ES2285121T3 - Procedimiento para la produccion de estructuras monocristalinas. - Google Patents
Procedimiento para la produccion de estructuras monocristalinas. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2285121T3 ES2285121T3 ES03727146T ES03727146T ES2285121T3 ES 2285121 T3 ES2285121 T3 ES 2285121T3 ES 03727146 T ES03727146 T ES 03727146T ES 03727146 T ES03727146 T ES 03727146T ES 2285121 T3 ES2285121 T3 ES 2285121T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- focal point
- monocrystalline
- procedure
- energy
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
- B23K15/0046—Welding
- B23K15/0093—Welding characterised by the properties of the materials to be welded
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
- B22F10/20—Direct sintering or melting
- B22F10/25—Direct deposition of metal particles, e.g. direct metal deposition [DMD] or laser engineered net shaping [LENS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
- B22F10/20—Direct sintering or melting
- B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0732—Shaping the laser spot into a rectangular shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0736—Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/32—Bonding taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
- B23K26/342—Build-up welding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F12/00—Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
- B22F12/40—Radiation means
- B22F12/44—Radiation means characterised by the configuration of the radiation means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/001—Turbines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/02—Iron or ferrous alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/18—Dissimilar materials
- B23K2103/26—Alloys of Nickel and Cobalt and Chromium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
- Y10S117/904—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/905—Electron beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
Procedimiento para la producción de estructuras metálicas monocristalinas, piezas metálicas monocristalinas o piezas de trabajo metálicas monocristalinas, sobre sustratos (18) mediante crecimiento epitaxial, fundiéndose una superficie a tratar (11) del componente (6) mediante un aporte energético de una fuente de energía (15) por medio de un punto focal (3) de la fuente de energía (15), introduciéndose material (13) en la zona fundida, y fundiendo completamente el material (13) introducido, o fundiendo el material (13) introducido con la superficie (11), pudiendo introducirse el material fundido en la estructura monocristalina, y dejándose solidificar el material fundido, caracterizado porque el punto focal (3) presenta una geometría lineal, elíptica o rectangular.
Description
Procedimiento para la producción de estructuras
monocristalinas.
La presente invención hace referencia a un
procedimiento para la producción de estructuras solidificadas
direccionalmente y monocristalinas, particularmente de
superaleaciones según el concepto general de la Reivindicación
independiente 1.
Las piezas de trabajo metálicas con estructura o
estructuras monocristalina/s se emplean como piezas de máquinas,
que se exponen durante la operación a altas cargas mecánicas,
térmicas y/o químicas. Por ejemplo, los álabes de turbinas de gas,
particularmente también de rotores para mecanismos de accionamiento
de aviones, aunque también aquellos para turbinas de gas
estacionarias, se fabrican de monocristales. La fabricación de este
tipo de piezas de trabajo monocristalinas se lleva a cabo, por
ejemplo, mediante la solidificación direccional de la fusión. Son
además procedimientos de fundición, en los que la aleación metálica
líquida solidifica en la estructura monocristalina, es decir, en la
pieza de trabajo monocristalina, o direccionalmente. Se conoce, por
ejemplo, un procedimiento especial de fundición para la producción
de estas piezas de trabajo, en el que la aleación líquida presente
en una forma cerámica en un campo de temperatura direccional, por
ejemplo, de un horno de crecimiento Bridgeman, obtiene una
orientación cristalina. Además, los cristales dendríticos se
orientan a lo largo del flujo de calor y forman o bien una
estructura granular cristalina longitudinal (es decir, granos que
transcurren a lo largo de la longitud total de la piezas de trabajo
y se designan aquí, acorde al uso lingüístico general, como
direccionalmente solidificados) o una estructura monocristalina, es
decir, la pieza de trabajo completa consiste en un único cristal. En
este procedimiento se tiene que evitar la transición a la
solidificación globular (policristalina), ya que este crecimiento no
direccional forma necesariamente fronteras transversales y
longitudinales de grano, que echan por tierra las buenas propiedades
de la pieza solidificada direccionalmente o monocristalina. Cuando
en el presente documento se habla de estructura monocristalina y
estructuras monocristalinas, se hace referencia tanto a los
monocristales, que no contienen ninguna frontera de grano, como
también a las estructuras cristalinas, que probablemente contengan
fronteras de grano que discurran longitudinalmente, aunque ninguna
frontera de grano que discurra en dirección transversal. En el caso
de las estructuras cristalinas mencionadas en segundo lugar se habla
también de estructuras solidificadas direccionalmente
(directionally solidified structures).
