ES2259743T3 - Deposicion de un solido por descomposicion termica de una sustancia gaseosa en un reactor. - Google Patents
Deposicion de un solido por descomposicion termica de una sustancia gaseosa en un reactor.Info
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Abstract
Dispositivo para la deposición de un sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, caracterizado por un vaso (1), cuyo fondo (1.1) está orientado en dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona (1.2) de abertura contra la gravedad terrestre (g), el vaso (1) puede calentarse directa o indirectamente mediante una unidad (3.3) de calefacción, medición de temperatura y control, una unidad (2) de alimentación de sustancias con conducción (3.1) de sustancias y unidad (3.2) de dosificación, en el que la unidad (2) de alimentación de
Description
Deposición de un sólido por descomposición
térmica de una sustancia gaseosa en un reactor de vaso.
La presente invención se refiere a un nuevo
procedimiento y a un nuevo dispositivo para la deposición de un
sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa
en un reactor, en el que la sustancia (A) utilizada posee una
densidad mayor que la de los productos (C) gaseosos formados en la
descomposición, especialmente para la fabricación de cuerpos
predominantemente con forma de bloque y/o cilíndricos de silicio
policristalino de alta pureza a partir de monosilano.
Desde hace tiempo se conoce descomponer, con
influencia de temperatura más alta, silano en silicio y productos
secundarios y deponer el silicio policristalino. Este procedimiento
también se conoce por el término procedimiento de CVD (deposición de
vapores químicos, "Chemical Vapor
Deposition"). Los procedimientos industrialmente aplicados
hasta la fecha para la fabricación de silicio policristalino puro
utilizan triclorosilano (HSiCl_{3}) o monosilano (SiH_{4}) como
materia prima.
En el uso de triclorosilano se forman como
productos secundarios tetracloruro de silicio, cloro, hidrógeno y
otras sustancias generalmente reciclables.
Por el contrario, en el uso de monosilano sólo
se produce hidrógeno. Entonces, puede descomponerse monosilano de
una barra de silicio calentada por medio de corriente eléctrica
(procedimiento Siemens) o en un lecho fluidizado calentado.
En procedimientos más recientes se pasa a una
deposición en un tubo horizontal o verticalmente orientado
(documentos US 6 284 312, US 6 365 225, WO01/61070).
El silicio de alta pureza obtenido según el
procedimiento de CVD se utiliza generalmente en el procedimiento de
fusión para la fabricación de silicio mono o policristalino.
Especialmente en el procedimiento de fusión se intenta utilizar el
silicio de alta pureza a ser posible en forma gruesa, como
granulado, como bloque o como barra.
Desgraciadamente, en el procedimiento de CVD
conocido se produce una alta proporción de silicio en forma de polvo
que, en lo referente a un producto objeto grueso, contribuye a una
pérdida considerable de material.
Además, en los procedimientos conocidos se
producen apelmazamientos no deseados, más o menos considerables, de
silicio en las paredes del recipiente de reacción.
Además, la mayoría de las veces sólo puede
utilizarse gas de soporte muy diluido.
Además, una desventaja en el uso de
triclorosilano es un alto gasto de energía a causa de los altos
caudales debidos a la alta dilución en el uso de monosilano o debido
a numerosos productos secundarios.
En el caso de los procedimientos conocidos en
los que se utilizan reactores de flujo también se encuentran, además
de polvo, otras cantidades considerables de educto en el gas
residual que requiere una depuración de los gases residuales, la
mayoría de las veces costosa, y/o un reciclado costoso.
El objetivo de la presente invención se basó en
poner a disposición otro procedimiento para reducir, en la medida de
lo posible, las desventajas anteriormente mencionadas.
El objetivo propuesto se alcanza según la
invención de manera correspondiente a las indicaciones de las
reivindicaciones.
