ES2292241T3 - Procedimiento y disposicion para la produccion de delgadas capas de calcogenuros metalicos. - Google Patents
Procedimiento y disposicion para la produccion de delgadas capas de calcogenuros metalicos. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2292241T3 ES2292241T3 ES99919112T ES99919112T ES2292241T3 ES 2292241 T3 ES2292241 T3 ES 2292241T3 ES 99919112 T ES99919112 T ES 99919112T ES 99919112 T ES99919112 T ES 99919112T ES 2292241 T3 ES2292241 T3 ES 2292241T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- procedure
- substrate
- accordance
- reaction
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
- H10F71/1257—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising growth substrates not made of Group II-VI materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/18—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions
- C23C10/20—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using liquids, e.g. salt baths, liquid suspensions only one element being diffused
- C23C10/22—Metal melt containing the element to be diffused
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Procedimiento para la preparación de delgadas capas de calcogenuros metálicos, por ejemplo para el empleo como capas de absorbentes y respectivamente de amortiguadores en celdas solares en unas etapas de procedimiento seguidamente expuestas a una presión normal, estando establecido de manera diferente el régimen de temperaturas para el transcurso del procedimiento, de un modo correspondiente a la diferente capacidad de reacción de los metales empleados para la formación de los calcogenuros: * aplicación de una solución de un compuesto metálico sobre un substrato para la adsorción de iones metálicos sin que se inicie una reacción química, * substracción de la humedad a partir del substrato con los iones metálicos adsorbidos, * introducción de un gas que contiene un calcogenuro de hidrógeno en la reacción con los iones metálicos adsorbidos, repitiéndose cíclicamente las etapas del procedimiento hasta que se alcance un deseado grosor de capa.
Description
Procedimiento y disposición para la producción
de delgadas capas de calcogenuros metálicos.
El invento se refiere a un procedimiento y a una
disposición para la producción de delgadas capas de calcogenuros
metálicos de acuerdo con las respectivas reivindicaciones 1 y 15,
por ejemplo para el empleo como capas de absorbentes y
respectivamente de amortiguadores en celdas solares.
Para la producción de capas de calcogenuros
metálicos en una única pasada del procedimiento, a partir de los
artículos (1) "Thin-film copper indium diselenide
prepared by selenization of copper indium oxide formed by spray
pyrolysis" [Diseleniuro de indio y cobre en película delgada,
producido por seleniuración de óxido de indio y cobre formado
mediante pirólisis por proyección] (M. E. Beck y colaboradores, Thin
Solid Films [Delgadas películas sólidas] 272 (1996)
71-82) y (II) "Morphological features in films of
CdS prepared by chemical spray pyrolysis" [Características
morfológicas en películas de CdS producidas mediante pirólisis por
proyección química] (S. Pence y colaboradores, Material Letters 23
(1995) 915-201) así como a partir de la solicitud
de patente francesa (III) nº 80 08685, se conoce el denominado
"procedimiento de pirólisis con proyección" con un alto
consumo de energía y un transcurso de la reacción en dos etapas. En
el caso de los procedimientos descritos en las publicaciones (I) y
(III), en la primera etapa de reacción una solución de sal metálica
se proyecta sobre un substrato caliente, con el fin de producir una
capa de óxido metálico (por pirólisis). Ésta, luego, en una segunda
etapa de reacción, se transforma térmicamente con un calcógeno (I) o
con un calcogenuro de hidrógeno (III) en otro calcogenuro metálico.
El producto de partida (óxido metálico) para la conversión química
en el producto final (calcogenuro metálico) se produce por lo tanto
en una etapa de reacción realizada de antemano, que exige la
aportación regulada de energía térmica en mayor extensión. En el
procedimiento de acuerdo con el artículo (I) se emplea, además de
esto, selenio elemental como partícipe en la reacción con un cierto
contenido de un calcógeno. En el caso del procedimiento conocido a
partir del artículo (II), una solución de una sal metálica y de
tiourea se proyecta sobre un substrato caliente. De esta manera, se
efectúa de nuevo una reacción térmica (de pirólisis) que, en primer
lugar, a partir de la tiourea, produce una especie química
sulfurada reactiva, que luego reacciona con la sal metálica.
