EP3424663B1 - Support pour la découpe par fil à abrasifs liés comportant un assemblage de matériaux différents, système comportant un tel support et une pièce et procédés de découpe par fil - Google Patents

Support pour la découpe par fil à abrasifs liés comportant un assemblage de matériaux différents, système comportant un tel support et une pièce et procédés de découpe par fil Download PDF

Info

Publication number
EP3424663B1
EP3424663B1 EP18180687.8A EP18180687A EP3424663B1 EP 3424663 B1 EP3424663 B1 EP 3424663B1 EP 18180687 A EP18180687 A EP 18180687A EP 3424663 B1 EP3424663 B1 EP 3424663B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
support
cutting
silicon
cut
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
EP18180687.8A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP3424663A1 (fr
Inventor
Fabrice Coustier
Virginie Brize
Hamza HAJJAJI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP3424663A1 publication Critical patent/EP3424663A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP3424663B1 publication Critical patent/EP3424663B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades

Definitions

  • the present invention relates to the general field of cutting or sawing by bonded abrasive wire, in particular by diamond wire, that is to say comprising abrasive grains, in particular diamonds, fixed on the surface of the wire or wires . It particularly concerns the field of supports for wire cutting with bonded abrasives.
  • the invention finds applications in many fields of industry, and for example in the industry of electronic components, ferrites, quartz and/or silicas, for example when obtaining thin slices of substrates (called “wafers” or more generally “wafers” in English) of materials such as semiconductor materials, for example crystalline silicon used in particular for the manufacture of photovoltaic cells, the cutting of sapphire, stone or silicon carbide , or even other hard and brittle materials.
  • wafers thin slices of substrates
  • semiconductor materials for example crystalline silicon used in particular for the manufacture of photovoltaic cells, the cutting of sapphire, stone or silicon carbide , or even other hard and brittle materials.
  • the invention thus proposes a support system for cutting by bonded wire associated with a part to be cut, a method for cutting by wire with bonded abrasives of such a system, and its method of manufacture.
  • the part to be cut is made of a first semiconductor material, and the first material of the support is distributed inhomogeneously with the other materials of the support.
  • Wire cutting devices conventionally comprise one or more cutting wires, present in free form or in the form of windings. Most often, they comprise a wire forming a plurality of windings around rotating members thus defining a layer of wire strands, these strands being substantially parallel to each other, the layer of wire strands being even more simply designated below.
  • sheet of yarn yarn being in the singular. This sheet of yarn is then capable of moving according to a continuous or alternating movement in support against a piece to be cut into several slices thus defining a cutting area.
  • the cutting zone can consist of a set of pulleys or cylinders placed in parallel.
  • These cylinders called “wire guides” can be engraved with a plurality of grooves defining the interval between the wire strands, in other words the thickness of the slices to be cut, once the thickness of the kerf has been removed.
  • the piece to be cut can be fixed on a support table which moves perpendicularly to the sheet of wire.
  • the travel speed defines the cutting speed.
  • the renewal of the yarn, as well as the control of the tension, can be done in a part defining a yarn management zone, located outside the actual cutting zone.
  • the cutting of the part is made possible by the phenomena of abrasion caused between the wire and the part to be cut, possibly assisted by the action of a third element.
  • the agent which governs the cutting by wire can for example consist of an abrasive fixed to the wire (or bound to the wire), or a free abrasive brought by bubbling. In the latter case, the thread only acts as a carrier.
  • a lubricant in fluidic form is generally used such as, for example, water, water mixed with an additive, polyethylene glycol (PEG), or even a gel, among others.
  • PEG polyethylene glycol
  • each silicon ingot 30 is first cut in a matrix fashion during step i) of bricklaying by the strands 10 of the cutting wire to obtain a plurality of bricks 31.
  • each brick 31 is cut on its lower and upper parts to remove impurities resulting from crystallization.
  • step iii) of cutting makes it possible to obtain a plurality of slices of substrates 32 from each brick 31.
  • first two steps i) bricklaying and ii) trimming can, if necessary, be carried out without wire cutting, and then generally using a diamond blade.
  • wire cutting can be divided into two main categories described below.
  • a first type of wired cutting is indeed constituted by cutting with free abrasives.
  • abrasive grains generally silicon carbide
  • PEG polyethylene glycol
  • This cutting liquid is then poured between two solids sliding against each other, in this case the cutting wire, typically made of steel, on the part to be cut.
  • the abrasive grains are set in motion by the sliding of the two bodies against each other, and thus abrade the material by multiple micro-indentations caused by the rolling of abrasive particles on the piece to be cut.
  • This first type of wire cutting therefore corresponds to a so-called “three-body” case of abrasion, consisting of the wire, the abrasive grains and the part to be cut.
  • a second type of wired cutting is moreover constituted by the cutting with bonded abrasives.
  • abrasive grains generally diamonds (hence the common name of "diamond wire cutting")
  • This second type of wire cutting therefore corresponds to a case of so-called “two-body” abrasion, consisting of the abrasive wire and the part to be cut.
  • bonded abrasive wire cutting has many advantages in terms of cutting performance compared with the free abrasive cutting technique described above, namely in particular: a higher cutting speed, in particular two to three times faster higher than for the free abrasive cutting technique, simplification of the wire cutting devices, the possibility of integrating cutting waste recycling modules.
  • the present invention is advantageously concerned only with this bonded abrasive wire cutting technique.
  • the part to be cut for example a silicon brick, is usually glued to a cutting support in the form of a glass plate.
  • the wire then completes the cut by crossing about 50% of the thickness of the glass plate so that the wire is completely out of the part to be cut.
  • This glass plate is generally itself glued to a steel plate allowing the assembly to be held in the wire cutting device.
  • the part to be cut for example a silicon brick
  • a cutting support which can be of different natures, for example epoxy or graphite, among others.
  • the glass is not used because the diamond wire cuts the glass with difficulty and the deflection of the wire, present during the cutting, cannot be absorbed correctly in the glass.
  • Part of the material constituting the cutting support is therefore found in the cutting fluid after cutting, with the silicon powder when it is recovered.
  • the wire progresses in the part to be cut, in particular a block of silicon, then in a cutting support in such a way to be certain that the wire is completely out of the part, so that the wafers (or "wafers" in English) can then be detached from the support.
  • This cutting support is also generally glued, or even assembled, for example by screwing, to a steel plate, allowing the assembly to be held in the wire cutting device.
  • the composition of the cutting supports is generally chosen so as to oppose less resistance to cutting in the support than in the part to be cut, in particular the silicon. This has the advantage of allowing rapid recovery of the deflection of the wire when the wire leaves the part, in particular silicon. However, this also has drawbacks, and in particular the three main ones detailed below.
  • the new and used wires do not come out of the part to be cut, in particular from the silicon block 30, at the same time. More precisely, the new wire comes out of the silicon 30 first, and the worn wire comes out later.
  • the reference 10a represents the ply output thread which has still only slightly penetrated the support at cut-out 1
  • the reference 10b represents the input ply thread which has penetrated into the support at cut-out 1.
  • the input wire is found therefore without an arrow, whereas the wire at the exit can present one more. It may happen, depending on the material cut, in particular the composition used, that it is no longer possible to lower the assembly formed by the silicon part 30 and the support 1 into the machine and that the output wire is not yet taken out of the silicon part 30. In this case, it is then necessary to go back and forth with the wire without moving the table supporting the assembly, at the risk of the wire shearing the thin strips created in the support by the input wire of tablecloth and patties then fall into the machine.
  • composition of the cutting supports which can be varied, can contribute to significantly increasing the contamination of the powders obtained, in particular silicon powders, which are then recovered for recycling.
  • the object of the invention is to remedy at least partially the needs mentioned above and the drawbacks relating to the embodiments of the prior art.
  • the invention is defined by all the characteristics of claim 1.
  • the support of the system according to the invention is therefore not necessarily easier to cut than the material in which the piece to be cut is made, unlike the solutions of the prior art which use a support made in a material that is easier to cut than that of the part.
  • thread denotes three variant embodiments of the cutting by thread, namely: either a layer of several threads, designated by the expression “layer of threads”, comprising several distinct threads all substantially parallel to each other, each wire forming a winding around rotating members; either a single thread forming a single loop; or a single thread wound several times to form a plurality of windings around rotating members, thus defining a layer of thread strands, all substantially parallel to each other, this layer of thread strands being designated by the expression "thread layer » fil being in the singular. The choice then depends on the type of wire cutting device.
  • the invention it may be possible to significantly improve the surface states of the wafers on their edge, ie a reduction in the “chipping” phenomenon. It is also possible to increase the productivity of the cutting device associated with the support. In addition, as explained below, it may be possible to make it possible to detect the moment when the deflection of the thread is absorbed or to indicate the moment when the cut is finished. In addition, it may be possible to limit the contamination of silicon powders resulting from diamond wire cutting in order to recycle them. Furthermore, as also detailed below, it may be possible to achieve better cleaning of the wafers and/or to facilitate the detachment of the wafers from the support, thanks to supports in which channels are present and which allow the passage of a cleaning liquid.
  • the support of a wire-cutting system according to the invention may further comprise one or more of the following characteristics taken separately or in any possible technical combination.
  • the support can very particularly be produced by an assembly of two different materials, comprising the first material and a second material, the first material being distributed in an inhomogeneous manner relative to the second material.
  • the system support may comprise a material, in particular a second material, chosen from: an epoxy resin, a ceramic material, graphite, among others.
  • an epoxy resin it can be selected in order to allow ease of cutting with a diamond wire and minimal contamination of the silicon powder obtained after cutting.
  • the support may also comprise a material, in particular a second material, based on: epoxies, polyurethanes, polyesters, polystyrenes, polyethylenes, polypropylenes, polyamides, polyvinyls, among others. This or these materials may or may not be modified, for example by inserting an organic group.
