ES2266882T3 - Procedimiento para fabricar un contacto de tunel enterrado en un laser semiconductor que emite por la superficie. - Google Patents
Procedimiento para fabricar un contacto de tunel enterrado en un laser semiconductor que emite por la superficie. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2266882T3 ES2266882T3 ES03776886T ES03776886T ES2266882T3 ES 2266882 T3 ES2266882 T3 ES 2266882T3 ES 03776886 T ES03776886 T ES 03776886T ES 03776886 T ES03776886 T ES 03776886T ES 2266882 T3 ES2266882 T3 ES 2266882T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- tunnel contact
- layer
- semiconductor
- surface emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009933 burial Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Procedimiento para fabricar un contacto de túnel enterrado (1) en un láser semiconductor emisor de superficie con una zona activa (5) que presenta un paso pn rodeada de una primera capa de semiconductor n (6) y por lo menos una capa de semiconductor p (3, 4), y con un contacto de túnel (1) en el lado p de la zona activa (5), que limita con una segunda capa de semiconductor n (2), caracterizado en que la capa prevista para el contacto de túnel (1) en un primer paso es nivelada de forma lateral por medio del ataque químico selectivo con los materiales hasta el diámetro del contacto de túnel deseado (1) y en un segundo paso es calentada en una atmósfera adecuada hasta que se cierra el espacio atacado por transporte de masa a partir de por lo menos una de las capas de semiconductor (2, 3) que limitan con el contacto de túnel (1).
Description
Procedimiento para fabricar un contacto de túnel
enterrado en un láser semiconductor que emite por la superficie.
La invención hace referencia a un procedimiento
para fabricar un contacto de túnel enterrado en un láser
semiconductor emisor de superficie, así como dicho láser
semiconductor.
Los diodos láser emisores de superficie (en
inglés: Vertical-Cavity
Surface-Emitting Laser: VCSEL) representan láseres
semiconductores en los que la emisión de luz tiene lugar en sentido
perpendicular a la superficie del chip del semiconductor. Comparado
con los tradicionales diodos láser que emiten por el borde, los
diodos láser emisores de superficie presentan varias ventajas, como
un reducido consumo de potencia eléctrica, la posibilidad de
revisar de forma inmediata los diodos láser en la plaquita,
sencillas posibilidades de acoplamiento a una fibra de vidrio,
espectros monomodales longitudinales y la posibilidad de la
interconexión de los diodos láser emisores de superficie a una
matriz bidimensional.
En el ámbito de la técnica de la comunicación,
por medio de las fibras de vidrio, debido a la dispersión y/o
absorción dependientes de la longitud de onda, existe la necesidad
de VCSELs en un ámbito de longitud de onda de aprox. entre 1,3 y 2
\mum, en especial en torno a las longitudes de onda de 1,31
\mum o 1,55 \mum. Los diodos láser de onda larga con
propiedades apropiadas para la aplicación, especialmente para el
ámbito de longitud de onda superior a 1,3 \mum, hasta ahora se
fabrican con semiconductores de unión basados en InP. Los VCSELs
basados en GaAs son adecuados para el ámbito de onda corta < 1,3
\mum. Hasta ahora se han seguido las siguientes soluciones:
Un VCSEL continuous-wave que
emite con una potencia de 1 mW a 1,55 \mum, por ejemplo está
construido con un sustrato InP con capas metamorfas y/o reflectores
(IEEE Photonics Technology Letters, Volume 11, Number 6, June 1999,
páginas 629 a 631). Otra propuesta se refiere a un VCSEL de emisión
continua a 1,526 \mum que está fabricado con reflectores
GaAs/AIGaAs por medio de unión de plaquitas de una zona
InP/InGaAsPaktiven (Applied Physics Letters, Volume 78, Number 18,
páginas 2632 a 2633 del 30 de abril de 2001). En IEEE ISLC 2002,
páginas 145 a 146, se propone un VCSEL con reflector semiconductor
de aire (InP-Luftspalt-DBRs, für
Distributed Bragg Reflectors). Aquí, entre la zona activa y el
reflector DBR superior, se ha montado un contacto de túnel por el
que se obtiene una limitación de corriente al socavar la capa de
contacto de túnel. El espacio de aire que rodea al área de contacto
de túnel que queda sirve para guiar las ondas del campo óptico.
Además, de la publicación del 26 European
Conference on Optical Communication, ECOC 2000, "88ºC,
Continuous-Wave Operation of 1,55 \mum
Vertical-Cavity Surface-Emitting
Lasers", se conoce un VCSEL con reflectores basados en
antimonurio en el que una zona socavada activa en InGaAs está
rodeada por dos capas InP dotadas de n a las que se unen
reflectores DBR AIGaAsSb.
