ES2293652T3 - Bombardeo de litio. - Google Patents
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Abstract
LA INVENCION SE REFIERE A LA PULVERIZACION CATODICA DE LITIO A PARTIR DE UN BLANCO (22) CON UNA SUPERFICIE DE LITIO METALICO, QUE UTILIZA UN POTENCIAL DE PULVERIZACION CATODICA ALTERNA (38) CON UNA FRECUENCIA COMPRENDIDA ENTRE 8 Y APROX. 120 KHZ, PREFERIBLEMENTE APROX. 10-100 KHZ, O BIEN UN POTENCIAL DE PULVERIZACION CATODICA DE CORRIENTE CONTINUA Y UN POTENCIAL DE LIMPIEZA INVERSO APLICADOS INTERMITENTEMENTE. DICHO PROCEDIMIENTO SE PUEDE UTILIZAR PARA APLICAR LITIO SOBRE MATERIALES ELECTROCROMICOS, COMO REVESTIMIENTOS DE CRISTALES DE VENTANA.
Description
Bombardeo de litio.
La presente invención ser refiere a procesos
para el bombardeo de litio y dianas de bombardeo útiles en dichos
procesos.
En ciertos procesos industriales, es necesario
añadir litio a un sustrato. En particular, los dispositivos
electrocrómicos, que están adaptados para cambiar las propiedades
ópticas como respuesta a cambios en un potencial eléctrico aplicado
típicamente incluyen una pluralidad de capas que incorporan iones
litio móviles. Bajo la influencia de un potencial aplicado, los
iones litio migrarán de una capa a otra. Las diversas capas se
seleccionan de manera que las propiedades ópticas cambian
dependiendo de la concentración de litio en cada capa. Los
materiales de esta naturaleza se describen por ejemplo en la
Patente de Estados Unidos Nº 5.370.775. Estos materiales pueden
usarse en dispositivos optoelectrónicos tales como moduladores de la
luz, dispositivos de presentación y similares. Los materiales
electrocrómicos pueden usarse también en sistemas de ventanilla
controlables selectivamente para diversas aplicaciones, incluyendo
ventanas de edificios y vehículos. Ciertos procesos de producción
para preparar materiales electrocrómicos requieren la aplicación de
litio al material electrocrómico después de que este se forma. Como
se describe en la patente '755 esto puede conseguirse exponiendo los
materiales electrocrómicos a un proceso electrolítico usando un
electrolito que contiene iones litio. Aunque este proceso es eficaz,
requiere la exposición del sustrato que lleva la capa
electrocrómica a un electrolito líquido. Esto, a su vez, puede
añadirse al coste de manejar sustratos, particularmente sustratos
grandes, tales como paneles de vidrio de ventanas.
Se ha propuesto hasta ahora usar bombardeo para
aplicar litio a un sustrato tal como un sustrato electrocrómico. En
el bombardeo, los iones se impulsan contra la superficie expuesta de
una fuente o "diana" formada del material a aplicar,
imponiendo un potencial eléctrico entre la diana y un
contraelectrodo mientras que se mantiene la diana en las
proximidades del sustrato. Los iones energéticos que impactan sobre
la diana desalojan átomos de la diana, denominados a menudo
"adátomos", que después se depositan sobre el sustrato.
Típicamente, dicho proceso se realiza en una atmósfera gaseosa
mantenida a una presión atmosférica muy baja. La atmósfera gaseosa
se ioniza para formar un plasma, una mezcla de átomos gaseosos
ionizados y electrones libres. Los iones del gas forman los iones
energéticos que bombardean la diana. El potencial aplicado entre la
diana y el contraelectrodo normalmente es un potencial (DC) fijo,
en el que la diana es negativa con respecto al contraelectrodo,
cuando la diana es un material conductor. Un potencial alternativo
a radiofrecuencia (RF) se usa típicamente cuando la diana es un
material dieléctrico. Más habitualmente, las radiofrecuencias usadas
para dicho bombardeo están a las radiofrecuencias particulares
reservadas por las autoridades de comunicaciones para usos
industriales, científicos y médicos, las denominadas frecuencias
"ISM", más típicamente de aproximadamente 13,56 MHz o
mayores.
Las dianas formadas a partir de compuestos de
litios tales como Li_{2}CO_{3} pueden bombardearse sucesivamente
para depositar litio en los materiales electrocrómicos. En sistemas
a gran escala, sin embargo, el potencial de bombardeo RF requerido
con una diana de Li_{2}CO_{3} presenta problemas de proceso
tales como no uniformidad y requiere un equipo caro para generar y
manejar RF de alta potencia. Sería deseable usar una diana de
bombardeo que tenga una superficie expuesta compuesta esencialmente
de litio metálico puro. Dicha diana de bombardeo de litio metálico
al menos en teoría debería proporcionar una deposición más rápida y
uniforma de litio en el sustrato, particularmente en procesos a
escala relativamente grande. Como se ha indicado en la Patente de
Estados Unidos Nº 5.288.381, las proposiciones para usar una
superficie diana de metal litio han avanzado. Sin embargo, no ha
habido un proceso práctico hasta ahora para bombardear litio desde
una diana que tiene una superficie de litio metálico. En
particular, ha sido poco práctico bombardear litio a una velocidad
razonablemente rápida desde una diana que tiene litio metálico en
su superficie expuesta usando un potencial de bombardeo DC sin
dañar la diana. Ha sido difícil también fabricar dianas de bombardeo
de litio hasta ahora.
Por consiguiente, hay necesidades sustanciales
no satisfechas para mejoras adicionales en procesos de bombardeo de
litio. Hay otras necesidades adicionales de mejoras en las dianas de
bombardeo para usar en dichos procesos y en métodos de preparación
de dichas dianas.
La presente invención se dirige a estas
necesidades.
Un aspecto de la presente invención proporciona
métodos para bombardear litio como se da en las reivindicaciones 1,
2 y 16. Los métodos de acuerdo con este aspecto de la invención
incluyen preferiblemente las etapas de mantener una diana que tiene
litio metálico sobre una superficie expuesta en un gas
sustancialmente inerte a presión subatmosférica junto con un
contraelectrodo y un sustrato. Los métodos incluyen adicionalmente
la etapa de imponer un potencial eléctrico que se invierte
periódicamente entre la diana y el contraelectrodo para formar un
plasma adyacente a la diana y bombardear la superficie expuesta de
la diana con iones del gas para sacar de esta manera el litio de la
diana al sustrato. El potencial eléctrico deseablemente tiene una
frecuencia de inversión entre aproximadamente 8 kHz y
aproximadamente 120 kHz. La diana incluye una capa de litio
metálico dispuesta sobre una capa de soporte formada a partir de un
material metálico tal como cobre o una aleación basada en cobre,
estando el litio enlazado metalúrgicamente a la capa de soporte.