  • said at least one part to be cut comprises a semiconductor material, in particular silicon.
  • the support also comprises a semiconductor material, in particular silicon, in particular at least one part made of silicon and/or based on silicon, for example a composite material containing silicon.
  • the support for the system can be obtained by cutting a silicon wafer from a silicon ingot, the geometry of which, namely the width and the length, depends on the cutting device used. This plate can then be glued to a steel plate allowing the assembly to be held in the wire cutting device.
  • the support for the system can also be obtained by molding, liquid silicon being poured into an ingot mold making it possible to obtain the support when cut to the desired geometry.
  • the support for the system can also be obtained by sintering, silicon powder being hot sintered in an ingot mold making it possible to obtain the support when cut to the desired geometry.
  • the support of the system may comprise an assembly of a plate made of the first material, in particular silicon, and of a plate made of the second material, the plates being assembled, in particular glued, together.
  • the support of the system can be formed by assembly, in particular bonding, of a plate of an existing support with a silicon plate, so that the wire passes through, at the end of cutting, practically only silicon.
  • the support of the system is made of a second material loaded with powder of the first material, the density of the first material in the second material being variable, being in particular made of epoxy loaded with silicon powder with a density variable of the silicon in the epoxy, the epoxy being in particular filled with silicon by injection.
  • the support of the system may comprise longitudinal channels for the passage of a cleaning liquid.
  • the support may comprise longitudinal channels, in particular grooves, for mechanical attachment to a plate, in particular a steel plate, in particular of an assembly intended to be integrated into a wire cutting device.
  • Such channels are for example described in the American patent application US 2011/0100348 A1 as part of ceramic die-cut media for free-abrasive cutting technology.
  • the invention uses this type of channel for a support for epoxy cutting and for bonded abrasive wire cutting technology, in particular diamond wire cutting.
  • the support of the system may comprise one or more parts forming witnesses, made of a material different from the first material and of thickness equal to the thickness of the support, making it possible to ensure that the cutting wire is no longer at the level of the part to be cut when it is present at the level of a part forming an indicator.
  • system support may have, by observation in front view, a first part made of the first material, intended to be opposite the part to be cut, and a second part made of a second different material. of the first material, the thickness of the first part decreasing from the side edges of the support towards the central zone of the support, intended to face the part to be cut, and vice versa for the thickness of the second part.
  • system support may have, by observation in longitudinal view, a first part made of the first material, intended to be opposite the part to be cut, and a second part made of a second different material. of the first material, the thickness of the first part increasing from a first longitudinal edge of the support towards a second longitudinal edge of the support, and vice versa for the thickness of the second part.
  • the system support may comprise a first material, in particular silicon, and a second material, in particular an epoxy resin, the second material being in particular loaded with powders of the first material.
  • the proportion of the first material relative to the second material can be between 25 and 200% by mass, and preferably of the order of 100% by mass.
  • the invention also relates, according to another of its aspects, to an assembly, characterized in that it comprises a support as defined above and a plate, in particular a steel plate, the support being glued to said plaque.
  • the subject of the invention is, according to one of its aspects, a system, characterized in that it comprises a support as defined above and at least one part to be cut made of a first semiconductor material, in particular silicon.
  • another subject of the invention is a process for cutting by bonded abrasive wire at least one piece to be cut, characterized in that it is implemented by means of a system as defined above, and in that it includes the step of passing the cutting wire in a support material whose cutting difficulty is identical to that of cutting said at least one part to be cut.
  • the invention also relates, according to another of its aspects, to a method of manufacturing a support for a system as defined previously for the cutting by wire with bonded abrasives of at least one part to be cut made in one first material, characterized in that it comprises the step of producing the support by assembling different materials comprising at least the first material distributed in an inhomogeneous manner with the other materials of the support.
  • the method may include the step of using recycled silicon, originating from silicon powders recovered following cutting by wire with bonded abrasives, for the manufacture of the support.
  • the method may also include the step of using a silicon wafer from the cutting of a silicon ingot, molding and/or sintering, for the manufacture of the support.
  • the term “yarn” designates here a layer of yarn.
  • the abrasive grains attached to the wire are preferably diamond grains so that the supports of a system according to the invention can be considered as being supports 1 for cutting by diamond wire.
  • the part 30 to be cut comprises a fragile semiconductor material, such as crystalline silicon, and the cutting of this part 30 is carried out for the purpose of manufacturing photovoltaic modules.
  • FIG. 4 there is shown, in a partial front view, a first example of support 1 for cutting a system according to the invention.
  • the support 1 is made by assembling a first part P1 made of a first material with a second part P2 made of a second material, the first material being in an inhomogeneous configuration relative to the second material.
  • the first material is silicon, as for the part to be cut 30.
  • the second material can be a material conventionally used for a support for cutting, or a material whose cutting is easier than for silicon, for example. example an epoxy resin, graphite, a ceramic material, among others. It may also be a material based on epoxies, polyurethanes, polyesters, polystyrenes, polyethylenes, polypropylenes, polyamides, polyvinyls, among others, which may or may not be modified, for example by inserting an organic group.
  • the silicon constituting the first material can come from a recycling of silicon powder from a previous cutting by diamond wire.
  • the support 1 has, by observation in front view, a first part P1, intended to be opposite the piece to be cut 30, the thickness of which E p1 decreases from each lateral edge Ls of the support 1 towards the central zone ZC of the support 1, intended to be opposite the piece to be cut 30.
  • the thickness E p2 of the second part P2 increases from each lateral edge Ls of the support 1 towards the central zone ZC of the support 1.
  • the interface between the first and second materials forms an inverted “V”.
  • the difficulty of cutting support 1 is adapted longitudinally, the latter being more difficult to cut at its lateral ends Ls than at its central part ZC.
  • Table 1 below illustrates examples of minimum, maximum or preferred thicknesses depending on the material chosen for the first part P1 and the second part P2: ⁇ i> ⁇ u>Table 1 ⁇ /u> ⁇ /i> Material Minimum thickness (mm) Maximum thickness (mm) Preferred thickness (mm) P1 in silicon or in resin + silicon E p1 2 19 10 E p1 at a side edge Ls 2 19 12 E p1 at the level of the central part Zc 2 12 5 P2 resin or resin + silicon Ep 2 2 19 10 E p2 at the level of the central part Zc 7 18 15 E p2 at a side edge Ls 7 18 10
  • the support 1 comprises a first part P1' made of a first material, which may be similar to that of the example of the figure 4 , and a second part P2' made of a second material, which may be similar to that of the example of the figure 4 .
  • the support 1 has, by observation in longitudinal view, a first part P1' whose thickness E p1' increases from a first longitudinal edge I s1 of the support 1 towards a second longitudinal edge I s2 of the support 1, while the thickness E p2' of the second part P2' decreases from this same first longitudinal edge I s1 of the support 1 towards this same second longitudinal edge I s2 of the support 1.
  • the difficulty of cutting support 1 is first of all the lowest at the start of cutting, then it increases until it is maximum at the end of cutting.
  • table 2 illustrates examples of minimum thicknesses, maximum or preferential obtained: ⁇ i> ⁇ u>Table 2 ⁇ /u> ⁇ /i> Minimum thickness (mm) Maximum thickness (mm) Preferred thickness (mm) E p1' at the longitudinal edge I s2 2 19 19 E p2' at the longitudinal edge I s1 2 19 19
  • the support 1 comprises parts forming indicators 3, made of a material different from the first material.
  • This material can be the same as the second material, as is the case here, or even be different from the first and second materials.
  • the material of the indicators 3 has a lower cutting difficulty than that of the first material, therefore silicon.
  • the thickness Et of the witnesses 3 is advantageously equal to the thickness Es of the support 1.
  • the cutting wire can more easily come out of the part to be cut 30.
  • the indicators 3 make it possible to ensure that the cutting wire is no longer at the level of the part to be cut 30 when it is present at the level of an indicator 3.
  • the indicators 3 may or may not be regularly distributed longitudinally on the support 1. They are, as in this example, preferably located at the level of the longitudinal ends of the support 1 and optionally at the level of its central part.
  • the thickness Et may have a minimum thickness of 0 mm, a maximum thickness of 19 mm, and a preferred thickness of 19 mm.
  • the embodiment of the figure 7 is a variant of that of figure 4 .
  • the support 1 comprises longitudinal channels 5 for the passage of a cleaning liquid, which are for example evenly distributed in the support 1, possibly overlapping on the first P1 and second P2 parts.
  • the support 1 also includes grooves 6 for mechanical fixing to a steel plate 50, corresponding to the plate carrying the support 1 in the wire cutter.
  • these fixing grooves 6 allow easy mechanical assembly of the support 1 to the plate 50, and the longitudinal channels 5 for the passage of a cleaning liquid allow effective cleaning of the silicon wafers.
  • the figure 8 shows, in a front view, an example of an assembly 40 comprising a steel plate 50, a support 1 according to the invention and a block of silicon 30 to be cut.
  • the support 1 is for example an epoxy support charged with silicon powder by injection.
  • the support 1 made of epoxy loaded with silicon has several advantages. It can in particular make it possible to recover a silicon powder that is less contaminated than when using a conventional support, without having to stop the filtration system, for example centrifugation, before the end of the cut, while allowing better cleaning the wafers and avoiding the phenomenon of tearing of material (or "chipping").
  • the support 1 as shown in figure 8 allows, once the cut is finished, to pass cleaning liquid spray nozzles inside the channels longitudinal passage 5, which allows the liquid to pass between each wafer and therefore makes it possible to obtain a better surface condition, and better cleanliness.
  • This support 1 also makes it possible to avoid sticking and detachment of the support from the steel plate 50 due to a mechanical assembly by means of the fixing grooves 6.
  • FIGS. 9A and 9B are scanning electron microscopy (SEM) images respectively representing pure silicon powder and silicon powder resulting from cutting.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

