h, besonders bevorzugt 2 bis 5 h Beispielsweise lässt sich eine Trägerplatte aus einem Mo-Cu-Verbund Werkstoff mit einem upfergehalt von 30 Gew.-% durch kaltisostatisches Pressen (C1P) eines Mo-Cu- Verbundpulvers in einer Gummiform bei 200 MPa (12000 bar), Grünbearbeitung (Schleifen, Drehen) auf die Endmaße plus bekannte Sinterschwindung, Aufheizen mit 5 IC/min (wasserstoffhaltige Atmosphäre) bis auf 1050 °C, Haltezeit bei 1050 °C von 30 Min,
Weiterheizen mit 2 IC/min bis auf 1110 bis 1150°C, Haltezeit von 4 h bei der gewählten Temperatur und Abheizen auf RT mit 5 K/min erhalten. Es wird ein Mo-Cu- Vεrbundwεrkstoff mit folgenden Eigenschaften erhalten: Dichte > 96 % der theoretischen Dichte (TD) (> 9,4 g/cm3), WAK: ca. 8 (+/- 1) x 10"6 / IC, WLF: 170 - 200 W/m*K, WLF/WAK= 22-30 (W/m*K)/(10'6/K). Die genauen physikalischen Kennwerte hängen von den Eigenschaften der verwendeten Pulver, der Verarbeitung sowie der thermische Behandlung beim Sintern bzw. der Wärmebehandlung ab. Durch Variationen im Rahmen der oben genannten Parameterfenster lassen sich die gewünschten WAK einstellen, die WLF ergibt sich in dem beschriebenen Bereich,
In analoger Weise erzeugt man W-Cu-Trägerplatten, insbesondere solche mit 1 bis etwa 30 Gew.-% Cu unter Verwendung entsprechender Verbundpulver. Im Unterschied zum Mo- Cu-Werkstoff erfordert das System W-Cu eine höhere Sintertemperatur. Je nach Cu-Gehalt sind Sintertemperaturen bis ca. 1450 °C und Sinterdauern von ca..4 h erforderlich.
Die Sinterung wird im Falle der Herstellung einer Trägerplatte aus einem W-Cu Verbundwerkstoff daher vorzugsweise unter reduzierenden Bedingungen (z.B. Wasserstoff) bei einer Temperatur von 1100 bis 1500 °C, und besonders bevorzugt von 1200 bis 1450°C durchgeführt. Die Sinterzeit beträgt vorzugsweise 0,5 bis 10 h, besonders bevorzugt 1 bis 5 h.
Trägerplatten aus Werkstoffen mit hohen Anteilen an Refraktärmetallen (> 60 Gew -%) und geringst möglichem WAK (5 bis 6 x lO^/K) werden vorzugsweise über Infiltration eines Skeletts aus einem Refraktärmetall mit der gewünschten weiteren metallischen Komponente, vorzugsweise Kupfer, erzeugt.
Gegenstand der Eifindung ist daher weiterhin ein Verfahren zur Herstellung erfindungsgemäßer Trägerplatten mit eine Anteil an Refraktärmetall von > 60 Gew',-%, wobei zunächst ein Sinterkörper eines Refraktärmetalls aus der Gruppe Mo. W. Re, Ta hergesteilt wird und dieser anschließend mit 1 bis 40 Gew.-% einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au infiltriert wird.
Zur Herstellung des Sinterkörpers des Refraktärmetalls wird ein Refraktärmetallpiilver zunächst zu einer Platte Verpresst und der Presskörper anschließend bei einer Temperatur von mindestens 1700°C unter Wasserstoff gesintert.. Diesen Sinterkörper infiltriert man dann in einem zweiten Schritt mit einer Schmelze der weiteren metallischen Komponente, vorzugsweise einer Kupferschmelze, deutlich oberhalb des Schmelzpunktes der weiteren metallischen Komponente, z.B. bei 1200 °C. Auf diese Art werden die offenen Poren des Refraktärmetallskeletts vollständig mit der weiteren metallischen Komponente gefüllt, der entstehende Körper verändert seine äußeren Abmessungen nur gering, so dass — vollständig offene Porosität des Skeletts vorausgesetzt - man den Verbundwerkstoff in seinen Eigenschaften hinsichtlich Gehalt an weiterer metallischer Komponente und damit WLF und WAK in groben Zügen vorausbestimmεn kann. Die genauen Verfahreπsparameter für die Einstellung eines bestimmten WAK für eine spezielle Zusammensetzung des
Ausgangspulvers lassen sich durch einfache Vorversuche ermitteln. Die physikalischen Eigenschaften, beispielsweise WAK, WLF, Dichte, E-Modul des Verbundwerkstoffes ergeben sich entsprechend der Realstruktur des Verbundwerkstoffes, sowie der primären physikalischen Eigenschaften der Gefügebestandteile (Refraktärmetall, weitere metallische Komponente, Poren) .
