ES2238062T3 - Soporte con deposito integrado de material absorbente de gas, para la fabricacion de dispositivos microelectronicos, microoptoelectronicos o micromecanicos. - Google Patents

Soporte con deposito integrado de material absorbente de gas, para la fabricacion de dispositivos microelectronicos, microoptoelectronicos o micromecanicos.

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ES2238062T3 ES02787170T ES02787170T ES2238062T3 ES 2238062 T3 ES2238062 T3 ES 2238062T3 ES 02787170 T ES02787170 T ES 02787170T ES 02787170 T ES02787170 T ES 02787170T ES 2238062 T3 ES2238062 T3 ES 2238062T3
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Abstract

Un soporte (10; 20), con depósito integrado de material absorbente de gas, para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, que comprende una base (11; 21), que tiene las funciones de apoyo mecánico, de un depósito continuo (13) o discontinuo (24, 24¿) de un material absorbente de gas (14, 25), sobre una superficie de la citada base, seleccionándose, el citado material absorbente de gas (14, 25), entre un material rarefactor o un material secante, y una capa (25, 26), que cubre totalmente el citado depósito de material absorbente de gas, fabricado a base de un material (16, 27), compatible con la producción de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos.

Description

Soporte con depósito integrado de material absorbente de gas, para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos.
La presente invención, se refiere a un soporte para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos con dispositivo integrado de material de absorción de gas.
Los dispositivos microelectrónicos (también denominados circuitos integrados, indicados en el sector, con la abreviación ICs), son la base para la industria electrónica en su totalidad. Los dispositivos microoptoelectrónicos, comprenden, por ejemplo, una nueva generación de sensores de rayos infrarrojos (IR), los cuales, de forma distinta a los del tipo tradicional, no requieren operaciones criogénicas para su operación. Estos sensores IR, están formados por un conjunto de depósitos de material semiconductor, por ejemplo silicio, ordenadamente dispuestos en una cámara evacuada. Los dispositivos micromecánicos (conocidos de una forma mejor, en el sector, bajo la denominación "micromáquinas" MMs), se encuentran en estado de desarrollo, en vistas a sus aplicaciones, tales como sensores o actualizadores miniaturizados, Son ejemplos típicos de micromáquinas, los microacelerómetros, utilizados como sensores, para activar los balones de aire (airbags) de los automóviles, los micromotores que tienen engranajes y ruedas de cadena del tamaño de algunos micrómetros (\mum), o interruptores ópticos, en donde puede hacerse mover una superficie de espejo, de un tamaño del orden de algunas decenas de micrómetro, entre dos direcciones diferentes, dirigiendo un haz de luz a lo largo de dos direcciones diferentes, correspondiendo, una de ellas, a la condición "abierto" y, la otra, a la condición "cerrado", de un circuito óptico. En la parte que sigue, a continuación, a este dispositivo, se le hará también referencia mediante la definición general de dispositivos en estado sólido.
Los ICs, se fabrican mediante una tecnología que comprende operaciones de depósito, sobre un suporte plano, de capas de material con diferente funcionalidad eléctrica (o magnética), alternadas, para supresiones selectivas de éstas. Las mismas técnicas de deposiciones y supresiones selectivas, se aplican, del mismo modo, a la construcción de dispositivos microoptoelectrónicos o micromecánicos. Éstos están generalmente contenidos en cajas, las cuales, a su vez, se forman con las mismas técnicas. El soporte más comúnmente utilizado en estas producciones, es un disco de sílice (el cual, en el sector especializado, se denomina "oblea", o también con su denominación de origen inglés "wafer", de un espesor de aproximadamente 1 mm, y de un diámetro de hasta 30 cm. En cada una de estas obleas o wafers, se construye un gran número de dispositivos; a continuación, al final del proceso de fabricación, se procede a separar de estos discos, mediante corte mecánico o de láser, los dispositivos individuales, en el caso de micromáquinas, o partes que incluyen un conjunto ordenadamente dispuesto, de algunas decenas de dispositivos, en los casos de sensores IR.