Sin embargo, son los VCSEL con contacto de túnel
enterrado (en inglés: Buried Tunnel Junction, BTJ) los que mejores
cualidades presentan en cuanto a potencia, ámbito de temperatura de
servicio y ancho de banda de modulación. En lo sucesivo, la
fabricación y la estructura del contacto de túnel enterrado deben
representarse mediante la Figura 1. Por medio de la epitaxia por
haz molecular (en inglés: Molecular Beam Epitaxy, MBE) se fabrica
un par de capas 101, 102 p^{+}/n^{+} muy dotadas con poco
intervalo de energía entre bandas. Entre estas capas se forma el
auténtico contacto de túnel 103. Por medio de un grabado iónico
reactivo (en inglés: Reactive Ion Etching, RIE) se forma un área
circular o elíptica que esencialmente es configurada por la capa
n^{+} 102, el contacto de túnel 103 y una parte o toda la capa
p^{+} 102. En un segundo ciclo de epitaxia, esta área se recubre
con InP dotado de n (capa 104), de modo que el contacto de túnel
queda "enterrado". El área de contacto entre la capa que hay
que recubrir (104) y la capa p^{+} 101 actúa como capa de bloqueo
al aplicar una tensión. La corriente fluye a través del contacto de
túnel con resistencias típicas de 3 x 10^{-6} \Omega cm^{2}. A
causa de esto, el flujo de corriente puede limitarse al área
verdadera de la zona activa 108. Además, la generación de calor es
escasa, puesto que la corriente fluye de una capa p con muchos
ohmios a una capa n con pocos ohmios.
El recubrimiento del contacto de túnel da lugar
a ligeras variaciones de espesor que tienen una repercusión
negativa en la guía lateral de las ondas, de modo que se facilita
la aparición de modos laterales más altos, en especial con grandes
aperturas. Por lo tanto, para el funcionamiento monomodal, en
particular en la técnica de comunicación óptica por fibra de vidrio
necesaria, sólo pueden utilizarse pequeñas aperturas con la misma
baja potencia del láser. Otro inconveniente de este concepto es la
epitaxia doble que se necesita para recubrir el contacto de túnel
enterrado. De forma análoga a los VCS de onda corta basados en
GaAs, en este caso y desde el punto de vista del rendimiento y los
costes también sería una gran ventaja un proceso de fabricación con
sólo una epitaxia.
Pueden encontrarse ejemplos y aplicaciones de
VCSELs con contactos de túnel enterrados por ejemplo en
"Low-threshold index-guided 1,5
\mum long wavelenght vertical-cavity
surface-emitting laser with high efficiency",
Applied Physics Letter, Volume 76, Number 16, páginas 2179 a 2181
del 17 de abril de 2000), en "Long Wavelength
Buried-Tunnel-Junction
Vertical-Cavity Surface-Emitting
Lasers", Adv. in Solid State Phys. 41, 75 a 85, 2001, en
"Vertical-cavity surface-emitting
laser diodes at 1,55 \mum with large output power and high
operation temperature", Electronics Letters, Volume 37, Number
21, páginas 1295 a 1296 del 11 de octubre de 2001, en "90ºC
Continuous-Wave Operation of 1,83 \mum
Vertical-Cavity Surface-Emitting
Lasers", IEEE Photonics Technology Letters, Volume 12, Number
11, páginas 1435 a 1437, noviembre de 2000, así como en
"High-Speed modulation up to 10 Gbit/s with 1,55
\mum wavelength InGaAIAs VCSELs", Electronics Letters, Volume
38, Number 20, 26 de septiembre de 2002.
En lo sucesivo, debe explicarse brevemente por
medio de la Figura 2 la estructura del VCSEL basado en InP que
trata la bibliografía mencionada anteriormente partiendo de la
estructura del contacto de túnel enterrado descrita en la Figura
1.
En esta estructura, el contacto de túnel
enterrado (BTJ) está dispuesto al revés, de tal forma que la zona
activa 106 está situada encima del contacto de túnel con el
diámetro D_{BTJ} entre la capa p^{+} 101 y la capa n^{+} 102.
La radiación de láser sale en la dirección representada con la
flecha 116. La zona activa 106 está rodeada por una capa p 105
(InAIAs) y por una capa n 108 (In-AIAs). El
reflector de la parte delantera 109, encima de la zona activa 106,
está compuesto por un DBR epitaxial con unos 35 pares de capas
InGaAIAs/InAIAs, por lo que se produce una reflectividad de
aproximadamente un 99,4%. El reflector de la parte trasera 112 está
compuesto por un montón de capas dieléctricas como DBR y está
cerrado por una capa de oro, por lo que se produce una reflectividad
de casi un 99,75%. Una capa aislante 113 evita el contacto directo
de la capa InP n 104 con la capa de contacto p 114, que la mayor
parte de la veces está compuesta de oro o plata (a este respecto
véase DE 101 07 349 Al).
La combinación de reflector dieléctrico 112 y la
capa de contacto integrada 114 y el disipador de calor 115 da como
resultado una conductibilidad del calor muy alta si se compara con
estructuras multicapa epitaxiales. La corriente es inyectada por
medio de la capa de contacto 114 y/o por medio del disipador de
calor integrado 115 y los puntos de contacto laterales n 110. Para
obtener más detalles relativos a la fabricación y a las propiedades
de los tipos de VCSEL representados en la Figura 2, se vuelve a
hacer referencia explícita a la bibliografía mencionada
anteriormente.
