EP2383361A1 - Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen - Google Patents
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- EP2383361A1 EP2383361A1 EP11405238A EP11405238A EP2383361A1 EP 2383361 A1 EP2383361 A1 EP 2383361A1 EP 11405238 A EP11405238 A EP 11405238A EP 11405238 A EP11405238 A EP 11405238A EP 2383361 A1 EP2383361 A1 EP 2383361A1
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- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/129—Flame spraying
Definitions
- the invention relates to a device for coating substrates by means of high-speed flame spraying according to the preamble of claim 1.
- Devices of the type in question are known in various embodiments and are used for various purposes. They are used for example for the application of temperature-resistant and / or hard and / or abrasion-resistant and / or chemically resistant layers on surfaces of various substrates.
- Devices are known from the prior art, which are operated with a gaseous fuel. Also known are devices that can be operated with liquid fuel. Generic devices usually have at least one connection for the fuel and another for an oxidative gas. In particular, in devices that are operated with a liquid fuel, an additional connection for the supply of compressed air can still be provided. However, all these known devices have the disadvantage that their application is limited.
- a nozzle spray head for high velocity flame spraying of powdered materials is described.
- the nozzle spray head can be operated simultaneously with two fuels (diesel / fuel oil and a fuel gas), with diesel or fuel oil with a carbonization content above 0.5 wt .-% can be used as the main fuel.
- two fuels diesel / fuel oil and a fuel gas
- diesel or fuel oil with a carbonization content above 0.5 wt .-% can be used as the main fuel.
- an evaporation flame is generated by means of the fuel gas, which allows the same a pre-evaporation of the fuel oil and thus a coking-free combustion.
- the vaporization flame is generated in the direction of flow of the gases before the main flame.
- both fuels must therefore always be supplied simultaneously.
- the EP 0 458 018 A2 discloses a HVOF burner provided with a primary combustion chamber and a secondary combustion chamber. Both burners are operated with separate fuels.
- the primary combustion chamber serves to melt the spray material, while the molten spray material is accelerated in the subsequent secondary combustion chamber to supersonic speed, so that the molten spray material ultimately exits the burner with a high kinetic energy.
- this burner must always be operated simultaneously with both fuel gases.
- the invention aims to develop a device according to the preamble of claim 1 such that it is universally applicable by being operable in different modes.
- a device according to claim 1 is provided according to the invention.
- the outlet openings of the further fuel line are arranged on a circular line, wherein said outlet openings are arranged coaxially to the at least one outlet opening centrally into the combustion chamber.
- the outlet openings of the at least one gas line are arranged on a circular line, which are arranged coaxially with the outlet opening centrally into the combustion chamber.
- the device has a nozzle body adjoining the combustion chamber, which is inserted interchangeably into a connection body of the device, wherein the nozzle body is provided with outlet openings and the two fuel lines and the first gas line are connected to the nozzle body such that the combustion chamber, the media necessary for the operation of the device via the said outlet openings of the nozzle body can be fed.
- the advantage of this design is that the nozzle body is interchangeable, with the replacement of the nozzle body at the same time all outlet openings are emulated. This is particularly important because the respective body is exposed to very high loads in the region of the aforementioned outlet openings, which is accompanied by wear and leads to undesired removal of material and, if necessary, application of material in the area of the outlet openings. It is understood that this is undesirable and leads to an adverse burning behavior.
- the Fig. 1 shows the device for coating substrates by means of high-speed flame spraying in a view from the back.
- the device consists essentially of the actual burner, as well as means for supplying the to be melted and applied coating material. From the illustration according to Fig. 1 it can be seen that the device is provided on the back with a plurality of terminals, via which on the one hand the necessary for the operation of the burner media can be supplied. In addition, one connection is provided for a pressure sensor and another for an ignition unit. It is understood that the number and arrangement of the terminals may vary.
- the ports A1 to A9 are provided for the supply of the following media: A1 liquid fuel, A2 oxygen, A3 oxygen optional, A4 nitrogen, A5 gaseous fuel, A6 cooling water on, A7 cooling water off, A8 powder, A9 powder.
- A1 liquid fuel A1 liquid fuel
- A2 oxygen A2 oxygen
- A3 oxygen optional, A4 nitrogen
- A5 gaseous fuel A6 cooling water on, A7 cooling water off, A8 powder, A9 powder.
- other liquid or gaseous media can be supplied via the ports A1 to A7 instead of the aforementioned media.
- the connection A10 is provided for the ignition unit and the connection A11 for the said pressure sensor.
- Fig. 2 shows a simplified representation of the device in a longitudinal section along the line AA in Fig. 1 , Since the basic structure and the operation of generic devices is known, not all elements will be discussed below. Such devices are known in the art in particular under the name HVOF (High Velocity Oxygen Fuel) burner or device.
- HVOF High Velocity Oxygen Fuel
- the device comprises a main body 1, on the rear side of which a connecting body 2 is attached.
- a hollow body 3 is arranged, which forms the actual combustion chamber 4 in the interior.
- the tubular outlet of the hollow body 3 is connected to a pipe nozzle 5, which forms the end of the outlet 6 of the device.
- a nozzle body 7 is inserted centrally into the connection body 2.
- the nozzle body 7 is exchangeably received in the connecting body 2, wherein it is fixed in the axial direction by means of an annular body 8.
- the ring body 8 is provided with an annular extension 9, which comes in the axial direction of the nozzle body 7 to the plant.
- the annular body 8 in turn lays in the axial direction on a shoulder of the hollow body 3.
- the annular body 8 is provided with two axial through holes 10, 11 which are aligned with one associated, in the connection body recessed line L10, L11.
- a union nut 21 is arranged on the base body 1, whose internal thread is intended to attack an external thread of the terminal body 2 and when tightening pulls the connector body 2 in the axial direction against the base body 1.
- Another union nut 22 is arranged at the front end of the base body 1, by means of which the pipe nozzle 5 is loaded together with the hollow body 3 and the ring body 8 in the direction of the connection body 2. In any case, the device can be quickly and easily assembled and also disassembled by the provision of two union nuts 21, 22 in the manner shown.
- connection body 2 can be removed from the main body 1 and the nozzle body 7 removed and possibly replaced or replaced.