Sorprendentemente, se ha descubierto que los
procesos que emplean estas condiciones pueden permitir el bombardeo
de litio desde una diana con superficie de litio para que transcurra
a una velocidad sustancial. En contraste los intentos para
bombardear litio desde una diana con superficie de litio metálico
usando un potencial DC no inverso pueden dar como resultado la
destrucción rápida de la diana cuando se aplican mayores niveles de
energía. Aunque la presente invención no se limita a ninguna teoría
de la causa de esas dificultades, se cree que la destrucción de la
diana con potencial DC resulta de la formación de una capa
resistente a bombardeo dieléctrica sobre la superficie diana o a
partir de impurezas o defectos en la superficie diana. Se cree que
estas capas, impurezas o defectos acumulan una carga estática según
continúa el bombardeo DC, y que ocurre la formación de un arco
eléctrico cuando la carga estática se acumula en el punto de rotura
dieléctrica de la capa aislante. Se cree que invertir el potencial
provoca la disipación de dichas cargas y por lo tanto evita la
formación de arco eléctrico. Dichas capas dieléctricas teóricamente
no deberían formarse en una atmósfera gaseosa inerte. Sin embargo,
se cree que incluso cuando se usan gases inertes sustancialmente
puros como materia prima para formar la atmósfera, e incluso con
atención escrupulosa a la purga de la cámara de reacción, persisten
algunos gases reactivos residuales tales como oxígeno y nitrógeno.
Cualquier gas reactivo presente en el sistema reaccionará con el
litio para formar las películas aislantes durante el proceso.
Adicionalmente, se cree que la formación de la capa dieléctrica
puede comenzar durante la exposición al aire incidente para manejar
e instalar la diana y poner en marcha el sistema de bombardeo.
También, se cree que una capa de litio unida
metalúrgicamente a la capa de soporte proporciona una trayectoria
para la transferencia de calor desde la capa de litio a la capa de
soporte que tiene sustancialmente menor resistencia térmica que la
que puede conseguirse por contacto de apoyo entre el litio y la capa
de soporte. Además, se cree que esta baja resistencia química se
mantendrá durante el proceso. Como se usa en esta descripción, la
expresión "enlace metalúrgico" significa una interferencia
entre capas metálicas en las que las capas metálicas están unidas
sustancialmente entre sí y en las que la interfaz está compuesta
esencialmente por metales y compuestos intermetálicos. Se cree que
la interfaz unida metalúrgicamente no será susceptible a
contaminación por oxidación u otras reacciones con contaminantes
atmosféricos durante el proceso de bombardeo. Los métodos
preferiblemente incluyen adicionalmente la etapa de refrigerar la
capa de soporte, refrigerando un contenedor que está en contacto
con la capa de soporte, de manera que el calor se conduce
continuamente desde la capa de litio hacia la capa de soporte.
Independientemente de los mecanismos de
operación, se ha descubierto que los métodos de acuerdo con los
aspectos anteriores de la presente invención pueden usarse con
resultados sorprendentemente buenos para bombardear litio a
velocidades sustanciales.
De acuerdo con otro aspecto de la presente
invención se ha descubierto que si la diana se expone a un potencial
de "aclaración" incluyendo un potencial de dirección inversa
(diana positiva con respecto al contraelectrodo) durante uno o más
intervalos en el proceso de bombardeo, los potenciales de bombardeo
que de otra manera no se esperaría que funcionaran bien, tales como
potencial de bombardeo DC hacia adelante puro o un potencial de
bombardeo AC de baja frecuencia, pueden emplearse durante el resto
del proceso de bombardeo. El potencial de aclaramiento puede
incluir uno o más pulsos periódicos o no periódicos de potencial de
dirección inversa intercalado con los pulsos de potencial de
dirección hacia adelante, o pueden incluir un potencial convencional
periódico alterno. Más preferiblemente, los intervalos durante los
que se aplica el potencial de aclaramiento incluyen un primer
intervalo antes de la aplicación del propio potencial de bombardeo.
La diana debería mantenerse en la atmósfera inerte durante el
proceso desde el primer intervalo hasta después terminado el
potencial de bombardeo. El proceso típicamente se realiza en una
cámara de bombardeo cerrada y la cámara permanece cerrada durante
todo el proceso. Cualquier abertura de la cámara u otra exposición
de la diana a la atmósfera ambiente deseablemente va seguida de
aplicación del potencial de aclaramiento. Aunque la presente
invención no está limitada por ninguna teoría de operación, se cree
que la aplicación del potencial de inversión durante la puesta en
marcha retira contaminantes tales como óxido de litio, dejando una
superficie diana muy pura que a su vez facilita el bombardeo al
potencial de bombardeo.
Dicho de otra manera, los procesos preferidos de
acuerdo con este aspecto de la presente invención incluyen la etapa
de aplicar el potencial de aclaramiento antes de aplicar el
potencial de bombardeo, y después aplicar el potencial de bombardeo
mientras que se mantiene la diana en la atmósfera inerte. La
superficie expuesta de la diana se limpia entonces por bombardeo
durante la aplicación del potencial de limpieza y esta limpieza
puede continuar durante la aplicación inicial del potencial de
bombardeo. La capacidad para empezar con una diana metálica de
litio que tiene una superficie contaminada sobre la diana ofrece
considerables ventajas en el diseño del proceso. De esta manera, se
requeriría un cuidado considerable para instalar una diana de litio
en una cámara de bombardeo sin contaminar de alguna manera su
superficie, incluso por exposición momentánea al aire ambiente. De
acuerdo con este aspecto de la invención, cantidades razonables de
dicha contaminación pueden acomodarse sin alterar el proceso de
bombardeo.