Trägerplatlen aus Verbundwerkstoffen, bei denen aufgrund eines gewünschten hohen WAK von >ca. 11 x 10'6 /IC der Gehalt an weiterer metallischer Komponente, z.B. der Gehalt an
- Cu, sehr hoch sein muss (beispielsweise 70 bis 90 Gew.-%), lassen sich sehr einfach über Pressen und Umformen geeigneter Ausgangspulver herstellεn. Indem man Vεrbundpulvεr mit επtsprechcnd hohen Gehalten an weiterer metallischer Komponente oder einfache Mischungen aus Pulver der weiteren metallischen Komponente und Refraktärmεlallpulver mischt, verpresst und durch einen Umformschritt, wie beispielsweise Schmieden, Walzen u. ., bis auf > 95 % der theoretischen Dichte (TD) verdichtet, erh ll man eine Trägerplatte mit den gewünschten Eigenschaften Es ist jedoch auch hier zu berücksichtigen, dass die
Einstellung der Eigenschaften, etwa WAK, WLF und E-Modul, von der ..Rcatstrukltir" des Werkstoffe, und damit von seiner konkreten Herstellung abhäng Bei der Anwendung von Umformverfahren ist im Bedarfsfall eine Glühung unterhalb des Schmelzpunktes der weiteren metallischen Komponente sinnvoll, um negative Einflüsse der Kaltverfestigung auf die fuπklionellen Eiuenschaften zu vermeiden. Gegenstand der Erfindung sind weiterhin Einheiten, die ein Sputter-Target und eine erfindungsgemäße Trägerplatte enthalten.
Bevorzugte Targetmateria! ien sind solche, die einen WAK besitzen, der im Bereich von 5 bis 16 x 10"6/K liegt und die darüber hinaus aufgrund ihrer mechanischen Festigkeitseigenschaften (Bruchverhalten, Sprödigkeit) eine Trägerplatte erfordern, die die Entstehung mechanischer Spannungen während des Befestigens (Bonden) und/oder während des Einsatzes in einer Sputteranlage weitgehend verhindert. Einige Beispiele sind in Tabelle 2 genannt Die Auswahl ließe sich jedoch fast beliebig erweitern, da die Materialvielfalt für
Sputtertargets sehr groß ist.