- a flow regulator 24 is provided in order to control the supply of the fuel in the fuel line L1.
- the flow controller 24 shown schematically on the one hand, the combustion chamber 4 per unit time supplied fuel quantity can be adjusted.
- the flow regulator 24 also serves to open or close the associated fuel line L1.
- the port A10 is connected to the combustion chamber via an axial line L10.
- the connection A10 is used to connect a pressure sensor (not shown) by means of which the pressure prevailing in the combustion chamber 4 can be measured.
- From the terminal A11 also leads a line L11 axially through the connector body 2 into the combustion chamber 4.
- This line L11 serves to receive an ignition unit (not shown), with which the fuel mixture in the combustion chamber 4 can be ignited.
- A9 each leads a line L8, L9 obliquely into the device.
- the two powder lines L8, L9 open substantially radially with respect to the longitudinal axis of the device in the pipe nozzle 5.
- the powder lines L8, L9 are used to supply coating powder, which upon entering the pipe nozzle 5 of entrained in the hot gas stream and at least partially melted by the prevailing temperature.
- this could for example also be supplied in wire form.
- the Fig. 3 shows the device in a longitudinal section along the line BB in Fig. 1 , It can be seen in particular from this illustration that from the connection A5 a line L5 leads obliquely through the connection body 2 to a first (front) annular channel 14 of the nozzle body 7. From line A3, another line L3 leads obliquely through connection body 2 to the first ring channel 14 of nozzle body 7. While line L3 serves to optionally supply an oxidative gas such as oxygen, combustion chamber 4 can receive a second fuel via line L5 , preferably a fuel gas, are supplied. In any case, both fuel lines open into the common combustion chamber. 4
- a flow regulator 28 which serves both to open and close the associated fuel line L5 and to adjust the amount of fuel supplied per unit time.
- a regulator 26 is provided in order to control the supply of the oxidative gas in the line L3. Possibly. it may be sufficient if the regulator 26 for the supply of oxidative gas is designed as an on-off switch.
- the supply of an oxidative gas via the line L3 is usually carried out only when the burner is operated with a fuel, namely when a first fuel, preferably kerosene, is supplied centrally via the line L1.
- a line L2 leads from the connection A2 to a second (rear) annular channel 18 of the nozzle body 7.
- the line L2 serves to supply an oxidative gas, preferably oxygen into the combustion chamber.
- a flow regulator 25 is provided in order to control the gas supply.
- the Fig. 5 shows the device in a longitudinal section along the line DD in Fig. 1 , It can be seen that the port A4 is connected via an oblique line with the front annular channel 14 of the nozzle body 7.
- the line L4 is preferably used to supply an inert gas, in particular nitrogen.
- a flow regulator 27 is provided in order to control the supply of the inert gas.
- connections A3, A4 and A5 are connected via the three associated lines L3, L4 and L5 to the first annular channel 14 of the nozzle body 7, while the connection A2 leads via the line L2 to the second annular channel 18. If a medium is supplied via at least two of the three lines L3, L4, L5 connected to the front annular channel 14, then these media mix in the annular channel 14.
- Fig. 6a shows the nozzle body 7 in a view from the combustion chamber side
- Fig. 6b a longitudinal section through the nozzle body 7 along the line AA in Fig. 6a shows.
- the Fig. 6c shows a longitudinal section through the nozzle body 7 along the line BB in Fig. 6a ,
- the group of bores 19 connected to the second (rear) annular channel 18 is arranged uniformly distributed on an inner circular line 20, while the further group of bores 15 connected to the first (front) annular channel 14 are evenly distributed on an outer circular line 16 is arranged.
- Both circular lines 16, 20 are arranged coaxially to a central outlet opening 13 of the nozzle body 7.
- the central opening 13 of the nozzle body 7 serves to receive an injection nozzle or an injection valve (not shown), which serves to inject the liquid fuel into the combustion chamber.
- the nozzle body 7 is provided for this purpose with an internal thread, which serves to fasten such an injection nozzle. Since such injectors are known, will not be discussed in detail here.
- the burner can for example be operated simultaneously with two fuels by the combustion chamber 4 via the nozzle body 7 - injector centrally a first fuel, such as kerosene, is supplied while the combustion chamber 4 at the same time another fuel, for example hydrogen, is supplied.
- the second fuel can be supplied via the bores 15, 19 of the outer or inner bolt circle of the nozzle body 7.
- the combustion chamber can be supplied according to requirements via the two ports A3, A4 any further media.
- an oxidative gas such as oxygen can be supplied. If the oxygen is supplied via the port A3, this mixes in the front annular channel 14 with the medium supplied via the port A4 and / or A5.
- an inert gas such as nitrogen may also be supplied via port A4, causing the temperature in the combustion chamber to be lowered.
- this refers to the supply of a "cold" gas.
- the hole-circular arrangement of the holes 15, 19 and outlet openings 15A, 19A has the advantage that the various media of the combustion chamber can be supplied uniformly and centrally.
- the device is particularly suitable for melting coarse powders and application of thick layers and to produce rough surfaces, since during operation of the burner with two fuels per unit time very high temperatures and / or high melting rates of the coating powder and / or very high gas velocities can be achieved.
- the burner can also be operated with only one fuel. Since both fuel lines are each provided with a flow regulator, a continuous or discontinuous transition from one to the other fuel is possible.
- Such a device makes it possible, for example, to apply a base coat with the one fuel, preferably kerosene, in order then to apply a top coat while supplying another fuel or both fuels.
- two different devices had to be used for such an operation.
- the nozzle body 7 serves to supply one or two fuels or fuel mixtures and one or more oxidative gases and any further gases.
- the burner can also be operated only with a fuel, in principle, both liquid and gaseous fuels come into question.
- kerosene is used in particular as the liquid fuel
- gaseous fuels for example, hydrogen, natural gas, propylene, propane or ethylene can be used.
- Another advantage of the inventively designed device or burner is that can be switched in operation without interruption of the one to the other fuel.
- the nozzle body 7 could be provided, for example, instead of or in addition to the holes arranged in a circular hole 15, 19 with an annular channel, or ring-shaped sections, via which one or more media of the combustion chamber 4 are supplied.