Si se habla generalmente de estas estructuras
solidificadas direccionalmente, se hace, por tanto, en referencia
tanto a los monocristales, que no presenten ninguna frontera de
grano o, como máximo, fronteras de grano de ángulo pequeño, como
también a las estructuras granular cristalina longitudinales, que
probablemente presenten fronteras de grano que discurran en
dirección longitudinal, aunque ninguna frontera de grano
transversal.
Como aleaciones, por ejemplo, para los citados
álabes de turbina monocristalinos, se emplean, entre otras, las
llamadas superaleaciones base níquel (Ni), cobalto (Co) o hierro
(Fe). Especialmente las superaleaciones base níquel tienen
excelentes propiedades mecánicas y químicas a alta temperatura.
Estas piezas se desgastan durante el empleo y se
deterioran, aunque pueden regenerarse de nuevo, retirando, si fuera
preciso, las zonas afectadas y aplicando nuevo material en estas
zonas (por ejemplo, epitaxialmente). Además, debería obtenerse de
nuevo la misma estructura cristalina. Un procedimiento de este tipo
se muestra en la US-PS 6,024,792 y en la EP 0 892
090 A1. En este procedimiento se aplica una capa del material a
aplicar transversalmente a la longitud de la superficie a tratar,
en cada caso, en cursos delgados, que corresponden a la zona de la
superficie a tratar, yuxtapuesta. De esta forma resulta el
solapamiento o contacto de las orugas individuales de soldadura
(cursos, sobre los que crece nuevo material yuxtapuesto), que debido
a las condiciones geométricas conducen a un crecimiento no
epitaxial con insuficiente alineación cristalina. Como
consecuencia, las propiedades mecánicas son inadecuadas.
Es, por tanto, objetivo de la presente
invención, superar el inconveniente citado anteriormente.
El objetivo se resuelve mediante un
procedimiento conforme a la Reivindicación 1.
Con el nuevo procedimiento es posible disponer
sobre, por ejemplo, la estructura solidificada direccionalmente, de
un sustrato de una o varias capas, y/o un cuerpo o una pieza de
trabajo con la misma estructura solidificada direccionalmente que
el sustrato en un curso. Es un procedimiento epitaxial (se denomina
epitaxial el crecimiento cristalino homogéneamente orientado sobre
una base cristalina), en el que la capa o las capas dispuestas
adoptan la estructura cristalina direccional del sustrato. Además,
se tiene que evitar una estructura globular mediante un apropiado
control del proceso.
La presente invención crea un nuevo
procedimiento, con el que es posible disponer de una o varias capas,
y/o un cuerpo o una pieza de trabajo con estructura monocristalina
sobre un sustrato con estructura monocristalina y/o estructuras
monocristalinas. Se trata, además, de un procedimiento epitaxial, en
el que la capa o las capas dispuestas adoptan la estructura
cristalina del sustrato.
Hasta ahora no existía ninguna posibilidad de
reparar y/o reacondicionar una pieza de trabajo monocristalina, de
forma que la estructura monocristalina del material base exista
también en la posición reacondicionada, sin que aparezcan, además,
muchas alineaciones cristalinas no deseadas. Con el nuevo
procedimiento es ahora posible reacondicionar monocristalinamente
las piezas monocristalinas de trabajo deterioradas y desgastadas,
es decir, completar y disponer nuevamente la estructura cristalina
óptima. Además en, por ejemplo, un álabe monocristalino del rotor,
se construye y reconstruye monocristalinamente sobre un curso
monocristalino, capa sobre capa, hasta que se obtenga de nuevo el
tamaño y forma iniciales de la pieza de trabajo. El barrido en la
dirección longitudinal de la superficie a tratar de la pieza de
trabajo se lleva a cabo, además, en cada caso, en un único
movimiento continuo, o sea, sin movimientos transversales en forma
de meandro, para la generación de delgadas orugas individuales de
soldadura, que se solapan en la dirección longitudinal.
El procedimiento para la construcción de
monocristales del mismo material, aproximadamente igual o diferente
material que el sustrato posibilita, por ejemplo, la reconstrucción
y/o la restitución de piezas de trabajo, con estructuras
monocristalinas y dañadas o desgastadas. Hoy en día existen, por
ejemplo, álabes de rotor de turbinas de gas, que consisten en
monocristales de las llamadas superaleaciones metálicas y que se
pueden reparar con el procedimiento, cuando estén deterioradas.
Las piezas de trabajo monocristalinas pueden
fabricarse a partir de la fusión mediante la llamada solidificación
direccional (directionally solidified). Sin embargo, también estas
piezas con solidificación direccional se desgastan. Con el nuevo
procedimiento resulta ahora también posible reacondicionar
monocristalinamente piezas monocristalinas de trabajo deterioradas
y desgastadas, es decir, completar y construir nuevamente la
estructura cristalina. Además en, por ejemplo, un álabe
monocristalino del rotor, se construye y reconstruye
monocristalinamente sobre el sustrato, capa sobre capa, hasta que
se obtenga de nuevo el tamaño y forma iniciales de la pieza de
trabajo.