Fig. 6 zeigt einε erfindungsgemäße Einheit mit einer erfindungsgemäßen Trägerplatte (1 ), auf der das Sputter-Target (2) aufgebracht ist. Die . Einheit ist wiederum auf einer Befestigungsplatte (3), die z.B. aus Kupfer bestehen kann, angeordnet Die an der Unterseite der Trägerplatte erkennbaren Kanäle dienen der Zu- und Abfuhr eines Kühlmediums während des Sputtervorgangs. Die Trägerplatte kann eine oder mehrere Nuten zur Aufnahme von Dichtungsringen oder -bändern aufweisen, z. B. um die Trägerplatte (2) zur Befestigungsplatte (3) abzudichten (nicht gezeigt). Zur Befεstigung eines Sputter-Targets auf der Trägerplatte verwendet man häufig ein niedrig schmelzendes Lot auf Zinn-, Indium-,
Blei- oder Silberbasis. Sofern die Benetzung des Sputter-Targets und/oder der Trägerplatte ungenügend ist, empfiehlt sich das Aufbringen einer dünnen Cu-Zwischenschicht, auf die dann das Lot eine hinreichende Benetzung und damit bessere Haftvermittlung zwischen Sputter-Target und Trägerplatte erlaubt
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Beispielen näher erläutert, wobei die Beispiele das Verständnis des erfindungsgemäßεn Prinzips erlεichtem sollen, und nicht als Einschränkum? desselben zu verstehen sind. Beispiele
Bei den Prozentangaben handelt es sich, sofern nicht anders angegeben, um Gewichtsprozent
Beispiel 1
Die Herstellung einer erfindungsgemäßen Trägerplatte erfolgte in einer Vorrichtung, wie sie schematisch in Fig 5 wiedergegeben ist Eine Veibundpulvermischung (1 ), die zu 80 Gew.- % aus W und zu 20 Gew.-% aus Cu bestand, wurde in eine Gummiform (2) rüttelnd eingefüllt Auf dem Boden der Gummifoim (2) befand sich ein profilierter oberflächlich polierter Metallkörper (3) Die Gummiform wurde durch einen Stützkäfig (4) gehalten Die Gummiform (2) winde um den oberen Rand des Stützkäfigs (4) gelegt Danach wurde die Oberfläche dei Pulverschiitlung mit einer zweiten Gummiform, die als Deckel (5) dient, verschlossen. Dieser winde um den Stützkäfig (4) und die Gummiform (2) gestülpt, um ein dicht abgeschlossenen Raum für das zu verpressende Pulver zu bilden Zur Fixierung der Anordnung wurde ein Sicherungsband (6) so befestigt, dass eine Abdichtung der gefüllten Gummiform, bestehend aus Gummiform (1 ) und Deckel (5) erreicht wurde, Danach erfolgte das Evakuieren der Gummiform durch Einstechen einer Kanüle (7), die an eine Vakuumpumpe (8) angeschlossen war. Nach einer Dauer von 10 min wurde die Kanüle (7) aus der Gummiform (5) herausgezogen Dabei verschließt sich das Einstichloch der Kanüle selbsttätig Die so vorbereitete Gummiform wurde in eine nicht dargestellte hydrostatische Presse (CIP) eingeführt Durch Aufbiingen eines Druckes von 4000 bar erfolgte die Verdichtung der Pulvermischung bis zu einer Pressdichte von 9,3 g cm3. Der nicht verformbare profilierte oberflächlich polierte Metallkörper (3) wirkt als Prägewerkzeug.
Bedingt durch die Wahl des Profils, die Oberfiächeπbeschaffenheit und die Rückfederεigenschaften des verpressten Pulvers lösten sich Pulver ressling und der profilierte oberflächlich polierte Melallkörper (3) während des langsamεn Zuitickfahrens des hydrostatischen Pressdruckes voneinander Nach Öffnen der Gummiform konnte der PresΞkδrper entnommen werden Der so entstandene Presskörper besaß eine gut abgeformte
Unterseite, aber auch weniger exakt geformte Randbereiche, die während des Pressvorgangs in direktem Kontakt zui Gummiform standen. Der Pressköiper winde deshalb einer spanenden mechanischen Beaibeiuing unterzogen. Auf diese Weise entstand ein gepiesster Pulverformköiper mit einer glatten Obei seile und einem zylindrischen Randbereich Dieser gepresstε Pulvεrformkörpεr wurdε in einem Sinterofen unter reduzierend wirkender
Wasserstoffatmosphäre bis zu einer Temperatur von 1450°C aufgeheizt. Nach einer
Haltezeit von 2 h wurde die Temperatur bis auf Raumtemperatur erniedrigt und der
Sinterkörper aus dem Ofen entnommen. Bedingt durch eine lineare Sinterschwindung von etwa 15 % entstand ein im Vεrgleich zum gεpressten Pulverformkörper in allen
, Raumrichtungen gleichmäßig verkleinerter Sinterkörper. Dieser Sinterkörper besaß eine
Dichte von 15,1 g cm3, einen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 6 10" Ö/K, sowie eine Wärmleitfähigkeit von 185 W/m*IC. Zur weiteren Verarbeitung des
Sinterkörpers zu einer Trägerplatte wurden die beiden ebenen Fuπktionsflächen und der zylindrische Teil auf das Endmaß spanend bearbeitet, die aufgeprägte Kühlstruktur erfordert keine Bearbeitung. Weiterhin wurden Gewindε angebracht, die eine spätere Befestigung mit einer Grundplatte erlauben, die es ermöglicht, die Kühlstruktur an der Sputteranlage zu befestigen,
Auf die so hergestellte W-Cu-Trägerplatte wurde ein keramisches WSi2-Target aufgebracht.
