ES1057859U - Dispositivo de apriete para semiconductores. - Google Patents

Dispositivo de apriete para semiconductores.

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Abstract

1. Dispositivo de apriete para semiconductores; siendo dicho dispositivo de los que comprenden dos mordazas de apriete (1, 2), rígidas o flexibles, que se relacionan entre sí por medio de unos tornillos (3) y tuercas de apriete (4), y que actúan directa o indirectamente sobre unas placas disipadoras (6, 7) sensiblemente paralelas, que actúan sobre los laterales o caras o opuestas de un semiconductor de potencia (5) en formato disco, estableciendo el apriete del mismo, caracterizado porque comprende entre, al menos, una de las mordazas de apriete (2) y la correspondiente placa disipadora (7), dos piezas (8, 9) cuyas superficies enfrentadas (83, 91), de contacto mutuo, son respectivamente curvoconvexa y curvocóncava, presentando ambas superficies (83, 91) idénticos radios de curvatura para asegurar su autocentraje durante el apriete de las mordazas (1, 2), la transmisión de la fuerza de apriete a las placas disipadoras (6, 7) en una dirección axial y la actuación de las placas disipadoras (6,7) con una presión uniforme sobre la totalidad de las superficies o caras opuestas del semiconductor (5).

Description

Dispositivo de apriete para semiconductores.
Objeto de la invención
La presente invención se refiere como su título indica a un dispositivo de apriete para semiconductores, siendo dicho dispositivo de los que comprenden dos mordazas, rígidas o flexibles, que se relacionan entre sí por medio de unos tornillos y tuercas de apriete y que actúan directa o indirectamente sobre unas placas disipadoras, sensiblemente paralelas, entre las que se encuentra situado un semiconductor de potencia en formato disco.
Antecedentes de la invención
Los semiconductores de potencia en formato disco, que se refrigeran por las dos caras, necesitan trabajar bajo una cierta fuerza de compresión, entre unos límites definidos, con el objeto de asegurar la transferencia térmica, la vida en condiciones cíclicas de trabajo y el contacto eléctrico.
En estos semiconductores es necesario que la fuerza aplicada sobre los mismos sea ejercida de modo uniforme sobre toda su superficie, siendo estas condiciones especialmente críticas para los transistores tipo "IGBT" y otros semiconductores de última generación.
Para realizar el montaje de estos semiconductores de potencia se utilizan actualmente diferentes dispositivos de apriete o útiles mecánicos (prensas) que permiten ejercer y mantener esta fuerza de compresión durante toda la vida útil del dispositivo.
Estos dispositivos de apriete incluyen habitualmente dos mordazas de apriete que se relacionan entre sí por medio de unos tornillos y tuercas de apriete, siendo dichas mordazas las encargadas de establecer el apriete de dos piezas disipadoras contra los laterales o superficies opuestas de un semiconductor.
En algunos de estos dispositivos o prensas de apriete una de las mordazas está compuesta por un muelle plano o ballesta que actúa con un punto central sobre la correspondiente placa disipadora, al ser flexionada la ballesta por la acción sobre sus extremos, de los tornillos o tuercas de apriete, que tienden a desplazarlos hacia la mordaza opuesta.
En otros dispositivos o prensas existentes se utilizan dos mordazas sensiblemente rígidas, transmitiéndose el empuje de una de dichas mordazas a la correspondiente placa disipadora por medio de un empujador que establece un contacto prácticamente puntual sobre dicha placa disipadora y que se encuentra relacionado con la mordaza correspondiente por medio de unos resortes de platillo; presentando este sistema la ventaja de que se puede tarar la prensa o dispositivo de apriete cuando se fabrica, pudiendo incluir además un indicador en forma de arandela o galga que queda suelta cuando se llega a la fuerza correcta.
Un ejemplo de prensa para el montaje de semiconductores de este segundo tipo, es decir, provista de mordazas de apriete rígidas y de un empujador montado sobre una de las mordazas por medio de unos resortes de platillo, se encuentra descrita y representada en el modelo de utilidad 204881.
En este tipo de dispositivos de apriete, para compensar las posibles diferencias de apriete de los tornillos y conseguir una aplicación más o menos uniforme del empuje de la mordaza sobre la correspondiente placa disipadora, dicho empuje se transmite, como ya se ha mencionado anteriormente, mediante un vástago o un punto de apoyo central.
Sin embargo, la utilización de estos elementos para transmitir el empuje de la mordaza a la correspondiente placa disipadora, presenta diferentes inconvenientes siendo de destacar los siguientes: de una parte, que al realizar la presión sobre un punto debe intercalarse entre el mencionado vástago o elemento transmisor del empuje un material rígido de grosor adecuado para transmitir este esfuerzo a toda la superficie del semiconductor, de otra parte, que tras el apriete, especialmente con elevadas fuerzas de compresión, se produce una deformación plástica en el punto de contacto, que afecta al comportamiento del conjunto y, finalmente, que en la práctica los tornillos o espárragos de apriete sirven de guiado para que el apoyo se sitúe en el eje central de los semiconductores, pero se producen errores y desalineaciones con lo que el montaje es a veces dificultoso.
Descripción de la invención