Además, para la producción de capas a base de
calcogenuros metálicos difícilmente solubles, hasta ahora se emplea
con frecuencia el procedimiento de la deposición química desde un
baño (en inglés chemical bath deposition, CBD). De éste se conocen
dos variantes distintas.
En el denominado procedimiento SILAR (de
Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction = adsorción y
reacción sucesivas de capas iónicas), un substrato se sumerge
consecutivamente en unas respectivas soluciones de una sal metálica
y de un calcogenuro bien soluble. Convenientemente, después de cada
baño se efectúa un enjuague del substrato. Los iones metálicos
adsorbidos junto a la superficie del substrato en el primer baño
reaccionan con los iones de calcogenuro en el 2º baño, para dar un
calcogenuro metálico difícilmente soluble. Este ciclo de
tratamiento se repite hasta que se alcance el deseado espesor de
capa (compárese la cita de M.P. Valkonen, T. Kanniainen, S.
Lindros, M. Leskelä, E. Rauhala; Applied Surface Science, 115 (1997)
páginas 386-392). Resulta desventajosa en este
procedimiento la falta de uniformidad (homogeneidad) de la capa de
calcogenuro metálico. En particular en el caso de substratos con
superficies porosas, se muestra una pronunciada formación de costras
de la capa aplicada.
En el caso del procedimiento de una
calcógeno-urea, en un baño de una sal metálica
disuelta o de respectivamente de un complejo metálico disuelto, se
descompone térmicamente una calcógeno-urea. En este
caso se ponen en libertad iones de un calcogenuro, que reaccionan
con los iones metálicos adsorbidos junto a la superficie del
substrato sumergido, mediando formación de un calcogenuro metálico
difícilmente soluble (véase la cita de T.M. Friedelmeier, D.
Braunger, D. Hariskos, M. Kaiser, H.M. Wanka, H.W. Schock;
Proceedings 25th PVSC, 13-17 de Mayo de 1996,
Washington D.C., EE.UU., páginas 845-848). Resulta
desventajoso en este caso el hecho de que el proceso para la
formación de un calcogenuro metálico se efectúa no sólo sobre la
superficie del substrato sino en la totalidad de la solución. Ésta,
por lo tanto, ya después de una pasada ya no es utilizable, aún
cuando para el revestimiento del substrato se haya usado solamente
una parte muy pequeña de la solución. Además, el procedimiento
exige una realización muy exacta del régimen de temperaturas y la
calidad del revestimiento es dependiente en grado muy grande de la
calidad de la calcógeno-urea empleada. Así, p.ej.,
diferentes cargas de una calcógeno-urea del mismo
fabricante pueden conducir absolutamente a capas de una calidad muy
diversa. Las causas de estas fluctuaciones de la calidad no se
pudieron explicar todavía hasta ahora.
El invento se basa, por lo tanto, en la misión
de indicar un procedimiento y una disposición para la producción
sencilla de capas homogéneas de calcogenuros metálicos en una
calidad constante, tomando en consideración puntos de vista
económicos y ecológicos.
El problema planteado por esta misión se
resuelve conforme al invento mediante la indicación de un
procedimiento que comprende las etapas de procedimiento
seguidamente expuestas:
- 1.
- Aplicación de una solución de un compuesto metálico sobre un substrato para la adsorción de iones metálicos,
- 2.
- Substracción de la humedad a partir del substrato con los iones metálicos adsorbidos junto a su superficie,
- 3.
- Introducción de un gas que contiene un calcogenuro de hidrógeno en la reacción con los iones metálicos adsorbidos.
La aplicación de la solución del compuesto
metálico sobre el substrato puede efectuarse de un modo ventajoso
mediante proyección o también mediante inmersión del substrato en la
solución.
Como substrato se pueden emplear por ejemplo
TiO_{2}, CulnS_{2}, CuGaSe_{2}, calcopiritas en general o un
vidrio.
Como solución de un compuesto metálico se
emplean compuestos disueltos de metales tales como Cd, Cu, In, Pb,
Ag, Sb o Bi o mezclas de los mismos que, en reacción con
calcogenuros de hidrógeno, forman unos calcogenuros metálicos
difícilmente solubles.