    DOMAINE TECHNIQUE
  • La présente invention se rapporte au domaine général de la découpe ou sciage par fil à abrasifs liés, notamment par fil diamanté, c'est-à-dire comprenant des grains d'abrasif, notamment des diamants, fixés sur la surface du ou des fils. Elle concerne particulièrement le domaine des supports à la découpe par fil à abrasifs liés.
  • L'invention trouve des applications dans de nombreux domaines de l'industrie, et par exemple dans l'industrie des composants électroniques, des ferrites, des quartz et/ou des silices, par exemple lors de l'obtention en tranches fines de substrats (appelés « galettes » ou plus généralement « wafers » en anglais) de matériaux tels que les matériaux semi-conducteurs, par exemple le silicium cristallin utilisé notamment pour la fabrication de cellules photovoltaïques, la découpe du saphir, de la pierre ou du carbure de silicium, voire d'autres matériaux durs et fragiles.
  • L'invention propose ainsi un système de support pour la découpe par fil liés associé à une pièce à découper, un procédé de découpe par fil à abrasifs liés d'un tel système, et son procédé de fabrication.
    • ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
  • Le document US 2013/112185 A1 divulgue un système comportant un support pour la découpe par fil à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper, le support étant réalisé par un assemblage de matériaux différents,
  • au moins une pièce à découper, où la pièce à découper est réalisée en un premier matériau semi-conducteur, et le premier matériau du support est réparti de manière inhomogène avec les autres matériaux du support.
  • Les dispositifs de découpe par fil (ou scies à fil) comportent classiquement un ou plusieurs fils de découpe, présent(s) sous forme libre ou sous forme d'enroulement(s). Le plus souvent, ils comportent un fil formant une pluralité d'enroulements autour d'organes rotatifs définissant ainsi une nappe de brins du fil, ces brins étant sensiblement parallèles entre eux, la nappe de brins du fil étant encore plus simplement désignée par la suite par l'expression « nappe de fil », fil étant au singulier. Cette nappe de fil est alors susceptible de se déplacer selon un mouvement continu ou alternatif en appui contre une pièce à découper en plusieurs tranches définissant ainsi une zone de découpe. La zone de découpe peut être constituée d'un ensemble de poulies ou cylindres placés parallèlement. Ces cylindres appelés « guide-fils » peuvent être gravés avec une pluralité de gorges définissant l'intervalle entre les brins du fil, autrement dit l'épaisseur des tranches à découper, une fois l'épaisseur du trait de scie retirée. La pièce à découper peut être fixée sur une table support qui se déplace perpendiculairement à la nappe de fil. La vitesse de déplacement définie la vitesse de coupe. Le renouvellement du fil, ainsi que le contrôle de la tension, peuvent se faire dans une partie définissant une zone de gestion du fil, située en dehors de la zone de découpe proprement dite.
  • La découpe de la pièce est rendue possible par les phénomènes d'abrasion provoqués entre le fil et la pièce à découper, éventuellement assistés par l'action d'un élément tiers. Ainsi, comme expliqué plus en détails par la suite, l'agent qui régit la découpe par fil peut par exemple être constitué par un abrasif fixé sur le fil (ou lié au fil), ou un abrasif libre amené par barbotage. Dans ce dernier cas, le fil n'agit que comme transporteur.
  • De plus, lors de la découpe par fil, un lubrifiant sous forme fluidique est généralement utilisé tel que par exemple de l'eau, de l'eau mélangée à un additif, du polyéthylène glycol (PEG), voire un gel, entre autres.
  • Bien que cela ne soit aucunement limitatif, l'invention est tout particulièrement concernée par la découpe du silicium cristallin pour des applications dans le domaine du photovoltaïque et des semi-conducteurs. Dans ce contexte, des dispositifs de découpe par fil peuvent être utilisés dans toutes les étapes de découpe du silicium mises en œuvre pour passer du stade de simples lingots au stade de la formation de substrats (ou « wafers » en anglais), destinés à la fabrication des cellules photovoltaïques. Ainsi, plus précisément, ces étapes comprennent successivement :
    1. i) l'étape de briquetage (encore appelée « squaring » en anglais) qui correspond à la découpe des lingots en briques de section normalisée ;
    2. ii) l'étape d'éboutage (encore appelée « cropping » en anglais) qui consiste à ôter les parties supérieure et inférieure de chaque brique qui contiennent des précipités d'impuretés dues à la cristallisation, et qui sont indésirables pour les étapes de fabrication ultérieures ;
    3. iii) l'étape de découpe (ou encore « wafering » ou « slicing » en anglais) qui permet enfin de former les substrats ou « galettes », à partir des briques tronquées sur leurs parties supérieure et inférieure, présentant une épaisseur variant de 100 à 300 µm.
  • On a ainsi illustré en perspective, respectivement en référence aux figures 1A, 1B et 1C, les trois opérations i) de briquetage, ii) d'éboutage et iii) de découpe décrites ci-dessus de la fabrication de substrats en silicium pour la réalisation de cellules photovoltaïques.
  • Ainsi, comme illustré sur la figure 1A, chaque lingot 30 de silicium est tout d'abord découpé de façon matricielle au cours de l'étape i) de briquetage par les brins 10 du fil de découpe pour l'obtention d'une pluralité de briques 31.
  • Puis, au cours de l'étape ii) d'éboutage illustrée sur la figure 1B, chaque brique 31 est découpée sur ses parties inférieure et supérieure pour éliminer les impuretés issues de la cristallisation.
  • Enfin, comme illustré sur la figure 1C, l'étape iii) de découpe permet l'obtention d'une pluralité de tranches de substrats 32 à partir de chaque brique 31.
  • Il est par ailleurs à noter que les deux premières étapes i) de briquetage et ii) d'éboutage peuvent, le cas échéant, être effectuées sans découpe filaire, et alors généralement à l'aide d'une lame diamantée.
  • Par ailleurs, en fonction du mode d'abrasion mis en jeu, la découpe filaire peut être divisée en deux catégories principales décrites ci-après.
  • Un premier type de découpe filaire est en effet constitué par la découpe à abrasifs libres. Dans ce premier type de découpe filaire, des grains d'abrasif, généralement du carbure de silicium, sont incorporés à une solution spécifique, contenant par exemple du polyéthylène glycol (PEG), formant un liquide de coupe (connu sous l'appellation « slurry » en anglais). Ce liquide de coupe est alors déversé entre deux solides glissant l'un contre l'autre, en l'occurrence le fil de découpe, typiquement en acier, sur la pièce à découper. Les grains d'abrasif sont mis en mouvement grâce au glissement des deux corps l'un contre l'autre, et abrasent ainsi la matière par de multiples micro-indentations provoquées par le roulement des particules abrasives sur la pièce à découper. Ce premier type de découpe filaire correspond donc à un cas d'abrasion dit « à trois corps », constitués par le fil, les grains abrasifs et la pièce à découper.
  • Un deuxième type de découpe filaire est par ailleurs constitué par la découpe à abrasifs liés. Dans ce deuxième type de découpe filaire, des grains d'abrasif, généralement des diamants (d'où l'appellation courant de « découpe par fil diamanté »), sont fixés sur la surface du fil et viennent alors rayer le matériau de la pièce à découper. Ce deuxième type de découpe filaire correspond donc à un cas d'abrasion dit « à deux corps », constitués par le fil abrasif et la pièce à découper.
  • Ce deuxième type de découpe filaire, désigné dans toute la description par l'expression « découpe par fil à abrasifs liés » ou encore « découpe par fil diamanté » lorsque les grains d'abrasif utilisés sont des diamants, est la technique habituellement privilégiée pour la découpe du silicium monocristallin. Elle se retrouve de plus en plus dans le marché de la découpe pour des applications du type photovoltaïque.
  • En effet, la découpe par fil à abrasifs liés présente de nombreux avantages en termes de performance de découpe en comparaison avec la technique de découpe à abrasifs libres décrite précédemment, à savoir notamment : une vitesse de coupe plus élevée, notamment deux à trois fois plus élevée que pour la technique de découpe à abrasifs libres, une simplification des dispositifs de découpe par fil, la possibilité d'intégration de modules de recyclage des résidus de découpe.
  • Comme indiqué par la suite, la présente invention est avantageusement concernée uniquement par cette technique de découpe par fil à abrasifs liés.
  • Par ailleurs, pour la découpe à abrasifs libres, la pièce à découper, par exemple une brique de silicium, est habituellement collée sur un support à la découpe sous forme de plaque de verre. Le fil termine alors la découpe en traversant environ 50 % de l'épaisseur de la plaque de verre de manière à ce que le fil soit entièrement sorti de la pièce à découper. Cette plaque de verre est généralement elle-même collée à une plaque en acier permettant le maintien de l'ensemble dans le dispositif de découpe par fil.
