ES2224501T3 - Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de componentes dispuestos sobre un substrato, especialmente de chips de semiconductores. - Google Patents
Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de componentes dispuestos sobre un substrato, especialmente de chips de semiconductores.Info
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Abstract
Procedimiento para el tratamiento de componentes electrónicos (1) dispuestos sobre un substrato (2), en el que los componentes son colocados sobre el substrato y son impulsados por una herramienta (3) para la unión duradera con el substrato, dado el caso, utilizado un adhesivo y son sometidos a una presión de prensado y, dado el caso, a un tratamiento térmico, siendo colocados sobre el substrato varios componentes unos detrás de otros para formar un grupo (4) y siendo sometido a continuación todo el grupo al mismo tiempo a la presión de prensado y, dado el caso, al tratamiento térmico.
Description
Procedimiento y dispositivo para el tratamiento
de componentes dispuestos sobre un substrato, especialmente de
chips de semiconductores.
La invención se refiere a un procedimiento y a un
dispositivo para el tratamiento de componentes dispuestos sobre un
substrato, especialmente de chips de semiconductores. Tales
procedimientos se emplean, por ejemplo, en la fabricación de
determinados elementos de semiconductores, en los que el chip
acabado, provisto con piezas de conexión, solamente es mayor es una
medida no esencial que el chip de silicio bruto (Paquete a Escala
de Chip o de forma abreviada CSP).
En este caso, entre el substrato y el componente
se dispone una masa intermedia, por ejemplo de un elastómero o una
lámina, que compensa los diferentes coeficientes de dilatación
longitudinal térmica de los materiales. Para garantizar una
adhesión suficiente y para endurecer la masa de elastómero, los
componentes deben prensarse contra el substrato por medio de
calentamiento simultáneo. Esto se lleva a cabo por medio de una
prensa entre placas paralelas, que pueden ser calentadas.
Sin embargo, un inconveniente de los
procedimientos conocidos consiste en que el emplazamiento exacto de
los componentes sobre el substrato y la unión definitiva a alta
presión y a alta temperatura deben realizarse en una etapa. El
proceso de prensado dura en este caso esencialmente más tiempo que
el proceso de emplazamiento, lo que conduce a fuertes limitaciones
de la capacidad en la línea de producción. Pero, por otra parte,
también es un inconveniente perturbador el empleo de altas
temperaturas en la zona del emplazamiento de los componentes. En la
estación de emplazamiento se trabaja, en efecto, con manipuladores y
aparatos de medición de alta precisión, que reaccionan de una
manera sensible a las repercusiones de la temperatura. Por lo
tanto, un cometido de la invención es crear un procedimiento del
tipo mencionado al principio, en el que se puede elevar con medios
sencillos la capacidad de producción dentro de la misma línea.
Además, el procedimiento debe permitir una separación del proceso de
colocación del proceso de tratamiento propiamente dicho para la
unión definitiva.
Este cometido se soluciona según la invención con
un procedimiento, que presenta las características de la
reivindicación 1. El prensado y/o calentamiento de los componentes
por grupos se lleva a cabo en este caso de una manera separada en el
tiempo del proceso de colocación, de modo que de acuerdo con el
tamaño de la herramienta, se puede tratar al mismo tiempo un número
relativamente grande de componentes.
En este caso, de una manera especialmente
ventajosa, la colocación de los componentes sobre el substrato y la
aplicación de la herramienta se llevan a cabo en estaciones de
trabajo que están dispuestas a distancia una de la otra. En efecto,
se ha mostrado que la colocación exacta y el tratamiento no tienen
que realizarse forzosamente en la misma estación de trabajo. En el
caso de empleo de substratos o bien de adhesivos adecuados, éstos
disponen también a temperatura ambiente una fuerza adhesiva
suficiente para el transporte posterior después de la colocación.
De esta manera, los substancias pueden ser transportados
adicionalmente desde la zona de colocación sensible hasta una
estación de tratamiento, en la que se puede aplicar presión y/o
calor sin la influencia negativa del proceso de colocación.
En este caso pueden ser impulsados de una manera
sincronizada varios grupos consecutivos de componentes, durante la
impulsión de un grupo de una manera ideal como máximo hasta la
colocación de un grupo precedente. Durante el proceso de colocación
se pueden disponer en este caso los componentes en una secuencia
rápida para formar un grupo, siendo prensado en la estación de
tratamiento durante todo el periodo de tiempo desde la colocación
del primer componente hasta la colocación del último componente.
