ES2224088T3 - Rele semiconductor de potencia con contacto de presion. - Google Patents

Rele semiconductor de potencia con contacto de presion.

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ES2224088T3 ES03011570T ES03011570T ES2224088T3 ES 2224088 T3 ES2224088 T3 ES 2224088T3 ES 03011570 T ES03011570 T ES 03011570T ES 03011570 T ES03011570 T ES 03011570T ES 2224088 T3 ES2224088 T3 ES 2224088T3
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Abstract

Relé semiconductor comprendiendo un sustrato cerámico (10) con una superficie (14) estructurada recubierta de metal, componentes semiconductores (16) dispuestos de forma adecuada para la conexión, a una carcasa (22, 24) de varias piezas con escotaduras (240) para la fijación sobre un cuerpo base o de refrigeración, superficies de contacto (142) del sustrato (10) a los elementos de conexión de potencia (34) que lleva a los elementos de contacto (40), de otras superficies de contacto (144) del sustrato a elementos de conexión (36) que llevan a un elemento de conexión auxiliar (334, 36) a un dispositivo de mando (50), estando realizados estos elementos de conexión (34, 36) elásticos en una sección parcial, estos elementos de conexión (34, 36) están contactados mediante pasos y/o escotadura (224, 226) del primer cuerpo (22) y/o otro cuerpo parcial (24) de la carcasa con el sustrato y estos elementos de conexión (34, 36) así como los elementos de contacto están fijados en su posición por una primera pieza de la carcasa, unidos entre sí, mediante una conexión (22) y otra conexión (24) elásticas.