  • Dans le cadre de la découpe par fil à abrasifs liés, la pièce à découper, par exemple une brique de silicium, est habituellement collée sur un support à la découpe qui peut être de différentes natures, par exemple en époxy ou en graphite, entre autres. Dans ce cas, le verre n'est pas utilisé car le fil diamanté découpe difficilement le verre et la flèche du fil, présente lors de la découpe, ne peut se résorber correctement dans le verre. Une partie du matériau constituant le support à la découpe se retrouve donc dans le liquide de coupe après la découpe, avec la poudre de silicium lorsqu'elle est récupérée.
  • De plus, comme pour le premier type de découpe filaire à abrasifs libres, lors de la découpe par fil à abrasifs liés, le fil progresse dans la pièce à découper, en particulier un bloc de silicium, puis dans un support à la découpe de manière à être certain que le fil soit totalement sorti de la pièce, de sorte que les galettes (ou « wafers » en anglais) puissent ensuite être détachées du support. Ce support à la découpe est de même généralement collé, ou bien encore assemblé, par exemple par vissage, à une plaque en acier, permettant le maintien de l'ensemble dans le dispositif de découpe par fil.
  • La composition des supports à la découpe est généralement choisie de telle sorte à opposer moins de résistance à la découpe dans le support que dans la pièce à découper, notamment le silicium. Ceci présente l'avantage de permettre un rattrapage rapide de la flèche du fil lorsque le fil sort de la pièce, en particulier du silicium. Toutefois, cela présente également des inconvénients, et notamment les trois principaux détaillés ci-après.
  • Tout d'abord, comme l'illustre la figure 2 schématiquement selon une vue frontale, lors des derniers instants de la découpe, lorsque le fil 10 est principalement en contact avec le matériau du support à la découpe 1, qui oppose le moins de résistance à la découpe par rapport au matériau de la pièce, notamment le silicium 30, la force verticale exercée par le fil 10 sur la courte longueur de silicium 30 restant à découper a tendance à arracher de la matière, au niveau d'une zone Zp de forte pression sur le silicium 30, créant ainsi des éclats sur le bord des galettes ou « wafers ». Afin d'éviter ce phénomène d'arrachement de matière (encore appelé « chipping » en anglais), un ralentissement de la découpe est généralement utilisé, ce qui diminue la productivité de l'équipement.
  • De plus, comme l'illustre la figure 3 schématiquement selon une vue longitudinale, compte-tenu du fait que le fil neuf alimente la nappe de fil en entrée de nappe et que le fil usé est situé en sortie de nappe, les fils neuf et usé ne sortent pas de la pièce à découper, en particulier du bloc de silicium 30, au même moment. Plus précisément, le fil neuf sort en premier du silicium 30, et le fil usé sort plus tardivement. Ainsi, sur cette figure 3, la référence 10a représente le fil de sortie de nappe qui n'a encore que peu pénétré dans le support à la découpe 1, et la référence 10b représente le fil d'entrée de nappe qui a pénétré dans le support à la découpe 1. Alors, lors de l'utilisation d'un matériau plus facile à la découpe que le silicium 30 pour le support à la découpe 1, ce qui est donc l'usage dans la découpe par fil à abrasifs liés, le fil en entrée se retrouve donc sans flèche alors que le fil en sortie peut, lui, en présenter encore une. Il peut arriver en fonction du matériau découpé, notamment de la composition utilisée, que l'on ne puisse plus descendre l'ensemble formé par la pièce en silicium 30 et le support 1 dans la machine et que le fil en sortie ne soit pas encore sorti de la pièce en silicium 30. Il faut alors dans ce cas effectuer des allers et retours avec le fil sans déplacer la table supportant l'ensemble, au risque que le fil ne cisaille les fines lamelles créées dans le support par le fil en entrée de nappe et que des galettes tombent alors dans la machine.
  • En outre, la composition des supports à la découpe, qui peut être variée, peut contribuer à augmenter de manière significative la contamination des poudres obtenues, notamment des poudres de silicium, qui sont ensuite récupérées pour recyclage.
    • EXPOSÉ DE L'INVENTION
  • Par conséquent, il existe un besoin pour proposer une solution optimisée de support à la découpe par fil. Un tel besoin se fait notamment ressentir dans le cadre de la découpe par fil à abrasifs liés, notamment par fil diamanté, de matériaux semi-conducteurs tels que le silicium pour l'obtention de substrats en « galettes » (« wafers » en anglais), afin notamment de permettre d'améliorer ou de garantir un bon état de surface des galettes sur leur tranche, de permettre de détecter le moment où la flèche du fil se résorbe ou encore d'indiquer le moment où la découpe est terminée, de permettre d'éviter la chute de galettes en entrée de nappe lorsque le rattrapage de la flèche dure trop longtemps, ou encore de permettre de limiter la contamination des poudres de silicium issues de la découpe afin de les recycler.
  • L'invention a pour but de remédier au moins partiellement aux besoins mentionnés ci-dessus et aux inconvénients relatifs aux réalisations de l'art antérieur.
  • L'invention est définie par l'ensemble des caractéristiques de la revendication 1.
  • De façon avantageuse, le support du système selon l'invention n'est donc pas nécessairement plus facile à découper que le matériau dans lequel est réalisée la pièce à découper, à la différence des solutions de l'art antérieur qui utilisent un support réalisé dans un matériau plus facile à découper que celui de la pièce.
  • Par le terme « fil », on désigne trois variantes de réalisation de la découpe par fil, à savoir : soit une nappe de plusieurs fils, désignée par l'expression « nappe de fils », comprenant plusieurs fils distincts tous sensiblement parallèles entre eux, chaque fil formant un enroulement autour d'organes rotatifs ; soit un fil unique formant une boucle unique ; soit un fil unique enroulé plusieurs fois pour former une pluralité d'enroulements autour d'organes rotatifs définissant ainsi une nappe de brins du fil, tous sensiblement parallèles entre eux, cette nappe de brins du fil étant désignée par l'expression « nappe de fil », fil étant au singulier. Le choix dépend alors du type de dispositif de découpe par fil.
  • Grâce à l'invention, il peut être possible d'améliorer significativement les états de surface des galettes sur leur tranche, soit une diminution du phénomène de « chipping ». Il est aussi possible d'augmenter la productivité du dispositif de découpe associé au support. En outre, comme expliqué par la suite, il peut être possible de permettre de détecter le moment où la flèche du fil se résorbe ou d'indiquer le moment où la découpe est terminée. De plus, il peut être possible de limiter la contamination des poudres de silicium issues de la découpe au fil diamanté afin de les recycler. Par ailleurs, comme également détaillé par la suite, il peut être possible de réaliser un meilleur nettoyage des galettes et/ou de faciliter le décollement des galettes du support, grâce à des supports dans lesquels des canaux sont présents et qui permettent le passage d'un liquide de nettoyage.
  • Le support d'un système à la découpe par fil selon l'invention peut en outre comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes prises isolément ou suivant toutes combinaisons techniques possibles.
  • Le support peut tout particulièrement être réalisé par un assemblage de deux matériaux différents, comprenant le premier matériau et un deuxième matériau, le premier matériau étant réparti de manière inhomogène relativement au deuxième matériau.
  • De façon avantageuse, hormis le premier matériau, le support du système peut comporter un matériau, notamment un deuxième matériau, choisi parmi : une résine époxy, un matériau céramique, le graphite, entre autres. Dans le cas d'une résine époxy, elle peut être sélectionnée afin de permettre une facilité de découpe au fil diamant et une contamination minimale de la poudre de silicium obtenue après découpe. Le support peut encore comporter un matériau, notamment un deuxième matériau, à base : époxydes, polyuréthanes, polyesters, polystyrènes, polyéthylènes, polypropylènes, polyamides, polyvinyliques, entre autres. Ce ou ces matériaux peuvent être ou non modifiés, par exemple par insertion d'un groupement organique.
  • Selon l'invention, ladite au moins une pièce à découper comporte un matériau semi-conducteur, notamment du silicium.
  • Selon l'invention, le support comporte aussi un matériau semi-conducteur, notamment du silicium, notamment au moins une partie en silicium et/ou à base de silicium, par exemple un matériau composite contenant du silicium.
  • En particulier, le support du système peut être obtenu par la découpe d'une plaque de silicium à partir d'un lingot de silicium, dont la géométrie, à savoir la largeur et la longueur, dépend du dispositif de découpe utilisé. Cette plaque peut alors être collée à une plaque en acier permettant le maintien de l'ensemble dans le dispositif de découpe par fil.
  • Le support du système peut encore être obtenu par moulage, du silicium liquide étant coulé dans une lingotière permettant d'obtenir le support à la découpe à la géométrie souhaitée.
  • Le support du système peut encore être obtenu par frittage, de la poudre de silicium étant frittée à chaud dans une lingotière permettant d'obtenir le support à la découpe à la géométrie souhaitée.
  • Par ailleurs, le support du système peut comporter un assemblage d'une plaque réalisée en le premier matériau, notamment du silicium, et d'une plaque réalisée en le deuxième matériau, les plaques étant assemblées, notamment collées, entre elles.