Los compuestos metálicos se disuelven en el caso
regular en un disolvente fácilmente volátil, tal como metanol,
etanol, acetonitrilo o mezclas de los mismos. En el caso de algunos
compuestos metálicos, tales como p.ej. los que contienen indio, se
puede emplear también agua como disolvente. La utilización de agua
como disolvente es conveniente especialmente en el caso de que
tenga que emplearse un substrato con una humedad residual definida
para la calcogenización de los iones metálicos adsorbidos.
De modo correspondiente a la diferente
reactividad de los metales empleados para la formación de los
calcogenuros, se establece de manera diferente el régimen de
temperaturas para el transcurso del procedimiento. La temperatura
óptima del procedimiento puede estar situada, por lo tanto, también
por encima o por debajo de la temperatura ambiente usual.
Para la substracción de la humedad se puede
emplear una desecación realizada a continuación en una corriente
gaseosa a base de gases inertes, tales como p.ej. gases nobles o
nitrógeno molecular.
La substracción de la humedad puede efectuarse
también mediante una evaporación del disolvente hasta llegar a una
humedad residual definida del substrato. En este contexto, la
evaporación puede efectuarse también en el caso de un
almacenamiento intermedio del substrato cubierto con iones metálicos
o respectivamente en el caso de un transporte del substrato.
El gas de reacción, para la reacción con los
iones metálicos adsorbidos, contiene los compuestos con hidrógeno
de los calcógenos S, Se o Te. A continuación puede estar previsto
convenientemente un enjuague para el substrato revestido en un
disolvente, preferiblemente metanol, con el fin de eliminar los
productos de reacción en excesos y, en ciertas circunstancias,
puede estar prevista una desecación.
Los grosores de capa que se pueden conseguir,
están situados en un intervalo de variación desde los
monomoleculares hasta los situados en la región de los \mu
(micrómetros). Según sea el grosor de capa deseado, se repite con
la correspondiente frecuencia el ciclo del procedimiento.
En comparación con los procedimientos
precedentemente descritos, el procedimiento conforme al invento
tiene las ventajas seguidamente expuestas.
- 1.
- Es en general insensible frente a variaciones de los parámetros del proceso.
- 2.
- Las sales metálicas empleadas se pueden aprovechar totalmente, en vez de en unos pocos tantos por ciento como en el caso del procedimiento de una calcógeno-urea. De esta manera, el procedimiento conforme al invento es más económico y también más ecológico (en particular en el caso de sustancias de partida tóxicas, tales como p.ej. sales de cadmio).
- 3.
- No se efectúa ninguna incorporación de hidróxidos, cuando la reacción transcurre en un medio ácido.
- 4.
- En el caso del revestimiento de substratos porosos se establece una formación homogénea de la capa sin ninguna formación de costras.
- 5.
- El transcurso del procedimiento se puede automatizar sin ningún gran gasto.
- 6.
- El procedimiento conforme al invento se puede emplear en principio para todos los calcogenuros difícilmente solubles.
La disposición para la realización del
procedimiento conforme al invento, que tiene un soporte del
substrato que es movible en los tres planos, un baño de un
compuesto metálico disuelto, un recipiente para desecación, un
recipiente de reacción, así como un baño de enjuague, está provista,
junto al soporte del substrato, de una cubierta que, después de
haber introducido el substrato en el recipiente de reacción, por
descenso del soporte del substrato, procura un cierre estanco a los
gases del recipiente de reacción.
El invento se explica seguidamente con mayor
detalle con ayuda de ejemplos de aplicación para el procedimiento y
de una forma de realización de la disposición con ayuda del
correspondiente dibujo.
El dibujo muestra, en una representación
esquemática, una disposición para la deposición automática de capas
de calcogenuros metálicos de acuerdo con el procedimiento conforme
al invento.
En un baño de una sal metálica, a base de
CdCl_{2} disuelto en metanol al 90%, se introduce un substrato de
TiO_{2} extremadamente poroso. El período de tiempo de permanencia
es de aproximadamente 20 s (segundos). En este período de tiempo
han sido adsorbidos suficientes iones de Cd junto a la superficie
del substrato. Siguen una rápida desecación (como máximo durante 2
min) en una corriente de argón y a continuación la reacción en una
corriente gaseosa que contiene H_{2}S. El período de tiempo de
reacción es de aproximadamente 10-20 s. Durante este
período de tiempo se efectúa la formación de CdS a partir de los
iones de Cd adsorbidos junto a la superficie del TiO_{2}. Se
realiza seguidamente un enjuague en un baño de metanol para la
eliminación de los productos de reacción en exceso. Una desecación
final en una corriente de argón con una alta velocidad del gas, no
es indispensablemente necesaria.