Dies erfolgte durch Auflöten des Targets auf der ebenen, nicht profilierten Seite der Trägerplattε. Da das gewählte keramischε WSi2-Target im Temperaturbereich von RT bis, 300°C einen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 6 bis 6,5 x 10"δ/K aufweist, konnte nach Vorbehandlung der zu lötenden Oberflächen in einem Lötofen unter geeigneter Atmosphäre eine sloffschlüssige Verbindung zur Trägerplatte mit hoher Haftkiaft und damit hohem Wärmeableitvermögen erzeugt werdεn.
Für den Fall, dass bei Einsatz anderer Sputter-Targets oder von Trägerplatien anderer Werkstoffzusammensetzungen eine Vorbehandlung der zu fügenden Oberflächen keine ausreichende Benetzung des Lötwerkstoffes zulässt, werden eine. oder beide Oberflächen mit einer dünnen, über ein Beschichtungsverfahren aufgebrachten Cu-Schicht versehen (0,001 - 100 μm), für die es bei Verwendung der einschlägigen Lölwerksloffe keine Benetzungsprobleme geben wird. Auf diese Weise entsteht eine Verbindung des Sputtertargets mit der Trägerplatte, die weder bei der Herstellung dieser Verbindung noch zu einem späteren Zeitpunkt in der Sputteranlage einer kritischen mechanischen
Spannungsbeanspruchung ausgesetzt wird. Damit w ird verhindert, dass der spröde Targetwerkstoff' bεschädigt wird (Rissbildung) oder sich aufgrund von Spannungen von der Trägerplatte ablöst, wodurch lokal die Kühlung drastisch verringert würde, was zu verstärkten Spannungen bis hin zum Abfallen des Sputter-Targets von der Trägerplatte führen kann. Dadurch können die Sputteranlage und die zu erstellenden Bauteile zerstört werden.
Beispiel 2
Reines Molybdänpulver (Körnung < 10 μm) wurde wie in Beispiel 1 beschrieben verpresst. Die Oberseite und der Umfang des Presslings wurden eben bzw.- zylindrisch geschliffen, Der so erzeugte Presskörper wurde 4 h bei einer Temperatur von 1700 °C unter reduzierender Gasatmosphäre gesintert. Danach wurde der Sinterkörper entnommen und durch Ausmεssen des Volumen (VpK) und Messung der Masse (m κ.) die Dichte pPK = mPK / V K bestimmt.
Diese betrug 4,5 g/cm3. Aus der Dichte pPκ des Sinterkörpers und der Dichte reinen Molybdäns (PM. = 10,2 g/cm3 ) lässt sich das Porenvolumen (VPor ) gemäß VPor = 100 x pPK / p o bestimmen Das Porenvoltimen betrug 44, 1 %. Anhand des bestimmten Porenvolumens und der Abmessungen des Sinterkörpers lässt sich die Menge an Kupfer bestimmen, die benötigt wird, um das Porenvolumen vollständig auszufüllen, d.h. den Sinterkörper vollständig zu infiltrieren, Bei einer Masse des Mo-Skelett-Sinterkörpers von 1 kg (Volumen: 222 cmJ) liegt ein Porenvolumen von 98 cm3 vor, für das 877 g Kupfer erforderlich sind (pcu = 8,96 g/cm3), um den Sinterkörper vollständig zu infiltrieren. In diesem Fallε würde ein Infiltrationswerkstoff Mo-Cu (53 % Mo/47 % Cu) vorliegen, der einen WAK von ca. 8 x 10"6 / IC aufweist. Eine genaue Einstellung des WAK erfolgt typischer Weise durch Experimente und Messung des tatsächlichen Ausdehnungskoeffizienten. Aufgrund der nicht exakt zu beschreibenden Wirkung des Mo- Skeletts auf den WAK sind Experimente für eine zuverlässige Einstellung eines gewünschten WAK notwendig. Die Endbearbeitung der Funktionsflächen erfolgt durch Drehen oder Schleifen.