  • En particulier, le support du système peut être formé par assemblage, notamment collage, d'une plaque d'un support existant avec une plaque de silicium, de sorte que le fil ne traverse, en fin de découpe, pratiquement que du silicium.
  • De plus, selon l'invention, le support du système est réalisé en un deuxième matériau chargé en poudre du premier matériau, la densité du premier matériau dans le deuxième matériau étant variable, étant notamment réalisé en époxy chargé en poudre de silicium avec une densité variable du silicium dans l'époxy, l'époxy étant notamment chargé en silicium par injection.
  • En outre, le support du système peut comporter des canaux longitudinaux de passage d'un liquide de nettoyage. De même, le support peut comporter des canaux longitudinaux, notamment des rainures, de fixation mécanique à une plaque, notamment une plaque en acier, en particulier d'un ensemble destiné à être intégré à un dispositif de découpe par fil. De tels canaux sont par exemple décrits dans la demande de brevet américain US 2011/0100348 A1 dans le cadre de supports à la découpe en céramique pour une technologie de découpe à abrasifs libres. Au contraire, de façon préférentielle, l'invention utilise ce type de canaux pour un support à la découpe en époxy et pour la technologie de découpe par fil à abrasifs liés, en particulier la découpe par fil diamanté.
  • Par ailleurs, le support du système peut comporter une ou plusieurs parties formant témoins, réalisées en un matériau différent du premier matériau et d'épaisseur égale à l'épaisseur du support, permettant de s'assurer que le fil de découpe n'est plus au niveau de la pièce à découper lorsqu'il est présent au niveau d'une partie formant témoin.
  • De plus, le support du système peut présenter, par observation en vue frontale, une première partie réalisée en le premier matériau, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper, et une deuxième partie réalisée en un deuxième matériau différent du premier matériau, l'épaisseur de la première partie étant décroissante depuis les bords latéraux du support vers la zone centrale du support, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper, et inversement pour l'épaisseur de la deuxième partie.
  • En outre, le support du système peut présenter, par observation en vue longitudinale, une première partie réalisée en le premier matériau, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper, et une deuxième partie réalisée en un deuxième matériau différent du premier matériau, l'épaisseur de la première partie étant croissante depuis un premier bord longitudinal du support vers un deuxième bord longitudinal du support, et inversement pour l'épaisseur de la deuxième partie.
  • Le support du système peut comporter un premier matériau, notamment du silicium, et un deuxième matériau, notamment une résine époxy, le deuxième matériau étant notamment chargé en poudres du premier matériau. La proportion du premier matériau par rapport au deuxième matériau peut être comprise entre 25 et 200 % en masse, et de préférence de l'ordre de 100 % en masse.
  • Par ailleurs, l'invention a également pour objet, selon un autre de ses aspects, un ensemble, caractérisé en ce qu'il comporte un support tel que défini précédemment et une plaque, notamment une plaque en acier, le support étant collé à ladite plaque.
  • De plus, l'invention a pour objet, selon un de ses aspects, un système, caractérisé en ce qu'il comporte un support tel que défini précédemment et au moins une pièce à découper réalisée en un premier matériau semi-conducteur, notamment du silicium.
  • En outre, l'invention a encore pour objet, selon un autre de ses aspects, un procédé de découpe par fil à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper, caractérisé en ce qu'il est mis en œuvre au moyen d'un système tel que défini précédemment, et en ce qu'il comporte l'étape consistant à faire passer le fil de découpe dans un matériau du support dont la difficulté de découpe est identique à celle de la découpe de ladite au moins une pièce à découper.
  • L'invention a aussi pour objet, selon un autre de ses aspects, un procédé de fabrication d'un support d'un système tel que défini précédemment pour la découpe par fil à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper réalisée en un premier matériau, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape de réalisation du support par assemblage de matériaux différents comprenant au moins le premier matériau réparti de manière inhomogène avec les autres matériaux du support.
  • Le procédé peut comporter l'étape d'utilisation de silicium recyclé, provenant de poudres de silicium récupérées à la suite d'une découpe par fil à abrasifs liés, pour la fabrication du support.
  • Le procédé peut encore comporter l'étape d'utilisation d'une plaque de silicium provenant de la découpe d'un lingot de silicium, de moulage et/ou de frittage, pour la fabrication du support.
    • BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
  • L'invention pourra être mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre, d'exemples de mise en œuvre non limitatifs de celle-ci, ainsi qu'à l'examen des figures, schématiques et partielles, du dessin annexé, sur lequel :
    • les figures 1A, 1B et 1C illustrent respectivement en perspective trois étapes classiques de briquetage, d'éboutage et de découpe d'un matériau en silicium pour la fabrication de substrats en silicium à des fins de réalisation de cellules photovoltaïques,
    • la figure 2 illustre, selon une vue frontale partielle, le phénomène d'arrachement de matière provoqué par le fil de découpe à la jonction entre la pièce à découper et le support à la découpe,
    • la figure 3 illustre, selon une vue longitudinale partielle, le cheminement de la nappe de fil dans la pièce à découper fixée au support à la découpe,
    • la figure 4 représente, selon une vue frontale partielle, un exemple de support à la découpe conforme à l'invention,
    • la figure 5 représente, selon une vue longitudinale partielle, un autre exemple de support à la découpe conforme à l'invention, avec présence de la pièce à découper,
    • la figure 6 représente une variante de réalisation du support à la découpe de la figure 5,
    • la figure 7 représente une variante de réalisation du support à la découpe de la figure 4,
    • la figure 8 représente, selon une vue frontale partielle, un exemple d'ensemble comportant un support à la découpe conforme à l'invention, assemblé avec une plaque en acier pour leur positionnement dans un dispositif de découpe par fil, et
    • les figures 9A et 9B sont des clichés de microscopie électronique à balayage (MEB) représentant respectivement de la poudre de silicium pure et de la poudre de silicium issue de découpe.
  • Dans l'ensemble de ces figures, des références identiques peuvent désigner des éléments identiques ou analogues.
  • De plus, les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.
    • EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
  • Les figures 1A à 3 ont déjà été décrites précédemment dans la partie relative à l'état de la technique antérieure.
  • Les figures 4 à 8 décrites ci-après visent à illustrer des exemples de réalisation conformes à l'invention de supports 1 à la découpe par fil à abrasifs liés.
  • De façon préférentielle et en application à tous les exemples décrits ci-après, le terme « fil » désigne ici une nappe de fil.
  • En outre, les grains d'abrasif fixés sur le fil sont préférentiellement des grains de diamant de sorte que les supports d'un système selon l'invention peuvent être considérés comme étant des supports 1 à la découpe par fil diamanté.
  • De plus, la pièce à découper 30 comporte un matériau fragile semi-conducteur, tel que le silicium cristallin, et la découpe de cette pièce 30 est effectuée à des fins de fabrication de modules photovoltaïques.
  • Bien entendu, tous les choix évoqués ci-dessus ne sont aucunement limitatifs de l'invention telle que définie par les revendications.
  • Lors de la découpe des briques de silicium en galettes, une grande partie du silicium est aujourd'hui perdue. Même avec un procédé de découpe selon l'art antérieur, prévoyant notamment une épaisseur d'environ 180 µm pour les galettes et un diamètre du fil d'environ 80 µm, on estime qu'environ 36 % du silicium est perdu lors de la découpe, c'est-à-dire que les copeaux de silicium se mélangent au liquide de coupe, constitué principalement d'eau et d'additifs chimiques.
  • Avec la technologie de découpe à abrasifs libres, les études sur le recyclage du silicium montrent que ce recyclage n'est pas intéressant, ni économiquement, ni environnementalement. En fait, le coût du recyclage est trop élevé, les rendements sont trop faibles, et cela impose l'utilisation de produits chimiques dangereux.
  • Au contraire, avec la technologie de découpe par fil à abrasifs liés, le recyclage peut s'avérer intéressant à plusieurs points de vue. En particulier, les inventeurs ont remarqué qu'il était possible de récupérer une poudre de silicium de bonne qualité. Ils ont également constaté que, par exemple pour un support à la découpe réalisé en époxy chargé de particules d'alumine, contenant donc les éléments chimiques aluminium (Al), sodium (Na) et phosphore (P), la traversée du support par le fil diamanté, constitué d'un cœur en acier contenant du fer (Fe) et d'un revêtement en nickel (Ni) contenant des particules de diamant, en fin de découpe engendre une contamination importante de la poudre en silicium avec les éléments Al, Na et P. Ce constat a pu être établi en faisant un comparatif de la composition chimique de la poudre récoltée en arrêtant le système de filtration, notamment la centrifugation, permettant de récolter la poudre avant que le fil n'entame le support en époxy ou en laissant la centrifugation jusqu'en fin de coupe, autrement dit en permettant au support en époxy d'être découpé.