Para solventar los problemas mencionados se ha ideado el dispositivo de apriete para semiconductores objeto de la presente invención que presenta unas particularidades constructivas orientadas a evitar deformaciones en las zonas de aplicación de la fuerza de apriete, a asegurar la transmisión de forma homogénea de la fuerza de apriete a toda la superficie del semiconductor y a asegurar el autocentrado de la fuerza de apriete, aunque la mordaza encargada de transmitir dicha fuerza de apriete no se encuentre perfectamente paralela a la superficie del semiconductor debido, por ejemplo a un apriete desigual de los tornillos que la vinculan con la mordaza opuesta.
Para ello, y de acuerdo con la invención, este dispositivo de apriete comprende entre, al menos una de las mordazas de apriete y la correspondiente placa disipadora dos piezas cuyas superficies enfrentadas, de contacto mutuo, son respectivamente curvocóncava y curvoconvexa, presentando ambas superficies idénticos radios de curvatura para asegurar su autocentraje durante el apriete del dispositivo y la actuación de las placas disipadoras con una presión uniforme sobre las superficies o caras opuestas del semiconductor.
Preferentemente una de las piezas mencionadas se encontrará fijada, por medio de un elemento de apriete y con la interposición de unos platillos elásticos, a la mordaza de empuje, con lo que se asegura su retención en la posición de montaje. La otra pieza, de superficie curva complementaria está provista de una base plana para su apoyo, directo o con la interposición de una pieza de material aislante, sobre la superficie exterior de una de las placas disipadoras entre las que se encuentra dispuesto el semiconductor a apretar.
La configuraciones curvas y contrapuestas de las superficies de contacto de las dos piezas mencionadas asegura su contacto sobre una superficie suficientemente elevada para impedir deformaciones puntuales, además de asegurar la transmisión de la fuerza de apriete en una dirección axial respecto al semiconductor, con lo que se asegura que la fuerza de apriete sea uniforme sobre la totalidad de las superficies o caras opuestas de dicho semiconductor.
Descripción de las figuras
Para complementar la descripción que se está realizando y con objeto de facilitar la comprensión de las características de la invención, se acompaña a la presente memoria descriptiva un juego de dibujos en los que, con carácter ilustrativo y no limitativo, se ha representado lo siguiente:
- La figura 1 muestra una vista esquemática en alzado, parcialmente seccionada, de un ejemplo de realización del dispositivo de apriete para semiconductores objeto de la invención.
- La figura 2 muestra un detalle ampliado y parcialmente seccionado de las piezas empleadas para transmitir la fuerza de apriete de una de las mordazas, concretamente la superior, a una de las placas disipadoras que actúa sobre el semiconductor.
Realización preferente
En el ejemplo mostrado en la figura 1, el dispositivo de apriete dispone de una mordaza inferior (1) y de una mordaza superior (2) que se encuentran relacionadas entre sí por medio de unos tornillos (3) y tuercas (4) de apriete. Entre las mordazas (1 y 2) se encuentran dispuestos un semiconductor (5) de potencia en formato disco y dos placas disipadoras (6, 7) que deben aplicar una fuerza de apriete uniforme sobre las superficies o caras opuestas del semiconductor (5) para asegurar la transferencia térmica y el contacto eléctrico entre dichas placas (6, 7) y el semiconductor (5).
En el ejemplo de realización mostrado en las figuras, entre la mordaza superior y la placa disipadora (7) se dispone una primera pieza (8) que se encuentra fijada a la mordaza (12) mediante un vástago roscado (81) y la correspondiente tuerca de apriete (82), definiendo la mencionada pieza (8) en su extremo una superficie curvoconvexa (83) a modo de casquete esférico.
Entre la mencionada pieza (8) y la placa disipadora (7) se dispone una segunda pieza (9) que presenta en la superficie enfrentada a la pieza (8) un asiento curvocóncavo (91), también a modo de casquete esférico y cuyo radio de curvatura coincide con el de la cabeza o superficie extrema (83) de la pieza (8). La pieza (9) presenta en su superficie inferior una base plana (92) para su apoyo estable, bien directamente o bien con la interposición de un cuerpo de material aislante, sobre la placa disipadora (7).
Las configuraciones curvoconvexa y curvocóncava de las superficies de contacto (83, 91) de las piezas (8 y 9) proporciona importantes ventajas de uso al dispositivo de apriete para semiconductores objeto de esta invención, entre las que cabe destacar: la actuación de la pieza (8) sobre la totalidad de la superficie del asiento curvocóncavo (91) de la pieza (9), aunque la mordaza superior (12) no se encuentre perfectamente paralela al semiconductor (5) debido a un apriete desigual de las tuercas (4) tal como se ha representado intencionadamente en la figura 1, el autocentrado de la fuerza transmitida a la placa disipadora (7) con lo que dicha fuerza de apriete será repartida de modo uniforme sobre toda la superficie del semiconductor (5), y la eliminación de fuerzas puntuales en los elementos transmisores de la fuerza de compresión, evitando deformaciones en los mismos.
Una vez descrita suficientemente la naturaleza de la invención, se hace constar que en la misma se podrán introducir las modificaciones que se consideren oportunas, siempre y cuando ello no suponga una alteración de las características esenciales de la invención que se reivindican a continuación.