Las etapas de deposición, se llevan a cabo con técnicas tales como las correspondientes a la deposición química a partir de un estado de vapor, generalmente definido como "CDV", definición ésta que procede de las iniciales de su significado en inglés "Physical Vapor Deposition", (Deposición física de vapor), denominado, éste último, comúnmente, como "deposición catódica" (en idioma inglés, "Sputtering"). Generalmente, las supresiones selectivas, se llevan a cabo mediante ataques químicos o físicos, con un enmascarado característico, propio, tal y como es bien conocido en el sector.
Se procede, a continuación, a encapsular los circuitos integrados y las micromáquinas, en materiales poliméricos, metálicos o cerámicos, esencialmente, por razones de protección mecánica, antes de insertarse en el aparato final de destino (una computadora, un automóvil, etc.). Por el contrario, los sensores de radiación IR, se encuentran generalmente comprendidos en una cámara, encarando a una pared de ésta, definida como "ventana", transparente a la radiación IR.
En algunos tipos de circuitos integrados, es importante el ser capaz de controlar la difusión de gas en dispositivos en el estado sólido: éste es por ejemplo el caso de memorias ferroeléctricas, en donde, el hidrógeno, el cual se difunde a través de capas del dispositivo, puede alcanzar el material ferroeléctrico (generalmente, un óxido cerámico, tal como titanato-circonato de plomo, tantalato o titanato de estroncio-bismuto, o titanato de bismuto-lantano), modificando su comportamiento correcto.
Es todavía más importante, el control y eliminación de gas en sensores de IR, y en micromáquinas. En el caso de sensores de IR, los gases posiblemente presentes en la cámara, pueden, o bien absorber parte de la radiación, o bien transportar calor, mediante convención, desde la ventana, hacia el conjunto de depósitos de silicio ordenadamente dispuestos, modificando la medida. En micromáquinas, la fricción mecánica entre las moléculas de gas y la parte móvil, debido al muy reducido tamaño de ésta última, puede conducir a sensibles desviaciones de la operación ideal del dispositivo. Las moléculas polares, tales como el agua, pueden provocar fenómenos de adherencia entre la parte móvil y otras partes, por ejemplo, el soporte de ésta, provocando con ello el fallo del dispositivo. En los sensores IR, con conjuntos ordenadamente dispuestos de depósitos de silicio, o en las micromáquinas, es por lo tanto fundamental el ser capaz de asegurar el alojamiento, para permanecer en vacío durante la vida total del dispositivo.
Con objeto de minimizar la cantidad de gas en estos dispositivos, su producción, se conduce, de una forma usual, en cámaras de vacío, y recurriendo a etapas de bombeado, antes de proceder a la carga de éstas. De cualquier modo, el problema, no se encuentra completamente resuelto de esta forma, debido al hecho de que, los mismos materiales que forman los dispositivos, pueden liberar gases, o éstos pueden permear desde el exterior, durante la vida del dispositivo.
Para eliminar también los gases que entren en dispositivos en estado sólido, durante su vida, se ha propuesto el utilizar materiales que puedan sorberlos. Estos materiales, comprenden a aquéllos a los que se les hace usualmente referencia como "rarefactores", generalmente, metales tales como el zirconio, titanio, vanadio, niobio o tántalo, o aleaciones de éstos con otros elementos de transición, tierras raras o aluminio, los cuales tengan una gran afinidad química con respecto a los gases tales como hidrógeno, oxígeno, agua, óxidos de carbono y, en algunos casos, nitrógeno; y los materiales secantes, específicos para la absorción de humedad, entre los cuales, principalmente, los óxidos de metales alcalinos o alcalino-térreos. La utilización de metales absorbentes de gases, particularmente, hidrógeno, en ICs, se describen, por ejemplo, en la solicitud de patente estadounidense US - A - 5.760.433, y en las solicitudes de patentes japonesas publicadas JP- 11 - 040761 y JP - 2000 - 40799; su uso en sensores de IR, se describe, por ejemplo, en la patente estadounidense US 5.921,461; finalmente, el uso de materiales absorbentes de gas en micromáquinas, se describe, por ejemplo, en el artículo "Vacuum packaging for microsensors by glass-silicon anodic bonding", - Carga de gases para microsensores, mediante unión anódica vidrio-silicio, - de H. Henmi et al, publicado en la revista técnica Sensors and Actuators A, volumen 43 (1994), en las páginas 243 - 248.