  • Toutefois, pour éviter la contamination en Al, Na et P de la poudre de silicium, l'arrêt de la centrifugation ou de tout autre système de filtration pour récolter la poudre en ligne juste avant que le fil n'entame le support n'est pas une solution très pratique dans un environnement industriel. En effet, de nombreuses machines fonctionnent généralement en même temps, qui peuvent utiliser un système centralisé d'alimentation en liquide de coupe, et la gestion de l'arrêt de la filtration sur plusieurs équipements et l'évitement de la contamination du liquide de coupe « propre » par un liquide de coupe « contaminé » serait donc très difficile à réaliser, voire pratiquement impossible à faire.
  • Aussi, il va maintenant être décrit, en référence aux figures 4 à 8, des supports 1 de systèmes conformes à l'invention permettant de répondre au moins en partie aux besoins énoncés précédemment.
  • Tout d'abord, en référence à la figure 4, on a représenté, selon une vue frontale partielle, un premier exemple de support 1 à la découpe d'un système à conforme à l'invention.
  • Le support 1 est réalisé par l'assemblage d'une première partie P1 en un premier matériau avec une deuxième partie P2 en un deuxième matériau, le premier matériau étant en configuration inhomogène relativement au deuxième matériau.
  • De façon préférentielle, le premier matériau est du silicium, comme pour la pièce à découper 30. Le deuxième matériau peut être un matériau classiquement utilisé pour un support à la découpe, soit un matériau dont la découpe est plus facile que pour le silicium, par exemple une résine époxy, du graphite, un matériau céramique, entre autres. Il peut également s'agir d'u matériau à base époxydes, polyuréthanes, polyesters, polystyrènes, polyéthylènes, polypropylènes, polyamides, polyvinyliques, entre autres, pouvant être ou non modifiés, par exemple par insertion d'un groupement organique.
  • De façon avantageuse, le silicium constituant le premier matériau peut provenir d'un recyclage de poudre de silicium issue d'une découpe par fil diamanté précédente.
  • Dans cet exemple de réalisation de la figure 4, le support 1 présente, par observation en vue frontale, une première partie P1, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper 30, dont l'épaisseur Ep1 est décroissante depuis chaque bord latéral Ls du support 1 vers la zone centrale ZC du support 1, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper 30. L'épaisseur Ep2 de la deuxième partie P2 est quant à elle croissante depuis chaque bord latéral Ls du support 1 vers la zone centrale ZC du support 1. De cette façon, l'interface entre les premier et deuxième matériaux forme un « V » inversé. Ainsi, on adapte longitudinalement la difficulté de découpe du support 1, celui-ci étant plus difficile à découper à ses extrémités latérales Ls qu'au niveau de sa partie centrale ZC.
  • Le tableau 1 ci-dessous illustre des exemples d'épaisseurs minimale, maximale ou préférentielle en fonction du matériau choisi pour la première partie P1 et la deuxième partie P2 : Tableau 1
    Matériau Epaisseur minimale (mm) Epaisseur maximale (mm) Epaisseur préférentielle (mm)
    P1 en silicium ou en résine + silicium
    Ep1 2 19 10
    Ep1 au niveau d'un bord latéral Ls 2 19 12
    Ep1 au niveau de la partie centrale Zc 2 12 5
    P2 en résine ou en résine + silicium
    Ep2 2 19 10
    Ep2 au niveau de la partie centrale Zc 7 18 15
    Ep2 au niveau d'un bord latéral Ls 7 18 10
  • Dans l'exemple de la figure 5, le support 1 comporte une première partie P1' en un premier matériau, qui peut être semblable à celui de l'exemple de la figure 4, et une deuxième partie P2' en un deuxième matériau, qui peut être semblable à celui de l'exemple de la figure 4.
  • Dans cet exemple, le support 1 présente, par observation en vue longitudinale, une première partie P1' dont l'épaisseur Ep1' est croissante depuis un premier bord longitudinal Is1 du support 1 vers un deuxième bord longitudinal Is2 du support 1, tandis que l'épaisseur Ep2' de la deuxième partie P2' est quant à elle décroissante depuis ce même premier bord longitudinal Is1 du support 1 vers ce même deuxième bord longitudinal Is2 du support 1.
  • Ainsi, la difficulté de découpe du support 1 est tout d'abord la plus faible en début de découpe, puis elle augmente jusqu'à être maximale en fin de découpe.
  • En reprenant respectivement pour P1', P2', Ep1' et Ep2' les exemples donnés précédemment dans le tableau 1 pour P1, P2, Ep1 et Ep2, le tableau 2 ci-dessous illustre des exemples d'épaisseurs minimale, maximale ou préférentielle obtenues : Tableau 2
    Epaisseur minimale (mm) Epaisseur maximale (mm) Epaisseur préférentielle (mm)
    Ep1' au niveau du bord longitudinal Is2 2 19 19
    Ep2' au niveau du bord longitudinal Is1 2 19 19
  • L'exemple de réalisation de la figure 6 est une variante de celui de la figure 5. Dans cet exemple, le support 1 comporte des parties formant témoins 3, réalisées en un matériau différent du premier matériau. Ce matériau peut être le même que le deuxième matériau, comme c'est le cas ici, ou bien encore être différent des premier et deuxième matériaux. De façon avantageuse, le matériau des témoins 3 présente une difficulté de découpe plus faible que celle du premier matériau, donc du silicium.
  • L'épaisseur Et des témoins 3 est avantageusement égale à l'épaisseur Es du support 1. De ce fait, au niveau d'un témoin 3, le fil de découpe peut plus facilement sortir de la pièce à découper 30. Autrement dit, les témoins 3 permettent de s'assurer que le fil de découpe n'est plus au niveau de la pièce à découper 30 lorsqu'il est présent au niveau d'un témoin 3. Les témoins 3 peuvent être ou non régulièrement répartis longitudinalement sur le support 1. Ils sont, comme dans cet exemple, préférentiellement situés au niveau des extrémités longitudinales du support 1 et éventuellement au niveau de sa partie centrale.
  • En reprenant les valeurs prises pour P1, P2, Ep1, Ep2, P1', P2', Ep1' et Ep2' dans les tableaux 1 et 2 précédents, l'épaisseur Et peut avoir une épaisseur minimale de 0 mm, une épaisseur maximale de 19 mm, et une épaisseur préférentielle de 19 mm.
  • Par ailleurs, l'exemple de réalisation de la figure 7 est une variante de celui de la figure 4. Dans cet exemple, le support 1 comporte des canaux longitudinaux 5 de passage d'un liquide de nettoyage, qui sont par exemple répartis régulièrement dans le support 1, pouvant être en chevauchement sur les première P1 et deuxième P2 parties.
  • De plus, le support 1 comporte également des rainures 6 de fixation mécanique à une plaque en acier 50, correspondant à la plaque portant le support 1 dans le dispositif de découpe par fil.
  • De façon avantageuse, ces rainures de fixation 6 permettent un assemblage mécanique aisé du support 1 à la plaque 50, et les canaux longitudinaux 5 de passage d'un liquide de nettoyage permettent un nettoyage efficace des galettes de silicium.
  • La figure 8 représente, selon une vue frontale, un exemple d'ensemble 40 comportant une plaque en acier 50, un support 1 conforme à l'invention et un bloc de silicium 30 à découper.
  • Le support 1 est par exemple un support en époxy chargé en poudre de silicium par injection.
  • En comparaison avec un support en époxy chargé en alumine, le support 1 réalisé en époxy chargé en silicium présente plusieurs avantages. Il peut notamment permettre de récupérer une poudre de silicium moins contaminée que lors de l'utilisation d'un support classique, sans avoir à arrêter le système de filtration, par exemple la centrifugation, avant la fin de la découpe, tout en permettant un meilleur nettoyage des galettes et en évitant le phénomène d'arrachement de matière (ou « chipping »). En effet, le support 1 tel que représenté à la figure 8 permet, une fois la découpe finie, de faire passer des buses d'aspersion de liquide de nettoyage à l'intérieur des canaux longitudinaux de passage 5, ce qui permet de faire passer le liquide entre chaque galette et permet donc d'obtenir un meilleur état de surface, et une meilleure propreté. Ce support 1 permet également d'éviter le collage et le décollement du support à la plaque d'acier 50 du fait d'un assemblage mécanique par le biais des rainures de fixation 6.
  • Par ailleurs, les figures 9A et 9B sont des clichés de microscopie électronique à balayage (MEB) représentant respectivement de la poudre de silicium pure et de la poudre de silicium issue de découpe.
  • Par comparaison de ces clichés, on constate que les morphologies du silicium pur et du silicium issu de découpe sont différentes.
  • Aussi, il existe une différence structurelle/morphologique entre la poudre de silicium pure, qui présente une morphologie sphérique, et la poudre de silicium récupérée à la suite d'une découpe par fil, qui présente une morphologie de type copeaux.
  • Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits. Diverses modifications peuvent y être apportées par l'homme du métier dans le cadre de l'invention telle que définie par les revendications.