El transcurso total del procedimiento se efectúa
a la temperatura ambiente y a una presión normal. Por lo tanto, no
se necesitan ninguna regulación de la temperatura, ni tampoco
recipientes estancos a la presión. Según sea el grosor de capa que
se desee, el ciclo del procedimiento se puede repetir con cualquier
frecuencia arbitraria. Las fotografías en SEM (microscopio
electrónico de barrido) de las capas de CdS conseguidas, no
muestran prácticamente ninguna diferencia con respecto a la
estructura en relieve de los substratos sin revestir, es decir que
el revestimiento sigue con extremada exactitud, en un grosor
constante, el relieve superficial, finamente estructurado, de los
substratos. Al contrario que en el procedimiento SILAR convencional,
no se observó ninguna formación de costras. Análogamente al
transcurso del procedimiento precedentemente descrito, se efectuó
la producción de una capa de sulfuro de Cu(I) sobre un
substrato de TiO_{2} extremadamente poroso. Estas capas están
previstas como absorbentes en una celda solar con un eta (del inglés
extremely thin absorber = absorbente extremadamente delgado).
Con el procedimiento conforme al invento se
pueden aplicar también capas individuales a base de Cu_{x}S e
In_{2}S_{3} sobre un substrato, las cuales se transforman en
CulnS_{2} mediante un procedimiento de atemperamiento
seguidamente realizado.
En una utilización adicional del procedimiento
conforme al invento, para celdas solares de CulnS_{2} con los
parámetros de procedimiento seguidamente mencionados se aplicaron
unas capas amortiguadoras a base de CdS sobre la capa del
absorbente.
La realización automática del procedimiento
conforme al invento se consiguió con la disposición seguidamente
descrita.
Un soporte (2) de substrato con un substrato
(3), movible en los tres planos mediante una guía (1), está provisto
de una cubierta (4). En el baño (5) de una solución de CdCl_{2}
se efectúa la adsorción de iones de Cd junto a la superficie del
substrato. El recipiente para desecación (6), conectado a
continuación, sirve para la desecación mediante argón. En el
subsiguiente recipiente de reacción 7 se efectúa la formación del
CdS mediante introducción de H_{2}S. En este caso, después de una
incorporación del substrato (3), el recipiente de reacción (7) se
cierra de un modo estanco a los gases mediante una cubierta (4)
colocada junto al soporte (2) del substrato. De esta manera ya no
es posible un desprendimiento del H_{2}S gaseoso, fuertemente
tóxico, dentro del aire del entorno. La aportación de H_{2}S
gaseoso se inicia tan sólo cuando el recipiente de reacción (7) está
cerrado de un modo estanco a los gases y la bomba de aspiración
está conectada. Detrás del recipiente de reacción (7) sigue el baño
de enjuague (8). Aquí se separan los productos de reacción en exceso
por lavado mediante metanol.
Claims (15)
-
\global\parskip0.980000\baselineskip
1. Procedimiento para la preparación de delgadas capas de calcogenuros metálicos, por ejemplo para el empleo como capas de absorbentes y respectivamente de amortiguadores en celdas solares en unas etapas de procedimiento seguidamente expuestas a una presión normal, estando establecido de manera diferente el régimen de temperaturas para el transcurso del procedimiento, de un modo correspondiente a la diferente capacidad de reacción de los metales empleados para la formación de los calcogenuros:- \bullet
- aplicación de una solución de un compuesto metálico sobre un substrato para la adsorción de iones metálicos sin que se inicie una reacción química,
- \bullet
- substracción de la humedad a partir del substrato con los iones metálicos adsorbidos,
- \bullet
- introducción de un gas que contiene un calcogenuro de hidrógeno en la reacción con los iones metálicos adsorbidos,
repitiéndose cíclicamente las etapas del procedimiento hasta que se alcance un deseado grosor de capa. - 2. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquela aplicación de la solución de un compuesto metálico sobre el substrato se efectúa por proyección.
- 3. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquela aplicación de la solución de un compuesto metálico se efectúa por inmersión del substrato en esta solución.