De manera sorprendente se encontró que puede
fabricarse de manera sencilla y especialmente económica un sólido
(B) por descomposición térmica específica de una sustancia (A)
gaseosa en forma gruesa y con una producción comparativamente
pequeña de silicio en forma de polvo, siempre que la descomposición
y deposición de la sustancia (A) utilizada que, dado el caso, se
utiliza en una mezcla de gases y posee una densidad más alta que la
de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, se
lleve a cabo en un dispositivo que se caracteriza por un vaso (1),
cuyo fondo (1.1) está orientado en dirección a la gravedad terrestre
(g) y su zona (1.2) de abertura contra la gravedad terrestre (g), el
vaso (1) puede calentarse directa o indirectamente mediante una
unidad (3.3) de calefacción, medición de temperatura y control, una
unidad (2) de alimentación de sustancias con conducción (3.1) de
sustancias y unidad (3.2) de dosificación, en el que la unidad (2)
de alimentación de sustancias con el orificio (2.1) de descarga de
sustancias está orientada en dirección a la gravedad terrestre (g) y
se extiende en el volumen libre del vaso (1) entre el fondo (1.1) y
la zona (1.2) de abertura, una envoltura (3) de reactor, que está de
manera adecuada para poder abrirse y que aísla esencialmente las
unidades (1) y (2) de un intercambio de gas con el entorno, y un
orificio (3.6) de descarga para productos (C) predominantemente
gaseosos, en éste puede descomponerse térmicamente de manera
especial monosilano como sustancia (A), pero no exclusivamente, y
depositarse silicio policristalino como sólido (B) en el vaso
(1).
La presente invención es especialmente económica
ya que el gasto en aparatos es comparativamente bajo, en el caso del
uso de monosilano como sustancia (A) sólo se produce hidrógeno con,
dado el caso, pequeñas partes de monosilano como gas residual y en
este sentido se forma una proporción comparativamente pequeña de
polvo de silicio. Debido a la conducción del procedimiento y al
dispositivo según la invención, normalmente no aparecen
apelmazamientos de sólido (B) en la pared (3) del reactor. Además,
en el presente procedimiento se obtiene como gas residual
prácticamente de manera exclusiva educto sin hidrógeno. Normalmente,
la velocidad de deposición alcanzada del sólido (B) es > 97%.
Además, la proporción de polvo en el gas (C) residual es normalmente
muy baja después del orificio (3.6) de descarga. El presente
procedimiento también es especialmente favorable energéticamente ya
que, entre otros, pueden transportarse flujos comparativamente
pequeños.
Así, según el presente procedimiento, en un
dispositivo según la invención se obtiene de manera ventajosa
silicio de alta pureza con forma de bloque que, por ejemplo, puede
utilizarse en el procedimiento de fusión para obtener silicio mono o
policristalino.
En las figuras 1 a 3 se representan esquemas de
formas de realización preferidas de dispositivos según la invención,
a continuación también denominados reactores de vaso, compárese las
figuras 1 a 3.
Por tanto, el objeto de la presente invención es
un dispositivo para la deposición de un sólido (B) por
descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la
sustancia (A) utilizada posee una densidad más alta que la de los
productos (C) gaseosos formados en la descomposición, caracterizado
por
un vaso (1), cuyo fondo (1.1) está orientado en
dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona (1.2) de abertura
contra la gravedad terrestre (g), el vaso (1) puede calentarse
directa o indirectamente mediante una unidad (3.3) de calefacción,
de medición de la temperatura y de control,
una unidad (2) de alimentación de sustancias con
conducción (3.1) de sustancias y unidad (3.2) de dosificación, en
el que la unidad (2) de alimentación de sustancias con el orificio
(2.1) de descarga de sustancias está orientada en dirección a la
gravedad terrestre (g) y se extiende en el volumen libre del vaso
(1) entre el fondo (1.1) y la zona (1.2) de abertura,
una envoltura (3) de reactor y un orificio (3.6)
de descarga para productos (C) gaseosos.
Preferiblemente, el vaso (1) y/o la unidad (2)
de alimentación de sustancias pueden subirse y/o bajarse mediante
al menos un dispositivo (3.4.1 y/o 3.4.2) elevador en dirección a la
gravedad terrestre. De manera adecuada, el dispositivo 3.4.1
elevador puede diseñarse para que pueda calentarse, de manera que,
por ejemplo, la placa soporte del vaso (1) contenga una unidad
(3.3) de calefacción.
Además, en el reactor de vaso según la invención
puede conectarse antes del orificio (3.6) de descarga una barrera
(3.5) de turbulencia para la estabilización del gas y la deposición
de partículas.
Para ajustar y regular el caudal de (A), en el
presente dispositivo puede conectarse después del orificio (3.6) de
descarga una unidad (3.7) de impulsión de gas, compárese las figuras
1 a 3.
Además, en el dispositivo según la invención
puede conectarse antes y/o después de la unidad (3.7) de impulsión
de gas un separador (3.8) de polvo, por ejemplo un filtro de
polvo.