Además, durante el tratamiento de los componentes se pueden
conseguir ventajas considerables, cuando cada componente del grupo
es impulsado con un empujador separado y cuando durante la
impulsión, para la consecución de una fuerza de apoyo uniforme
sobre todos los componentes, se adapta cada empujador a la altura
individual del componente. Con esta medida se garantiza que también
en el caso de tolerancias de altura inevitables de los componentes,
se lleve a cabo un tratamiento uniforme de todo el grupo con
presión y temperatura. Por lo tanto, un componente con una altura
máxima precisamente todavía admisible es sometido a la misma fuerza
de prensado y a la misma temperatura que un componente con una
altura mínima admisible.
Para el tratamiento térmico se calientan antes
y/o durante la impulsión de los componentes los empujadores y/o un
soporte del substrato que sirve como contraapoyo. Pero también
sería concebible realizar todo el proceso de prensado en un horno
cerrado o realizar el calentamiento de otra manera, por ejemplo a
través de un horno de convección o a través de microondas. El
substrato es retenido, además, durante la impulsión de los
componentes de una manera ventajosa por medio de presión negativa
sobre el soporte del substrato. Puesto que en el substrato se
trata, en general, de un material del tipo de película o del tipo
de gel, se garantiza de esta manera también un apoyo superficial
sobre el soporte del substrato sin inclusiones de aire.
Se conoce a través del documento JP
11-121532 un dispositivo comparable del tipo
indicado al principio, en el que con una única herramienta se
pueden tratar al mismo tiempo varios componentes electrónicos,
dispuestos sobre un substrato, de diferente tipo de construcción.
La herramienta dispone para este fin de varias herramientas de
prensa individuales, que están montadas en una guía de manera que
se pueden desplazar en la dirección de prensado y cada una de las
cuales puede ser impulsada individualmente con un cilindro
neumático que puede ser activado por separado. Para la adaptación
de la posición de partida de cada herramienta de prensa a la altura
de construcción de los componentes electrónicos, la posición final
máxima posible de cada herramienta en la guía puede ser limitada
con un tope. De esta manera se garantiza que todos los componentes
entren en contacto al mismo tiempo con las herramientas.
La invención se refiere también a un dispositivo
para el tratamiento de componentes electrónicos dispuestos sobre un
substrato según el preámbulo de la reivindicación 5. Este
dispositivo es adecuado de una manera especialmente ventajosa para
la realización del procedimiento según la invención, pero también
se podría emplear de otra manera. El dispositivo debe garantizar
especialmente que a pesar del tratamiento de los componentes en
grupo, se puede tener en cuenta su naturaleza individual como en un
tratamiento individual. Esto se soluciona según la invención por
medio del dispositivo según la reivindicación 5, así como a través
de la utilización del dispositivo según la reivindicación 16.
Los empujadores individuales y montados de forma
desplazable en la herramienta posibilitan tratar cada componente
particular de un grupo de una manera individual. Por lo tanto,
también sería concebible la aplicación de una temperatura
individual. Los empujadores individuales podrían estar formados
también de una manera diferente, de tal forma que dentro de un grupo
pudieran ser impulsados diferentes tamaños y/o formas de
componentes.
No obstante, en la fabricación descrita al
principio de elementos semiconductores solamente deben tenerse en
cuenta, en general, las diferentes alturas de los chips de silicio
bruto. Esto se realiza porque los empujadores están en unión
operativa con un medio de compensación. Este medio de compensación
puede trabajar según diferentes principios técnicos. Así, por
ejemplo, sería concebible una solución puramente mecánica, en la que
en una posición de partida neutra de la herramienta, los
empujadores desplazables son colocados sueltos sobre los
componentes. Por medio de un cierre centralizado se amarran
entonces todos los empujadores en su cojinete de desplazamiento,
después de lo cual se ejerce a través de la herramienta la fuerza
de prensado sobre los empujadores ajustados de forma
individual.
De una manera especialmente sencilla, el medio de
compensación se forma a través de una cámara de líquido para la
distribución hidrostática de la fuerza de impulsión sobre los
empujadores individuales. Esta cámara de líquido trabaja según el
principio conocido, según el cual en un líquido en reposo
prácticamente no comprimible, las fuerzas de presión se propagan de
una manera independiente de la dirección. Por lo tanto, cada uno de
los empujadores se podrían sumergir con una superficie de impulsión
igual en la cámara de líquido, cuyas paredes son habitualmente
rígidas.