- 4. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquecomo substrato se emplean TiO_{2}, CulnS_{2}, CuGaSe_{2}, calcopiritas en general o un vidrio.
- 5. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquecomo solución de un compuesto metálico se emplean compuestos disueltos de metales tales como Cd, Cu, In, Pb, Ag, Sb o Bi, individualmente o como mezclas de ellos.
- 6. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porqueel compuesto metálico está disuelto en un disolvente fácilmente volátil.
- 7. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 6,caracterizado porquecomo disolventes se emplean metanol, etanol, acetonitrilo o mezclas de ellos, los cuales, en reacción con calcogenuros de hidrógeno, forman calcogenuros metálicos difícilmente solubles.
- 8. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porqueel compuesto metálico está disuelto en agua.
- 9. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquela substracción de la humedad se efectúa por desecación en una corriente gaseosa, preferiblemente de gases inertes, tales como p.ej. gases nobles o nitrógeno molecular.
\global\parskip1.000000\baselineskip
- 10. Procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 1 y 8,caracterizado porquela substracción de la humedad se efectúa mediante una evaporación hasta llegar a una humedad residual definida del substrato.
- 11. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 10,caracterizado porquela evaporación se efectúa al realizar el almacenamiento intermedio del substrato cubierto con iones metálicos o respectivamente durante el transporte del mismo.
- 12. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porqueel gas de reacción contiene los compuestos con hidrógeno de los calcógenos S, Se o Te.
- 13. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1,caracterizado porquea continuación de la reacción se efectúa un enjuague del substrato revestido en un baño de un disolvente, preferiblemente metanol, con el fin de eliminar los productos de reacción en exceso.
- 14. Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 13,caracterizado porquedetrás del enjuague está dispuesta una desecación.
- 15. Disposición para la realización del procedimiento de acuerdo con las reivindicaciones 1 a 12, con un soporte del substrato, con un recipiente de reacción que se puede cubrir y con un recipiente con un compuesto metálico disuelto,caracterizado porqueel recipiente con el compuesto metálico disuelto está estructurado como baño de inmersión (5), junto al baño de inmersión (5) está dispuesto un recipiente para desecación (6), que puede ser atravesado por una corriente gaseosa, y junto al recipiente de reacción (6) está dispuesto un baño de enjuague (8), estando estructurados de modo abierto hacia arriba el baño de inmersión (5), el recipiente para desecación (6), el recipiente de reacción (7) y el baño de enjuague (8), y porque el soporte (2) del substrato está estructurado de un modo movible en todos los planos y puede ser introducido desde arriba en el baño de inmersión (5), en el recipiente para desecación (6), en el recipiente de reacción (7) y en el baño de enjuague (8), estando una cubierta (4) firmemente unida directamente con el soporte (2) del substrato y cerrando al recipiente de reacción (7) de un modo estanco a los gases en el estado introducido del soporte (2) del substrato.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19813154 | 1998-03-19 | ||
| DE19813154 | 1998-03-19 | ||
| DE19831214 | 1998-07-03 | ||
| DE19831214A DE19831214C2 (de) | 1998-03-19 | 1998-07-03 | Verfahren und Anordnung zur Herstellung dünner Metallchalkogenid-Schichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2292241T3 true ES2292241T3 (es) | 2008-03-01 |
Family
ID=26044952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES99919112T Expired - Lifetime ES2292241T3 (es) | 1998-03-19 | 1999-03-12 | Procedimiento y disposicion para la produccion de delgadas capas de calcogenuros metalicos. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1064685B9 (es) |
| JP (1) | JP4587247B2 (es) |
| AT (1) | ATE369631T1 (es) |
| AU (1) | AU3700599A (es) |
| DE (1) | DE59914444D1 (es) |
| ES (1) | ES2292241T3 (es) |
| WO (1) | WO1999048158A1 (es) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4443645B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2010-03-31 | 本田技研工業株式会社 | Ｃｂｄ成膜装置 |