El objetivo de la invención es especificar a
partir de ahora en particular un diodo láser emisor de superficie
basado en In con contacto de túnel enterrado
(BTJ-_VCSEL) que pueda fabricarse de un modo más
barato y con un mayor beneficio. Además, el funcionamiento monomodal
lateral también debe ser estable con grandes aperturas, por lo que
debe hacerse posible una alta potencia monomodal en total. Según la
invención, el procedimiento para fabricar un contacto de túnel
enterrado en un láser semiconductor emisor de superficie, que
presenta una zona activa con un paso pn rodeada de una primera capa
de semiconductor n y por lo menos de una capa de semiconductor p,
así como un contacto de túnel en el lado p de la zona activa, que
limita con una segunda capa de semiconductor n, prevé, según la
reivindicación 1, los siguientes pasos: en un primer paso se nivela
de forma lateral la capa prevista para el contacto de túnel por
medio de un ataque químico selectivo con los materiales hasta que
se alcanza el diámetro deseado del contacto de túnel, de tal modo
que quede un espacio atacado que rodee el contacto de túnel. En un
segundo paso, el contacto de túnel se calienta en una atmósfera
adecuada hasta que el espacio atacado se cierra por transporte de
masa a partir de por lo menos una de las capas de semiconductor que
limita con el contacto de túnel. Las capas del semiconductor que
limitan con el contacto de túnel son la segunda capa de
semiconductor n en el lado apartado de la zona activa y una capa de
semiconductor p en el lado apartado de la zona activa del contacto
de
túnel.
túnel.
Para la llamada técnica de transporte de masa
("Mass-Transport"-Technik, MTT) resulta
especialmente ventajoso si por lo menos una de las capas de
semiconductor mencionadas que limita con el contacto de túnel se
compone de un compuesto de fosfuro, en particular InP.
La presente invención resuelve tanto el problema
de la epitaxia doble como el de la guía lateral de ondas
incorporada utilizando la mencionada técnica
"Mass-Transport". En este sentido, la MTT
sustituye al segundo proceso de epitaxia y al mismo tiempo no
provoca la variación de espesor lateral que se creaba antes, lo que
da como consecuencia una fuerte guía lateral de ondas. El
enterramiento del contacto de túnel ahora ya no se lleva a cabo por
recubrimiento, sino por socavación de la capa del contacto de túnel
y el posterior cierre del área atacada por medio del transporte de
masa de capas vecinas. Gracias a esto, se pueden fabricar diodos
láser emisores de superficie de un modo más barato y con mayores
beneficios. Además, el funcionamiento monomodal lateral se
estabiliza incluso con grandes aperturas, por lo que se produce una
alta potencia monomodal.
La técnica de transporte de masas se utilizó en
otro contexto a principios de los años 80 para fabricar zonas
activas enterradas para los llamados diodos láser
Buried-Heterostructure (BH) sobre la base InP
(véase "Study and Application of the
Mass-Transport Phenomenon in InP", Journal of
Applied Physics 54(5), mayo de 1983, páginas 2407 a 2411,
así como "A Novel Technique for GaInAsP/InP Buried
Heterostructure Laser Fabrication", en Applied Physics Letters
40(7), 1 de abril de 1982, páginas 568 a 570). Sin embargo,
el procedimiento resultó ser desfavorable por los considerables
problemas de degradación. Esta degradación del láser fabricado
mediante MTT se basa en la erosión de los costados laterales
atacados de la zona activa, que no pueden ser protegidos por MTT
con la calidad suficiente. Para obtener más detalles y saber cómo
se lleva a cabo la técnica de transporte de masa, se hace
referencia explícita a la bibliografía mencionada anteriormente.
Se ha comprobado que el mencionado mecanismo de
envejecimiento de la técnica de transporte de masa, que ha impedido
la realización de un láser BH útil, no desempeña ningún papel a la
hora de cimentar contactos de túnel, puesto que en éste no hay un
plasma electrón-hueco muy estimulado como en una
zona activa del láser y de este modo no se producen recombinaciones
de superficies, que causan los problemas de degradación.
La invención de los VCSELs
"Mass-Transport" (MT-_VCSEL)
permite VCSELs más fáciles de fabricar desde el punto de vista
tecnológico y mejores VCSELs de onda corta con respecto a la
potencia monomodal máxima, en especial sobre la base InP.
El proceso de transporte de masas se lleva a
cabo preferentemente en una atmósfera fosforosa, por ejemplo
compuesta de H2 con PH3, mientras se produce el calentamiento del
componente. El intervalo de temperatura preferido se sitúa entre
500 y 800ºC, preferentemente entre 500 y 700ºC. Una posibilidad de
la técnica de transporte de masa consiste en tratar la plaquita con
H2 y PH3 en una atmósfera que fluye mientras la plaquita se
calienta hasta los 670ºC y a continuación mantenerla en esta
temperatura durante otro periodo de tiempo (la duración de todo el
tratamiento es de aproximadamente una hora). Los experimentos con
capas InP en una atmósfera de hidrógeno también dieron lugar a un
transporte de masas de InP.
Gracias al proceso de transporte de masas se
cierra el espacio atacado y de este modo se entierra el contacto de
túnel. Debido al alto intervalo de energía entre bandas de InP y a
la escasa dotación, las áreas que limitan con el contacto de túnel
cerradas por el transporte de masa no representan ningún contacto
de túnel y por lo tanto bloquean el flujo de corriente. Por otro
lado, estas áreas contribuyen esencialmente a la evacuación del
calor debido a la alta conductibilidad del calor de InP.