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Vorrichtungen der hier zur Rede stehenden Art sind in vielfältigsten Ausführungsformen bekannt und werden für verschiedenste Zwecke eingesetzt. Sie werden beispielsweise für das Aufbringen von temperaturbeständigen und/oder harten und/oder abriebfesten und/oder chemisch beständigen Schichten auf Oberflächen verschiedenster Substrate eingesetzt.
- Aus dem Stand der Technik sind Vorrichtungen bekannt, die mit einem gasförmigen Brennstoff betrieben werden. Bekannt sind auch Vorrichtungen, die mit flüssigem Brennstoff betrieben werden können. Gattungsgemässe Vorrichtungen besitzen üblicherweise zumindest einen Anschluss für den Brennstoff sowie einen weiteren für ein oxidatives Gas. Insbesondere bei Vorrichtungen, die mit einem flüssigen Brennstoff betrieben werden, kann noch ein zusätzlicher Anschluss für die Zufuhr von Druckluft vorgesehen werden. All diesen bekannten Vorrichtungen haftet jedoch der Nachteil an, dass deren Einsatzgebiet beschränkt ist.
- In der
DE 44 29 142 A1 ist ein Düsenspritzkopf zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von pulverförmigen Materialien beschrieben. Der Düsenspritzkopf kann gleichzeitig mit zwei Brennstoffen (Diesel/Heizöl sowie einem Brenngas) betrieben werden, wobei als Hauptbrennstoff Diesel oder Heizöl mit einem Verkokungsgehalt über 0,5 Gew.-% eingesetzt werden kann. Um eine möglichst saubere Verbrennung des Hauptbrennstoffs zu erreichen, wird mittels des Brenngases eine Verdampfungsflamme erzeugt, welche eine Vorverdampfung des Heizöls und damit eine verkokungsfreie Verbrennung desselben ermöglicht. Die Verdampfungsflamme wird in Strömungsrichtung der Gase vor der eigentlichen Hauptflamme erzeugt. Um eine rückstandsfreie Verbrennung des Hauptbrennstoffs zu ermöglichen, müssen daher immer gleichzeitig beide Brennstoffe zugeführt werden. - Die
EP 0 458 018 A2 offenbart einen HVOF-Brenner, der mit einer Primärbrennkammer und einer Sekundärbrennkammer versehen ist. Beide Brennkammem werden mit separaten Brennstoffen betrieben. Die Primärbrennkammer dient dazu, das Spritzmaterial aufzuschmelzen, während das aufgeschmolzene Spritzmaterial in der nachfolgenden Sekundärbrennkammer auf Überschallgeschwindigkeit beschleunigt wird, so dass das aufgeschmolzene Spritzmaterial letztlich mit einer hohen kinetischen Energie aus dem Brenner austritt. Somit muss auch dieser Brenner immer gleichzeitig mit beiden Brenngasen betrieben werden. - Schliesslich geht aus der
US 4'375'954 A ein Brenner hervor, der mit Gas und Öl in Kombination betrieben wird. Dieser Brenner besitzt eine ringförmige Vorheizkammer in der das Öl zuerst mittels eines Brenngases zuerst erhitzt wird. Danach wird das erhitzte Öl über eine zentrale Düse in die Brennkammer geleitet, wo es verbrannt wird. Allerdings handelt es sich bei diesem Brenner nicht um eine Beschichtungsvorrichtung zum Auftragen von Schichten auf Oberflächen von Substraten, sondern um einen konventionellen Brenner. - Die Erfindung zielt darauf ab, eine Vorrichtung gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart weiterzubilden, dass diese universell einsetzbar ist, indem sie in verschiedenen Betriebsarten betreibbar ist.
- Hierzu wird nach der Erfindung eine Vorrichtung gemäss dem Anspruch 1 bereitgestellt.
- Bevorzugte Ausführungsformen der Vorrichtung sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 15 umschrieben.
- Bei einer bevorzugten Weiterbildung wird vorgeschlagen, dass die Austrittsöffnungen der weiteren Brennstoffleitung auf einer Kreislinie angeordnet sind, wobei die genannten Austrittsöffnungen koaxial zu der zumindest einen zentral in die Brennkammer mündenden Austrittsöffnung angeordnet sind. Eine derartige Ausbildungsform ermöglicht in jedem Fall, d.h. sowohl im Betrieb mit dem einen oder dem anderen Brennstoff wie auch im Betrieb mit beiden Brennstoffen, dass eine homogene und zentrale Verbrennungsflamme erzeugt wird.
- Bei einer weiteren, bevorzugte Weiterbildung der Vorrichtung wird vorgeschlagen, dass die Austrittsöffnungen der zumindest einen Gasleitung auf einer Kreislinie angeordnet sind, welche koaxial zu der zentral in die Brennkammer mündenden Austrittsöffnung angeordnet sind. Diese Ausbildung begünstigt einerseits eine homogene Verbrennungsflamme und andererseits eine rückstandsfreie Verbrennung.
- Bei einer weiteren, bevorzugten Weiterbildung weist die Vorrichtung einen an die Brennkammer angrenzenden Düsenkörper auf, der austauschbar in einen Anschlusskörper der Vorrichtung eingesetzt ist, wobei der Düsenkörper mit Austrittsöffnungen versehen ist und die beiden Brennstoffleitungen und die erste Gasleitung derart mit dem Düsenkörper verbunden sind, dass der Brennkammer die zum Betrieb der Vorrichtung notwendigen Medien über die genannten Austrittsöffnungen des Düsenkörpers zuführbar sind. Der Vorteil dieser Ausbildung besteht darin, dass der Düsenkörper austauschbar ist, wobei mit dem Austausch des Düsenkörpers gleichzeitig alle Austrittsöffnungen emeuert werden. Dies ist deshalb besonders wichtig, da der jeweilige Körper im Bereich der genannten Austrittsöffnungen sehr hohen Belastungen ausgesetzt ist, was mit einem Verschleiss einhergeht und zu unerwünschtem Materialabtrag und ggf. Materialauftrag im Bereich der Austrittsöffnungen führt. Es versteht sich, dass dies unerwünscht ist und zu einem nachteiligen Brennverhalten führt.
- Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. In diesen Zeichnungen zeigt:
- Fig.1
- Die Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen in einer Ansicht von hinten;
- Fig. 2
- die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie A-A in
Fig. 1 ; - Fig. 3
- die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie B-B in
Fig. 1 ; - Fig. 4
- die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie C-C in
Fig. 1 ; - Fig. 5
- die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie D-D in
Fig. 1 ; - Fig. 6a
- einen Düsenkörper in einer Ansicht von vorne;
- Fig. 6b
- den Düsenkörper in einem Schnitt entlang der Linie A-A in
Fig. 6a , und - Fig. 6c
- den Düsenkörper in einem Schnitt entlang der Linie B-B in
Fig. 6a . - Die
Fig. 1 zeigt die Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen in einer Ansicht von der Rückseite. Die Vorrichtung besteht im Wesentlichen aus dem eigentlichen Brenner, sowie Mitteln zur Zufuhr des aufzuschmelzenden und aufzutragenden Beschichtungsmaterials. Aus der Darstellung gemässFig. 1 ist ersichtlich, dass die Vorrichtung auf der Rückseite mit einer Vielzahl von Anschlüssen versehen ist, über welche einerseits die zum Betrieb des Brenners notwendigen Medien zugeführt werden können. Zusätzlich ist ein Anschluss für einen Drucksensor und ein weiterer für eine Zündeinheit vorgesehen. Es versteht sich, dass die Anzahl und Anordnung der Anschlüsse variieren kann. Im vorliegenden Beispiel sind die Anschlüsse A1 bis A9 für die Zufuhr folgender Medien vorgesehen: A1 flüssiger Brennstoff, A2 Sauerstoff, A3 Sauerstoff optional, A4 Stickstoff, A5 gasförmiger Brennstoff, A6 Kühlwasser ein, A7 Kühlwasser aus, A8 Pulver, A9 Pulver. Natürlich können anstelle der vorgängig genannten Medien über die Anschlüsse A1 bis A7 auch andere flüssige oder gasförmige Medien zugeführt werden können. Der Anschluss A10 ist für die Zündeinheit und der Anschluss A11 für den genannten Drucksensor vorgesehen. - Die
Fig. 2 zeigt in vereinfachter Darstellung die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie A-A inFig. 1 . Da der grundsätzliche Aufbau und die Wirkungsweise von gattungsgemässen Vorrichtungen bekannt ist, wird nachfolgend nicht auf sämtliche Elemente eingegangen. Derartige Vorrichtungen sind der Fachwelt insbesondere auch unter dem Namen HVOF (High Velocity Oxygen Fuel) Brenner bzw. Vorrichtung bekannt. - Die Vorrichtung umfasst einen Grundkörper 1, an dem rückseitig ein Anschlusskörper 2 angebracht ist. Innerhalb des Grundkörpers 1 ist ein Hohlkörper 3 angeordnet, welcher im Innem die eigentliche Brennkammer 4 bildet. Der rohrförmige Ausgang des Hohlkörpers 3 ist mit einer Rohrdüse 5 verbunden, die endseitig den Auslass 6 der Vorrichtung bildet. Auf der der Brennkammer 4 zugewandten Seite ist ein Düsenkörper 7 zentral in den Anschlusskörper 2 eingesetzt. Der Düsenkörper 7 ist austauschbar in dem Anschlusskörper 2 aufgenommen, wobei er in axialer Richtung mittels eines Ringkörpers 8 fixiert ist. Dazu ist der Ringkörper 8 mit einem ringförmigen Fortsatz 9 versehen, der in axialer Richtung an dem Düsenkörper 7 zur Anlage kommt. Der Ringkörper 8 seinerseits legt sich in axialer Richtung an einer Schulter des Hohlkörpers 3 an. Der Ringkörper 8 ist mit zwei axialen Durchgangsbohrungen 10, 11 versehen, welche mit je einer zugehörigen, in den Anschlusskörper eingelassenen Leitung L10, L11 fluchten.
- Um den Anschlusskörper 2 an dem Grundkörper 1 zu fixieren und weitere Elemente wie den Düsenkörper 7 und den Ringkörper 8 in axialer Richtung zu Positionieren und Fixieren ist an dem Grundkörper 1 eine Überwurfmutter 21 angeordnet, deren Innengewinde an einem Aussengewinde des Anschlusskörpers 2 anzugreifen bestimmt ist und beim Festziehen den Anschlusskörper 2 in axialer Richtung gegen den Grundkörper 1 zieht. Eine weitere Überwurfmutter 22 ist am vorderen Ende des Grundkörpers 1 angeordnet, mittels welcher die Rohrdüse 5 zusammen mit dem Hohlkörper 3 und dem Ringkörper 8 in Richtung des Anschlusskörpers 2 belastet wird. Jedenfalls kann die Vorrichtung durch das Vorsehen von zwei Überwurfmuttern 21, 22 in der gezeigten Art schnell und einfach zusammengebaut und auch wieder auseinandergenommen werden. Dies hat insbesondere den Vorteil, dass allfällige Verschleissteile wie beispielsweise der Hohlkörper 3, die Rohrdüse 5 oder der Düsenkörper 7 schnell und einfach ausgetauscht werden können. So kann nach dem Lösen der Überwurfmutter 21 der Anschlusskörper 2 von dem Grundkörper 1 abgenommen und der Düsenkörper 7 entnommen und ggf. ausgetauscht oder ersetzt werden.