| DE19916403C1 (de) | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner, schwer löslicher Beschichtungen |
| US8613973B2 (en) | 2007-12-06 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device with solution-processed chalcogenide absorber layer |
| JP2011091229A (ja) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Kyocera Corp | 光電変換体の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4242374A (en) * | 1979-04-19 | 1980-12-30 | Exxon Research & Engineering Co. | Process for thin film deposition of metal and mixed metal chalcogenides displaying semi-conductor properties |
-
1999
- 1999-03-12 AT AT99919112T patent/ATE369631T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-03-12 EP EP99919112A patent/EP1064685B9/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 DE DE59914444T patent/DE59914444D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 AU AU37005/99A patent/AU3700599A/en not_active Abandoned
- 1999-03-12 ES ES99919112T patent/ES2292241T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-12 WO PCT/DE1999/000811 patent/WO1999048158A1/de not_active Ceased
- 1999-03-12 JP JP2000537269A patent/JP4587247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59914444D1 (de) | 2007-09-20 |
| EP1064685B9 (de) | 2008-07-23 |
| JP4587247B2 (ja) | 2010-11-24 |
| EP1064685A1 (de) | 2001-01-03 |
| WO1999048158A1 (de) | 1999-09-23 |
| AU3700599A (en) | 1999-10-11 |
| ATE369631T1 (de) | 2007-08-15 |
| JP2002507843A (ja) | 2002-03-12 |
| EP1064685B1 (de) | 2007-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Swartwout et al. | Scalable deposition methods for large‐area production of perovskite thin films | |
| Wu et al. | Scalable Two‐Step Production of High‐Efficiency Perovskite Solar Cells and Modules | |
| Kim et al. | Highly reproducible planar Sb 2 S 3-sensitized solar cells based on atomic layer deposition | |
| Lin et al. | 11.3% efficiency Cu (In, Ga)(S, Se) 2 thin film solar cells via drop-on-demand inkjet printing | |
| ES2366888T5 (es) | Método de preparación de películas semiconductoras de aleaciones cuaternarias o superiores de los grupos IB-IIIA-VIA | |
| JP4680183B2 (ja) | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| Schmidt et al. | Adjusting the Ga grading during fast atmospheric processing of Cu (In, Ga) Se2 solar cell absorber layers using elemental selenium vapor | |
| US20100255660A1 (en) | Sulfurization or selenization in molten (liquid) state for the photovoltaic applications | |
| Berner et al. | Solution‐based processing of Cu (In, Ga) Se2 absorber layers for 11% efficiency solar cells via a metallic intermediate | |
| ES2292241T3 (es) | Procedimiento y disposicion para la produccion de delgadas capas de calcogenuros metalicos. | |
| Mortan et al. | Preparation of methylammonium lead iodide (CH3NH3PbI3) thin film perovskite solar cells by chemical vapor deposition using methylamine gas (CH3NH2) and hydrogen iodide gas | |
| Eensalu et al. | Sb2S3 thin-film solar cells fabricated from an antimony ethyl xanthate based precursor in air | |
| ES2908090T3 (es) | Dispositivos y procedimiento para depositar una capa sobre un sustrato | |
| JP2009084153A (ja) | 薄い、難溶性の被覆の製造方法 | |
| Kumar et al. | Synthesis of Cu2ZnSnS4 solar cell absorber material by sol-gel method | |
| Fischer et al. | Spray-Ion Layer Gas Reaction (ILGAR) a Novel Low-Cost Process for the Deposition of Chalcopyrite Layers up to the Micrometer Range for Photovoltaic Applications | |
| Weng et al. | Preparation of copper indium diselenide by selenization of copper indium oxide | |
| Ho | Chemical bath deposition of ZnSe thin films: investigations of the growth conditions | |
| RU2212080C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОПИРИТНЫХ CuInSe2, Cu (In, Ga)Se2, CuGaSe2 ТОНКИХ ПЛЕНОК | |
| KR101093831B1 (ko) | 스핀 스프레이법을 이용한 태양전지용 ＣｕＩｎＳ２ 박막의 제조방법 | |
| RU2347298C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Cu(In, Ga)(S, Se)2 ТОНКИХ ПЛЕНОК | |
| Akyol et al. | Beta irradiation effect on Cu (in, Ga) Se2 thin-films | |
| Nweze et al. | Optical Properties of Semiconducting Pyrite Deposited by Aerosol Assisted Chemical Vapour Deposition (AACVD) Method | |
| Allen et al. | Surface degradation of As2S3 thin films | |
| Moscheni | Molecular-ink synthesis and characterization of Ag3SBr chalcohalide antiperovskite for photovoltaic applications |