Los depósitos localizados de materiales absorbentes de gas, pueden obtenerse mediante CVD o deposición catódica, durante las etapas productivas en el estado sólido. No obstante, este procedimiento, no es muy apreciado por parte de los fabricantes de estos dispositivos, debido al hecho de que, la deposición de material absorbente de gas, durante la producción de los dispositivos, implica la necesidad de que, en el proceso total, se añada una etapa de deposición localizada de este material, la cual se lleva generalmente a cabo mediante las operaciones de deposición de resina, sensibilización local de la resina mediante radicaciones (generalmente, UV), eliminación selectiva de la resina fotosensibilizada, deposición del material absorbente de gas, y eliminación subsiguiente de la resina y del material absorbente de gas sobre ésta depositada, dejando el depósito de material absorbente de gas en el área a partir de la cual se ha eliminado la resina fotosensibilizada. Adicionalmente, además, el depósito de material absorbente de gas, en la línea de producción, tiene la desventaja de que, al incrementarse el número de etapas diferentes del proceso y de los materiales que se utilizan en éste, se incrementa también el riesgo de "contaminación cruzada" entre las diferentes cámaras en las cuales se lleva a cabo la realización de las diferentes etapas, con la consecuencia del posible incremento de los productos residuales o de desecho, debido a la contaminación.
El documento internacional de patente WO 00 61832, da a conocer un soporte con depósito integrado de material absorbente de gas, para la fabricación de microdispositivos, el cual comprende una base con funciones mecánicas y un depósito continuo de material rarefactor.
El objeto de la presente invención, es el de solucionar los problemas anteriormente descritos del arte correspondiente a la técnica anterior y, particularmente, el de simplificar la fabricación de dispositivos en el estado sólido.
Este objeto, se logra, en concordancia con la presente invención, con un soporte para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, micooptoelectrónicos o micromecánicos, con un depósito integrado de material absorbente de gas, formado de una base que tiene la función de un apoyo mecánico, de un depósito continuo o discontinuo de un material absorbente de gas sobre la superficie de la citada base, seleccionándose, el citado material absorbente de gas, entre un material rarefactor o un material secante, y una capa que cubre totalmente el citado depósito de material absorbente de gas, fabricado con un material compatible con la producción de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos.
El soporte de la invención, es prácticamente similar a las obleas de silicio usualmente utilizadas en la industria, teniendo, no obstante, material absorbente de gas (en forma de capa continua o de depósitos concretos), "enterrado" bajo la superficie, sobre la cual, se forman los dispositivos microelectrónicos o micromecánicos, mediante las técnicas anteriormente mencionadas de deposición y eliminación de materiales sólidos.
La invención, se describirá ahora, a continuación, haciendo referencia a los dibujos, en los cuales:
- La figura 1, muestra una perspectiva, de una vista parcialmente cortada, de un posible primer soporte en concordancia con la presente invención;
- La figura 2, muestra una perspectiva, de una vista parcialmente cortada, de un posible segundo soporte en concordancia con la presente invención;
- Las figuras 3 a 11, representan algunas formas de uso de los soportes de la presente la invención.
Para la búsqueda de la claridad de la descripción, en los dibujos, los soportes en concordancia con la presente invención, se representan con un factor de relación altura - diámetro, extremadamente exagerado, con respecto a las dimensiones reales. No obstante, en los dibujos, los soportes, se representan siempre con una geometría de oblea, es decir, un reducido disco de material, ya que ésta es la geometría comúnmente adoptada por parte de los productores de dispositivos del estado sólido, pero esta geometría, podría también ser diferente, por ejemplo, cuadrada o rectangular.