Para fabricar un diodo láser emisor de
superficie de acuerdo con la invención, es ventajoso partir de una
estructura inicial epitaxial en la que, en el lado p de la zona
activa, se apliquen una detrás de otra una capa de semiconductor p,
la capa prevista para el contacto de túnel y a continuación la
segunda capa de semiconductor n, por lo que en primer lugar, por
medio de la fotolitografía y/o el grabado anódico (por ejemplo
grabado iónico reactivo (en inglés: Reactive Ion Etching, RIE)), se
forme un sello circular o elíptico cuyos costados rodeen la segunda
capa de semiconductor n y la capa prevista para el contacto de
túnel en dirección vertical a la capa y que llegue por lo menos
hasta debajo de la capa de contacto de túnel, y que a continuación
la socavación de la capa de contacto de túnel, de acuerdo con la
invención, así como el enterramiento del contacto de túnel se lleven
a cabo mediante el transporte de masa.
La estructura que se obtiene de este modo es muy
apropiada para fabricar diodos láser emisores de superficie.
En otra configuración de la invención se prevé
una capa de semiconductor adicional que, en el lado p de la zona
activa, se une a la segunda capa de semiconductor n en el lado
apartado de la zona activa del contacto de túnel. Esta capa de
semiconductor adicional, a su vez, limita con una tercera capa de
semiconductor n, por lo que esta capa de semiconductor adicional en
primer lugar también es nivelada de forma lateral mediante un
ataque químico selectivo con los materiales hasta un diámetro
deseado y a continuación es calentada en una atmósfera adecuada
hasta que se cierra el espacio atacado por transporte de masa de
por lo menos una de las capas de semiconductor n que limitan con la
capa de semiconductor adicional.
A este respecto, es ventajoso llevar a cabo el
ataque químico lateral selectivo con los materiales, así como el
proceso de transporte de masa, al mismo tiempo que la
correspondiente fabricación del contacto de túnel enterrado de
acuerdo con la invención.
En caso de que para la capa de semiconductor
adicional se utilice otro material, p. ej. InGaAsP, distinto al del
contacto de túnel, p. ej. InGaAs, puede aprovecharse un ataque
químico lateral distinto, por lo que la guía de ondas lateral,
definida por el diámetro de la capa de semiconductor adicional,
puede ser más ancha que el área activa, cuyo diámetro se
corresponde con el diámetro del contacto de túnel. De esta forma,
este modelo permite una configuración controlada e independiente de
la apertura de corriente de la guía de ondas lateral. A este
respecto, esta capa de semiconductor adicional se dispone no en un
nodo, sino p. ej. en un vientre (máximo) del campo eléctrico
longitudinal.
El intervalo de energía entre bandas de la capa
de semiconductor adicional debería ser mayor que el de la zona
activa para evitar la absorción óptica.
Para el ataque químico selectivo con los
materiales ha resultado ventajoso un ataque químico con una
solución cáustica H2SO4:H2O2:H2O en una relación de entre 3:1:1 y
3:1:20 si el contacto de túnel está compuesto de InGaAs, InGaAsP o
In-GaAIAs.
Un contacto de túnel enterrado en un láser
semiconductor emisor de superficie fabricado según el procedimiento
que especifica la invención presenta varias ventajas: en
comparación con las soluciones anteriores de recubrir el contacto
de túnel con un segundo proceso de epitaxia, a partir de ahora tan
sólo se requiere un proceso de epitaxia, por lo que los diodos
láser pueden fabricarse de un modo más barato y con mayores
ganancias. Al utilizar InP para el proceso de transporte de masa se
crean áreas en torno al contacto de túnel de forma lateral que
bloquean el flujo de corriente al lado del contacto de túnel y que
al mismo tiempo contribuyen de manera esencial a la conducción del
calor a las capas vecinas. Además, un láser semiconductor emisor de
superficie fabricado de acuerdo con la invención sólo presenta una
guía de ondas integrada muy pequeña, lo que facilita la
estabilización del funcionamiento monomodal lateral incluso con
grandes aperturas y que de este modo en conjunto da como resultado
potencias monomodales mayores que en la soluciones anteriores.
En la reivindicación 11 se detalla un láser
semiconductor emisor de superficie de acuerdo con la invención, las
configuraciones ventajosas se especifican en las correspondientes
reivindicaciones subordinadas. Las ventajas respectivas de este
láser semiconductor emisor de superficie se han señalado en lo
esencial con la descripción del procedimiento según la invención.
Otras ventajas y configuraciones de la invención se deducen de los
siguientes ejemplos de realización. A este respecto:
La Figura 1 muestra la representación
esquemática de un contacto de túnel enterrado en láseres
semiconductores emisores de superficie conocidos.
La Figura 2 muestra una sección transversal de
un láser semiconductor emisor de superficie conocido con contacto
de túnel enterrado (BTJ-VCSEL) en una
representación esquemática,
La Figura 3 muestra una estructura inicial
epitaxial típica para un VCSEL de transporte de masa
(MT-VCSEL) en una vista esquemática en la sección
transversal,
La Figura 4 muestra la estructura de la Figura 3
con sello formado,
La Figura 5 muestra la estructura de la Figura 3
con sello formado con más profundidad,
La Figura 6 muestra la estructura según la
Figura 4 después de socavar la capa del contacto de túnel,
La Figura 7 muestra la estructura según la
Figura 6 después del proceso de transporte de masa,
La Figura 8 muestra una vista esquemática de la
sección transversal de un MT-VCSEL de acuerdo con
la invención,
La Figura 9 muestra una realización
perfeccionada de una estructura inicial epitaxial y
La Figura 10 muestra una vista esquemática de la
sección transversal de otra realización de la invención.