Claims (13)

  1. Système comportant :
    - un support (1) pour la découpe par fil (10) à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper (30), le support (1) étant réalisé par un assemblage de matériaux différents,
    - au moins une pièce à découper (30), la pièce à découper (30) étant réalisée en un premier matériau semi-conducteur, l'assemblage de matériaux différents du support comprend au moins le premier matériau de la pièce, et le premier matériau du support (1) est réparti de manière inhomogène avec les autres matériaux du support (1), le support (1) étant réalisé en un deuxième matériau chargé en poudre du premier matériau, la densité du premier matériau dans le deuxième matériau étant variable.
  2. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support (1) est réalisé par un assemblage de deux matériaux différents, comprenant le premier matériau et le deuxième matériau, le premier matériau étant réparti de manière inhomogène relativement au deuxième matériau.
  3. Système selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le support (1) comporte du silicium, notamment au moins une partie en silicium et/ou à base de silicium, par exemple un matériau composite contenant du silicium.
  4. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) comporte un assemblage d'une plaque réalisée en le premier matériau, notamment du silicium, et d'une plaque réalisée en le deuxième matériau, les plaques étant assemblées, notamment collées, entre elles.
  5. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) est réalisé en époxy chargé en poudre de silicium avec une densité variable du silicium dans l'époxy, l'époxy étant notamment chargé en silicium par injection.
  6. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) comporte des canaux longitudinaux (5) de passage d'un liquide de nettoyage.
  7. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) comporte des canaux longitudinaux (6), notamment des rainures, de fixation mécanique à une plaque (50), notamment une plaque en acier.
  8. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) comporte une ou plusieurs parties formant témoins (3), réalisées en un matériau différent du premier matériau et d'épaisseur (Et) égale à l'épaisseur (Es) du support (1), permettant de s'assurer que le fil de découpe n'est plus au niveau de la pièce à découper (30) lorsqu'il est présent au niveau d'une partie formant témoin (3).
  9. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) présente, par observation en vue frontale, une première partie (P1) réalisée en le premier matériau, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper (30), et une deuxième partie (P2) réalisée en le deuxième matériau différent du premier matériau, l'épaisseur (Ep1) de la première partie (P1) étant décroissante depuis les bords latéraux (Ls) du support (1) vers la zone centrale (ZC) du support (1), destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper (30), et inversement pour l'épaisseur (Ep2) de la deuxième partie (P2).
  10. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le support (1) présente, par observation en vue longitudinale, une première partie (P1') réalisée en le premier matériau, destinée à être en vis-à-vis de la pièce à découper (30), et une deuxième partie (P2') réalisée en le deuxième matériau différent du premier matériau, l'épaisseur (Ep1') de la première partie (P1') étant croissante depuis un premier bord longitudinal (Is1) du support (1) vers un deuxième bord longitudinal (Is2) du support (1), et inversement pour l'épaisseur (Ep2') de la deuxième partie (P2').
  11. Procédé de découpe par fil (10) à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper (30), caractérisé en ce qu'il est mis en œuvre au moyen d'un support (1) de découpe par fil (10) d'un système selon l'une quelconque des revendications précédentes, et en ce qu'il comporte l'étape consistant à faire passer le fil de découpe (10) dans un matériau du support (1) dont la difficulté de découpe est identique à celle de la découpe de ladite au moins une pièce à découper (30).
  12. Procédé de fabrication d'un support (1) d'un système selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 pour la découpe par fil (10) à abrasifs liés d'au moins une pièce à découper (30) réalisée en le premier matériau, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape de réalisation du support (1) par assemblage de matériaux différents comprenant au moins le premier matériau réparti de manière inhomogène avec les autres matériaux du support (1).
  13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte l'étape d'utilisation de silicium recyclé, provenant de poudres de silicium récupérées à la suite d'une découpe par fil à abrasifs liés, pour la fabrication du support (1), et/ou l'étape d'utilisation d'une plaque de silicium provenant de la découpe d'un lingot de silicium, de moulage et/ou de frittage, pour la fabrication du support (1).
EP18180687.8A 2017-07-03 2018-06-29 Support pour la découpe par fil à abrasifs liés comportant un assemblage de matériaux différents, système comportant un tel support et une pièce et procédés de découpe par fil Active EP3424663B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1756267A FR3068276B1 (fr) 2017-07-03 2017-07-03 Support a la decoupe par fil a abrasifs lies comportant un assemblage de materiaux differents