La unidad (2) de alimentación de sustancias del
presente reactor de vaso está dotada preferiblemente en la zona del
orificio (2.1) de descarga de sustancias de un detector (2.2) de
temperatura.
La unidad (2) de alimentación de sustancias
puede componerse preferiblemente del sólido (B), cristal de cuarzo
o una materia metálica tratada, como acero inoxidable, titanio o una
aleación a base de níquel. Además, como acero inoxidable puede
utilizarse una aleación de níquel resistente a altas temperaturas,
por ejemplo Inconell®, o también Ti, Nb, Ta. Además, la lanza de la
unidad (2) puede estar diseñada para poder refrigerarse. La punta
de la lanza posee preferiblemente la forma de un embudo invertido,
de manera que pueda garantizarse una alimentación lo más lenta
posible del gas (A) en el vaso (1) y para evitar, en la medida de lo
posible, una turbulencia de la estratificación de gases.
El vaso (1) del reactor según la invención se
compone preferiblemente del sólido (B) y presenta de manera
adecuada una altura lateral de 10 a 200 cm, así como una superficie
de fondo, es decir, superficie de apoyo, de preferiblemente de 10 a
10 000 cm^{2}. En este sentido, la unidad (1) y la lanza de la
unidad (2) se componen de manera adecuada de un silicio de alta
pureza.
Entonces, el vaso (1) del dispositivo según la
invención puede componerse de manera adecuada de un disco con un
espesor y/o grosor de 0,01 a 1 cm, preferiblemente de 0,3 a 2 mm, de
silicio de alta pureza como fondo (1.1) y de un tubo de silicio
como pared con un grosor de pared de 0,01 a 1 cm, preferiblemente de
0,3 a 2 mm, y preferiblemente con un diámetro de 10 a 50 cm, en el
que el tubo es esencialmente perpendicular a la superficie plana
del disco de silicio con una de ambas superficies de abertura
opuestas del tubo y el diámetro exterior del tubo es igual de
pequeño que el diámetro del disco de silicio. Como disco de silicio
se utiliza preferiblemente en el presente documento una oblea. El
eje de un tubo de este tipo está orientado esencialmente
perpendicular a al menos una de ambas superficies de abertura del
tubo. De manera adecuada, al menos una de las superficies de
abertura está orientada de manera plana, perpendicular al eje del
tubo, y sirve como superficie de contacto respecto a la superficie
plana de la oblea. Sin embargo, los bordes de la superficie de
abertura del tubo también pueden diseñarse dentadas e
irregulares.
En el dispositivo según la invención, el vaso
(1) puede estar cubierto a la altura de la zona (1.2) de abertura
adicionalmente con una placa (1.3) que presenta en el centro una
sección de paso para la unidad (2), a través de la que normalmente
permanece garantizada la permeabilidad a los gases. Una placa de
este tipo con un orificio como sección de paso para la unidad (2)
puede componerse, por ejemplo, del sólido (B).
También se dota el dispositivo según la
invención preferiblemente de al menos una trampilla que se cierra
herméticamente o de una tapa que se cierra herméticamente como
constituyente de la envoltura (3) del reactor.
La envoltura (3) del reactor puede dotarse
además de una refrigeración y, dado el caso, de una calefacción. De
manera adecuada, la envoltura (3) del reactor se dimensiona para una
temperatura de -100 a +400ºC, preferiblemente de 10 a 100ºC. La
envoltura (3) del reactor también debería estar diseñada de manera
resistente a la presión, prefiriéndose una presión de operación en
el reactor de vaso de 0,1 mbar absolutos a 50 bar absolutos,
especialmente de 0,1 a 5 bar absolutos. Además, se prefiere una
realización hermética, especialmente respecto al oxígeno del
aire.
aire.
Además, es objeto de la presente invención un
procedimiento para la deposición de un sólido (B) por descomposición
térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la sustancia (A)
utilizada o una mezcla de gases que contiene la sustancia (A) posee
una densidad más alta que la de los productos (C) gaseosos formados
en la descomposición, en un dispositivo según la invención, en el
que
- se calienta el fondo y/o las paredes laterales
del vaso (1),
- se aporta la sustancia (A) gaseosa por la
unidad (2) de alimentación de sustancias desde arriba en el interior
del vaso (1), de manera adecuada con aprovechamiento de la fuerza de
gravedad,
- se deposita el sólido (B) formado por
descomposición térmica de (A), esencialmente en la superficie
interior del vaso (1) y
- se separan los productos (C) por medio de la
fase gaseosa del sistema.