En la introducción descriptiva se han descrito
la fabricación y la estructura de un contacto de túnel enterrado y
de un diodo láser emisor de superficie con dicho contacto de túnel,
de acuerdo con las Figuras 1 y/o 2. En lo sucesivo se explican con
más detalle las realizaciones de la invención mediante las Figuras
3 a 10.
La Figura 3 muestra de forma esquemática una
estructura inicial epitaxial típica para un
MT-VCSEL de acuerdo con la invención. Partiendo del
sustrato S de InP se separan unos detrás de otros un reflector
Bragg n epitaxial 6, una zona activa 5, una capa InAIAs p opcional
4, una capa InP p inferior 3, un contacto de túnel compuesto por lo
menos de una capa de semiconductor p alta y n respectivamente 1,
que se encuentra en un nodo (mínimo) del campo eléctrico
longitudinal, una capa InP n superior 2 y una capa de contacto
n^{+} superior 7.
A continuación, por fotolitografía y grabado
anódico, se fabrican sellos circulares o elípticos en una plaquita
con la estructura inicial según la Figura 3. Los sellos pueden
verse en las Figuras 4 y 5 en la sección transversal. Llegan por lo
menos hasta por debajo del contacto de túnel 1, que posee el
espesor d (compárese con la Figura 4), o hasta la capa InP p
inferior 3 (Figura 5), por lo que en esta capa inferior 3 se graba
un borde 3a. El diámetro del sello (w + 2h), de forma típica, es
aprox. entre 5 y 20 \mum más grande que el diámetro de apertura
previsto w, típicamente entre 3 y 20 \mum, de tal modo que h es
aprox. entre 3 y 10 \mum. En este caso, h (compárese con la Figura
6) representa la anchura del área socavada B de la capa prevista
para el contacto de túnel 1.
Mediante el ataque químico selectivo con los
materiales, como se representa en la Figura 6, ahora se nivela el
contacto de túnel 1 lateralmente, sin que al hacer esto se graben
las capas que lo rodean, en este caso la capa InP n superior 2 y la
capa InP p inferior 3. La socavación lateral del contacto de túnel
1 (y/o la capa prevista para el contacto de túnel) de típicamente h
= 2 a 10 \mum sirve para definir la apertura A, que se
corresponde con la superficie de contacto de túnel que queda. El
ataque químico selectivo con los materiales es posible por ejemplo
al agua fuerte con una solución cáustica H2SO4:H2O2:H2O en una
relación de 3:1:1 a 3:1:20 cuando el contacto de túnel 1 está
compuesto de InGaAs, InGaAsP o InGaAIAs.
Para ahora obtener un contacto de túnel
enterrado 1 en la estructura representada en la Figura 6, el
espacio atacado, es decir, el área B que rodea al contacto de túnel
1 de forma lateral, se cierra de acuerdo con la invención por medio
de un proceso de transporte de masa. Para ello, la plaquita se
calienta con la estructura representada en la Figura 6 bajo una
atmósfera fosforada durante cierto tiempo, preferentemente entre
500 y 600ºC. Las duraciones típicas van de los 5 a los 30 minutos.
Durante este proceso se mueven pequeñas cantidades de InP desde la
capa InP superior y/o inferior 2 y/o 3 al espacio atacado
previamente, que de este modo se cierra.
El resultado del proceso de transporte de masa
se muestra en la Figura 7. El InP transportado en el área 1a ahora
rodea al contacto de túnel 1 de forma lateral (lo entierra). Debido
al alto intervalo de energía entre bandas de InP y a la pequeña
dotación, las áreas 1a no representan ningún contacto de túnel y
por lo tanto bloquean el flujo de corriente. De este modo, el área
que conduce corriente de la zona activa 5 con el diámetro w
(compárese con la Figura 6) se corresponde ampliamente con la
superficie (apertura A en la Figura 6) del contacto de túnel 1. Por
otro lado, las áreas anulares compuestas de InP 1a con la anchura
del anillo h contribuyen de un modo esencial al escape de calor por
medio de la capa InP superior debido a la alta conductibilidad del
calor de InP.
El procesamiento posterior de la estructura,
según la Figura 7, para el MT-VCSEL terminado se
corresponde a la técnica conocida relativa a los
BTJ-VCSELs, como se ha descrito al comienzo y la
bibliografía citada, y por lo tanto no necesita ser descrita en
mayor detalle aquí. La Figura 8 muestra el MT-VCSEL
terminado de acuerdo con la invención.
En ella se señala con un 9 un disipador de calor
de oro integrado, el 8 señala un reflector dieléctrico que limita
con la capa InP n superior 2 y que está rodeado por el disipador de
calor de oro 9, 7a indica la capa de contacto n estructurada de
forma anular, y con el 10 se especifica una capa de aislamiento y
pasivación, p. ej. de Si3N4 o Al2O3, que protege tanto a la capa
InP p inferior como a la capa InP n superior 3, 2 frente a un
contacto directo con el contacto lateral p 11 y/o el disipador de
calor de oro 9. El contacto lateral p 1 1 está fabricado por
ejemplo con Ti/Pt/Au. El número 12 señala el contacto lateral n de
p. ej. Ti/Pt/Au.
En este contexto hay que señalar que la zona
activa 5, que en este caso se muestra como una capa homogénea, la
mayoría de las veces está compuesta por un estructura de capa de por
ejemplo 11 finas capas (5 películas cuánticas y 6 capas de
barrera).