No obstante, una solución esencialmente más
sencilla desde el punto de vista técnico consiste en que la cámara
de líquido está dispuesta sobre los lados traseros de los
empujadores, que están alejados del soporte del substrato, y en que
presenta una membrana flexible, apoyándose los lados traseros de los
empujadores en la membrana. El volumen en la cámara se mantiene
siempre del mismo tamaño, independientemente de cómo estén
colocados los empujadores. La elasticidad de la membrana permite en
este caso un desplazamiento de los empujadores dentro de un margen
de tolerancia determinado. No obstante, en este caso se mantiene
siempre igual la presión en el líquido y, por lo tanto, la presión
sobre los empujadores individuales.
Para la supervisión y el control o, dado el caso,
también para el registro en protocolo de la fuerza de prensado que
actúa sobre los empujadores, la cámara de líquido puede estar en
conexión operativa con un sensor de presión. También en el caso de
herramienta sin cámara de líquido se puede regular, en general, de
una manera ventajosa la presión de prensado de la herramienta a
través de un sensor de presión, para aproximar la fuerza de
prensado durante toda la duración del prensado a un valor teórico.
Se pueden emplear especialmente sensores de presión, pero también
se pueden utilizar otros sensores, por ejemplo sensores de
fuerza.
Los empujadores pueden estar alojados en una guía
de empujador, que está prevista para el calentamiento de los
empujadores con un dispositivo calefactor. Los empujadores se
pueden calentar en este caso de forma indirecta a través de al
menos un dispositivo calefactor a temperaturas del proceso hasta
300ºC. Con preferencia, la guía de los empujadores y los
empujadores están constituidos del mismo material metálico, para
que no se produzcan agarrotamientos durante la dilatación térmica.
En efecto, los empujadores deben estar guiados en la guía de los
empujadores con un juego muy pequeño, para que actúen exclusivamente
fuerzas verticales y no fuerzas transversales en la superficie de
trabajo de los empujadores. Por el mismo motivo, las guías de los
empujadores están configuradas relativamente largas con relación al
diámetro de los empujadores.
Para evitar la radiación de calor o bien para
proteger al personal de servicio, la herramienta puede estar
rodeada al menos en parte por una capa de aislamiento térmico. Lo
mismo se aplica también para el soporte de substrato, en el caso de
que éste se caliente igualmente por medio de un dispositivo
calefactor. Para que se pueda supervisar o bien registrar en
protocolo también la temperatura de trabajo, tanto en la
herramienta como también en el soporte de substrato está dispuesto
al menos un sensor de temperatura.
Por razones de seguridad, los empujadores están
pretensados en la posición de reposo de la herramienta bajo tensión
previa de muelle en una posición de partida neutral, en la que
están introducidos con preferencia totalmente en la herramienta. De
esta manera, no se pueden dañar los empujadores, cuando se retira
la herramienta fuera del porta-herramientas, por
ejemplo para realizar trabajos de reequipamiento. Además, de esta
manera se garantiza que los lados traseros de los empujadores se
apoyen en la posición de salida de una manera uniforme en la
membrana de la cámara de líquido. Por último, con la tensión previa
del muelle se garantiza también que los empujadores se sumerjan de
nuevo totalmente en la guía de empujadores después de cada carrera
de trabajo para la absorción óptima del calor.
El soporte del substrato descansa con preferencia
sobre un trípode ajustable. De este modo se puede alinear el
soporte del substrato de una manera especialmente sencilla de forma
paralela al plano sobre el plano de trabajo de los empujadores.
También esta medida sirve para evitar las fuerzas transversales que
actúan sobre los componentes.
El dispositivo se puede utilizar de una manera
especialmente ventajosa para el prensado posterior de chips en una
línea para la producción de Chip Scale Packages (CSP),
especialmente de Ball Grid Arrays (BGA) o de Flex BGA. Pero con los
mismos dispositivos se pueden realizar también otros tratamientos en
la fabricación de semiconductores. Así, por ejemplo, en el campo de
los Flip Chips, donde los chips son encolados con impactos, son
fijados eutécticamente o son estañados. Pero el dispositivo es
adecuado también para procesos LOC (Lead on Chip), en los que la
conexión entre los chips y un bastidor de plomo metálico se
establece bajo presión y temperatura. Por último, también sería
concebible emplear el dispositivo según la invención para procesos
de trabajo fuera de la técnica de semiconductores, por ejemplo en
el campo de la electrotecnia o de la optoelectrónica.