La aplicación del potencial de aclaramiento
durante intervalos adicionales, separados por periodos de potencial
de bombardeo, facilita adicionalmente el proceso. Aunque la presente
invención actualmente no está limitada por ninguna teoría de
operación, se cree que el potencial de aclaramiento contrarresta la
tendencia de la diana de metal litio a formar una capa dieléctrica
sobre su superficie expuesta durante el proceso de bombardeo. De
esta manera, se cree que la capa dieléctrica se forma incluso en
presencia de una atmósfera sustancialmente inerte como se usa en un
proceso industrial debido a la presencia inevitable de pequeñas
cantidades de gases contaminantes tales como oxígeno y/o nitrógeno,
y debido a la alta reactividad del litio. Durante el proceso de
bombardeo, y particularmente en un proceso de bombardeo DC, se cree
que la capa dieléctrica a su vez acumula una carga positiva en el
lado orientado al plasma, que a su vez puede conducir a la formación
de un arco eléctrico con la diana cargada negativamente si la capa
dieléctrica se rompe. Se cree que el potencial de aclaramiento
actúa para disipar la carga positiva. Esto a su vez suprime la
formación de arco eléctrico y facilita también la retirada de la
capa dieléctrica que suprime adicionalmente la formación de arco
eléctrico.
En un proceso particularmente preferido de
acuerdo con este aspecto de la invención, la diana se expone a un
potencial alterno tal como el potencial inverso analizado
anteriormente, durante el comienzo del proceso de bombardeo, y
pueden emplearse potenciales DC durante el resto del proceso de
bombardeo. La diana se mantiene en la atmósfera inerte desde antes
de la terminación del potencial alterno hasta después de la
terminación del potencial DC. Dicho de otra manera, si el proceso
de bombardeo se inicia usando el potencial alterno, puede continuar
a una velocidad razonable usando un potencial directo. El proceso
típicamente se realiza en una cámara de bombardeo cerrada y la
cámara permanece cerrada durante todo el proceso. Cualquier abertura
de la cámara u otra exposición de la diana a la atmósfera ambiente
deseablemente va seguida de aplicación del potencial de inversión
(AC). Aunque la presente invención no se limita a ninguna teoría de
operación, se cree que la aplicación del potencial de inversión
durante la puesta en marcha retira contaminantes, dejando una
superficie de diana muy pura que a su vez permite el bombardeo DC en
condiciones razonables.
Los procesos preferidos de acuerdo con estos
aspectos de la invención proporcionan la capacidad para depositar
litio uniformemente sobre grandes sustratos. Aunque el bombardeo DC
puede emplearse como se ha analizado anteriormente, se prefiere
aplicar un potencial inverso incluyendo periodos de polaridad
inversa, durante todo el proceso de bombardeo. Cuando el sustrato
incluye un material intercalable con litio como se analiza a
continuación, se ha descubierto que el potencial de inversión
promueve más rápidamente la transferencia del litio al sustrato.
Las razones para este fenómeno no se entienden bien. De nuevo la
presente invención no se limita a ninguna teoría de operación. Sin
embargo, se cree que la aplicación de un potencial alterno a la
diana y al contraelectrodo puede dar como resultado también la
aplicación de un potencial alterno sobre el sustrato, y que este
potencial puede facilitar el intercalado del litio en el
sustrato.
El potencial inverso puede ser un potencial
alterno, simétrico, sinusoidal o también puede tener otras formas
tales como un potencial asimétrico, por pulsos, que la diana de
bombardeo es negativa con respecto al contraelectrodo durante la
mayor parte del ciclo y positiva durante la menor parte del ciclo.
El potencial más preferiblemente tiene una frecuencia de inversión
entre aproximadamente 10 kHz y aproximadamente 100 kHz.
El contraelectrodo puede incluir también una
segunda diana que lleva litio, en cuyo caso la segunda diana se
bombardea durante una fase del potencial de inversión. El sustrato
puede incluir un material que puede intercalarse con litio en una
superficie expuesta, y el litio expulsado de la diana se intercala
deseablemente en este material intercalable con litio. El material
intercalable con litio puede ser un calcogenuro metálico tal como
un óxido de volframio o vanadio. El material intercalable con litio
puede ser un material electrocrómico. El proceso es particularmente
útil en el tratamiento de sustratos relativamente grandes. Más
preferiblemente, el sustrato se mueve en una dirección
preseleccionada de movimiento durante la etapa de aplicación de
potencial de manera que nuevas regiones del sustrato se exponen
continuamente al litio expulsado. El sustrato puede ser un artículo
relativamente grande tal como una hoja o cristal de vidrio de
ventana. El sustrato puede tener dimensiones transversales a la
dirección de movimiento de al menos aproximadamente 0,2 m y
deseablemente de aproximadamente 0, 2 m a aproximadamente 1,5 m.
Pueden emplearse sustratos incluso más grandes. La diana puede
incorporar una pluralidad de elementos diana, cada uno de manera que
el elemento diana tenga una parte de superficie expuesta. Estos
elementos diana múltiples pueden retenerse sobre un único contenedor
de la diana. Más deseablemente, cada elemento diana incluye una
capa superior de litio metálico que define la superficie expuesta y
una capa de soporte metálico, estando la capa superior unida
metalúrgicamente a la capa de soporte.
Otros aspectos de la presente invención
proporcionan elementos diana de bombardeo como se dan la
reivindicación 39. Cada uno de dichos elementos diana de bombardeo
incluye una capa de soporte metálico como se ha analizado
anteriormente junto con una capa de litio metálico que recubre una
superficie frontal de la capa de soporte y unida metalúrgicamente a
dicha capa de soporte. La capa de soporte deseablemente está formada
a partir de un metal que no tiende a formar aleaciones con litio
rápidamente a temperatura elevada. Deseablemente, el metal de la
capa de soporte se selecciona entre el grupo compuesto por cobre,
aleaciones basadas en cobre, cobre plateado con níquel y acero
inoxidable. El indio deseablemente está presente como un
recubrimiento fino o capa interfacial entre la capa superior de
litio y la capa de soporte metálico, de manera que la capa de litio
está unida a la capa de soporte mediante la interfaz de indio. Las
dianas de bombardeo de acuerdo con este aspecto de la presente
invención pueden utilizarse en procesos como los mencionados
anteriormente. Se cree que el enlace metalúrgico entre la capa
superior de litio y la capa de soporte potencia materialmente la
transferencia de calor desde la capa de litio hasta la capa de
soporte y a los otros componentes del aparato. Esto, a su vez,
evita la fusión del litio incluso a niveles de potencia de bombardeo
sustanciales.