En la Figura 9 se representa una realización
perfeccionada de la estructura inicial epitaxial, en la que debajo
de la zona activa 5 se ha insertado un capa InP n adicional. Esta
capa refuerza el escape de calor lateral de la zona activa 5 y de
este modo reduce su temperatura.
En la Figura 10 se muestra otra realización de
la invención. En este caso, la técnica de transporte de masa se
aplica en dos capas que están colocadas una encima de otra, por lo
que preferentemente se lleva a cabo un único proceso de transporte
de masa tanto para la capa de contacto de túnel como para la capa
de semiconductor adicional 21. En la Figura 10, esta capa de
semiconductor adicional 21 está dispuesta encima del contacto de
túnel 1. La capa de semiconductor adicional 21 limita con dos capas
InP n 2, 2'. El área 20 que rodea la capa de semiconductor
adicional 21 de forma lateral está compuesta de InP, que ha llegado
al área socavada 20 previamente por el transporte de masa y que
cierra ésta.
Siempre y cuando el índice de refracción de la
capa de semiconductor adicional 21 se diferencie del índice de
refracción del InP que la rodea, esta capa 21 creará una guía de
ondas lateral controlada disponiendo esta capa no en un nodo, sino
p. ej. en un vientre (máximo) del campo eléctrico longitudinal. Al
utilizar distintos semiconductores, p. ej. InGaAs para el contacto
de túnel 1 y InGaAsP para la capa de semiconductor 21 adicional,
puede aprovecharse un ataque químico lateral distinto, por lo que
la guía de ondas lateral, definida por el diámetro de la capa 21,
es más ancha que el área activa de la zona activa 5, cuyo diámetro
se corresponde con el diámetro del contacto de túnel 1. De esta
forma, este modelo permite una configuración controlada e
independiente de la apertura de corriente de la guía de ondas
lateral.
Claims (22)
1. Procedimiento para fabricar un contacto de
túnel enterrado (1) en un láser semiconductor emisor de superficie
con una zona activa (5) que presenta un paso pn rodeada de una
primera capa de semiconductor n (6) y por lo menos una capa de
semiconductor p (3, 4), y con un contacto de túnel (1) en el lado p
de la zona activa (5), que limita con una segunda capa de
semiconductor n (2), caracterizado en que la capa prevista
para el contacto de túnel (1) en un primer paso es nivelada de
forma lateral por medio del ataque químico selectivo con los
materiales hasta el diámetro del contacto de túnel deseado (1) y en
un segundo paso es calentada en una atmósfera adecuada hasta que se
cierra el espacio atacado por transporte de masa a partir de por lo
menos una de las capas de semiconductor (2, 3) que limitan con el
contacto de túnel (1).
2. Procedimiento según la reivindicación 1,
caracterizado en que por lo menos una de las capas de
semiconductor (2, 3) que limitan con el contacto de túnel (1) se
compone de un compuesto de fosfuro, preferentemente de InP.
3. Procedimiento según la reivindicación 1 o 2,
caracterizado en que como atmósfera en el segundo paso
mencionado se utiliza una atmósfera fosfórica, preferentemente PH3
e hidrógeno.
4. Procedimiento según una de las
reivindicaciones de la 1 a la 3, caracterizado en que la
temperatura en el segundo paso mencionado se selecciona entre 500 y
800ºC, preferentemente entre 500 y 600ºC.
5. Procedimiento según una de las
reivindicaciones de la 1 a la 4, caracterizado en que,
partiendo de una estructura inicial epitaxial del láser
semiconductor emisor de superficie, en el que en el lado p de la
zona activa (5) se aplican una detrás de otra una capa de
semiconductor p (3), la capa prevista para el contacto de túnel (1)
y la segunda capa de semiconductor n (2) por medio de la
fotolitografía y/o el grabado anódico se forma un sello circular o
elíptico cuyos costados rodean la segunda capa de semiconductor n
(2) y la capa prevista para el contacto de túnel (1) y que llega
por lo menos hasta debajo de la capa de contacto de túnel (1), y
que a continuación se llevan a cabo el primer y el segundo paso
mencionados para fabricar el contacto de túnel (1) enterrado.
6. Procedimiento según una de las
reivindicaciones de la 1 a la 5, caracterizado en que en el
lado p de la zona activa (5), una capa de semiconductor adicional
(21) se une a la segunda capa de semiconductor n (2) que, a su vez,
limita con una tercera capa de semiconductor n (2'), por lo que
esta capa de semiconductor adicional (21) es nivelada de forma
lateral mediante un ataque químico selectivo con los materiales
hasta un diámetro deseado y a continuación es calentada en una
atmósfera adecuada hasta que se cierra el espacio atacado por
transporte de masa a partir de por lo menos una de las capas de
semiconductor (2, 2') que limitan con la capa de semiconductor
adicional (21).
7. Procedimiento según la reivindicación 6,
caracterizado en que se utilizan distintos semiconductores
para la capa de semiconductor adicional (21) y para el contacto de
túnel (1).
8. Procedimiento según la reivindicación 7,
caracterizado en que se utiliza InGaAsP para la capa de
semiconductor adicional (21) y para el contacto de túnel (1).
9. Procedimiento según una de las
reivindicaciones de la 6 a la 8, caracterizado en que la
capa de semiconductor adicional (21) está dispuesta en un máximo
del campo eléctrico longitudinal, mientras que el contacto de túnel
(1) se encuentra en un mínimo del campo eléctrico longitudinal.