Claims (2)

1. Dispositivo de apriete para semiconductores; siendo dicho dispositivo de los que comprenden dos mordazas de apriete (1, 2), rígidas o flexibles, que se relacionan entre sí por medio de unos tornillos (3) y tuercas de apriete (4), y que actúan directa o indirectamente sobre unas placas disipadoras (6, 7) sensiblemente paralelas, que actúan sobre los laterales o caras o opuestas de un semiconductor de potencia (5) en formato disco, estableciendo el apriete del mismo, caracterizado porque comprende entre, al menos, una de las mordazas de apriete (2) y la correspondiente placa disipadora (7), dos piezas (8, 9) cuyas superficies enfrentadas (83, 91), de contacto mutuo, son respectivamente curvoconvexa y curvocóncava, presentando ambas superficies (83, 91) idénticos radios de curvatura para asegurar su autocentraje durante el apriete de las mordazas (1, 2), la transmisión de la fuerza de apriete a las placas disipadoras (6, 7) en una dirección axial y la actuación de las placas disipadoras (6, 7) con una presión uniforme sobre la totalidad de las superficies o caras opuestas del semiconductor (5).
2. Dispositivo, según la reivindicación 1, caracterizado porque la pieza (9) presenta una base plana (92) para su apoyo directo, o por medio de una pieza de material aislante, sobre la placa disipadora (7).
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