Otros aspectos de la presente invención
proporcionan métodos de preparación de dianas de bombardeo. Los
métodos de acuerdo con este aspecto de la presente invención
incluyen deseablemente las etapas de proporcionar una capa de
soporte metálico, aplicar litio fundido a una superficie frontal de
la capa de soporte y refrigerar el litio fundido para solidificar
de esta manera el litio y formar una capa de litio unido
metalúrgicamente a la capa de soporte. Más preferiblemente la capa
de soporte incluye, en su superficie frontal, un metal seleccionado
entre el grupo compuesto por cobre y aleaciones a base de cobre. La
etapa de aplicar hierro fundido puede incluir la etapa de
yuxtaponer un litio metálico sólido, preferiblemente en forma de una
lámina de litio metálico, con la capa de soporte de manera que el
litio sólido cubre la superficie superior y se funde con el litio
sólido.
Más preferiblemente, el litio fundido se lleva a
una temperatura elevada por encima de su punto de fusión
deseablemente a al menos aproximadamente 230ºC, y más
preferiblemente de aproximadamente 240 a aproximadamente 280ºC, y
se mantiene a esta temperatura elevada durante al menos
aproximadamente 20 minutos mientras que está en contacto con la
capa de soporte. Pueden usarse también temperaturas aún más altas, y
tiempos de mantenimiento mayores. Dicha temperatura elevada y
tiempo de humectación prolongado facilita en gran medida el
humedecimiento de la capa de soporte por el litio y la formación de
un buen enlace metalúrgico entre el litio y la capa de soporte.
Pueden usarse temperaturas menores, típicamente de aproximadamente
190ºC si la capa de soporte se limpia minuciosamente antes de la
aplicación de litio. La etapa de proporcionar una capa de soporte
metálico puede incluir adicionalmente la etapa de proporcionar un
recubrimiento de indio sobre la superficie frontal de la capa de
soporte. La capa de indio promueve también el humedecimiento. La
etapa de fusión del litio sólido puede realizarse aplicando calor a
la capa de soporte de manera que el calor se transfiere a través de
la capa de soporte al litio sólido. Como se analiza adicionalmente
a continuación, estas disposiciones preferidas proporcionan la
aplicación sustancialmente uniforme de litio y la fusión
sustancialmente uniforme del litio en toda la extensión de la
superficie frontal. La capa de soporte puede tener una depresión en
su superficie superior y un reborde que rodea la depresión. La
etapa de aplicar litio fundido puede realizarse de manera que el
litio fundido llena completamente la depresión que cubre el reborde.
Este método preferido proporciona una porción relativamente gruesa
de la capa de litio en la depresión y proporciona aún una porción
fina de la capa en el reborde. La parte fina puede retenerse en el
borde externo del reborde por tensión superficial. Esto proporciona
el cubrimiento completo de la superficie diana de la capa de
soporte. La operación de bombardeo deseablemente se realiza de
manera que el litio se bombardea principalmente desde la parte
gruesa de la capa alineando la parte gruesa de la capa con el campo
magnético de un contenedor de la diana de tipo magnetrón. De esta
manera, la diana tiene una vida de servicio prolongada.
Estos y otros objetos, características y
ventajas de la presente invención resultarán más evidentes a partir
de la descripción detallada de las realizaciones preferidas mostrada
a continuación, tomada junto con los dibujos adjuntos.
La Figura 1 es una vista en perspectiva
esquemática que representa un aparato de acuerdo con una realización
de la invención, con partes que se han retirado para aclarar la
ilustración.
La Figura 2 es una vista de sección fragmentada
esquemática tomada a lo largo de las líneas 2-2 en
la Figura 1.
La Figura 3 es una vista en planta esquemática
tomada a lo largo de las líneas 3-3 en la Figura
2.
La Figura 4 es un gráfico de ciertos resultados
experimentales.
La Figura 5 es una vista en perspectiva
esquemática que describe un componente de acuerdo con otra
realización de la invención.
Las Figuras 6 y 7 son vistas en perspectiva
esquemáticas que representan partes del aparato de acuerdo con
otras realizaciones de la invención.
La Figura 8 es un gráfico que representa otros
resultados experimentales.
El aparato utilizado en un proceso de la
presente invención incluye una cámara de proceso 10 con paredes
metálicas eléctricamente conectadas a tierra que tiene un extremo
superior 12 y un extremo inferior 14. La cámara de proceso está
equipada con cierres herméticos al aire u otros dispositivos (no
mostrados) para permitir el suministro de artículos a tratar a la
cámara a través del extremo superior y permitir la extracción de los
artículos tratados en el extremo inferior 14. La cámara está
equipada con sistema de transporte de sustrato representado
esquemáticamente por un rodillo de suministro 16 adaptado para
suministrar piezas de trabajo de tipo lámina plana desde el extremo
superior al extremo inferior. El transportador de sustrato 16 y por
lo tanto los sustratos tratados por los enfoques preferiblemente se
aíslan eléctricamente de la pared de la cámara 10 y de esta manera
se aíslan del potencial de tierra. La cámara está conectada también
a un aparato de control atmosférico convencional 18 adaptado para
llenar el espacio dentro de la cámara 10 con gas inerte a una
presión subatmosférica baja. El aparato de control atmosférico puede
incorporar elementos convencionales tales como cilindros de
suministro de gas, reguladores de presión, bombas de vacío y
similares. El aparato incluye adicionalmente un contenedor de
elemento diana 20. El contenedor de la diana incluye una placa
contenedora generalmente rectangular 21 de aproximadamente 40 cm de
longitud y aproximadamente 13 cm de anchura. La placa contenedora
rectangular está dispuesta dentro de la cámara 10 y se extiende
transversalmente en la dirección de arriba abajo de la cámara. El
contenedor de la diana incluye dispositivos de unión, representados
simbólicamente por los pernos 24 que se extienden a través de la
placa contenedora para asegurar una placa base 22 a la placa
contenedora. La placa base 22 está provista con canales de fluido de
refrigeración 26, que a su vez están conectados a una unidad de
suministro de refrigerante 28 (Figura 1). La unidad de suministro de
refrigerante está adaptada para hacer circular un líquido a través
de los canales de refrigerante 26 y para mantener dicho líquido a
una temperatura controlada, controlando de esta manera la
temperatura de la placa base 22. La placa base 22 tiene una
superficie frontal 30 orientada lejos de la pared de la cámara. El
contenedor de la diana 20 incluye un equipo de magnetrón
convencional 32 adaptado para proyectar flujo magnético a través de
la cara frontal 30 de la placa base, y proporcionar dicho flujo
magnético sobre una zona predeterminada de la cara frontal. Esta
zona 34, indicada por líneas discontinuas en la Figura 3
generalmente tiene la forma de un bucle ovalado o "pista
electrónica" y está orientado con su dimensión mayor transversal
a la dirección de arriba abajo de la cámara. La placa contenedora
21 está conectada eléctricamente a un conductor 36, que a su vez
está asilado eléctricamente de la carcasa 10. El conductor 36 está
conectado a un lado de la fuente de energía AC 38. El lado opuesto
de la fuente de energía está conectado a tierra 40 y a la pared
metálica 10 de la cámara.