- Wie ersichtlich, führt von jedem Anschluss eine Leitung ins Innere des Anschlusskörpers 2. Von dem Brennstoff-Anschluss A1 führt eine Brennstoff-Leitung L1 zentral durch den Anschlusskörper 2 zu dem Düsenkörper 7, welch letzterer dem gezielten Zuführen der zum Betrieb des Brenners notwendigen Medien in die Brennkammer 4 dient. Der Düsenkörper 7 wird anschliessend anhand der
Figuren 6a-6c noch näher erläutert. Damit die Zufuhr des Brennstoffs in der Brennstoff-Leitung L1 gesteuert werden kann, ist ein Durchflussregler 24 vorgesehen. Mit dem schematisch dargestellten Durchflussregler 24 soll einerseits die der Brennkammer 4 pro Zeiteinheit zugeführte Brennstoffmenge justiert werden können. Andererseits dient der Durchflussregler 24 auch dem Öffnen bzw. Verschliessen der zugehörigen Brennstoffleitung L1. - Auf die mit dem jeweiligen Kühlwasseranschluss A6, A7 verbundenen Leitungen L6, L7 wird nicht näher eingegangen, da solche dem Kühlen der thermisch hochbelasteten Teile dienenden Kühlwasserleitungen bekannt sind. Der Anschluss A10 ist über eine axiale Leitung L10 mit der Brennkammer verbunden. Der Anschluss A10 dient dem Anschliessen eines Drucksensors (nicht dargestellt), mittels welchem der in der Brennkammer 4 vorherrschende Druck gemessen werden kann. Von dem Anschluss A11 führt ebenfalls eine Leitung L11 axial durch den Anschlusskörper 2 hindurch in die Brennkammer 4. Diese Leitung L11 dient der Aufnahme einer Zündeinheit (nicht dargestellt), mit welcher das Brennstoffgemisch in der Brennkammer 4 gezündet werden kann. Von den beiden Pulveranschlüssen A8, A9 führt je eine Leitung L8, L9 schräg in die Vorrichtung hinein. Die beiden Pulverleitungen L8, L9 münden in Bezug auf die Längsachse der Vorrichtung im Wesentlichen radial in die Rohrdüse 5. Die Pulverleitungen L8, L9 dienen dem Zuführen von Beschichtungspulver, welches beim Eintreten in die Rohrdüse 5 von dem heissen Gasstrom mitgerissen und durch die vorherrschende Temperatur zumindest teilweise aufgeschmolzen wird. Anstelle des Zuführens des Beschichtungsmaterials in Pulverform könnte dieses beispielsweise auch in Drahtform zugeführt werden.
- Die
Fig. 3 zeigt die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie B-B inFig. 1 . Aus dieser Darstellung ist insbesondere ersichtlich, dass von dem Anschluss A5 eine Leitung L5 schräg durch den Anschlusskörper 2 hindurch zu einem ersten (vorderen) Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7 führt. Von dem Anschluss A3 führt eine weitere Leitung L3 schräg durch den Anschlusskörper 2 hindurch zu dem ersten Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7. Während die Leitung L3 der optionalen Zufuhr eines oxidativen Gases wie beispielsweise Sauerstoff dient, kann der Brennkammer 4 über die Leitung L5 ein zweiter Brennstoff, vorzugsweise ein Brenngas, zugeführt werden. Jedenfalls münden beide Brennstoffleitungen in die gemeinsame Brennkammer 4. - Damit die Zufuhr des Brennstoffs über die Brennstoff-Leitung L5 gesteuert werden kann, ist ein Durchflussregler 28 vorgesehen, welcher sowohl dem Öffnen bzw. Verschliessen der zugehörigen Brennstoffleitung L5 wie auch dem Justieren der pro Zeiteinheit zugeführten Brennstoffmenge dient. Um die Zufuhr des oxidativen Gases in der Leitung L3 steuern zu können, ist ein Regler 26 vorgesehen. Ggf. kann es genügen, wenn der Regler 26 für die Zufuhr des oxidativen Gases als Ein-Ausschalter konzipiert ist. Das Zuführen eines oxidativen Gases über die Leitung L3 erfolgt üblicherweise nur dann, wenn der Brenner mit einem Brennstoff betrieben wird, namentlich wenn ein erster Brennstoff, vorzugsweise Kerosin, zentral über die Leitung L1 zugeführt wird.
- Aus der
Fig. 4 , welche die Vorrichtung in einem Schnitt entlang der Linie C-C inFig. 1 zeigt, ist ersichtlich, dass von dem Anschluss A2 eine Leitung L2 zu einem zweiten (hinteren) Ringkanal 18 des Düsenkörpers 7 führt. Die Leitung L2 dient dem Zuführen eines oxidativen Gases, vorzugsweise Sauerstoff in die Brennkammer. Somit münden neben den beiden Brennstoffleitungen auch die Leitung L2 zum Zuführen eines oxidativen Gases in die gemeinsame Brennkammer 4. Um die GasZufuhr steuern zu können, ist ein Durchflussregler 25 vorgesehen. - Die
Fig. 5 zeigt die Vorrichtung in einem Längsschnitt entlang der Linie D-D inFig. 1 . Hieraus ist erkennbar, dass der Anschluss A4 über eine schräge Leitung mit dem vorderen Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7 verbunden ist. Die Leitung L4 dient vorzugsweise dem Zuführen eines Inertgases, insbesondere Stickstoff. Um die Zufuhr des Inertgases steuern zu können, ist ein Durchflussregler 27 vorgesehen. - Zusammenfassend lässt sich somit festhalten, dass die Anschlüsse A3, A4 und A5 über die drei zugehörigen Leitungen L3, L4 und L5 mit dem ersten Ringkanal 14 des Düsenkörpers 7 verbunden sind, während der Anschluss A2 über die Leitung L2 zu dem zweiten Ringkanal 18 führt. Sofern über zumindest zwei der drei mit dem vorderen Ringkanal 14 verbundenen Leitungen L3, L4, L5 je ein Medium zugeführt wird, so vermischen sich diese Medien im Ringkanal 14.