Los rayos láser o haces de electrones, o sea,
fuentes de energía, con las que sea posible introducir altas
concentraciones de energía en una gran superficie, y/o en un gran
volumen, resultan apropiados como fuente de energía y/o de calor
para la ejecución del procedimiento.
El haz de alta energía y densidad de potencia se
direcciona a la superficie del sustrato, de forma que una capa
superficial del sustrato se una fácilmente por fusión. El material
se introduce en la zona de operación del haz, por ejemplo, en la
fusión de este material introducido puede realizarse en el baño
líquido de la capa superficial fundida o incluso de camino al
mismo. La operación se efectúa preferentemente bajo gas protector
y/o en vacío.
Si ahora la solidificación de la fusión
transcurre en condiciones situadas por fuera de la zona globular, o
sea, en la zona en la que el material empleado solidifica
direccionalmente, el material solidifica en forma monocristalina,
creciendo, por consiguiente, como estructura epitaxial sobre el
sustrato. En el caso de los metales se habla de solidificación
globular, cuando la fusión no cristaliza direccionalmente. Entonces
se forman necesariamente en la transición de "direccionalmente
monocristalino" a "no direccional" una o varias fronteras
de grano, que echan por tierra las ventajas del monocristal.
La estructura monocristalina se aplica en forma
de finas capas, láminas o formas complejas de aproximadamente un
milímetro o una fracción de un milímetro, capa a capa, una sobre
otra. Si el sustrato se lleva, por ejemplo, mediante vías ciegas,
es decir, sin aporte de material, con el láser o inductivamente a
una temperatura de precalentamiento en el rango de 600ºC a 1100ºC y
se conserva esta temperatura, por ejemplo, durante la construcción,
se reducen las tensiones en el sustrato y en el monocristal
desarrollado, aunque también entre el sustrato y la estructura
cristalina desarrollada epitaxialmente sobre éste, lo que contribuye
a prevenir la recristalización y el espiralado en la estructura
cristalina.
El recocido de normalización del sustrato y de
la nueva capa monocristalina elaborada durante aproximadamente una
hora a una temperatura en el rango de aproximadamente 1000ºC a
1250ºC, para CMSX-4 a aprox. 1150ºC y el posterior
enfriamiento lento reduce las tensiones internas, que podrían
conducir a la destrucción de las estructuras monocristalinas
mediante recristalización y espiralado. El recocido de eliminación
de tensiones podría realizarse también justo después de la
aplicación de la capa epitaxial con un dispositivo HF.
El llamado diagrama GV es diferente para los
diversos metales y aleaciones metálicas y puede calcularse o
determinarse experimentalmente para cada aleación. La curva L separa
en el diagrama GV el rango de ambos parámetros velocidad de
solidificación y gradiente de temperatura, en el que la aleación
solidifica globulíticamente, de aquella en la que la aleación
solidifica en una estructura dendrítica direccional. En Material
Science Engineering Vol. 65 1984, en la publicación J. D. Hunt
sobre "Columnar to Equiangular Transition", por ejemplo, se
encuentra una descripción y una explicación del diagrama GV.
En las Figuras se muestran los ejemplos de
ejecución.
La Figura 1 presenta una distribución de la
intensidad en secciones transversales de un punto focal, empleado
para el procedimiento conforme a la invención,
La Figura 2 un punto focal sobre una pieza, en
el que se utiliza el procedimiento conforme a la invención,
La Figura 3 una marca del rayo y el punto
focal,
La Figura 4 una distribución de la intensidad en
una sección transversal de un punto focal, empleado para el
procedimiento conforme a la invención, y
La Figura 5 una secuencia del procedimiento
acorde al estado actual de la técnica.
La Figura 1 presenta la distribución de
intensidad del haz 2 (Fig. 2) de una fuente de energía en un punto
focal 3 en un plano, no siendo éste circular, sino que está diseñado
en las direcciones x e y de diferente ancho. La dirección x se
designa en adelante como ancho. La dirección z corresponde a una
dirección de avance 4 (Fig. 2). El plano (plano
x-z) corresponde a la superficie a tratar 21 de una
pieza 6 (Fig. 2).
El haz 2 presenta, por ejemplo, un perfil casi
rectangular de la distribución de intensidad en la dirección x. Por
los extremos del perfil 5 del haz, en dirección x, hay, por ejemplo,
una transición curvada, condicionada, por ejemplo, técnicamente. En
la dirección x puede existir también un perfil casi rectangular.
En la dirección y, la distribución de la
intensidad del punto focal 3 presenta, por ejemplo, una forma
esencialmente de parábola inversa, condicionada, por ejemplo,
también técnicamente. En la dirección llamada y, puede existir
también un perfil casi rectangular.