Un elemento diana de bombardeo 44 de acuerdo con
una realización de la invención incluye una capa de soporte 46 que
tiene una superficie frontal 48 y una superficie trasera 50. La capa
de soporte 46 incluye un metal en su superficie frontal 48. Este
metal debe tener una buena conductividad térmica, aunque no debería
tender a difundirse rápidamente en litio para contaminar el litio
que está lejos de la capa de soporte con el metal de la capa
soporte cuando la capa de soporte se mantiene en contacto con litio
a elevadas temperaturas. El metal deseablemente se selecciona entre
el grupo compuesto por acero inoxidable, cobre y aleaciones basadas
en cobre. Como se usa en esta descripción "aleación basada en
cobre" significa una aleación que incluye más del 50% de cobre.
Se prefiere el cobre sustancialmente puro. La capa de soporte 46
deseablemente es enteramente metálica. Preferiblemente, la capa de
soporte 46 es de una composición uniforme en todo su espesor, desde
su superficie 48 a su superficie trasera 50. Sin embargo, pueden
usarse otras disposiciones. Por ejemplo, la capa de soporte puede
incluir metales de otras composiciones en localizaciones lejanas de
la superficie frontal. La capa de soporte 46 tiene un recubrimiento
fino 54 de indio sobre su superficie frontal 48. El recubrimiento
54 es sustancialmente continuo sobre toda la superficie frontal 48.
Cada elemento diana 44 incluye también una capa frontal 56 de litio
metálico que cubre la superficie frontal de la capa de soporte y de
esta manera cubre el recubrimiento de indio 54. Como se usa en esta
descripción, la expresión "litio metálico" se refiere a
composiciones esencialmente de metales en los que el litio es el
metal predominante, siendo más del 75% de los metales en la
composición y más preferiblemente siendo aproximadamente el 100% de
la composición. El litio esencialmente puro es la forma más
preferida de litio metálico aunque pueden emplearse aleaciones de
litio con otros metales. La capa frontal 56 está unida
metalúrgicamente a la capa de soporte mediante el recubrimiento de
indio. El recubrimiento de indio incluye deseablemente únicamente la
cantidad mínima de indio requerida para formar una capa continua
sobre la superficie. De esta manera, la capa de indio deseablemente
es únicamente de unos pocos micrómetros de espesor. Esta capa es
esencialmente visible en la estructura; existe como una capa de
concentración de indio relativamente alta en la interfaz entre el
litio metálico de la capa frontal y el metal de la capa de soporte.
Preferiblemente, la capa frontal de litio antes de usar el elemento
diana está entre aproximadamente 1 mm y aproximadamente 10 mm de
espesor.
Cada elemento de la diana de bombardeo 44 puede
fabricarse limpiando en primer lugar la capa de soporte 46 y
atacándola con un baño de ácido, preferiblemente ácido clorhídrico.
Después de la retirada del residuo ácido mediante una enjuague con
agua destilada, la capa de soporte se transfiere a la cámara de
trabajo cerrada tal como una caja de manipulación con guantes
mantenida en una atmósfera seca sustancialmente inerte tal como
argón sin oxígeno esencialmente seco. Para asegurar la limpieza, la
atmósfera en la cámara se purifica fundiendo una masa de restos de
litio dentro de la caja de manipulación con guantes antes de limpiar
la diana. Los restos de litio fundidos reaccionan con o
"captan" cualquier gas contaminante de la atmósfera de la
cámara. Los restos de litio fundido pueden mantenerse en la cámara
de trabajo durante el proceso de fabricación de la diana. La capa
de soporte se pone sobre un calentador tal como una placa caliente
de laboratorio, con la superficie frontal 48 orientada hacia
arriba. La superficie frontal debería estar a nivel, es decir, tan
cerca de una superficie horizontal verdadera como sea posible. El
calentador funciona para suministrar calor a la superficie trasera
50 y de esta manera transferir calor a través de la capa de soporte.
Aunque la capa de soporte se calienta, un recubrimiento final de
indio se aplica depositando una pequeña cantidad de indio sobre la
superficie frontal. El indio tiende a fluir y humedecer la
superficie frontal. Esta acción puede facilitarse por agitado
mecánico del litio con escobillas de acero inoxidable. La cantidad
de indio utilizada necesita ser únicamente suficiente para
humedecer totalmente la superficie central y formar una película
sustancialmente continua sobre toda la superficie frontal.
Después de la aplicación del indio, se aplica
una placa de litio fundido. El litio fundido puede aplicarse
depositando litio sólido sobre la superficie frontal. Pueden
aplicarse piezas individuales de litio en localizaciones espaciadas
sobre la superficie frontal. Preferiblemente, sin embargo, se aplica
litio sólido como una lámina de espesor sustancialmente uniforme
que cubre sustancialmente toda la superficie frontal de la capa de
soporte. La temperatura de la capa de soporte debería mantenerse
tan uniforme como sea posible durante la etapa de calentamiento.