10. Procedimiento según una de las
reivindicaciones de la 1 a la 9, caracterizado en que para
el ataque químico selectivo con los materiales se utiliza como
solución cáustica H2SO4:H2O2:H2O en una relación de entre 3:1:1 y
3:1:20 si el contacto de túnel (1) está compuesto de InGaAs,
InGaAsP o InGaAIAs.
11. Láser semiconductor emisor de superficie,
que presenta una zona activa (5) con un paso pn rodeada de una
primera capa de semiconductor n (6) y por lo menos de una capa de
semiconductor p (3, 4), así como un contacto de túnel (1) en el
lado p de la zona activa (5), que limita con una segunda capa de
semiconductor n (2), caracterizado en que el contacto de
túnel (1) está rodeado de forma lateral de un área (1a) que une la
segunda capa de semiconductor n (2) con una de las capas de
semiconductor p (3, 4) y que se ha creado por transporte de masa a
partir de por lo menos una de estas capas limítrofes (2, 3)
nivelando de forma lateral la capa prevista para el contacto de
túnel (1) en un primer paso por medio del ataque químico selectivo
con los materiales hasta el diámetro deseado del contacto de túnel
(1) y en un segundo paso siendo calentada en una atmósfera adecuada
hasta que el espacio atacado se cierra por transporte de masa a
partir de por lo menos una de las capas de semiconductor (2, 3) que
limita con el contacto de túnel (1).
12. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con la reivindicación 11, caracterizado en que por
lo menos una de las capas de semiconductor (2, 3) que limita con el
contacto de túnel (1) está compuesta por un compuesto de fosfuro,
preferentemente de InP.
13. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con la reivindicación 11 o 12, caracterizado en que
una capa InAIAs p (4) seguida de una capa InP p (3) se une a la
zona activa (5) como por lo menos una capa de semiconductor p.
14. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 11 a la 13,
caracterizado en que el contacto de túnel (1) está dispuesto
en un mínimo del campo eléctrico longitudinal.
15. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 11 a la 14,
caracterizado en que una capa de semiconductor n adicional
(6a) está presente entre la zona activa (5) y la primera capa de
semiconductor (6), que está configurada como un reflector de
semiconductores.
16. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 11 a la 15,
caracterizado en que hay prevista una capa de semiconductor
adicional (21) que se une a la segunda capa de semiconductor n (2)
que limita con el contacto de túnel (1), y que, a su vez, limita
con una tercera capa de semiconductor n (2'), por lo que esta capa
de semiconductor adicional (21) está rodeada de forma lateral de un
área (20) que conecta la segunda capa de semiconductor n (2) con la
tercera capa de semiconductor n (2') y que es generada por
transporte de masa a partir de por lo menos una de estas dos capas
(2, 2'), por lo que, mediante ataque químico selectivo con los
materiales, esta capa de semiconductor adicional (21) es nivelada
de forma lateral hasta un diámetro deseado y a continuación es
calentada en una atmósfera adecuada hasta que el espacio atacado se
cierra por transporte de masa a partir de por lo menos una de las
capas de semiconductor (2, 2') que limita con la capa de
semiconductor adicional (21).
17. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con la reivindicación 16, caracterizado en que el
índice de refracción de la capa de semiconductor adicional (21) se
diferencia del de y/o de los de ambas capas vecinas (2, 2').
18. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con la reivindicación 16 o 17, caracterizado en que
la capa de semiconductor adicional (21) está dispuesto en un máximo
del campo eléctrico longitudinal.
19. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 16 a las 18,
caracterizado en que la capa de semiconductor adicional (21)
y el contacto de túnel (1) está compuestos de distintos materiales
semiconductores.
20. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con la reivindicación 19, caracterizado en que la
capa de semiconductor adicional (21) está compuesta de InGaAsP y el
contacto de túnel (1) está compuesto de InGaAs.
21. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 16 a la 20,
caracterizado en que el diámetro de la capa de semiconductor
adicional (21) es mayor que el del contacto de túnel (1).
22. Láser semiconductor emisor de superficie de
acuerdo con una de las reivindicaciones de la 16 a la 21,
caracterizado en que el intervalo de energía entre bandas de
la capa de semiconductor adicional (21) es mayor que el intervalo
de energía entre bandas de la zona activa (5).