Description

Relé semiconductor de potencia con contacto de presión.
La presente invención describe la estructura de un relé semiconductor como alternativa de coste ventajoso y potente a los componentes electromecánicos del estado actual de la técnica descrito muchas veces. Los relés de semiconductores se utilizan para la maniobra definida de una conexión de mando de una carga de corriente alterna. La estructura de principio de tales relés semiconductores de interruptores en conexión antiparalela es desde hace mucho tiempo conocida.
La estructura interna de un relé semiconductor se conoce, por ejemplo, por el documento DE 43 13 882 C1. La estructura mecánica, según el estado actual de la técnica presenta un sustrato, generalmente con placa base. Sobre este sustrato se han dispuesto y unidos los interruptores de semiconductores con un circuito adecuado. Además, los semiconductores, según el estado de la técnica, presenta un dispositivo de mando para la excitación del interruptor semiconductor. El dispositivo de mando, así como el sustrato o los interruptores semiconductores que se encuentran en él están unido entre sí mediante conexiones rígidas soldadas. Los elementos de contacto para la conexión de los conductores de corriente externos a conectar están asimismo unidos mediante elementos de conexión soldados con el sustrato o los interruptores semiconductores.
Es desventajoso en el estado actual de la técnica que el proceso de fabricación comprende una pluralidad de procesos de soldadura individuales de conexiones rígidas y de este modo no es fácilmente accesibles toda la estructura a una fabricación racional. Es desventajoso, además, que los contacto soldados con uniones rígidas se limitan en su duración, especialmente con un gran número de cambios de temperatura.
La presente invención tiene por objetivo proponer un relé semiconductor, que comprende, un sustrato con componentes semiconductores dispuestos en él, una carcasa, así como elementos de conexión y elementos de contacto, sustituyendo las conexiones rígidas de la técnica de soldadura a los elementos de conexión mediante alternativas duraderas, que permiten un contactado eléctrico seguro durante toda la vida, así como un contactado térmico seguro con un cuerpo base o de refrigeración y que es accesible a un procedimiento de fabricación simple que se puede automatizar.
El objetivo se consigue mediante las medidas de la reivindicación 1. Otras configuraciones ventajosas se citan en las subreivindicaciones.
La idea base de la invención es proponer un relé semiconductor, con contactos de presión, con un cuerpo base o de refrigeración, formado de un sustrato cerámico (10), una carcasa de varias piezas y los elementos de contacto y de conexión dispuestas allí y de un dispositivo de mando para la excitación de los componentes semiconductores.
El sustrato es de un cuerpo base cerámico, con una superficie recubierta de metal estructurada y dispuesta adecuada para la conexión y en parte con otros componentes semiconductores unidos con las otras piezas de la superficie recubierta de metal y ventajosamente otros componentes, por ejemplo, un sensor de temperatura.
La conexión eléctrica entre las superficies de contacto, las piezas de la superficie recubierta de metal del sustrato, y el elemento de contacto para la conexión de los conductores de corriente a conectar o el dispositivo de mando, se consigue mediante elementos de conexión, que están realizados elásticos con una sección parcial.
La carcasa comprende varios cuerpos parciales rígidos, que a su vez están formados de plástico aislante eléctrico. Un primer cuerpo parcial presenta en su lado inferior una escotadura para el alojamiento del sustrato. Además, presentan escotaduras y/o pasos para los elementos de empalme. En su lado superior se han dispuesto elementos de unión, por ejemplo, salientes de encaje, dispuestos para la conexión a su vez, por ejemplo, en su cara superior una escotadura para el dispositivo de mando, así como pasos para los elementos de conexión para su contactado. Mediante la conexión de los dos cuerpos parciales de la carcasa, se fijan los elementos de presión de contacto en su posición.
La carcasa presenta, además, escotadura para la conexión del conductor de corriente a conectar con los elementos de contacto correspondientes así como para la fijación que realiza el contactado a presión de un cuerpo base o de refrigeración.
El contactado eléctrico seguro de todos los elementos de conexión con las superficies de contacto del sustrato, los elementos de contacto y el dispositivo de mando se produce sólo por la unión de la carcasa con un cuerpo base o de refrigeración. Para ello, se ejerce presión sobre los elementos de conexión realizados elásticos y gracias a su fuerza de muelle se produce el contactado eléctrico seguro, así como el contactado térmico con el cuerpo base o de refrigeración.
La idea base de la invención, se puede modificar pudiendo por lo menos un elemento de conexión configurado elástico en una zona parcial con el sustrato en unión de material, por ejemplo, mediante soldadura.
Es ventajoso en esta configuración que, mediante la configuración elástica en una zona parcial, se evitan los problemas conocidos de las conexiones rígidas, por ejemplo, de la durabilidad con un gran número de cambios de temperatura.