Cuando la temperatura de la capa de soporte alcanza aproximadamente
180ºC el litio sólido se funde y forma una capa de litio fundido
sobre la superficie frontal. Durante este proceso, una pared o dique
sustancialmente inerte, tal como una lámina de acero inoxidable
puede mantenerse alrededor de los bordes de la superficie frontal
para confinar el litio fundido. Como alternativa, la tensión
superficial del litio fundido puede usarse para retener la capa de
litio fundido sobre la capa de soporte. Después de la fusión del
litio y del humedecimiento de la superficie recubierta con indio
mediante litio fundido, el ensamblaje se deja enfriar en la
atmósfera seca inerte. Después de enfriar, la diana acabada
conservada en una atmósfera inerte, por ejemplo envasándola en un
recipiente sellado con gas inerte seco.
En un proceso alternativo, se omite el
recubrimiento de indio y el calentamiento de la capa de soporte y el
litio fundido continua después de que la capa de litio se haya
fundido completamente de manera que el litio fundido alcanza una
temperatura sustancialmente por encima de su temperatura de fusión
(liquidus) mientras que está en contacto con la capa de soporte.
Preferiblemente, el litio fundido y la capa de soporte en contacto
con el mismo se calienta a una temperatura elevada de al menos
aproximadamente 230ºC y más preferiblemente de aproximadamente
240ºC a aproximadamente 280ºC, y se mantiene a esta temperatura
durante al menos aproximadamente 10 minutos y más preferiblemente
al menos 20 minutos. Dicho tratamiento de temperatura elevada
promueve el humedecimiento y formación de un enlace metalúrgico
entre el litio y la capa de soporte. La capa de indio puede usarse
también con el tratamiento a temperatura elevada.
La diana de bombardeo se asegura a la placa base
22 mediante una capa de adhesivo térmicamente conductor, tal como
una capa de epoxi 58 cargada con plata entre la superficie trasera
50 de la capa de soporte diana y la superficie central 30 de la
placa base. La epoxi térmicamente conductora puede ser una epoxi
cargada con plata. Preferiblemente la epoxi es capaz de soportar
temperaturas de hasta aproximadamente 180ºC y deseablemente puede
soportar temperaturas aún mayores. La capa 58 debe ser tan fina como
sea posible aunque debe ser sustancialmente continua sobre las
superficies de conexión de las partes para proporcionar la mejor
transferencia de calor posible.
Como se observa mejor en la Figura 3, una
pluralidad de elementos diana generalmente rectangulares 44 se
aseguran a la placa base 22 en disposición de fin a fin, de manera
que los elementos diana cubren juntos la zona del campo magnético
34 del contenedor de la diana 20. De esta manera los múltiples
elementos diana forman una serie de elementos diana que se extiende
transversal a la dirección de arriba abajo de la cámara 10.
En un proceso de bombardeo de acuerdo con una
realización de la invención, los elementos diana como se ha
analizado anteriormente se aseguran sobre un contenedor de la diana
20. Un sustrato 60 tal como una placa o lámina de vidrio con una
capa 62 de una material electrocrómico intercalable con líquido se
hace avanzar a través de la cámara en una dirección de arriba a
abajo mediante el dispositivo de transporte 16. Como se usa en esta
descripción, la expresión "material electrocrómico" se refiere
a un material o combinación de materiales que puede usarse solo o
en combinación con otros materiales para proporcionar un efecto
electrocrómico. La capa 62 está orientada hacia el líquido metálico
de las capas de los elementos diana 44. El sustrato se mueve
deseablemente a una velocidad de aproximadamente
10-20 cm/minuto, aunque puede emplearse cualquier
velocidad de movimiento dependiendo de la cantidad del líquido a
depositar sobre el sustrato. La superficie del sustrato a tratar
puede estar a cualquier distancia conveniente de las superficies
expuestas de los elementos diana, por ejemplo a aproximadamente
7-8 cm. Cada parte del sustrato pasa delante de un
elemento diana 44. La unidad de control atmosférico 18 está
accionada para mantener una atmósfera de argón seco sustancialmente
puro a una presión entre aproximadamente 1 y aproximadamente 100
miliTorr, y más preferiblemente a aproximadamente 10 miliTorr.
La unidad de energía AC 38 se acciona para
imponer un potencial alterno sobre los plomos 36, y de esta manera
sobre las placas de contenedoras 21, placas bases 22 y elementos
diana 44. El potencial alterno tiene una frecuencia de
aproximadamente 120 kHz, más preferiblemente de aproximadamente 10
kHz a aproximadamente 100 kHz y aún más preferiblemente de
aproximadamente 10 kHz a aproximadamente 40 kHz. La fuente de
energía se regula para aplicar un nivel de energía sustancialmente
constante. Preferiblemente, el nivel de energía se regula para que
sea entre aproximadamente 0,2 y aproximadamente 7 vatios por
cm^{2} y preferiblemente aproximadamente 0,2 a aproximadamente
3,5 vatios por cm^{2} de superficie frontal del elemento diana.
Otra medida de densidad de energía en el proceso es la energía por
unidad de longitud de la región de bucle o pista electrónica 34.
Usando esta medida, la energía aplicada debería estar entre
aproximadamente entre 0,15 y aproximadamente 4 vatios por milímetro
de longitud de bucle y preferiblemente aproximadamente entre 0,15 y
aproximadamente 2,5 vatios por milímetro. La energía aplicada
convierte el gas argón en las proximidades de los elementos diana
en un plasma. El campo magnético proporcionado por los elementos
magnéticos 32 potencia la formación del plasma en las proximidades
de los elementos diana. De esta manera, el gas en la cámara lejos de
los elementos diana permanece no ionizado en su mayor parte.
Durante cada ciclo del potencial aplicado los
ensamblajes de electrodo, incluyendo placas bases 22 van a un
potencial eléctrico negativo con respecto a tierra. Durante esta
fase del ciclo, los iones de argón cargados positivamente del
plasma se aceleran hacia el elemento diana e impactan sobre la
superficie de la capa de litio, desalojando de esta manera los
átomos de litio. Los átomos de litio desalojados pasan al sustrato y
se intercalan con la capa intercalable con litio 62.
Si los elementos diana se han expuesto al aire
ambiente u otros gases reactivos durante la instalación y puesta en
marcha, la tensión desarrollada a través de la fuente de energía AC
38 en el inicio del proceso será relativamente alta. Se cree que
esta alta tensión está provocada por contaminantes tales como
óxidos, nitruros o hidruros formados por reacción del litio con la
atmósfera ambiente. Estos contaminantes pueden retirarse por
bombardeo continuado en la atmósfera de argón. Incluso con una
cantidad sustancial de contaminación, que puede ser el resultado de
la exposición durante todo un día de las superficies diana al aire
ambiente, la operación de bombardeo puede realizarse sin formación
de arco eléctrico apreciable o destrucción de los elementos diana.