En la realización del procedimiento según la
invención se prefiere que dicho dispositivo se evacue antes de la
alimentación de la sustancia (A) gaseosa y/o se rellene
específicamente con un gas o mezcla de gases que posea una densidad
más baja que la sustancia (A) gaseosa. Especialmente se utilizan
gases sin agua y oxígeno. En este caso, como gases se utilizan
preferiblemente hidrógeno, nitrógeno, amoniaco, gas (C) residual
como reciclado, helio, argón o una mezcla de los gases anteriormente
mencionados.
Como sustancia (A) se utiliza en el presente
procedimiento preferiblemente monosilano puro (SiH_{4}).
Preferiblemente se utiliza un monosilano con una pureza >
99,99%.
Sin embargo, también pueden utilizarse otros
compuestos de SiH, por ejemplo disilanos o mezclas correspondientes
de dichos compuestos de SiH. Además, pueden utilizarse clorosilanos
o mezclas de clorosilanos y silanos, es decir, compuestos de SiH.
Dado el caso, al gas (A) también pueden añadirse compuestos
metálicos de hidrógeno, como BH_{3}, GaH_{3}, GeH_{4},
PH_{3}, AsH_{3}, por sólo nombrar algunos ejemplos, en el
intervalo de cantidades de ppm, para conseguir una impurificación
específica del producto. Preferiblemente se utiliza una mezcla de
gases que contiene del 0,1 al 100% en volumen de sustancia (A), de
manera especialmente preferida del 10 al 100% en volumen.
Como sustancia (A) se utiliza especialmente en
el procedimiento según la invención silano puro (SiH_{4}) o una
mezcla del mismo con hidrógeno, nitrógeno, gas amoniaco, argón y/o
helio.
Sin embargo, en el dispositivo según la
invención y/o según el presente procedimiento también pueden
realizarse otras reacciones como la descomposición de silanos para
la deposición de silicio. Entonces, por ejemplo, una mezcla de
SiH_{4} y NH_{3} como sustancia (A) en un vaso (1) que se
compone, por ejemplo, de cuarzo, puede depositarse para dar nitruro
de silicio.
En la realización del procedimiento según la
invención, en el calentamiento del vaso (1) se ajusta de manera
adecuada una temperatura que es superior a la temperatura de
descomposición de la sustancia (A) utilizada, en el que el vaso (1)
se calienta preferiblemente en la zona del fondo (1.1) y/o en la
zona de la pared inferior. En este sentido puede refrigerarse la
envoltura (3) del reactor para evitar apelmazamientos no deseados en
la pared del reactor.
El procedimiento según la invención puede
realizarse a presión reducida, a presión aumentada o a presión
normal y a una temperatura de \geq 400 a 1200ºC. De manera
adecuada se calienta el vaso (1) o partes del mismo a una
temperatura de 400 a 1200ºC, preferiblemente de 600 a 1000ºC.
La alimentación de la sustancia (A) y/o de una
mezcla de gases correspondiente tiene lugar en el presente
procedimiento de manera adecuada por las unidades (3.2.), (3.1) y
(2) y puede favorecerse por la unidad (3.8).
En este sentido, el orificio (2.1) de descarga
de sustancias se extiende preferiblemente en el volumen libre del
vaso (1) entre el fondo (1.1) y la zona (1.2) de abertura, en el que
la orientación del orificio (2.1) de descarga de sustancias respecto
al fondo (1.1) del vaso (1) se regula y se sigue de manera adecuada
mediante un detector (2.2) de temperatura.
Además, la presión en el reactor y la
alimentación de sustancia (A) se regula preferiblemente mediante la
derivación de los productos (C) gaseosos por medio de la unidad
(3.7) de impulsión de gas y/o por la unidad (3.2) de
dosificación.