También con esta configuración, se produce el contactado eléctrico seguro de todos los elementos de conexión no soldados con las superficies de contacto del sustrato, de todos los elementos de conexión con los elementos de contacto y del dispositivo de mando sólo mediante la unión de la carcasa con un cuerpo base o de refrigeración.
Mediante las figuras 1 a 4 se explicarán especiales configuraciones de las soluciones según la invención.
La figura 1 muestra un sustrato de un relé semiconductor.
La figura 2 muestra un primer cuerpo parcial de una carcasa.
La figura 3 muestra otro cuerpo parcial de una carcasa.
La figura 4 muestra un dibujo de un relé semiconductor desmontado según la invención.
La figura 1 muestra un sustrato (10) de un relé semiconductor, que comprende un cuerpo base cerámico (12) de óxido de aluminio o de nitruro de aluminio, superficies (14) recubiertas de cobre dispuestas encima. Dispuesta sobre éstas superficies se encuentran los interruptores de potencia, en este caso dos tiristores (16) en conexión antiparalela. Estos tiristores están unidos con la superficie recubierta de cobre asignadas a ellos mediante soldadura. Las conexiones con otras superficies recubiertas de cobre se realiza mediante uniones por alambre (18). De forma ventajosa, se han previsto en este sustrato otros superficies para el alojamiento de, por ejemplo, sensores, como un sensor de temperatura para el control de la temperatura del interruptor de potencia. En las superficies recubiertos de cobre (14) se han dejado zonas libres (142, 144) para la unión conductora eléctrica en otros elementos de conexión a describir. Las zonas (142) se utilizan como puntos de contacto para los elementos de conexión de potencia, las zonas (144) como puntos de contactos para los elementos auxiliares de conexión, como por ejemplo, el mando de las puertas de tiristores (16) o para tomar los datos de los sensores. De forma ventajosa el reverso del sustrato está dotado asimismo de un recubrimiento de cobre, generalmente en toda la superficie.
La figura 2 muestra un primer cuerpo parcial (22) de una carcasa, tanto en representación tridimensional (figura 2a) como también en sección longitudinal (figura 2b) por el centro del cuerpo parcial, por la línea A-A. Este primer cuerpo parcial presenta en su lado inferior una escotadura (228) para el alojamiento del sustrato (10). El sustrato está fijado en la superficie del sustrato mediante una sustancia adherente, que al mismo tiempo, se puede aplicar en el interior del cuerpo parcial sobre la superficie del sustrato y se utiliza allí como aislante eléctrico de los componentes. Como material apropiado han resultado para ello el caucho de silicona. El cuerpo parcial (22), presenta además, orificios y/o escotaduras (224, 226), que se utilizan para el alojamiento de elementos mecánicos de conexión (34, 36), así como elementos de contacto (40). Las escotaduras (224) dotadas de orificios se han dispuesto de tal manera que los orificios se encuentra directamente en la continuación de una perpendicular imaginaria, procedente de los puntos de contacto (42) a los elementos de conexión de potencia sobre el sustrato (10). Los orificios (226) se han dispuesto de la misma manera, por encima de los puntos de contacto (44), de las conexiones auxiliares del sustrato (10).
El primer cuerpo parcial (22) presenta en su lado superior, además, cuatro salientes de encaje (222) para la conexión con otro cuerpo parcial (24), encajando los salientes de encaje en los correspondiente contrasoportes del otro cuerpo parcial.
La figura 3 muestra otro cuerpo parcial (24) de una carcasa, tanto en representación tridimensional (figura 3a) como también en sección longitudinal (figura 3b), por el centro del cuerpo parcial por la línea A-A. Este otro cuerpo parcial presenta en su lado superior una escotadura (252) para el alojamiento del dispositivo de mando (50), véase más adelante. Los salientes de encaje (250) se utilizan para la fijación de esta unidad de mando (50) en la escotadura (252).
El cuerpo parcial (24) presenta, además, orificios y/o escotaduras (246, 248), que se utilizan para el alojamiento de elementos metálicos de conexión (34, 36) así como elementos de contacto (40), véase más adelante. Los orificios (248) se han dispuesto de tal manera que se encuentran en la prolongación de los orificios (226) de primer cuerpo parcial (22) y terminan en la escotadura (252). La escotadura (246) se utiliza para el alojamiento de elementos de contacto (40), la escotadura (242) para la alimentación de un conductor de corriente al elemento de conexión así como la escotadura (244) para el mando de los elementos de contacto.
Las escotadura (240) se utiliza para la fijación de la carcasa sobre un cuerpo base o de refrigeración y de este modo a la introducción de presión en la carcasa después del montaje del primer y segundo cuerpo parcial. Con este montaje, encajan los salientes de encaje (222) del primer cuerpo parcial en contrasoporte dispuestos correspondientemente del segundo cuerpo parcial.
La figura 4 muestra un dibujo de un relé semiconductor, desmontado, así como de sus componentes más importantes. El relé semiconductor está formado de un sustrato (10), el primer cuerpo parcial (22) de la carcasa, elementos de conexión de potencia (34) y auxiliares (36), elementos de contacto (40), otro cuerpo parcial (24) de la carcasa así como de un dispositivo de mando (50). La carcasa, así como el sustrato se han descrito ya exhaustivamente mediante las figuras 1 a 3.