La Figura 2 presenta el punto focal 3, producido
por un aporte energético del haz 2 de la fuente de energía 15 sobre
la pieza 6. La pieza 6 presenta un sustrato 18. El sustrato 18
presenta, por ejemplo, una estructura solidificada
direccionalmente. El punto focal 3 se lleva con una determinada
velocidad en la dirección de avance 4 (dirección z) sobre un curso
5 (zona, sobre la que se aplica material 13, sugerida por una línea)
a lo largo de la pieza 6.
A través de una alimentación de material 30 se
introduce material 13, por ejemplo, en forma de polvo. También
pueden emplearse varias alimentaciones de material 30. La
alimentación de material 30 puede modificar el aporte de material
13 temporal y localmente, así como en su composición.
El sustrato 18 se funde y se refunde sobre una
superficie a tratar 21 de la pieza 6, por ejemplo. Este baño
líquido fundido se alimenta con material 13, por ejemplo, como
filamento, chapa o polvo. El material introducido 13, que puede
tener una estructura mono- o policristalina, se introduce en el
material base fundido en la zona de refusión y se funde
completamente. Este material introducido 13, o sea, por ejemplo, el
polvo fundido, puede solidificar entonces en una capa en forma de
monocristal o de estructura monocristalina con dendritas
monocristalinas, es decir, en un monocristal dendrítico. Sin
embargo, también puede haber material 13 sobre la superficie 21
incluso antes de la fusión, que se funde entonces con una parte de
la superficie 21 del sustrato 18.
Existen, por tanto, zonas 8 de la pieza 6, que
ya han sido tratadas mediante el procedimiento conforme a la
invención.
En la dirección de avance 4 del rayo láser 2
existen aún zonas 11, que tienen que fabricarse aún por medio del
procedimiento conforme a la presente invención. En esta zona 11 se
aplica o se añade material 13, que se funde y solidifica acorde al
procedimiento conforme a la invención. El material introducido 13,
que puede tener una estructura mono- o policristalina, se lleva a
la zona del punto focal 3 y se funde completamente. Del mismo modo
se calienta, además, la superficie 21 de la pieza 6, sobre la que se
funde el material 13.
El punto focal 3 con su superficie seccionada
transversal aproximadamente, por ejemplo rectangular, se guía en la
dirección de avance 4 sobre el material 13. El ancho (dirección x)
del punto focal 3 se ajusta, por ejemplo, al ancho de la zona, que
debería rellenarse con material y es aproximadamente tan ancho en
dirección x como la dilatación del material 13 a introducir, de
forma que en un único movimiento continuo de avance se lleve a cabo
un barrido completo de la superficie a tratar 21 para la aplicación
de una capa continua del material 13.
El punto focal 3 y, por tanto, también la zona
fundida pueden configurarse así mismo linealmente (es decir, muy
delgado conforme al alargamiento longitudinal) o elípticamente. Un
punto focal 3 de este tipo se puede obtener, por ejemplo, por
láseres en configuración de tarjeta. Otras posibilidades de
producción de esta geometría apropiada del punto focal se dan por
disposición de fibras ópticas (fiber arrays), las ópticas de
transformación del haz apropiadas, pila de diodos y, eventualmente,
ópticas compactantes, por ejemplo, configuradas cónicamente.
En las zonas limítrofes laterales 5 de la
sección transversal del rayo no se introduce ningún material 13.
Cuanto más amplia sea la zona central del punto focal rectangular 3,
más amplia será la oruga formada por el material aplicado 13. El
ancho puede modificarse mediante las medidas adecuadas. Esto se
realiza, por ejemplo, mediante una óptica apropiada del láser
15.
El material 13 se aplica, por ejemplo, en polvo,
en líneas 12 a lo largo de la dirección x. Todas las líneas 12
forman la oruga, o sea, una nueva capa a formar sobre el sustrato
18.
Acorde al estado actual de la técnica, el haz 2
se desplaza bidireccionalmente en dirección x, en forma de meandro,
para cada línea 12 y sólo entonces se desplaza gradualmente en la
dirección de avance 4 (dirección z). De conformidad a la presente
invención puede ejercerse el movimiento bidireccional en forma de
meandro. Esto simplifica también la conducción del haz o el
movimiento de la fuente de energía 15 y/o de la pieza 6.
La línea puede regularse, además, de forma que
la densidad de potencia en la zona central del punto focal 3
permanezca constante. Así se pueden generar orugas de ancho
diferente o variable durante el movimiento del punto focal 3.