En general, el procedimiento según la invención
puede realizarse como sigue:
Generalmente, en primer lugar se seca el reactor
de vaso, por ejemplo mediante calentamiento, a continuación se
evacua y se rellena con un gas sin O_{2}, así como H_{2}O, que
posea una densidad más baja que la de la sustancia (A) que va a
descomponerse. Sólo ahora puede llevarse el vaso (1) a la
temperatura de operación. A continuación, se deja entrar la
sustancia (A) o una mezcla de gases correspondientemente diluida por
las unidades (3.2), (3.1) y (2) en el interior del vaso (1). La
progresión de la deposición del sólido (B) puede verificarse, por
ejemplo, por el cambio de temperatura en la unidad (2.2) y
reajustarse en la unidad (2). Además, la cantidad de alimentación de
(A) puede regularse mediante las unidades (3.2) y/o (3.8). Entonces,
según el procedimiento de la invención puede fabricarse de manera
ventajosa silicio de alta pureza en un nuevo dispositivo
desarrollado para ello.
Claims (26)
1. Dispositivo para la deposición de un sólido
(B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el
que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la de
los productos (C) gaseosos formados en la descomposición,
caracterizado por
un vaso (1), cuyo fondo (1.1) está orientado en
dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona (1.2) de abertura
contra la gravedad terrestre (g), el vaso (1) puede calentarse
directa o indirectamente mediante una unidad (3.3) de calefacción,
medición de temperatura y control,
una unidad (2) de alimentación de sustancias con
conducción (3.1) de sustancias y unidad (3.2) de dosificación, en el
que la unidad (2) de alimentación de sustancias con el orificio
(2.1) de descarga de sustancias está orientada en dirección a la
gravedad terrestre (g) y se extiende en el volumen libre del vaso
(1) entre el fondo (1.1) y la zona (1.2) de abertura,
una envoltura (3) del reactor y un orificio
(3.6) de descarga para productos (C) gaseosos.
2. Dispositivo según la reivindicación 1,
caracterizado porque el vaso (1) y/o la unidad (2) de
alimentación de sustancias pueden subirse y/o bajarse mediante al
menos un dispositivo (3.4.1 y/o 3.4.2) elevador en dirección a la
gravedad terrestre.
3. Dispositivo según la reivindicación 1 ó 2,
caracterizado porque antes del orificio (3.6) de descarga
está conectada una barrera (3.5) de turbulencia.
4. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 3, caracterizado porque después del orificio (3.6) de
descarga está conectada una unidad (3.7) de impulsión de gas.
5. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 4, caracterizado porque previa y/o posteriormente a la
unidad (3.7) de impulsión de gas está conectado un separador (3.8)
de polvo.
6. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 5, caracterizado porque la unidad (2) de alimentación de
sustancias está dotada en la zona del orificio (2.1) de descarga de
sustancias de un detector (2.2) de temperatura.
7. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 6, caracterizado porque la unidad (2) de alimentación de
sustancias se compone del sólido (B), cristal de cuarzo o una
materia metálica.
8. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 7, caracterizado porque el vaso (1) que se compone del
sólido (B) posee una altura lateral de 10 a 200 cm, y una superficie
de fondo de 10 a 10000 cm^{2}.
9. Dispositivo según una de las reivindicaciones
1 a 8, caracterizado porque la unidad (1) y la lanza de la
unidad (2) se componen de silicio de alta pureza.
10. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque el vaso (1) se
compone de un disco de silicio como fondo (1.1) y de un tubo de
silicio como pared, en el que el tubo es esencialmente perpendicular
a la superficie plana del disco de silicio con una de ambas
superficies de abertura opuestas del tubo y el diámetro exterior del
tubo es igual de pequeño que el diámetro del disco de
silicio.
silicio.
11. Dispositivo según la reivindicación 10,
caracterizado porque el disco de silicio es una oblea.
12. Dispositivo según al menos una de las
reivindicaciones 1 a 11, caracterizado porque el vaso (1)
está cubierto a la altura de la zona (1.2) de abertura con una placa
(1.3) que presenta en el centro una sección de paso para la unidad
(2).
13. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 1 a 12, caracterizado porque el dispositivo
está dotado con al menos una trampilla que se cierra herméticamente
o una tapa que se cierra herméticamente como constituyente de la
envoltura (3) del reactor.
14. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 1 a 13, caracterizado porque la envoltura
(3) del reactor está dotada de una refrigeración y, dado el caso, de
una calefacción.
15. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 1 a 14, caracterizado porque la envoltura
(3) del reactor está diseñada de manera resistente a la presión y al
vacío.
16. Dispositivo según una de las
reivindicaciones 1 a 15, caracterizado por una realización
hermética.