- Anhand der
Fig. 6a, 6b und 6c wird der Aufbau des Düsenkörpers 7 näher erläutert. DieFig. 6a zeigt den Düsenkörper 7 in einer Ansicht von der Brennkammerseite her, während dieFig. 6b einen Längsschnitt durch den Düsenkörper 7 entlang der Linie A-A inFig. 6a zeigt. DieFig. 6c zeigt einen Längsschnitt durch den Düsenkörper 7 entlang der Linie B-B inFig. 6a . - In der
Fig. 6b ist erkennbar, dass von dem zweiten (hinteren) Ringkanal 18 axiale Bohrungen 19 zu der vorderen Stirnseite des Düsenkörpers 7 führen. Diese Bohrungen 19 bilden zur Brennkammerseite hin eine erste Gruppe von Austrittsöffnungen 19A, über welche der Brennkammer ein Medium oder mehrere Medien zugeführt werden kann/können. - In der
Fig. 6c ist erkennbar, dass von dem vorderen Ringkanal 14 weitere axiale Bohrungen 15 zu der vorderen Stirnseite des Düsenkörpers 7 führen. Die genannten Bohrungen 15 bilden zur Brennkammerseite hin eine zweite Gruppe von Austrittsöffnungen 15A. - In der
Fig. 6a ist erkennbar, dass die mit dem zweiten (hinteren) Ringkanal 18 verbundene Gruppe von Bohrungen 19 gleichmässig verteilt auf einer inneren Kreislinie 20 angeordnet ist, während die mit dem ersten (vorderen) Ringkanal 14 verbundenen weitere Gruppe von Bohrungen 15 gleichmässig verteilt auf einer äusseren Kreislinie 16 angeordnet ist. Beide Kreislinien 16, 20 sind koaxial zu einer zentralen Austrittsöffnung 13 des Düsenkörpers 7 angeordnet. Die zentrale Öffnung 13 des Düsenkörpers 7 dient der Aufnahme einer Einspritzdüse oder eines Einspritzventils (nicht dargestellt), welches dem Einspritzen des flüssigen Brennstoffs in die Brennkammer dient. Der Düsenkörper 7 ist dazu mit einem Innengewinde versehen, welches dem Befestigen einer solchen Einspritzdüse dient. Da solche Einspritzdüsen bekannt sind, wird hier nicht näher darauf eingegangen. - Die grundsätzlichen Vorteile einer derartigen Vorrichtung bestehen darin, dass diese universell einsetzbar ist. So kann der Brenner beispielsweise mit zwei Brennstoffen gleichzeitig betrieben werden, indem der Brennkammer 4 über den Düsenkörper 7 - Einspritzdüse- zentral ein erster Brennstoff, beispielsweise Kerosin, zugeführt wird, während der Brennkammer 4 gleichzeitig ein weiterer Brennstoff, beispielsweise Wasserstoff, zugeführt wird. Der zweite Brennstoff kann dabei über die Bohrungen 15, 19 des äusseren oder inneren Lochkreises des Düsenkörpers 7 zugeführt werden. Zudem können der Brennkammer den Anforderungen entsprechend über die beiden Anschlüsse A3, A4 beliebig weitere Medien zugeführt werden. So kann über den Anschluss A2 und/oder A3 ein oxidatives Gas wie beispielsweise Sauerstoff zugeführt werden. Sofern der Sauerstoff über den Anschluss A3 zugeführt wird, vermischt sich dieser im vorderen Ringkanal 14 mit dem über den Anschluss A4 und/oder A5 zugeführten Medium. Beispielsweise kann über den Anschluss A4 auch ein Inertgas wie beispielsweise Stickstoff zugeführt werden, was bewirkt, dass die Temperatur im Brennraum gesenkt wird. In der Fachsprache wird diesbezüglich von der Zufuhr eines "cold" Gases gesprochen. Die lochkreisförmige Anordnung der Bohrungen 15, 19 bzw. Austrittsöffnungen 15A, 19A hat den Vorteil, dass die verschiedenen Medien der Brennkammer gleichmässig und zentral zugeführt werden können. So eignet sich die Vorrichtung insbesondere auch zum Aufschmelzen von groben Pulvern und Auftragen von dicken Schichten und zum Erzeugen von rauhen Oberflächen, da beim Betrieb des Brenners mit zwei Brennstoffen pro Zeiteinheit sehr hohe Temperaturen und/oder hohe Aufschmelzraten des Beschichtungspulvers und/oder sehr hohe Gasgeschwindigkeiten erreicht werden können.
- Natürlich kann der Brenner auch nur mit einem Brennstoff betrieben werden. Da beide Brennstoffleitungen mit je einem Durchflussregler versehen sind, ist auch ein kontinuierlicher oder diskontinuierlicher Übergang vom einen auf den anderen Brennstoff möglich. Eine derartige Vorrichtung ermöglicht es beispielsweise, eine Grundschicht mit dem einen Brennstoff, vorzugsweise Kerosin, aufzutragen, um danach eine Deckschicht unter Zufuhr eines andern Brennstoffs oder beider Brennstoffe aufzutragen. Bis anhin mussten für einen solchen Vorgang zwei unterschiedliche Vorrichtungen eingesetzt werden.
- Je nach Betriebsart kann es vorteilhaft sein, über die Bohrungen 15, 19 des inneren und/oder äusseren Lochkreises des Düsenkörpers 7 ein gasförmiges Medium in die Brennkammer strömen zu lassen, damit eine Verschmutzung der Bohrungen und/oder ein Eindringen von Brennkammergasen in die genannten Bohrungen 15, 19 verhindert wird.
- Je nach gewünschter Betriebsart dient der Düsenkörper 7 dem Zuführen von einem oder zwei Brennstoffen bzw. Brennstoffgemischen sowie einem oder mehrerer oxidativer Gase sowie allfälliger weiterer Gase.
- Natürlich kann der Brenner auch nur mit einem Brennstoff betrieben werden, wobei grundsätzlich sowohl flüssige wie auch gasförmige Brennstoffe in Frage kommen. Während als flüssiger Brennstoff insbesondere Kerosin zum Einsatz kommt, können als gasförmige Brennstoffe beispielsweise Wasserstoff, Erdgas, Propylen, Propan oder Ethylen eingesetzt werden. Es versteht sich, dass die vorgängig erwähnten Betriebsarten keinesfalls als abschliessend zu betrachten sind, sondern dass mit der in den Ansprüchen definierten Vorrichtung eine grosse Zahl unterschiedlicher Betriebsarten möglich ist, wobei natürlich auch die Anzahl und Anordnung der beschriebenen Anschlüsse und Leitungen variieren kann.
- Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäss gestalteten Vorrichtung bzw. Brenners besteht darin, dass im Betrieb ohne Unterbruch von dem einen auf den anderen Brennstoff umgeschaltet werden kann.
- Aber auch die Ausgestaltung des eigentlichen Brenners kann natürlich variieren. So könnte der Düsenkörper 7 beispielsweise anstelle oder zusätzlich zu den lochkreisförmig angeordneten Bohrungen 15, 19 mit einem Ringkanal, oder ringkreisförmig ausgebildeten Abschnitten versehen werden, über welche ein Medium oder mehrere Medien der Brennkammer 4 zugeführt werden.