La figura 1, muestra, en una vista parcialmente cortada, un soporte de la invención, en su forma de presentación más simple. El soporte 10, comprende una base 11; ésta tiene únicamente la función de apoyo del soporte y de los dispositivos que se derivan de éste, y el espesor del soporte 10 (del orden de un milímetro), se facilita casi completamente a partir del espesor de esta base. Sobre la superficie 12 de la base 11, se encuentra una capa continua 13, de un material absorbente de gas 14, cuya superficie superior, se encuentra cubierta por otra capa 15 de un material 16, compatible con el proceso de producción de ICs o de MMs, los cuales se producen sobre la superficie superior 17 de la capa 15.
El material de la base 11, puede ser un metal, una cerámica, un vidrio o un semiconductor, preferiblemente, silicona.
El material 14, puede ser cualquier material conocido entre los materiales a los que se les hace usualmente referencia como rarefactores, capaces de sorber varias moléculas de gas, y los materiales secantes, específicos para la absorción de humedad.
En el caso de un material rarefactor, éste puede ser por ejemplo un metal, tal como Zr, Ti, Nb, Ta, V; una aleación entre estos metales, o entre éstos y uno o más elementos, elegidos entre Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La y tierras raras, tales como las aleaciones binarias Ti-V, Zr-V, Zr-Fe y Zr-Ni, aleaciones ternarias Zr-Mn-Fe ó Zr-V-Fe, ó aleaciones con más componentes. Los materiales rarefactores preferidos para esta aplicación, son el titanio y el zirconio, la aleación que tiene una composición correspondiente a unos porcentajes en peso de Zr 85% - Al 16%, y que se produce y comercializa por parte del solicitante, bajo el nombre de St 101®, la aleación que tiene una composición correspondiente a unos porcentajes en peso de Zr 70% - V 24,6% - Fe 5,4%, y que se produce y comercializa por parte del solicitante, bajo el nombre de St 707®, y la aleación que tiene una composición correspondiente a unos porcentajes en peso de Zr 80,8% - Co 14,2% - TR 5%, siendo TR una tierra rara, itrio, lantano o mezclas de éstos), y que se produce y comercializa por parte del solicitante, bajo el nombre de St 787®. La capa de material rarefactor 13, puede obtenerse mediante diferentes técnicas, tales como evaporación, deposición a partir de precursores metalorgánicos, o mediante técnicas conocidas en el sector, como "ablación de láser", y "deposición por haz de electrones"; de una forma preferible, esta capa, se obtiene por deposición catódica.
En el caso de materiales secantes, éstos se eligen, de una forma preferible, entre los óxidos de metales alcalinos o alcalinotérreos; es particularmente preferido, el uso del óxido cálcico, CaO, el cual no plantea problemas de seguridad o medioambientales durante las fases de producción, uso o disposición de los dispositivos que lo contienen. Una capa 13 de óxido, puede obtenerse por ejemplo mediante la denominada técnica de "deposición catódica reactiva", depositando el metal alcalino o alcalinotérreo de interés, bajo una atmósfera de gas raro (generalmente, argón), en la cual se encuentra presente un ligero porcentaje de oxígeno, de tal forma que, el metal, se convierte en su óxido, durante la deposición.
La capa 13, puede tener un espesor comprendido dentro de unos márgenes situados entre 0,1 y 5 \mum: con valores de espesores por debajo de los indicados, la capacidad de sorción de gas de la capa 13, es excesivamente reducida, mientras que, con valores de espesores más altos, los tiempos de deposición se extienden, sin unas ventajas reales en las propiedades de sorción.
El material 16, es uno de los materiales que se utilizan de una forma usual, como substrato, en la producción de dispositivos en el estado sólido; éste puede ser un material de los denominados material III-V (por ejemplo, GaAs ó InP), o de una forma preferible, silicio. La capa 16, puede obtenerse mediante deposición catódica, mediante epitaxis, mediante CVD o mediante otras técnicas conocidas en el sector. El espesor de la capa 16, es generalmente inferior de 50 \mum y, de una forma preferible, de un valor comprendido dentro de unos márgenes que van de 1 a 20 \mum. Esta capa, desempeña dos funciones: ésta protege al material absorbente de gas, del contacto con gases, hasta que éste último se expone (mediante eliminación parcial y localizada de la capa 16), y actúa como un anclaje para las capas que se depositan subsiguientemente sobre ésta, para construir los ICs, dispositivos microelectrónicos o MMs, o ésta puede ser en sí misma la capa en la cual se forman estos dispositivos (por ejemplo, las partes móviles de las micromáquinas, pueden obtenerse en esa capa, eliminando partes de ésta). La superficie superior de la capa 16, puede también tratarse de tal forma que se modifique su composición química, por ejemplo, formando un óxido o un nitruro, en vistas de las siguientes operaciones de producción de dispositivos.