Durante este bombardeo inicial, no se retira esencialmente nada de
litio de la diana, sin embargo, continuando la operación de este
modo, los contaminantes se retiran y la tensión cae a su valor
normal en estado estacionario, tras lo cual una transferencia de
litio desde los elementos diana continúa a la velocidad normal para
una diana no contaminada. La capacidad del proceso para soportar
contaminación de las superficies diana de bombardeo de litio es
particularmente importante en el funcionamiento industrial ya que
permite procedimientos razonables de manejo y de mantenimiento de
equipo.
Durante el proceso, una parte sustancial de la
energía aplicada por la unidad 38 que se disipa como calor se
aplica a las placas de litio en los elementos diana. El enlace
metalúrgico en la interfaz entre cada capa de litio y la capa de
sustrato de soporte 46 permite una buena conducción del calor desde
la capa de litio a la capa de soporte. El calor se retira de la
capa de soporte mediante la capa de epoxi cargada con plata 58 y la
placa base 22 a los canales de refrigeración 26 y de esta manera al
refrigerante que circula en la unidad de suministro 28.
Numerosas variaciones y combinaciones de las
características descritas anteriormente pueden utilizarse sin
alejarse de la presente invención. Por ejemplo, el número de
elementos diana y el tamaño de cada elemento diana puede variarse
según se desee para proporcionar un recubrimiento por bombardeo de
esencialmente cualquier tamaño de sustrato. También, no es esencial
mover el sustrato durante el proceso de bombardeo si todo el
sustrato puede acomodarse en las proximidades de la superficie
diana de bombardeo, o si se mueve la propia diana. Pueden emplearse
gases inertes distintos de argón. Por ejemplo, puede usarse helio.
El helio tiene una masa atómica próxima a la del litio. La
similitud de masa atómica promueve el bombardeo eficaz. Pueden
tratarse otros sustratos distintos de los materiales
electrocrómicos. También, puede usarse esencialmente cualquier
dispositivo de sujeción mecánico para asegurar la placa base 22 al
contenedor del electrodo. De esta manera, otros medios tales como
fijaciones, piezas de interbloqueo o pernos pueden usarse para
asegurar la placa base y de esta manera el elemento diana al
ensamblaje de electrodo del aparato. Típicamente, la configuración
de estos elementos se ajusta mediante la configuración del propio
contenedor del electrodo.
Un elemento diana de bombardeo 144 de acuerdo
con otra realización de la invención (Figura 5) incluye una capa de
soporte 146. La capa de soporte tiene una superficie 148 con una
depresión 147 y un reborde 149 que rodea la depresión y que define
los bordes de la superficie superior. Una capa superior 156 de litio
metálico cubre la capa de soporte. La capa superior cubre toda la
superficie superior de la capa de soporte, incluyendo la depresión
147 y el reborde 149. La superficie superior de la capa superior es
sustancialmente plana o está ligeramente abombada hacia arriba en
el centro. La capa superior incluye, por lo tanto, una parte
relativamente gruesa 155 que cubre la depresión 147 y una parte
relativamente fina que cubre el reborde 149.
Un elemento diana de acuerdo con esta
realización de la invención puede prepararse aplicando litio fundido
a la superficie superior de la capa de soporte y agitando el litio
usando escobillas de acero inoxidable para pulverizar el litio
sobre toda la superficie. El humedecimiento de cobre puro, mediante
litio, sin una capa de indio, puede promoverse mediante dicha
agitación y calentando el ensamblaje bastante por encima del punto
de fusión del litio. De esta manera, cuando no se usa una capa de
indio, el ensamblaje se calienta deseablemente a aproximadamente
240-280ºC, más preferiblemente a aproximadamente
260ºC, para promover el humedecimiento. El litio fundido se confina
eficazmente por tensión superficial en los bordes externos del
reborde 149. Como sólo una capa fina de litio está presente en el
reborde, la presión ejercida por el litio fundido es mínima y se
contrarresta eficazmente por la tensión superficial. Normalmente no
hay necesidad de diques externos o barreras en los bordes.
Durante el uso, la diana 144 se sujeta a una
placa base 122 que a su vez está asegurada a un contenedor de la
diana 121. El contenedor 121 incluyen elementos magnéticos 132
similares a los analizados anteriormente, que proporcionan un campo
magnético en una región de campo magnético 134. La diana 144 estaba
asegurada al contenedor 121 de manera que la depresión 147 y la
porción gruesa 155 de la capa superior están alineadas con la
región de campo magnético 134. La intensidad del plasma y, por lo
tanto, la velocidad de bombardeo, son a una velocidad mucho mayor
en la región del campo magnético que en otras áreas. Por lo tanto,
el litio se bombardeará principalmente desde la porción gruesa de
la capa superior. La porción gruesa permite el uso prolongado de la
diana.
Como se muestra en la Figura 6, dos dianas que
llevan litio 244 y 245 pueden conectarse a lados opuestos de un
suministro de energía AC 238. Estas dianas se disponen dentro de la
cámara del aparato de bombardeo como se ha descrito anteriormente.
Durante una fase del ciclo de energía AC, la primera diana 244 es
negativa con respecto a la segunda diana 245 y, de esta manera, el
litio se bombardea desde la primera diana. Durante esta fase, la
segunda diana 245 sirve como contraelectrodo. Durante la siguiente
fase, la segunda diana 245 es negativa y sirve como fuente de litio
bombardeado mientras que la primera diana sirve como
contraelectrodo.
Como se muestra en la Figura 7, pueden usarse
los contraelectrodos 345 formados por separado de la cámara de
bombardeo. Estos contraelectrodos pueden formarse a partir de
materiales resistentes al bombardeo relativamente inertes tales
como acero inoxidable. Los contraelectrodos pueden disponerse dentro
de la cámara adyacente a la diana que lleva litio 344. La
localización de los contraelectrodos puede ajustarse para una
velocidad de bombardeo óptimo y uniformidad. Los contraelectrodos
pueden conectarse a un lado del suministro de energía 338 y
conectarse mediante una alta impedancia 339, deseablemente
aproximadamente 500 ohmios o más, a tierra. El otro lado del lado
de suministro de energía 338 está conectado a la diana mientras que
la pared de la cámara está conectada a tierra.