Para la activación de un relé semiconductor no se puede renunciar a un dispositivo de mando (50), ya que éste convierte los comandos existentes como señales pequeñas en impulsos de excitación para el interruptor de semiconductor (16). Este dispositivo de mando puede realizar, además, otras tareas, por ejemplo, el control de temperatura del interruptor semiconductor. Para esta excitación o control debe haber conexiones conductoras eléctricas entre el dispositivo de mando (50) y el sustrato (10). Para ello se utilizan los elementos de conexión auxiliares (36) realizados elásticos en una sección parcial. Estos elementos de conexión auxiliares van desde el sustrato (10) o desde la superficie de contacto (44) previstas hasta la cara posterior del dispositivo de mando (50). Se conducen estos elementos de conexión auxiliares mediante las aberturas (226 ó 252) del primer cuerpo (22) o de otro cuerpo parcial de la carcasa.
Para la conexión del conductor de corriente externo con el interruptor de semiconductor el relé semiconductor presenta elementos de contacto (40), así como estos elementos de conexión de potencia (34) que se unen con el sustrato. Los elementos de contacto se han realizado como bornes según el estado de la técnica, con un tornillo de borne para el contactado eléctrico seguro. La carcasa presenta para ello escotaduras (242, 244). Mediante las escotaduras (242) se alimentan los conductores de corriente, y mediante los tornillos de borne, que se manejan desde las escotadura (244), se fijan en los elementos de contacto.
La conexión eléctrica conductora entre los elementos de contacto (40) y el interruptor semiconductor (16), dispuesto sobre el sustrato (10), se produce mediante el elemento de conexión de potencia (34), configurado elástico en una sección parcial. Para ello se fija una lengüeta del elemento de conexión de potencia junto con el conductor de corriente en el elemento de contacto (40) mediante el tornillo de borne correspondiente. El contacto con el interruptor de semiconductor correspondiente se produce mediante dos lengüetas realizadas elásticas de elementos de conexión de potencia, así como de los puntos de contacto (42) del sustrato.
El montaje del componente semiconductor empieza con la unión adherente del sustrato (10) con el primer cuerpo parcial (22) de la carcasa. Con ello, no se realiza ninguna unión rígida, sino elástica de sus dos piezas, que sirve exclusivamente para una fijación. Como material para esta conexión es adecuado, por ejemplo, un caucho de silicona elástico.
A continuación, se equipa el primer cuerpo parcial (22) de la carcasa con elementos de conexión auxiliares (36) de potencia (34) y de contacto (40). Estos se disponen en las en los pasos o escotaduras (224, 226) previstos para ello. Los elementos de conexión de potencia (34) se pueden unir adicionalmente con los puntos de contacto (22), por ejemplo, mediante un procedimiento de soldadura por inducción por unión de material. En general se precisa otra operación de relleno de los componentes (16) del sustrato con un material elástico eléctricamente aislante, preferentemente un caucho de silicona, similar o idéntico al de la unión del sustrato con el primer cuerpo parcial de la carcasa.
Mediante la unión del primer cuerpo parcial (22) con el otro cuerpo parcial (24) de la carcasa con salientes de encaje (222) y su contrasoporte se fijan los elementos de conexión (34, 36) y el elemento de contacto (40) en su posición. Después de la fijación de la unida de mando (50) mediante los salientes de encaje (250) se ha terminado el montaje del relé semiconductor. Debido a éstas simples operaciones de fabricación, especialmente flexible, el relé semiconductor a una fabricación automatizada. Este estado de fabricación no existe sin la unión de soldadura opcional anteriormente citada ninguna conexión eléctrica segura entre el sustrato y el elemento de contacto o unidad de mando.
Una conexión eléctrica segura de todos los puntos de contacto se garantiza sólo mediante el montaje a presión en un cuerpo base o de refrigeración. Mediante los tornillos guiados a través de las escotadura (240), se fija el relé semiconductor en un cuerpo base o de refrigeración. Con ello se introduce a través de la carcasa una presión que a su vez origina un contactado térmico seguro del sustrato en el cuerpo base o de refrigeración, que por otra parte ejerce una presión sobre el elemento de potencia de conexión de tal manera que se alcanza un contactado eléctrico seguro de éste con el sustrato. Para ello, la configuración elástica en una sección parcial del elemento de tensión de potencia es una condición necesaria. Ésta permite una fuerza de apriete permanente sobre las superficies de contacto (142), independientemente de la dilatación térmica de la carcasa o de otro efecto influyente sobre toda la vida del relé semiconductor.
Con una unidad de mando ya montada, se ejerce presión asimismo mediante la fijación de la carcasa sobre el cuerpo base o de refrigeración los elementos de conexión auxiliares (36). Mediante su configuración elástica en una sección parcial, se alcanza de este modo un contactado eléctrico seguro entre las superficies de contacto (144) del sustrato y de la unidad de mando. La configuración elástica, en combinación con el contactado a presión, llevan a una duración del relé semiconductor segura y debido a la fuerza de presión permanente a un contactado cualitativamente constante.