Otras ventajas y características individuales de
la invención se deducen a partir de la siguiente descripción de un
dibujo de realización y a partir de los dibujos. En este caso:
La figura 1 muestra una representación en
perspectiva muy simplificada de un procedimiento de tratamiento.
La figura 2 muestra una representación
esquemática de un dispositivo de tratamiento.
La figura 3 muestra una sección transversal a
través de un grupo de componentes con diferente altura de
construcción, y
La figura 4 muestra una representación general
esquemática del dispositivo según la figura 21 en una prensa.
La figura 1 muestra un fragmento de una línea de
producción para la fabricación de elementos semiconductores. En
este caso, se representa una estación de colocación 5 y una
estación de prensado posterior 6, que pueden ser ambas, sin
embargo, componentes de la misma instalación. Sobre un avance de
substrato 18 se hace avanzar un substrato, en la dirección de la
flecha a, a través de medios de avance adecuados no representados
aquí en detalle. En el substrato se puede tratar en este caso, por
ejemplo, de una película de poliimida, que ha sido recubierta en
una estación de trabajo precedente en una superficie grande con un
material adhesivo.
Sobre la estación de colocación se depositan con
medios conocidos en sí, por ejemplo con un dispositivo de adhesión
a troquel convencional, chips de silicio 1 sobre el substrato 2.
Los chips son recibidos y colocados con la ayuda de un brazo
receptor 20 desde una oblea 19. El brazo receptor se mueve de forma
pendular de un lado para otro en este caso en la dirección de la
flecha b, y se puede mover, además, en los tres ejes espaciales x,
y, z diferentes. En este caso, es posible también una inversión de
la posición relativa del chip entre la oblea y el substrato (Flip
Chip).
Tan pronto como ha sido depositado en la estación
de colocación 5 un grupo 4 de chips 1 definido previamente en
cuanto a la posición, se transporta el substrato adicionalmente
hacia la estación de prensado posterior 6. Los chips no pueden
estar desplazados en este caso en cuanto a la posición, aunque no
existe todavía una unión intensiva con el substrato. Solamente se
consigue una unión duradera a través del prensado posterior y el
calentamiento con la ayuda de la herramienta 3. Durante este
tratamiento, el substrato 2 se encuentra sobre un soporte de
substrato plano 8. La herramienta 3 se puede presionar en la
dirección de la flecha c, paralela al plano, contra este soporte de
substrato. A cada chip 1 individual sobre el substrato está
asociado en la herramienta 3 un empujador 7 propio, que está
alojado igualmente de forma desplazable en la dirección de la
flecha c. El soporte de substrato 8 está colocado sobre un trípode
29, cuya posición relativa se puede ajustar con tornillos de ajuste
30. Esta posibilidad de ajuste permite una adaptación paralela al
plano a la superficie de trabajo de los empujadores. El proceso de
ajuste se podría automatizar también con medios conocidos en
sí.
La herramienta 3 es presionada durante un tiempo
de prensado determinado contra el soporte de substrato 8, siendo
endurecido al mismo tiempo el adhesivo a través de calentamiento
por medio de los empujadores 7 o bien por medio del soporte del
substrato. Durante este tiempo de prensado se deposita en la
estación de colocación 5 otra vez un grupo nuevo de chips sobre un
substrato nuevo.
Otros detalles de la estación de prensado
posterior 6 se deducen a partir de la figura 2. El soporte de
substrato 8 descansa sobre un bastidor de máquina 21. Para la
fijación del substrato 2 en una posición de prensado definida con
exactitud están previstos orificios de aspiración 16, que se pueden
conectar a través de un conducto de aspiración 23 a una fuente de
presión negativa no representada. El soporte de substrato se puede
calentar por medio de al menos un cartucho calefactor 14'
incorporado. Para el control de la temperatura sirve un sensor de
temperatura 17'. Para evitar pérdidas, el soporte de substrato está
blindado frente al bastidor de la máquina con un aislamiento térmico
15.
La herramienta 3 se puede empotrar por medio de
un porta-herramientas 22 en el saliente 28 de una
prensa 27 convencional (figura 4). La herramienta dispone de una
guía de empujadores 13, en la que los empujadores 7 individuales
están montados de manera que se pueden desplazar paralelos al eje.