17. Procedimiento para la deposición de un
sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa,
en el que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la
de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, en un
dispositivo según una de las reivindicaciones 1 a 16, en el que
- se calienta el fondo y/o las paredes laterales
del vaso (1),
- se aporta la sustancia (A) gaseosa por la
unidad (2) de alimentación de sustancias en el interior del vaso
(1),
- se deposita el sólido (B) formado por
descomposición térmica de (A), esencialmente en la superficie
interior del vaso (1) y
- se separan los productos (C) por medio de la
fase gaseosa del sistema.
18. Procedimiento según la reivindicación 17,
caracterizado porque el dispositivo se evacua antes de la
alimentación de la sustancia (A) gaseosa y/o se rellena
específicamente con un gas o mezcla de gases que posea una densidad
más baja que la sustancia (A) gaseosa.
19. Procedimiento según la reivindicación 17 ó
18, caracterizado porque como sustancia (A) se utiliza
monosilano (SiH_{4}) puro.
20. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 19, caracterizado porque como sustancia
(A) se utiliza silano (SiH_{4}) puro en mezcla con hidrógeno,
nitrógeno, gas amoniaco, argón y/o helio.
21. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 20, caracterizado porque en el
calentamiento del vaso (1) se ajusta una temperatura que es superior
a la temperatura de descomposición del monosilano.
22. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 21, caracterizado porque el
procedimiento se realiza a presión reducida, a presión aumentada o a
presión normal y a una temperatura de \geq 400 a 1200ºC.
23. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 22, caracterizado porque se refrigera
la envoltura (3) del reactor.
24. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 23, caracterizado porque el orificio
(2.1) de descarga de sustancias se extiende en el volumen libre del
vaso (1) entre el fondo (1.1) y la zona (1.2) de abertura y la
orientación del orificio (2.1) de descarga de sustancias respecto al
fondo (1.1) del vaso (1) se regula y se sigue por un detector (2.2)
de temperatura.
25. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 24, caracterizado porque la presión en
el reactor y la alimentación de sustancia (A) se regula por la
derivación de los productos (C) gaseosos por medio de la unidad
(3.7) de impulsión de gas y/o la unidad (3.2) de dosificación.
26. Procedimiento según una de las
reivindicaciones 17 a 25, caracterizado porque por
descomposición térmica específica de la sustancia (A) en el interior
de un vaso (1) se producen esencialmente cuerpos homogéneos en forma
de bloque que se componen del sólido (B).
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE2002143022 DE10243022A1 (de) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10331952A1 (de) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Degussa Ag | Vorrichtung und Verfahren zur diskontinuierlichen Polykondensation |
| DE10357091A1 (de) * | 2003-12-06 | 2005-07-07 | Degussa Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung feinster Partikel aus der Gasphase |
| DE102004008442A1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-09-15 | Degussa Ag | Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips |
| DE102004010055A1 (de) * | 2004-03-02 | 2005-09-22 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| DE102004038718A1 (de) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium |
| DE102004045245B4 (de) | 2004-09-17 | 2007-11-15 | Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
| DE102005046105B3 (de) * | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Monosilan |
| DE102006003464A1 (de) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Degussa Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
| RU2337876C1 (ru) * | 2007-04-17 | 2008-11-10 | Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) | Способ и устройство получения чистого кремния |
| DE102007050199A1 (de) * | 2007-10-20 | 2009-04-23 | Evonik Degussa Gmbh | Entfernung von Fremdmetallen aus anorganischen Silanen |
| JP5137670B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2013-02-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
| CN103058194B (zh) | 2008-09-16 | 2015-02-25 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的反应器 |
| KR101708058B1 (ko) * | 2009-07-15 | 2017-02-17 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 다결정 실리콘의 제조 방법, 다결정 실리콘의 제조 장치, 및 다결정 실리콘 |
| JP5655429B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2015-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン |
| CN107699865B (zh) * | 2017-11-10 | 2024-04-19 | 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司 | 一种气相沉积炉用均匀进气的装置 |
| FI129868B (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-14 | Beneq Oy | A gas feeding cup and a gas manifold assembly |
| WO2025170647A2 (en) * | 2023-10-11 | 2025-08-14 | Vladimir Mancevski | Hydrocarbon pyrolysis via joule heating of powder |
Family Cites Families (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB745698A (en) * | 1953-09-25 | 1956-02-29 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to methods of producing silicon of high purity |