Mediante el procedimiento conforme a la presente
invención se pueden aplicar epitaxialmente orugas de soldadura
anchas. Mediante la repetición del procedimiento se pueden preparar,
por capas, estructuras de cualquier grosor, oruga por oruga, sin
que se reduzcan las propiedades de los materiales por solapamiento
lateral, es decir, a lo largo de la dirección x.
Hay que tener en cuenta que el crecimiento de
una capa monocristalina presupone que el material 13 introducido
esté completamente fundido. Si éste no es el caso, por ejemplo, los
granos de polvo no fundidos completamente forman núcleos de
cristalización para dendritas y cristales, que perturban y destruyen
el crecimiento monocristalino de la estructura.
En la estructuración de una mayor estructura,
y/o de un mayor cuerpo con el procedimiento epitaxial, se forman
sectores globulares en la superficie de la capa elaborada en último
lugar. Estos "equiaxed grains" son gérmenes, que perturban o
interrumpen el crecimiento direccional de los cristales.
En la estructura de la siguiente capa
superpuesta es de gran importancia, en consecuencia, que estos
globulitos se fundan completamente, de forma que desaparezcan las
dendritas, que destruirían la estructura monocristalina y/o que no
se desarrollen en absoluto bajo la superficie.
Otras superaleaciones, con las que se pueden
preparar estructuras monocristalinas acordes al procedimiento de la
presente invención, son, por ejemplo, EN 738LC, EN 939, EN 100, B
1914, CM 99, SRR 99, CM- 247 LC, CMSX-2,
CMSX-3, CMSX-6,
Mar-M002.
El procedimiento, por ejemplo, con un haz de
electrones como fuente de energía, se efectúa en vacío. El
procedimiento podría realizarse también en vacío con un láser como
fuente de energía. En el vacío no es necesario ningún gas
protector, pero la manipulación de la fuente de energía del sustrato
y del material a alimentar puede conllevar problemas.
Un control de la temperatura puede realizarse a
través de una óptica 33, que determina, cuándo debería formarse la
siguiente capa epitaxial.
La Figura 3 presenta la zona irradiada 24,
cubierta por el rayo energético 2 (perfilada en discontinua). La
zona 24 se conduce sobre la superficie 21. Hay entonces una zona
interna (gris), que presenta todo el punto focal 3 producido, que
surgió por la emisión del rayo energético y una zona externa 27, que
fue irradiada por el rayo energético 2, donde la energía era
demasiado pequeña, para generar un punto focal 3 (material
fundido). Por las caras frontales menores del punto focal 3 se
obtiene una distribución homogénea y constante de energía. Éste no
es el caso de los puntos focales circulares habituales hasta ahora.
El punto focal rectangular 3 se ajusta, por consiguiente, al
contorno de la zona a fusionar.
Mediante las apropiadas ópticas regulables o
controlables puede ajustarse la sección transversal del rayo
durante el tratamiento al ancho deseado. Del mismo modo, puede
ajustarse simultáneamente la potencia del láser mediante un
ordenador. Una óptica, por ejemplo, acoplada adicional puede
detectar el ancho óptimo de la zona a fundir y transmitirlo
in-situ a la fuente de energía 15, es decir,
puede detectarse cómo tiene que ser el punto focal 3 de ancho.
Particularmente se puede evitar, de esta forma, un solapamiento de
las zonas 8 yuxtapuestas. El contacto de una zona ya crecida
cristalinamente con una zona fundida puede conducir a la
desorientación. Esto puede evitarse con el procedimiento conforme a
la presente invención, rellenando la zona a rellenar con material
13 sobre la superficie 21 mediante un único movimiento en dirección
z. En dirección y se puede repetir varias veces el procedimiento;
llevándose a cabo, por consiguiente, una aplicación y fusión por
capas.
Si fuera necesario, también es posible un
solapamiento, cuando las líneas 12 estén dimanadas en dirección x,
como en el estado actual de la técnica. Sin embargo, mediante el
punto focal 3 conforme a la presente invención se obtiene, frente
al estado actual de la técnica, por las caras frontales menores del
punto focal 3 una distribución de energía homogénea constante en
dirección x.
El láser con su longitud de onda de láser se
selecciona, de forma que la pieza de trabajo absorba fuertemente
y/o refleje más débilmente la energía del rayo láser. Éste es, por
ejemplo, el caso de los lásers Nd:YAG con una longitud de onda de
1,06 \mum y de los lásers de diodos de alta potencia (0,81 \mum;
0.94 \mum).
La Figura 4 presenta otra distribución de la
intensidad del rayo (punto focal 3) en dirección x.
El punto focal 3 presenta en dirección x, por
los extremos del perfil 5, un aumento 36 de la intensidad del
aporte energético de la fuente de energía 15 frente a la zona media
del punto focal 3. Así pueden compensarse los efectos de la tensión
superficial.