La figura 2, muestra una segunda posible forma de presentación del soporte en concordancia con la presente invención; también, en este caso, el soporte se representa parcialmente, en una vista de corte, y además, en este caso, también las dimensiones laterales de los varios depósitos sobre la base de material absorbente de gas, se facilitan de una forma exagerada, por motivos de claridad. El soporte 20, comprende una base 21. En las áreas 22, 22',... de la superficie 23 de esta base, se obtienen depósitos discretos 24, 24',..., de material absorbente de gas 25; éstos se cubren, a continuación, con una capa 26 de material 27. La base 21, es de la misma clase y tamaño que la base 11 del soporte 10; de una forma análoga, los materiales 25 y 27, son respectivamente de la misma clase de materiales 14 y 16, descritos con referencia al dispositivo 10.
Los depósitos 24, 24',..., son tan gruesos como la capa 13 del soporte 10. Estos depósitos, son no obstante discretos, y tienen unas dimensiones laterales generalmente inferiores a 500 \mum, y variables, dentro de unos márgenes que dependen del destino final del dispositivo: por ejemplo, si se espera una utilización en ICs, las dimensiones laterales, corresponderán a unos márgenes situados en unos valores de algunos micrómetros o menos, mientras que, en el caso de las MMs, estas dimensiones, pueden encontrarse comprendidas dentro de unos márgenes situados entre una pocas decenas y unos pocos centenares de micrómetros.
La capa 26, tiene un espesor variable, más reducido en las áreas sobre los depósitos 24, 24',..., y mayor en las áreas desocupadas de dichos depósitos, que se encuentran adheridas a la superficie 23 en estas áreas. El espesor de esta capa, en las áreas por encima de estos depósitos, tiene los mismos valores que la capa 15 del soporte 10, mientras que, en las áreas desocupadas de dichos depósitos 24, 24',..., su espesor, se incrementará, con respecto al espesor de los depósitos. Con objeto de ayudar a la adherencia, la capa 26, se encuentra preferiblemente fabricada a base del mismo material de la base 21; la combinación preferida, es silicio (mono- ó policristalino) para la base 21, y silicio crecido, a epitaxis, para la capa 26.
Las figuras 3 y 4, muestran un posible uso de un soporte 10, en la producción de ICs. En la superficie superior 17 del soporte 10, formado por una capa 15, por ejemplo, de silicio, se obtienen circuitos microelectrónicos en estado sólido, esquematizados como elementos 30, 30', mediante técnicas conocidas. El soporte 10, se corta, a continuación, a lo largo de las líneas de puntos, en la figura 3, obteniéndose con ello dispositivos individuales de ICs: uno de éstos, se facilita, en forma esquematizada, en la figura 4, la cual muestra un circuito integrado 40, obtenido en una parte del soporte 10, el cual posee, de una forma integrada, "enterrada" bajo la superficie 17, una capa 13 de material absorbente de gas 14. Esta capa 13, es capaz de sorber gases, especialmente, hidrógeno, el cual puede difundirse a través de las diferentes capas del dispositivo, evitando o reduciendo la contaminación del circuito integrado 40.