Claims (15)
- Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Hochgeschwindigkeitsflammspritzen, mit einer Brennkammer (4), einer ersten Brennstoffleitung (L1) zum Zuführen eines ersten flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs, einer ersten Gasleitung (L2) zum Zuführen eines oxidativen Gases und zumindest einer weiteren Brennstoffleitung (L5) zum Zuführen eines weiteren flüssigen oder gasförmigen Brennstoffs, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl die erste Gasleitung (L2) wie auch die beiden Brennstoffleitungen (L1, L5) in eine gemeinsame Brennkammer (4) münden, und dass Mittel (24, 28) vorgesehen sind, um die Brennstoffzufuhr in den beiden Brennstoffleitungen (L1, L5) unabhängig voneinander zu steuern.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Brennstoffleitung (L1) zentral über zumindest eine Austrittsöffnung (13A) in die Brennkammer (4) mündet, und dass die weitere Brennstoffleitung (L5) über eine Vielzahl von weiteren Austrittsöffnungen (15A) in die Brennkammer (4) mündet.
- Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die eine Brennstoffleitung (L1) zentral über zumindest eine Austrittsöffnung (13A) in die Brennkammer (4) mündet, und dass die erste Gasleitung (L2) über eine Vielzahl von zusätzlichen Austrittsöffnungen (19A) in die Brennkammer (4) mündet.
- Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Austrittsöffnungen (15A) der weiteren Brennstoffleitung (L5) auf einer Kreislinie (16) angeordnet sind, wobei die genannten Austrittsöffnungen (15A) koaxial zu der zumindest einen zentral in die Brennkammer (4) mündenden Austrittsöffnung (13A) angeordnet sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Austrittsöffnungen (19A) der ersten Gasleitung (L2) auf einer Kreislinie (20) angeordnet sind, welche koaxial zu der zentral in die Brennkammer (4) mündenden Austrittsöffnung (13A) angeordnet sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen an die Brennkammer (4) angrenzenden Düsenkörper (7) aufweist, der austauschbar in einen Anschlusskörper (2) der Vorrichtung eingesetzt ist, wobei der Düsenkörper (7) mit einer Vielzahl von Austrittsöffnungen (13A, 15A, 19A) versehen ist und die beiden Brennstoffleitungen (L1, L5) und die erste Gasleitung (L2) derart mit dem Düsenkörper (7) verbunden sind, dass der Brennkammer (4) die zum Betrieb der Vorrichtung notwendigen Medien über die genannten Austrittsöffnungen (13A, 15A, 19A) des Düsenkörpers (7) zuführbar sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Düsenkörper (7) mit einer zentralen Austrittsöffnung (13A) oder Düse versehen ist und weitere Austrittsöffnungen (15A, 19A) kreisförmig verteilt um die zentrale Austrittsöffnung (13A) herum angeordnet sind, wobei die zentrale Austrittsöffnung (13A) oder Düse mit der ersten Brennstoffleitung (L1) verbunden ist, und wobei die genannten weiteren Austrittsöffnungen (15A, 19A) mit zumindest einer Leitung (L3, L4) zum Zuführen eines weiteren Brennstoffs und/oder eines weiteren Gases verbunden sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die weiteren Austrittsöffnungen (15A, 19A) entlang von zwei mit unterschiedlichen Durchmessern versehenen Kreislinien (16, 20) angeordnet sind, wobei die entlang der äusseren Kreislinie (16) angeordneten Austrittsöffnungen (15A) mit einem ersten, in den Düsenkörper (7) eingelassenen Ringkanal (14) verbunden sind, und wobei die entlang der inneren Kreislinie (20) angeordneten Austrittsöffnungen (19A) mit einem zweiten, in den Düsenkörper (7) eingelassenen Ringkanal (18) verbunden sind.
- Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Ringkanal (14) mit der weiteren Brennstoffleitung (L5) und/oder einer weiteren Gasleitung (L3, L4) verbunden ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Ringkanal (14) mit einer weiteren Gasleitung (L4) zum Zuführen eines Inertgases verbunden ist.
- Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Ringkanal (18) mit der ersten Gasleitung (L2) zum Zuführen eines oxidativen Gases verbunden ist.
- Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (25, 26, 27) vorgesehen sind, um zumindest in einzelnen Gasleitungen (L2, L3, L4) die Gaszufuhr zu steuern.
- Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen die Brennkammer (4) begrenzenden Hohlkörper (3) aufweist, der austauschbar in einen Grundkörper (1) der Vorrichtung eingesetzt ist, dass in Strömungsrichtung der Gase gesehen hinter dem Hohlkörper (3) eine Rohrdüse (5) austauschbar in den Grundkörper (1) eingesetzt ist, und dass die Rohrdüse (5) mit im wesentlichen radial oder schräg zur Längsachse verlaufenden Pulverzufuhröffungen versehen ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung einen an die Brennkammer (4) angrenzenden Düsenkörper (7) zum Zuführen der beiden Brennstoffe sowie des oxidativen Gases aufweist, wobei der Düsenkörper (7) austauschbar in einen Anschlusskörper (2) der Vorrichtung eingesetzt ist und mit einer zentralen Austrittsöffnung (13A) für den ersten Brennstoff sowie zwei Gruppen von weiteren Austrittsöffnungen (15A, 19A) für den weiteren Brennstoff sowie das oxidative Gas versehen ist, und wobei die eine Gruppe der genannten weiteren Austrittsöffnungen (15A) auf einer äusseren Kreislinie (16) angeordnet ist und die andere Gruppe der genannten weiteren Austrittsöffnungen (19A) auf einer inneren Kreislinie (20) angeordnet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Kreislinien (16,20) koaxial zu der zentralen Austrittsöffnung (13A) angeordnet sind und dass die zentrale Austrittsöffnung (13A) mit der ersten Brennstoffleitung (L1) verbunden ist und die eine Gruppe der genannten weiteren Austrittsöffnungen (19A) mit der ersten Gasleitung (L2) verbunden ist, und dass die andere Gruppe der weiteren Austrittsöffnungen (15A,) mit der weiteren Brennstoffleitung (L5) sowie zumindest einer weiteren Leitung (L3, L4) zum Zuführen eines weiteren Gases verbunden ist.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2868388A1 (de) * | 2013-10-29 | 2015-05-06 | Alstom Technology Ltd | Vorrichtung für HVOF-Sprühverfahren |
Families Citing this family (384)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US8992656B2 (en) * | 2011-12-21 | 2015-03-31 | Praxair Technology, Inc. | Controllable solids injection |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| JP5780502B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2015-09-16 | 芳▲高▼ 中川 | 溶射装置 |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| ITBO20130619A1 (it) * | 2013-11-12 | 2015-05-13 | Ibix Srl | Metodo e apparecchiatura per la spruzzatura a fiamma di polveri termoplastiche |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10683571B2 (en) * | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| TWI794238B (zh) | 2017-07-13 | 2023-03-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 於單一加工腔室中自半導體膜移除氧化物及碳之裝置及方法 |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| KR20250134000A (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| CN113196444B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-07-02 | 应用材料公司 | 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备 |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
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| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
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| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
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| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US12622218B2 (en) | 2019-07-31 | 2026-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette lid opening device |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
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| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
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| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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| KR102960940B1 (ko) | 2019-10-25 | 2026-05-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| KR102943768B1 (ko) | 2019-12-19 | 2026-03-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR102974179B1 (ko) | 2020-01-06 | 2026-06-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TWI915339B (zh) | 2020-02-13 | 2026-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| TWI914330B (zh) | 2020-03-04 | 2026-02-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、及對準夾具 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR102970066B1 (ko) | 2020-04-15 | 2026-05-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| JP7816915B2 (ja) | 2020-04-24 | 2026-02-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| TWI921332B (zh) | 2020-04-24 | 2026-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法、所形成之結構與裝置、及用以製造所述裝置之系統 |
| TWI913262B (zh) | 2020-04-24 | 2026-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TWI907417B (zh) | 2020-05-04 | 2025-12-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TWI915365B (zh) | 2020-05-15 | 2026-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202614152A (zh) | 2020-05-19 | 2026-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TWI873343B (zh) | 2020-05-22 | 2025-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| CN111549309B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-04-12 | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 | 一种低温高速火焰喷涂枪 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202618032A (zh) | 2020-06-16 | 2026-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 磊晶生長摻硼矽鍺層之方法和系統及包括摻硼矽鍺層之場效電晶體 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TWI911263B (zh) | 2020-08-25 | 2026-01-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TWI911265B (zh) | 2020-08-27 | 2026-01-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TWI918732B (zh) | 2020-10-14 | 2026-03-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| KR102943887B1 (ko) | 2020-10-16 | 2026-03-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 임계 전압 제어용 구조체를 형성하는 방법 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TWI916460B (zh) | 2020-12-14 | 2026-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| CN114649247A (zh) | 2020-12-18 | 2022-06-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有可旋转工作台的晶片处理设备 |
| TWI922546B (zh) | 2020-12-22 | 2026-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TWI922548B (zh) | 2020-12-22 | 2026-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| KR20220097266A (ko) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 재료 증착을 위한 조성물, 합성 방법 및 용도 |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| CN119525046B (zh) * | 2024-10-31 | 2025-10-17 | 杭州江河机电装备工程有限公司 | 一种超燃高超音速火焰喷枪装置及其方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3378203A (en) * | 1965-02-25 | 1968-04-16 | Metallisation Ltd | Metal spraying apparatus |
| US4375954A (en) | 1979-12-26 | 1983-03-08 | Roger Trudel | Oil and gas combination nozzle |
| EP0458018A2 (de) | 1990-05-22 | 1991-11-27 | UTP Schweissmaterial GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von hochschmelzenden draht- und pulverförmigen Zusatzwerkstoffen zum Beschichten von Oberflächen |
| DE4429142A1 (de) | 1994-08-17 | 1996-02-22 | Osu Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Düsenspritzkopf zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von pulverförmigen Materialien |
| EP0848998A2 (de) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Castolin S.A. | Flammspritzvorrichtung und Verfahren zum thermischen Spritzen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4622007A (en) * | 1984-08-17 | 1986-11-11 | American Combustion, Inc. | Variable heat generating method and apparatus |
| DE4239903C1 (de) * | 1992-11-27 | 1994-06-30 | Franz Kuenzli Ag Wangen | Injektor-Mundstück für Brenneraggregate |
| US5834066A (en) * | 1996-07-17 | 1998-11-10 | Huhne & Kunzli GmbH Oberflachentechnik | Spraying material feeding means for flame spraying burner |
| WO2004045777A1 (de) * | 2002-11-19 | 2004-06-03 | Huehne Erwin Dieter | Niedertemperatur hochgeschwindigkeits-flammspritzsystem |
| KR20080078803A (ko) * | 2005-10-17 | 2008-08-28 | 내셔날 리서치 카운실 오브 캐나다 | 코팅 및 분말의 반응성 분무 형성 |
-
2010
- 2010-04-29 CH CH00643/10A patent/CH702999A1/de not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-03-31 EP EP11405238.4A patent/EP2383361B1/de not_active Not-in-force
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3378203A (en) * | 1965-02-25 | 1968-04-16 | Metallisation Ltd | Metal spraying apparatus |
| US4375954A (en) | 1979-12-26 | 1983-03-08 | Roger Trudel | Oil and gas combination nozzle |
| EP0458018A2 (de) | 1990-05-22 | 1991-11-27 | UTP Schweissmaterial GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von hochschmelzenden draht- und pulverförmigen Zusatzwerkstoffen zum Beschichten von Oberflächen |
| DE4429142A1 (de) | 1994-08-17 | 1996-02-22 | Osu Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Düsenspritzkopf zum Hochgeschwindigkeitsflammspritzen von pulverförmigen Materialien |
| EP0848998A2 (de) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Castolin S.A. | Flammspritzvorrichtung und Verfahren zum thermischen Spritzen |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2868388A1 (de) * | 2013-10-29 | 2015-05-06 | Alstom Technology Ltd | Vorrichtung für HVOF-Sprühverfahren |
| WO2015062846A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | Alstom Technology Ltd | Device for hvof spraying process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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