La Figura 5 presenta el transcurso del
procedimiento acorde al estado actual de la técnica. En el
procedimiento acorde al estado actual de la técnica se aplica una
capa del material a aplicar transversalmente a la longitud (en
dirección x) de la superficie a tratar (11), en cada caso, en cursos
delgados (12), que corresponden a la zona de la superficie a
tratar, yuxtapuesta. De esta forma resulta el solapamiento o
contacto de las orugas individuales de soldadura (cursos, sobre los
que crece nuevo material yuxtapuesto), que debido a las condiciones
geométricas conducen a un crecimiento no epitaxial con insuficiente
alineación cristalina. El rayo láser circular 2 produce un punto
focal 3 circular. El rayo láser 2 se desplaza, por consiguiente,
bidireccionalmente en dirección x una y otra vez y gradualmente
hacia delante en dirección z.
Claims (12)
1. Procedimiento para la producción de
estructuras metálicas monocristalinas, piezas metálicas
monocristalinas o piezas de trabajo metálicas monocristalinas,
sobre sustratos (18) mediante crecimiento epitaxial, fundiéndose
una superficie a tratar (11) del componente (6) mediante un aporte
energético de una fuente de energía (15) por medio de un punto
focal (3) de la fuente de energía (15), introduciéndose material
(13) en la zona fundida, y fundiendo completamente el material (13)
introducido, o fundiendo el material (13) introducido con la
superficie (11), pudiendo introducirse el material fundido en la
estructura monocristalina, y dejándose solidificar el material
fundido, caracterizado porque el punto focal (3) presenta una
geometría lineal, elíptica o rectangular.
2. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el aporte energético se lleva a cabo con
un láser (15).
3. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el aporte energético se efectúa mediante
haces de electrones.
4. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el punto focal (3), producido por el
aporte energético, para generar una zona fundida con geometría
lineal, elíptica o rectangular.
5. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el tamaño del punto focal (3) se
modifica durante el procedimiento.
6. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el punto focal (3) presenta extremos de
perfil (5), y porque la intensidad del aporte energético se
incrementa (36) por los extremos de perfil (5) respecto a la zona
media del punto focal (3).
7. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el aporte de material se efectúa a
través de al menos una alimentación de material (30), y porque el
aporte de material se modifica temporal y localmente.
8. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque se controla la temperatura del punto
focal (3).
9. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1 ó
5, caracterizado porque el punto focal (3) se desplaza en
una dirección de avance (4) sobre el sustrato (18), porque el
sustrato (18) presenta una zona, a la que se le añade material
(13), y porque el punto focal (3) está adaptado de tal manera a la
geometría de esta zona, que un ancho del punto focal (3) está
adaptado al ancho de esta zona, transversalmente a la dirección de
avance (4).
10. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1
caracterizado porque el punto focal se desplaza (3) en una
dirección de avance (4) sobre el sustrato (18), porque la dirección
de avance (4) se encuentra en la dirección del alargamiento
longitudinal de la superficie a tratar (11), y porque la fuente de
energía (15) produce un punto focal (3), cuya dimensión transversal
a la dirección de avance (4) corresponde al ancho total de la
superficie a tratar (11) y, en un único movimiento continuo de
avance, se lleva a cabo un barrido completo de la superficie a
tratar (11) para la aplicación de una capa continua del material
(13).
11. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el procedimiento se efectúa con
superaleaciones metálicas.