| US2989378A (en) * | 1956-10-16 | 1961-06-20 | Int Standard Electric Corp | Producing silicon of high purity |
| GB878763A (en) * | 1956-11-05 | 1961-10-04 | Plessey Co Ltd | Improvements in and relating to a process and apparatus for the production of highly-pure silicon |
| US3338761A (en) * | 1965-03-31 | 1967-08-29 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for making compound materials |
| US4207360A (en) * | 1975-10-31 | 1980-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Silicon seed production process |
| US4147571A (en) * | 1977-07-11 | 1979-04-03 | Hewlett-Packard Company | Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system |
| DE3376645D1 (en) * | 1982-06-22 | 1988-06-23 | Harry Levin | Apparatus and process for making solar grade silicon |
| US4642227A (en) * | 1982-08-20 | 1987-02-10 | California Institute Of Technology | Reactor for producing large particles of materials from gases |
| US4818495A (en) * | 1982-11-05 | 1989-04-04 | Union Carbide Corporation | Reactor for fluidized bed silane decomposition |
| JPS5989407A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-23 | Mitsui Toatsu Chem Inc | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| AT389959B (de) * | 1987-11-09 | 1990-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben |
| US5119540A (en) * | 1990-07-24 | 1992-06-09 | Cree Research, Inc. | Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product |
| JP2580928Y2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| MX9303141A (es) * | 1992-05-28 | 1994-04-29 | Polar Materials Inc | Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera. |
| US5308649A (en) * | 1992-06-26 | 1994-05-03 | Polar Materials, Inc. | Methods for externally treating a container with application of internal bias gas |
| GB2271518B (en) * | 1992-10-16 | 1996-09-25 | Korea Res Inst Chem Tech | Heating of fluidized bed reactor by microwave |
| TW337513B (en) * | 1992-11-23 | 1998-08-01 | Cvd Inc | Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties and preparation process thereof |
| EP0671770B1 (en) * | 1993-02-09 | 2000-08-02 | GENERAL SEMICONDUCTOR, Inc. | Multilayer epitaxy for a silicon diode |
| US5565248A (en) * | 1994-02-09 | 1996-10-15 | The Coca-Cola Company | Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance |
| TW285779B (es) * | 1994-08-08 | 1996-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5521351A (en) * | 1994-08-30 | 1996-05-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms |
| JP3824675B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2006-09-20 | 有限会社デジタル・ウェーブ | 結晶製造装置 |
| SE9502288D0 (sv) * | 1995-06-26 | 1995-06-26 | Abb Research Ltd | A device and a method for epitaxially growing objects by CVD |
| US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| SE9503426D0 (sv) * | 1995-10-04 | 1995-10-04 | Abb Research Ltd | A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor |
| DE19603323A1 (de) * | 1996-01-30 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von SiC durch CVD mit verbesserter Gasausnutzung |
| US5735960A (en) * | 1996-04-02 | 1998-04-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor |
| KR100508575B1 (ko) * | 1996-09-24 | 2005-10-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리방법및장치와기판처리용장치 |
| US5955776A (en) * | 1996-12-04 | 1999-09-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
| US6217662B1 (en) * | 1997-03-24 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Susceptor designs for silicon carbide thin films |
| JPH1154496A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びガス処理装置 |
| TW459266B (en) * | 1997-08-27 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
| US6015597A (en) * | 1997-11-26 | 2000-01-18 | 3M Innovative Properties Company | Method for coating diamond-like networks onto particles |
| US6217724B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-04-17 | Silicon General Corporation | Coated platen design for plasma immersion ion implantation |
| WO1999049101A1 (en) * | 1998-03-23 | 1999-09-30 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates |
| WO2000049199A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Gt Equipment Technologies Inc. | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
| US6354241B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6939821B2 (en) * | 2000-02-24 | 2005-09-06 | Shipley Company, L.L.C. | Low resistivity silicon carbide |
| JP3864696B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2007-01-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| US6733826B2 (en) * | 2000-12-18 | 2004-05-11 | Osram Sylvania Inc. | Method and apparatus for coating electroluminescent phosphors |
| US6852167B2 (en) * | 2001-03-01 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions |
| JP4479117B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2010-06-09 | アイシン精機株式会社 | 燃料改質装置 |
| JP2003031647A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US6652713B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with integral shield |
| US6907841B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-06-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus and method for synthesizing spherical diamond powder by using chemical vapor deposition method |
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