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10255307 | 2002-11-27 | ||
| DE10255307 | 2002-11-27 | ||
| DE10305079A DE10305079B4 (de) | 2002-11-27 | 2003-02-07 | Verfahren zur Herstellung eines vergrabenen Tunnelkontakts in einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser sowie oberflächenemittierender Halbleiterlaser |
| DE10305079 | 2003-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2266882T3 true ES2266882T3 (es) | 2007-03-01 |
Family
ID=32395014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES03776886T Expired - Lifetime ES2266882T3 (es) | 2002-11-27 | 2003-11-06 | Procedimiento para fabricar un contacto de tunel enterrado en un laser semiconductor que emite por la superficie. |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060126687A1 (es) |
| EP (1) | EP1568112B1 (es) |
| JP (1) | JP2006508550A (es) |
| KR (1) | KR20050085176A (es) |
| AT (1) | ATE333158T1 (es) |
| AU (1) | AU2003286155A1 (es) |
| CA (1) | CA2503782A1 (es) |
| DE (1) | DE50304250D1 (es) |
| DK (1) | DK1568112T3 (es) |
| ES (1) | ES2266882T3 (es) |
| WO (1) | WO2004049461A2 (es) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10353960B4 (de) * | 2003-10-16 | 2006-03-23 | Vertilas Gmbh | Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit strukturiertem Wellenleiter |
| US20070025407A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Koelle Bernhard U | Long-wavelength VCSEL system with heat sink |
| JP2008198957A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置および光増幅装置 |
| JP6561367B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2019-08-21 | 学校法人 名城大学 | ｎｐｎ型窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP6755506B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2020-09-16 | 学校法人 名城大学 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| CN114336286B (zh) * | 2022-01-11 | 2024-01-02 | 范鑫烨 | 一种基于二维超表面的垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| WO2024190073A1 (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-19 | ソニーグループ株式会社 | 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661075A (en) * | 1995-02-06 | 1997-08-26 | Motorola | Method of making a VCSEL with passivation |
| AU3600697A (en) * | 1996-08-09 | 1998-03-06 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with tunnel junction |
| FR2761822B1 (fr) * | 1997-04-03 | 1999-05-07 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semiconducteur a emission de surface |
| DE10107349A1 (de) * | 2001-02-15 | 2002-08-29 | Markus-Christian Amann | Oberflächenemittierender Halbleiterlaser |
| US6771680B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc | Electrically-pumped, multiple active region vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) |
-
2003
- 2003-11-06 DK DK03776886T patent/DK1568112T3/da active
- 2003-11-06 WO PCT/EP2003/012433 patent/WO2004049461A2/de not_active Ceased
- 2003-11-06 AT AT03776886T patent/ATE333158T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-06 KR KR1020057009578A patent/KR20050085176A/ko not_active Withdrawn
- 2003-11-06 US US10/535,688 patent/US20060126687A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-06 AU AU2003286155A patent/AU2003286155A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-06 EP EP03776886A patent/EP1568112B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-06 DE DE50304250T patent/DE50304250D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-06 JP JP2005510225A patent/JP2006508550A/ja not_active Withdrawn
- 2003-11-06 CA CA002503782A patent/CA2503782A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-06 ES ES03776886T patent/ES2266882T3/es not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006508550A (ja) | 2006-03-09 |
| EP1568112B1 (de) | 2006-07-12 |
| KR20050085176A (ko) | 2005-08-29 |
| WO2004049461A2 (de) | 2004-06-10 |
| EP1568112A2 (de) | 2005-08-31 |
| CA2503782A1 (en) | 2004-06-10 |
| ATE333158T1 (de) | 2006-08-15 |
| AU2003286155A8 (en) | 2004-06-18 |
| AU2003286155A1 (en) | 2004-06-18 |
| DE50304250D1 (de) | 2006-08-24 |
| US20060126687A1 (en) | 2006-06-15 |
| WO2004049461A3 (de) | 2004-09-23 |
| DK1568112T3 (da) | 2006-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2338106C (en) | High power laterally antiguided semiconductor light source with reduced transverse optical confinement | |
| CN1905299B (zh) | 光抽运的表面发射半导体激光器件及其制造方法 | |
| JP2768672B2 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JP4174322B2 (ja) | 垂直共振器面発光レーザとその製造方法 | |
| US6714574B2 (en) | Monolithically integrated optically-pumped edge-emitting semiconductor laser | |
| US6594297B1 (en) | Laser apparatus in which surface-emitting semiconductor is excited with semiconduct laser element and high-order oscillation modes are suppressed | |
| US20010012307A1 (en) | Laser apparatus including surface-emitting semiconductor excited with semiconductor laser element, and directly modulated | |
| GB2428887A (en) | Polarisation control in a vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals | |
| Paschke et al. | Nearly diffraction limited 980-nm tapered diode lasers with an output power of 7.7 W | |
| US7570682B2 (en) | VCSEL pumped in a monolithically optical manner and comprising a laterally applied edge emitter | |
| JP2857256B2 (ja) | 垂直型半導体レーザ | |
| ES2266882T3 (es) | Procedimiento para fabricar un contacto de tunel enterrado en un laser semiconductor que emite por la superficie. | |
| JP2015005743A (ja) | 電子ビームによりポンピングされる端面発光装置の構造およびそれを生産するための方法 | |
| JP3891223B2 (ja) | レーザーおよびそれに関連する改良 | |
| TW200525845A (en) | Semiconductor laser device and optical apparatus using the same | |
| US20080112450A1 (en) | Homogeneous-Beam Temperature-Stable Semiconductor Laser and Method of Production | |
| US7539229B2 (en) | Surface emitting laser device having double channeled structure | |
| JP2025515785A (ja) | 統合型ｐ－ｎトンネル接合を含む広域ダイオードレーザー | |
| KR101170569B1 (ko) | 수직공동 표면방출 레이저장치 | |
| Zhang et al. | Proton implantation for leaky-wave coupled quantum cascade phase-locked laser array | |
| US6845116B2 (en) | Narrow lateral waveguide laser | |
| Frateschi et al. | Low threshold InGaAs/GaAs 45 degrees folded cavity surface-emitting laser grown on structured substrates | |
| O'Callaghan et al. | Focusing properties of high brightness gain tailored broad-area semiconductor lasers | |
| CN116137414B (zh) | 窄线宽大功率激光器及其制备方法 | |
| CN1762078A (zh) | 在表面发射半导体激光器中产生波导结构的方法及表面发射半导体激光器 |