Claims (8)

1. Relé semiconductor comprendiendo un sustrato cerámico (10) con una superficie (14) estructurada recubierta de metal, componentes semiconductores (16) dispuestos de forma adecuada para la conexión, a una carcasa (22, 24) de varias piezas con escotaduras (240) para la fijación sobre un cuerpo base o de refrigeración, superficies de contacto (142) del sustrato (10) a los elementos de conexión de potencia (34) que lleva a los elementos de contacto (40), de otras superficies de contacto (144) del sustrato a elementos de conexión (36) que llevan a un elemento de conexión auxiliar (334, 36) a un dispositivo de mando (50), estando realizados estos elementos de conexión (34, 36) elásticos en una sección parcial, estos elementos de conexión (34, 36) están contactados mediante pasos y/o escotadura (224, 226) del primer cuerpo (22) y/o otro cuerpo parcial (24) de la carcasa con el sustrato y estos elementos de conexión (34, 36) así como los elementos de contacto están fijados en su posición por una primera pieza de la carcasa, unidos entre sí, mediante una conexión (22) y otra conexión (24) elásticas.
2. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo de mando (50) está fijado mediante salientes de encaje (250) en una escotadura (222) de la otra pieza de la carcasa (24).
3. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, caracterizado porque el sustrato (10) está fijado mediante un material adherente en una escotadura (228) del primer cuerpo parcial (22) de la carcasa.
4. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, caracterizado porque el material adherente es un caucho de silicona, que aísla los componentes semiconductores (16) eléctricamente uno de otro.
5. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, caracterizado porque los elementos de conexión de potencia (34) están unidos en unión de material con superficies de contacto (142) del sustrato (10).
6. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, caracterizado porque el sustrato (10) es de óxido de aluminio o de nitruro de aluminio.
7. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, siendo los elementos semiconductor tiristores y sensores.
8. Relé semiconductor, según la reivindicación 1, estando unidos los componentes semiconductores por unión de material con el recubrimiento metálico (14) del sustrato (10) y por lo menos presenta en parte uniones de hilo metálico (18) hacia los otros recubrimientos metálicos.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004021122B4 (de) * 2004-04-29 2007-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102004025609B4 (de) * 2004-05-25 2010-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102005024900B4 (de) * 2004-06-08 2012-08-16 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungsmodul
DE102004031623B4 (de) * 2004-06-30 2007-12-13 Infineon Technologies Ag Leistungs-Halbleitermodul mit federndem Anschlusskontakt
DE102004037656B4 (de) 2004-08-03 2009-06-18 Infineon Technologies Ag Elektronikmodul mit optimierter Montagefähigkeit und Bauteilanordnung mit einem Elektronikmodul
DE102004042367B4 (de) 2004-09-01 2008-07-10 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul
DE102004050588B4 (de) * 2004-10-16 2009-05-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einer Kontakteinrichtung
DE102004057421B4 (de) * 2004-11-27 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102005017849B4 (de) * 2005-04-18 2012-11-08 Siemens Ag Elektronisches Bauteil
DE102006058694B4 (de) * 2006-12-13 2011-06-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Kontaktfedern
DE102007010883A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007016222B3 (de) * 2007-04-04 2008-11-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE102008034068B4 (de) * 2008-07-22 2019-07-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102008048882A1 (de) 2008-09-25 2010-04-22 Rational Ag Direktsteckverbindungssystem und Gargerät
DE102008057831B4 (de) * 2008-11-19 2010-09-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit Leistungshalbleitermodul und Treibereinrichtung
DE102009037257B4 (de) * 2009-08-12 2014-07-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu
FR2951019B1 (fr) 2009-10-07 2012-06-08 Valeo Etudes Electroniques Module de puissance pour vehicule automobile
DE102013113143B4 (de) * 2013-11-28 2016-04-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102015103068B4 (de) * 2015-03-03 2019-05-02 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit verbesserter mechanischer Abstützung des Steueranschlusselements und zugehörigers Montageverfahren
DE102015116639B4 (de) * 2015-10-01 2021-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schnappverbindungsanordnung mit einem Schnapphakenelement und einem Schnapphakengegenelement
EP3477792B1 (de) * 2017-10-27 2026-05-13 Wago Verwaltungsgesellschaft mbH Abgriffsteckverbinder und schutzerdungskontakt hierzu
DE102022213003B4 (de) * 2022-12-02 2025-05-22 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul für einen Wandler mit verdrillten Signalpinpaaren zur Steuersignalführung, Wandler, elektrischer Achsantrieb sowie Fahrzeug

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3903229A1 (de) * 1989-02-03 1990-08-09 Vdo Schindling Elektronischer schaltkreis
DE4419005A1 (de) * 1994-05-31 1995-12-07 Hella Kg Hueck & Co Elektronischer Lastschalter für Kraftfahrzeuge
DE19647229C1 (de) * 1996-11-15 1998-02-12 Telefunken Microelectron Vorrichtung zum Verbinden von zwei plattenförmigen, elektrotechnische Komponenten tragenden Trägern
DE29723167U1 (de) * 1997-06-16 1998-04-30 Murr-Elektronik GmbH, 71570 Oppenweiler Reiheneinbaugerät
DE19733047A1 (de) * 1997-07-31 1999-02-18 Fahrzeugklimaregelung Gmbh Regler für einen Elektromotor mit Regelschaltung und Leistungshalbleiter
DE10008572B4 (de) * 2000-02-24 2007-08-09 Infineon Technologies Ag Verbindungseinrichtung für Leistungshalbleitermodule

Also Published As

Publication number Publication date
DE50300025D1 (de) 2004-07-29
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