Beispiel 3
Zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Trägerplalle kann auch eine geeignete Pulvermischung einem Umlbrmprozess unterworfen werden. Dazu wird beispielsweise eine
Mischung aus 10 kg Mo-Pulver (< 10 μm) und 8,77 kg Cu-Pulver (< 50 μm) in einer rechteckigen evakuierten und luftdicht \ erschlossenen Gummiform (30 cm x 50 cm x 6 cm = 9 dm3) unter einem Druck von 200 MPa (2000 bar) hydrostatisch gepressl. Die Dichlc betrage danach 5,1 g/cm'\ Durch eine Umformung in einer Schmiedepresse erfolgt eine Verdichtung auf 8,4 glcm' Ein derartiger Mo-Cu-Verbundwerkstoff mit einem Cu-Gehall von 47 Gew.-% besitzt ein durchgängiges Cu-Netzwerk. Es ist ein WAK von etwa 10 x 10" fi/K zu erwarten. Eine genaue Einstellung des WAK erfolgt typischer Weise durch Experimente und Messung des tatsächlichen Ausdehnungskoeffizienten. Aufgrund der nicht exakt zu beschreibenden Wirkung des Cu-Netzwerkes auf den WA sind Experimente für eine zuverlässige Einstellung des WAK notwendig. Die Endbearbeitung der
Funktionsflächen erfolgt durch Drehen oder Schleifen.

Claims

Patentansprüche:
1. Trägerplatte für Sputtertargets, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte aus einem Verbundwerkstoff besteht, • der 5 bis 99 Gew.-% mindestens eines Refraktärmetalls aus der Gruppe Mo, W, Re, Ta und 95 bis 1 Gew.-% mindestens einer weiteren nietallischεn Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au enthält,
2.. Trägerplatte gemäß Anspruch I, dadurch gekennzεichπεt, dass es sich bei dem
Refraktärmetall um W und/oder Mo handelt.
3. Trägerplatte gemäß wenigstens eines der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der weiteren metallischen Komponente um Cu handelt
4. Trägerplatte gemäß wenigstens eines der Ansprüche I bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbundwerkstoff 15 bis 95 Gew.-% Mo oder W und 85 bis 5 Gew.-% Cu εnthält,
5. Trägerplatte gemäß wenigstens eines der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerplatte im Temperaturbereich von 20 bis 300°C ein
Verhältnis von -Wärmeleitfähigkeit zu Wärmeausdehnungskoeffizienten von > 23,8 x 10+ö W/m aufweist
6, Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatle gemäß wenigstens eines der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbundpulver enthaltend 99 bis 5 Gew,-
% mindestens eines Rεfraktärrπεtalls aus der Gruppe Mo, W, Re, Ta und 1 bis 95 Gew.-% mindestεns εinεr weitεren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu, Ag, Au bei einem Druck von .mindestens 50 MPa verpresst und anschließend uesinlert wird.
7.. Verfahren gemäß Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, dass ein Molybdäπ-Kupfer- oder Wolfram-Kupfer- Vei bundpulver eingesetzt wird, das eine Metali-Primärgröße überwiegend <2 μm und einen SaιιerstoI rgehah <0,8 Gew..-% aufweist
8. Verfahren zur Herstellung einer Trägεrplattε gemäß wenigstens eines der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Anteil an Refraktärmetall > 60 Gew.-% beträgt, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst ein Sinterkörper mindestens eines Refraktärmetalls aus der Gruppe Mo, W, Re, Ta hergestεllt wird und diεser anschließend mit I bis 40 Gew.-% mindestens einer weiteren metallischen Komponente aus der Gruppe Cu,
Ag, Au infiltriert wird.
9. Einheit enthaltend ein Sputter-Target und eine Trägerplatte gemäß wenigstens eines der Ansprüche 1 bis 5.
10. Einheit gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Sputter-Target und die Trägerplatte mittels einer Bindeschicht miteinander verbunden sind.
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