En el caso de la producción de MMs, sobre la superficie 17 del soporte, se producen estructuras, esquematizadas en la figura 5, como elementos 50, 50'..., las cuales comprenden las partes móviles de la micromáquina. Cuando se ha terminado la producción de las estructuras 50, 50'... (incluyendo los conductores para la conexión eléctrica de una micromáquina muy sencilla con el exterior, no mostrándose éstos en el dibujo), el soporte, se somete a una operación localizada de supresión de la capa 15, en las áreas de superficie 17, las cuales se desocupan o liberan de las citadas estructuras, formando así los pasadizos 51, 51', los cuales exponen el material absorbente de gas 14; a continuación, se procede a emplazar un elemento de cobertura 60, sobre el soporte de esta forma tratado 10, (el ensamblaje de este soporte 10, se muestra en la sección transversal, en la figura 6), realizándose, este elemento, generalmente, con los mismos materiales de la base 11, y debiendo ser fácilmente fijable sobre la superficie 17 (se prefiere, para éste, la utilización de sílice), pudiendo, este elemento 60, estar provisto de huecos o rebajes, 61, 61'... (caso mostrado en la figura), en correspondencia con áreas en donde, sobre el soporte 10, se han obtenido las estructuras 50, 50'..., y se han expuesto las porciones de capa 13; de una forma particular, cada uno de estos huecos o rebajes, será tal que, cuando el soporte 10 y el elemento 60 se fijan conjuntamente, se obtiene un espacio 62, en donde se encuentran contenidos una estructura como 50, 50'... y un pasadizo 51, el cual da acceso al material 14 de tal forma que, éste último, se encuentra en contacto directo con el espacio 62, y está capacitado para sorber gases posiblemente presentes o liberados durante el tiempo en el citado espacio. Finalmente, se obtienen micromáquinas simples, mediante el corte del montaje realizado a base del soporte 10 y el elemento 60, a lo largo de sus áreas de adhesión.
En una variante del procedimiento de producción de micromáquinas resumido anteriormente, arriba, la supresión localizada de la capa 15, se lleva a cabo antes de las etapas de fabricación de las estructuras 50, 50'.
En otra variante del procedimiento de producción, subrayado anteriormente, arriba, cuyo resultado final, es la micromáquina 70, mostrada en la figura 7, el soporte de la invención, se utiliza como elemento 60. En este caso, el substrato sobre el cual se encuentran formadas las micromáquinas, es un substrato del tipo tradicional, sin capa de absorción de gas integrada. El soporte 10 de la invención, se somete a un tratamiento de supresión localizada de la capa 15, formando, de este modo, al mismo tiempo, un hueco 71, que constituye el espacio 72, para el alojamiento de la estructura móvil 73, y dando acceso, el pasadizo, al material 14.
El uso de un soporte del tipo 20, se ilustrará únicamente en relación con el uso como un soporte, sobre cuya superficie se forma una micromáquina (uso similar al que se encuentra representado en las figuras 5 y 6), pero, obviamente, éste puede también utilizarse como soporte para la producción de ICs (tal y como se ha descrito, con referencia a las figuras 3 y 4) o como elemento de cobertura, en micromáquinas (tal y como se ha descrito, con referencia a la figura 7). El soporte 20, se somete a tratamiento de supresión localizada de la capa 26, en correspondencia con los depósitos 24, 24'..., obteniéndose de este modo, sobre el soporte, los pasadizos 80, 80'..., tal y como se muestra, en sección, en la figura 8, listos para las secuencia de las etapas de producción de micromáquinas. Las estructuras móviles (esquematizadas como elementos 90, 90') de la figura 9, se forman, a continuación, sobre este soporte; después de ello, se procede a fijar un elemento de cobertura 100, al soporte 20, en la áreas liberadas de las estructuras 90, 90',... y de los pasadizos 80, 80',..., obteniéndose, de esto modo, el ensamblaje 101, mostrado en la figura 10; finalmente, procediendo a cortar el montaje o ensamblado 101 a lo largo de las líneas (de puntos, en las figuras), comprendidas en las áreas de adhesión entre el soporte 20 y el elemento 100, se obtiene la micromáquina 110, mostrada en sección, en la figura 11.