12. Procedimiento acorde a la Reivindicación 1,
caracterizado porque el procedimiento se efectúa con
sustratos, que contengan una estructura monocristalina o
estructuras monocristalinas.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10216662 | 2002-04-15 | ||
| DE10216662 | 2002-04-15 | ||
| DE10243558A DE10243558A1 (de) | 2002-04-15 | 2002-09-19 | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Strukturen |
| DE10243558 | 2002-09-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2285121T3 true ES2285121T3 (es) | 2007-11-16 |
Family
ID=29251761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES03727146T Expired - Lifetime ES2285121T3 (es) | 2002-04-15 | 2003-03-21 | Procedimiento para la produccion de estructuras monocristalinas. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7306670B2 (es) |
| EP (1) | EP1495166B1 (es) |
| JP (1) | JP2005522342A (es) |
| CN (1) | CN1302156C (es) |
| DE (1) | DE50307242D1 (es) |
| ES (1) | ES2285121T3 (es) |
| WO (1) | WO2003087439A1 (es) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7250081B2 (en) | 2003-12-04 | 2007-07-31 | Honeywell International, Inc. | Methods for repair of single crystal superalloys by laser welding and products thereof |
| FR2874624B1 (fr) * | 2004-08-30 | 2007-04-20 | Snecma Moteurs Sa | Procede de rechargement d'une piece metallique monocristalline ou a solidification dirigee. |
| US20060049153A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Cahoon Christopher L | Dual feed laser welding system |
| US8141769B2 (en) | 2005-07-22 | 2012-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Process for repairing a component comprising a directional microstructure by setting a temperature gradient during the laser heat action, and a component produced by such a process |
| US7784668B2 (en) | 2005-12-16 | 2010-08-31 | United Technologies Corporation | Repair method for propagating epitaxial crystalline structures by heating to within 0-100° f of the solidus |
| JP2009025119A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | General Electric Co <Ge> | 輪郭測定装置及び動作方法 |
| US8089028B2 (en) * | 2007-07-24 | 2012-01-03 | United Technologies Corp. | Methods for repairing gas turbine engine knife edge seals |
| DE102008016170A1 (de) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bauteil mit sich überlappenden Schweißnähten und ein Verfahren zur Herstellung |
| DE102009051479A1 (de) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Mtu Aero Engines Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils einer Strömungsmaschine |
| DE102009051823A1 (de) * | 2009-11-04 | 2011-05-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einkristallines Schweißen von direktional verfestigten Werkstoffen |
| EP2322314A1 (de) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einkristallines Schweissen von direktional verfestigten Werkstoffen |
| US8618434B2 (en) * | 2010-03-22 | 2013-12-31 | Siemens Energy, Inc. | Superalloy repair welding using multiple alloy powders |
| US20120214017A1 (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Pourin Welding Engineering Co., Ltd. | Weld Overlay Structure and a Method of Providing a Weld Overlay Structure |
| US8816240B2 (en) * | 2011-08-04 | 2014-08-26 | General Electric Company | Cladding system and method for applying a cladding to a power generation system component |
| US10415390B2 (en) | 2012-05-11 | 2019-09-17 | Siemens Energy, Inc. | Repair of directionally solidified alloys |
| EP2756915A1 (de) * | 2013-01-18 | 2014-07-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Auftragsschweißen mit vorherigem Umschmelzen |
| US20150033561A1 (en) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | Gerald J. Bruck | Laser melt particle injection hardfacing |
| EP2862663A1 (de) * | 2013-10-18 | 2015-04-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur direktionalen Verfestigtung einer Schweissnaht während des Laser-Auftragsschweissens eines Substrats |
| JP6370557B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-08-08 | 三菱重工業株式会社 | 肉盛溶接方法 |
| JP6344004B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-06-20 | 国立大学法人大阪大学 | 単結晶の製造方法 |
| DE102015202347A1 (de) | 2015-02-10 | 2016-08-11 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Bestrahlungseinrichtung, Bearbeitungsmaschine und Verfahren zum Herstellen einer Schicht eines dreidimensionalen Bauteils |
| DE102015219513B4 (de) * | 2015-10-08 | 2022-05-05 | MTU Aero Engines AG | Reparaturverfahren für Dichtsegmente |
| EP3441162A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of additively manufacturing a structure on a pre-existing component out of the powder bed |
| JP2020121315A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 住友重機械ハイマテックス株式会社 | 金属肉盛層の形成方法 |
| WO2022072315A2 (en) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | 3D Systems, Inc. | Pulse transfer for large area metal fusion system |
| DE102021114560A1 (de) | 2021-06-07 | 2022-12-08 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils durch Schichtaufbau |
| CN113618083B (zh) * | 2021-07-07 | 2023-02-10 | 哈尔滨工程大学 | 一种利用超声冲击调控激光增材制造钛材料组织与性能的方法 |
| CN114505496A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-17 | 北京航空航天大学 | 一种激光增材制造过程中控制合金晶粒定向生长的方法 |