Sobre todos los lados traseros de los empujadores 10 se extiende
una cámara de líquido 9, que está cerrada herméticamente frente a
los empujadores con una membrana flexible 11. Los lados traseros de
los empujadores son prensados con la ayuda de una placa de arrastre
26, bajo la tensión previa de muelles de compresión 25, contra la
membrana. En esta posición de partida, los lados frontales de los
empujadores 24 están introducidos, además, en la herramienta 3 o
bien se extienden aproximadamente en el mismo plano que el lado
inferior de la guía de empujadores 13.
La cámara de líquido 9 está en unión operativa
con un sensor de presión 12. Además, en la guía de empujadores 13
están dispuestos sensores de temperatura 17. El calentamiento de la
guía de empujadores y, por lo tanto, de los empujadores 7 que están
alojados en ella se realiza igualmente a través de al menos un
cartucho calefactor 14. De la misma manera, la herramienta está
cubierta, a ser posible cerrada, con una capa de aislamiento
térmico.
El modo de actuación de la cámara de líquido 9 se
representa con la ayuda de la figura 3. Sobre el substrato 2 están
dispuestos adyacentes tres chips 1a, 1b y 1c. El chip 1a tiene en
este caso la altura teórica de construcción H1 descrita, mientras
que el chip 1b tiene la altura de construcción mínima H2 y el chip
1c tiene la altura de construcción máxima H3. Si se prensasen estos
tres chips con la misma placa de prensa paralelamente al plano del
soporte de substrato 18, entonces la placa de prensa cargaría al
máximo al chip 1c, como se deduce claramente y posiblemente lo
dañaría, mientras que el chip 1b no sería cargado eventualmente, en
general. Sin embargo, utilizando la cámara de líquido, cada
empujador se puede adaptar, como consecuencia de su capacidad de
desplazamiento, a la altura de construcción del chip, mientras que
se garantiza una distribución uniforme de la fuerza de la prensa a
través del apoyo en la membrana 11 flexible. De acuerdo con la
prensa, se puede aplicar por cada empujador una fuerza de prensado
de hasta 9 bares (1 bar = 10^{5} Pa).
Claims (16)
1. Procedimiento para el tratamiento de
componentes electrónicos (1) dispuestos sobre un substrato (2), en
el que los componentes son colocados sobre el substrato y son
impulsados por una herramienta (3) para la unión duradera con el
substrato, dado el caso, utilizado un adhesivo y son sometidos a una
presión de prensado y, dado el caso, a un tratamiento térmico,
siendo colocados sobre el substrato varios componentes unos detrás
de otros para formar un grupo (4) y siendo sometido a continuación
todo el grupo al mismo tiempo a la presión de prensado y, dado el
caso, al tratamiento térmico.
2. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado porque la colocación de los componentes (1)
sobre el substrato (2) y la impulsión con la herramienta (3) se
realizan en estaciones de trabajo (5, 6) que están dispuestas a
distancia entre sí.
3. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 1 ó 2, caracterizado porque cada componente
(1) del grupo (4) es impulsado con un empujador (7) separado y
porque durante la impulsión, para la consecución de una fuerza de
apoyo uniforme sobre todos los componentes, cada empujador es
adaptado a la altura individual del componente.
4. Procedimiento según la reivindicación 3,
caracterizado porque antes y/o durante la impulsión de los
componentes, se calientan los empujadores y/o un soporte de
substrato (8) que sirve como contraapoyo.
5. Dispositivo para el tratamiento de componentes
electrónicos (1) dispuestos sobre un substrato (2), con un soporte
de substrato (8) y con una herramienta (3) que se puede mover hacia
el soporte de substrato, para la impulsión de los componentes por
medio de presión y, dado el caso, de calor, presentando la
herramienta (3), para la impulsión simultánea de un grupo (4) de
componentes, varios empujadores (7) montados de forma desplazable
individualmente en la dirección de movimiento de la herramienta
(3), caracterizado porque los empujadores (7) están en unión
operativa durante la impulsión con un medio de compensación para
la compensación de las diferentes alturas de los componentes (1),
de tal forma que durante el movimiento de la herramienta hacia el
soporte del substrato, cada componente puede ser impulsado con la
misma fuerza de apoyo.
6. Dispositivo según la reivindicación 5,
caracterizado porque el medio de compensación es una cámara
de líquido (9) para la distribución hidrostática de la fuerza de
impulsión sobre los empujadores (7) individuales.
7. Dispositivo según la reivindicación 6,
caracterizado porque la cámara de líquido (9) está dispuesta
sobre los lados traseros (10) de los empujadores (7), que están
alejados del soporte de substrato y presenta una membrana flexible
(11) y porque los lados traseros de los empujadores se apoyan en la
membrana.