Debido a su forma de utilización, el soporte del tipo 20, debe producirse cuando se conoce la aplicación final. De una forma particular, especialmente, en caso de las micromáquinas, es importante el conocer el tamaño lateral de los huecos o rebajes de las estructuras móviles (50, 50',..., 73 ó 90, 90'...) así como también el tamaño lateral de los huecos (61, 61',... ó 71) a ser producidos después, a continuación, de tal forma que se pueda estar capacitado para definir correctamente el tamaño lateral y la distancia recíproca de los depósitos 24, 24',...; así, de esta forma, se asegura el que, los huecos que dan acceso al material absorbente de gas, no interfieran con la estructura móvil, pero también que, éstos, se encuentren contenidos en el perímetro del espacio 62 ó 72, en donde se encuentra alojada la micromáquina. La clasificación del tamaño, puede llevarse a cabo obteniendo, de los productores de circuitos finales, dibujos, incluso que sean preliminares, de los dispositivos a ser producidos sobre el soporte 20.

Claims (21)

1. Un soporte (10; 20), con depósito integrado de material absorbente de gas, para la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, que comprende una base (11; 21), que tiene las funciones de apoyo mecánico, de un depósito continuo (13) o discontinuo (24, 24',...) de un material absorbente de gas (14, 25), sobre una superficie de la citada base, seleccionándose, el citado material absorbente de gas (14, 25), entre un material rarefactor o un material secante, y una capa (25, 26), que cubre totalmente el citado depósito de material absorbente de gas, fabricado a base de un material (16, 27), compatible con la producción de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos.
2. Un soporte (10), según la reivindicación 1, en donde, el citado depósito (13) de material absorbente de gas, es continuo, sobre la totalidad de la superficie (12) de la citada base (11).
3. Un soporte (20), según la reivindicación 1, en donde, el citado depósito de material absorbente de gas, es en forma de depósitos concretos (24, 24'',...), sobre la citada superficie (23) de la citada base (21).
4. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, la citada base (11, 21), está fabricada a base de un material seleccionado entre un metal, una cerámica, un vidrio o un semiconductor.
5. Un soporte, según la reivindicación 4, en donde, el citado material, es silicio.
6. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, el citado material absorbente de gas, es un material rarefactor.
7. Un soporte, según la reivindicación 6, en donde, el citado material rarefactor, se selecciona entre los metales Zr, Ti, Nb, Ta, V, aleaciones entre estos metales, o aleaciones entre estos metales y uno o más elementos seleccionados entre Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La y tierras raras.
8. Un soporte, según la reivindicación 7, en donde, el citado material rarefactor, es titanio.
9. Un soporte, según la reivindicación 7, en donde, el citado material rarefactor, es zirconio.
10. Un soporte, según la reivindicación 7, en donde, el citado material rarefactor, es una aleación que tiene una composición, en peso, correspondiente a Zr 84% - Al 16%.
11. Un soporte, según la reivindicación 7, en donde, el citado material rarefactor, es una aleación que tiene una composición, en peso, correspondiente a Zr 70% - Va 24,6% - Fe 5,4%.
12. Un soporte, según la reivindicación 7, en donde, el citado material rarefactor, es una aleación que tiene una composición, en peso, correspondiente a Zr 80,8% - Co 14,2% - TR 5%, y en donde, TR, significa tierra rara, itrio, lantano o mezclas de éstos.
13. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, el citado material absorbente de gas, es un material secante.
14. Un soporte, según la reivindicación 13, en donde, el citado material secante, se elige entre óxidos de metales alcalinos o alcalinotérreos.
15. Un soporte, según la reivindicación 14, en donde, el citado material secante, es óxido cálcico.
16. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, el citado depósito continuo o discontinuo de material absorbente de gas, tiene un espesor comprendido dentro de unos márgenes que van de 0,1 a 5 \mum.
17. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, el citado material compatible con la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos, es un material semiconductor.
18. Un soporte, según la reivindicación 17, en donde, el citado material, es sílice.
19. Un soporte, según la reivindicación 1, en donde, la citada capa de material compatible con la fabricación de dispositivos microelectrónicos, microoptoelectrónicos o micromecánicos, o partes de éstos, tiene un espesor inferior a 50 \mum.
20. Un soporte, según la reivindicación 19, en donde, el citado espesor, es el correspondiente a un valor comprendido dentro de unos márgenes que van de 1 a 20 \mum.
21. Uso de un soporte de la reivindicación 1, como elemento de cobertura (60), en la producción de un dispositivo micromecánico (70).
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