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3424663A1 EP3424663A1 (fr) 2019-01-09
EP3424663B1 true EP3424663B1 (fr) 2022-03-30

Family

ID=59859312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP18180687.8A Active EP3424663B1 (fr) 2017-07-03 2018-06-29 Support pour la découpe par fil à abrasifs liés comportant un assemblage de matériaux différents, système comportant un tel support et une pièce et procédés de découpe par fil

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP3424663B1 (fr)
ES (1) ES2916844T3 (fr)
FR (1) FR3068276B1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3095771B1 (fr) * 2019-05-06 2021-06-04 Commissariat Energie Atomique Support sacrificiel en materiau polymere biodegradable pour decouper une piece au fil a abrasif

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH698391B1 (fr) * 2003-12-17 2009-07-31 Applied Materials Switzerland Dispositif de sciage par fil.
EP2111960B1 (fr) * 2008-04-23 2011-03-09 Applied Materials Switzerland SA Plaque d'assemblage pour dispositif à scier à fil, dispositif de scie à fil la comportant, et processus de scie à fil effectué par le dispositif
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
EP2477777A1 (fr) * 2009-09-18 2012-07-25 Applied Materials, Inc. Dispositif de support de pièce pour scie à fil, élément d'espacement de support et procédé de sciage associé
DE102010031364A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Träger für einen Siliziumblock, Trägeranordnung mit einem solchen Träger und Verfahren zur Herstellung einer solchen Trägeranordnung
DE102013204113A1 (de) * 2013-03-11 2014-09-11 SolarWorld Industries Thüringen GmbH Verfahren und Maschinenträger zur Herstellung von dünnen Scheiben aus einem Materialblock
US9205572B1 (en) * 2014-05-28 2015-12-08 National Tsing Hua University Ingot cutting method capable of reducing wafer damage percentage

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
FR3068276B1 (fr) 2019-08-30
EP3424663A1 (fr) 2019-01-09
ES2916844T3 (es) 2022-07-06
FR3068276A1 (fr) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6366783B2 (ja) ワークピースから特に均一な厚さの多数のスライスを同時に切り出すための方法
US8261730B2 (en) In-situ wafer processing system and method
EP1464461B1 (fr) Procédé et dispositif de sciage par fil
JP7797541B2 (ja) ワークピースから複数のディスクを同時に切り出すための方法
EP3424663B1 (fr) Support pour la découpe par fil à abrasifs liés comportant un assemblage de matériaux différents, système comportant un tel support et une pièce et procédés de découpe par fil
EP1437209A1 (fr) Dispositif de sciage par fil
WO2009153877A1 (fr) Barre de découpage pour découpage de lingot, lingot auquel est fixée une barre de découpage, et procédé de découpage de lingot à l'aide d'une barre de découpage
KR101303552B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 양면을 화학적으로 그라인딩하는 방법
EP0788859A1 (fr) Dispositif de sciage par fil
KR20150004476A (ko) 태양광 발전용 초박형 실리콘 웨이퍼 제조 방법
EP1555101A1 (fr) Dispositif de sciage par fil
KR101897082B1 (ko) 잉곳 절단 장치 및 잉곳 절단 방법
EP3946867B1 (fr) Procédé de recyclage
US7115443B2 (en) Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method
BE1006484A3 (fr) Procede et dispositif de sciage par nappe de fils.
TW201834050A (zh) 晶圓的製造方法
EP3402642B1 (fr) Procédé et système de découpe en tranches d'une pièce en matériau semi-conducteur ou en céramique, à l'aide d'un fil de découpe et de particules abrasives
JP5196604B2 (ja) インゴットスライシング用フレットバーを用いたインゴットの切断方法及び該フレットバーを貼着したインゴット
CH692138A5 (fr) Installation de tranchage avec dispositif de traitement de la barbotine.

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20180629

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20191220

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20211021

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1478762

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20220415

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 602018032845

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: FRENCH

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FG2A

Ref document number: 2916844

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: T3

Effective date: 20220706

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG9D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220630

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20220330

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: MK05

Ref document number: 1478762

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20220330

Ref country code: NO

Ref legal event code: T2

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220701

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220801

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: AT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220730

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 602018032845

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

REG Reference to a national code

Ref country code: BE

Ref legal event code: MM

Effective date: 20220630

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20220630

26N No opposition filed

Effective date: 20230103

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220629

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220630

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220629

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220630

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220630

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20220630

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20180629

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20250618

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NO

Payment date: 20250617

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20250623

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Payment date: 20250718

Year of fee payment: 8

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20220330