8. Dispositivo según una de las reivindicaciones
5 a 7, caracterizado porque los empujadores (7) están
montados en una guía de empujadores (13), que está provista con un
dispositivo calefactor (14) para el calentamiento de los
empujadores.
9. Dispositivo según la reivindicación 8,
caracterizado porque los empujadores (7) y la guía de
empujadores (13) están constituidos por el mismo material metálico
y porque el dispositivo calefactor (14) es al menos un cartucho
calefactor eléctrico.
10. Dispositivo según la reivindicación 8 ó 9,
caracterizado porque la herramienta (3) está rodeada al
menos parcialmente por una capa de aislamiento térmico (15).
11. Dispositivo según una de las reivindicaciones
5 a 10, caracterizado porque tanto en la herramienta como
también en el soporte de substrato están dispuestos sensores de
temperatura para la supervisión de la temperatura de
tratamiento.
12. Dispositivo según una de las reivindicaciones
5 a 11, caracterizado porque los empujadores (7) están
pretensados en el estado de reposo de la herramienta (3) bajo
tensión previa del muelle en una posición de partida neutral, en la
que están insertados en la herramienta.
13. Dispositivo según una de las reivindicaciones
5 a 12, caracterizado porque el soporte de substrato (8)
descansa sobre un trípode, que se puede ajustar para la alineación
paralela al plano del soporte de substrato sobre el plano de los
empujadores.
14. Dispositivo según una de las reivindicaciones
5 a 13, caracterizado porque la presión de prensado de la
herramienta (3) se puede regular a través de un sensor (12)
colocado en la herramienta, especialmente un sensor de presión.
15. Dispositivo según la reivindicación 14,
caracterizado porque el sensor de presión (12) está en unión
operativa con la cámara de líquido (9).
16. Utilización de un dispositivo según una de
las reivindicaciones 5 a 15, caracterizado porque para el
prensado posterior de los chips en una línea para la producción de
Chip Scale Packages (CSP), especialmente de Ball Grid Array
(BGA).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99810009A EP1018760A1 (de) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | Verfahren und Vorrichtung zum Verkapseln eines elektronischen Bauteils, insbesondere eines Halbleiterchips |
| EP99810009 | 1999-01-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2224501T3 true ES2224501T3 (es) | 2005-03-01 |
Family
ID=8242628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES99112660T Expired - Lifetime ES2224501T3 (es) | 1999-01-07 | 1999-07-02 | Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de componentes dispuestos sobre un substrato, especialmente de chips de semiconductores. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1018760A1 (es) |
| AT (1) | ATE270790T1 (es) |
| DE (1) | DE59909906D1 (es) |
| ES (1) | ES2224501T3 (es) |
| PT (1) | PT1030349E (es) |
| WO (1) | WO2000041234A1 (es) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10250778B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-03-04 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zum Bestücken eines Schaltungsträgers beim Herstellen des elektronischen Bauteils |
| CN110740575A (zh) * | 2019-09-11 | 2020-01-31 | 黄诚 | 一种集成电路板生产加工设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776796A (en) * | 1994-05-19 | 1998-07-07 | Tessera, Inc. | Method of encapsulating a semiconductor package |
| US5659952A (en) * | 1994-09-20 | 1997-08-26 | Tessera, Inc. | Method of fabricating compliant interface for semiconductor chip |
| US6150194A (en) * | 1996-12-04 | 2000-11-21 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device sealed with resin, and its manufacture |
| JP3881751B2 (ja) * | 1997-08-20 | 2007-02-14 | 沖電気工業株式会社 | 半導体チップの実装構造および実装方法 |
-
1999
- 1999-01-07 EP EP99810009A patent/EP1018760A1/de not_active Withdrawn
- 1999-07-02 PT PT99112660T patent/PT1030349E/pt unknown
- 1999-07-02 ES ES99112660T patent/ES2224501T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-02 DE DE59909906T patent/DE59909906D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-02 AT AT99112660T patent/ATE270790T1/de active
- 1999-12-22 WO PCT/CH1999/000620 patent/WO2000041234A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PT1030349E (pt) | 2004-11-30 |
| ATE270790T1 (de) | 2004-07-15 |
| EP1018760A1 (de) | 2000-07-12 |
| DE59909906D1 (de) | 2004-08-12 |
| WO2000041234A1 (de) | 2000-07-13 |
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