| KR102836716B1 (ko) * | 2024-07-15 | 2025-07-18 | 국립부경대학교 산학협력단 | 단결정 초내열합금의 용접응고균열을 억제하기 위한 용접 방법 및 이를 이용한 장기간 사용된 가스터빈 엔진용 단결정 블레이드의 보수 용접 방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143755A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Laser, zone melting device |
| JPS5655519A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-16 | Fanuc Ltd | Converging device of laser beam |
| JPS6046892A (ja) * | 1984-07-19 | 1985-03-13 | Toshiba Corp | レ−ザ−光照射方法 |
| US4707217A (en) * | 1986-05-28 | 1987-11-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Single crystal thin films |
| JPH0698506B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1994-12-07 | トヨタ自動車株式会社 | 金属基体上への分散合金層の形成方法 |
| US4878953A (en) * | 1988-01-13 | 1989-11-07 | Metallurgical Industries, Inc. | Method of refurbishing cast gas turbine engine components and refurbished component |
| US5106010A (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-21 | Chromalloy Gas Turbine Corporation | Welding high-strength nickel base superalloys |
| US5312584A (en) * | 1992-02-18 | 1994-05-17 | General Motors Corporation | Moldless/coreless single crystal castings of nickel-aluminide |
| US5640767A (en) * | 1995-01-03 | 1997-06-24 | Gen Electric | Method for making a double-wall airfoil |
| US5900170A (en) * | 1995-05-01 | 1999-05-04 | United Technologies Corporation | Containerless method of producing crack free metallic articles by energy beam deposition with reduced power density |
| EP0861927A1 (de) * | 1997-02-24 | 1998-09-02 | Sulzer Innotec Ag | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Strukturen |
| JPH11269683A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-05 | Armco Inc | 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置 |
| EP1157141B1 (de) * | 1999-02-19 | 2005-06-22 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten einer oberfläche eines bauteils |
| EP1065026B1 (de) * | 1999-06-03 | 2004-04-28 | ALSTOM Technology Ltd | Verfahren zur Herstellung oder zur Reparatur von Kühlkanälen in einstristallinen Komponenten von Gasturbinen |
| US6333484B1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-12-25 | Chromalloy Gas Turbine Corporation | Welding superalloy articles |
-
2003
- 2003-03-21 CN CNB038004372A patent/CN1302156C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-21 ES ES03727146T patent/ES2285121T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-21 JP JP2003584371A patent/JP2005522342A/ja active Pending
- 2003-03-21 EP EP03727146A patent/EP1495166B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-21 DE DE50307242T patent/DE50307242D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-21 WO PCT/DE2003/000952 patent/WO2003087439A1/de not_active Ceased
- 2003-12-05 US US10/729,201 patent/US7306670B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7306670B2 (en) | 2007-12-11 |
| DE50307242D1 (de) | 2007-06-21 |
| CN1302156C (zh) | 2007-02-28 |
| CN1516756A (zh) | 2004-07-28 |
| EP1495166A1 (de) | 2005-01-12 |
| EP1495166B1 (de) | 2007-05-09 |
| WO2003087439A1 (de) | 2003-10-23 |
| JP2005522342A (ja) | 2005-07-28 |
| US20040112280A1 (en) | 2004-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2285121T3 (es) | Procedimiento para la produccion de estructuras monocristalinas. | |
| US7568609B2 (en) | Welding method | |
| ES2525686T3 (es) | Procedimiento de producción de productos de metal amorfo | |
| EP0071471B1 (en) | Method of forming a single-crystal semiconductor film on an amorphous insulator | |
| ES2314688T3 (es) | Dopado con laser de cuerpos solidos con un rayo laser linealmente enfocado y fabricacion de emisores de celulas solares basada en el mismo. | |
| JP5723277B2 (ja) | 全体又は選択された部分がアモルファス金属のマトリクス中に結晶性又はナノ結晶性金属粒子を有する複合体からなる三次元物体を製造する方法 | |
| CA2230323C (en) | Method for producing monocrystalline structures | |
| Cui et al. | Wire oscillating laser additive manufacturing of 2319 aluminum alloy: optimization of process parameters, microstructure, and mechanical properties | |
| US20070228108A1 (en) | Repair Soldering Method for Repairing a Component Which Comprises a Base Material with an Oriented Microstructure | |
| CN103668461A (zh) | 一种镍基超合金Rene80定向生长柱晶及单晶合金制备及零部件制造方法 | |
| US7744967B2 (en) | Process for resurfacing a monocrystalline or directionally solidified metallic piece | |
| US20220250152A1 (en) | Powder bed fusion additive manufacturing methods and apparatus | |
| BR112019009690B1 (pt) | Método e aparelho para produzir ou reparar uma peça de trabalho metálica tridimensional tendo uma microestrutura cristalina única | |
| US20240263339A1 (en) | Method for Manufacturing a Component by Means of Layered Construction | |
| US4900394A (en) | Process for producing single crystals | |
| CN111225757A (zh) | 从粉末床在预先存在的部件上增材制造结构的方法 | |
| KR100685141B1 (ko) | 레이저를 이용한 결정막의 제조방법 및 결정막 | |
| KR100708365B1 (ko) | 결정화 반도체 박막의 제조 방법 및 그 제조 장치 | |
| JPH0419698B2 (es) | ||
| KR0161523B1 (ko) | 수지상 실리콘 웨브의 전위부 발생 억제방법 | |
| JPH0521339A (ja) | 薄膜半導体装置とその製法 | |
| KR100682439B1 (ko) | 반도체 박막의 제조 방법 | |
| Giordimaina | Physical verification of the melt pool in laser-bed fusion | |
| TW202603849A (zh) | 矽接合體製造裝置、矽接合體製造方法及矽接合體 | |
| JPH04182378A (ja) | 半導体単結晶膜の形成方法 |