Las realizaciones preferidas analizadas
anteriormente utilizan potencial inverso o alterno (AC) en todo el
proceso de bombardeo. En realizaciones adicionales de la invención,
el potencial de inversión se aplica como potencial de aclaramiento
durante el primer intervalo en el comienzo del proceso, seguido de
un potencial de bombardeo en forma de potencial directo (DC) en el
que la diana es negativa y el contraelectrodo es positivo.
Deseablemente, la diana permanece dentro del entorno protegido de la
cámara de bombardeo cerrada desde el comienzo del primer intervalo
o potencial AC hasta el final del potencial DC o de bombardeo. El
potencial DC puede comenzarse antes de la terminación del potencial
AC, tras dicha terminación o después de dicha terminación. Sin
embargo, cualquier tiempo de parada o sin potencial entre la
terminación del aclaramiento o potencial AC y el comienzo del
potencial DC o de bombardeo debe ser breve, deseablemente menor de
un día y más preferiblemente menor de una hora. Si la cámara se
abre y la diana se expone al aire ambiente durante cualquier tiempo
apreciable, el potencial AC debería repetirse. En esta disposición
se prefiere usar potenciales AC en los intervalos de frecuencia
analizados anteriormente. Sin embargo, si el potencial AC se usa
únicamente para el inicio y el potencial se cambia a DC antes de
que los sustratos utilizables se procesen, entonces la uniformidad
del proceso durante la parte AC de la operación será menos crítica.
En este caso, el potencial de inversión puede ser un potencial de
radiofrecuencia sin conferir uniformidad al proceso. Este enfoque es
menos preferido debido a los otros inconvenientes asociados con el
aparato RF.
El potencial de inversión empleado como
potencial de aclaramiento no está limitado a un potencial alterno
simétrico de frecuencia fija convencional tal como un AC sinusoidal
convencional. Simplemente a modo de ejemplo, el potencial de
aclaramiento puede incluir uno o más pulsos de potencial de
dirección inversa (diana positiva con respecto al contraelectrodo)
interpuesto con una serie de pulsos de potencial hacia delante
durante cada uno de dichos intervalos. El potencial inverso
aplicado durante cada pulso de potencial en dirección inversa puede
ser de la misma magnitud que el potencial hacia delante empleado
durante el bombardeo preferiblemente de una magnitud menor. Por
ejemplo cuando un potencial DC hacia delante de aproximadamente 200
voltios se usa para el bombardeo, el potencial en la dirección
inversa en las intervalos de aclaramiento puede ser de
aproximadamente 10 a aproximadamente 200 voltios. También, el pulso
en la dirección inversa puede ser de longitud igual, mayor o
preferiblemente menor que los pulsos de potencial hacia delante
intercalados con el mismo. Por ejemplo, cada intervalo de potencial
de aclaramiento puede incluir pulsos de potencial inverso entre
aproximadamente 1 \mus y a aproximadamente 10 \mus de longitud
intercalados con pulsos de potencial hacia delante entre
aproximadamente 10 \mus y aproximadamente 100 \mus de
duración.
duración.
El potencial de bombardeo tampoco está limitado
a un potencial directo. Por ejemplo, el potencial de bombardeo
puede ser un potencial alterno que tenga una primera frecuencia,
mientras que el potencial de aclaramiento puede ser un potencial
alterno que tenga una segunda frecuencia mayor.
Pueden utilizarse estas y otras combinaciones de
las características descritas anteriormente, aunque la descripción
anterior de las realizaciones preferidas debe tomarse a modo de
ilustración en lugar de a modo de limitación de la invención como
se define mediante las reivindicaciones.
Ciertos aspectos de la invención se ilustran
adicionalmente mediante los siguientes ejemplos no limitantes:
Ejemplo
1
Un elemento diana generalmente rectangular como
se ha descrito anteriormente, con una superficie de litio de
aproximadamente 38 cm de longitud y 12 cm de anchura se fabrica
vertiendo litio sobre una capa de soporte de cobre dura sin oxígeno
de aproximadamente 3,2 mm de espesor. La capa de litio es de
aproximadamente 5 mm de espesor. La capa de soporte se asegura a la
placa de revestimiento de un ensamblaje de cátodo de bombardeo MRC
(Materials Research Corporation) 903 usando una epoxi cargada con
plata. La epoxi se cura por cocido a aproximadamente 60ºC durante
tres horas y el ensamblaje se almacena después durante una noche a
temperatura ambiente. El ensamblaje se mantiene en una atmósfera de
argón durante el curado con epoxi durante el almacenamiento hasta
su
uso.
uso.
Los sustratos se fabrican proporcionando láminas
de vidrio con una capa fina transparente de un óxido eléctricamente
conductor y después bombardeando volframio sobre la capa de óxido de
la lámina en una atmósfera oxidante para formar una capa de
WO_{3}. Los sustratos preparados usando una corriente de bombardeo
de volframio de 8 amperios se denominan "WO_{3} de 8 amp"
mientras que otros sustratos, preparados usando una corriente de
bombardeo de volframio de 9 amperios se denominan "WO_{3} de 9
amp". Las muestras de WO_{3} de 9 amp tienen una capa más
gruesa de WO_{3} sobre el vidrio. Los sustratos se recubren
haciéndolos pasar hacia atrás y hacia delante repetidamente bajo la
diana de bombardeo de litio mientras que se bombardea litio desde la
diana. Durante esta operación, la dirección longitudinal de la
diana de bombardeo se mantiene transversal a la dirección de
movimiento del sustrato. El sustrato se mueve a una velocidad de
aproximadamente 15 cm/minuto. Se aplica un potencial de bombardeo
a
40 kHz.
40 kHz.
La capa de WO_{3} en el sustrato se hace más
oscura según se va intercalando litio en la misma. Por consiguiente,
se mide la transmisión de la luz a través del sustrato y el cambio
en la transmisión de la luz se usa como medida de la cantidad de
litio bombardeado sobre el sustrato. Los resultados se muestran en
la Figura 4. El proceso funciona de forma estable a niveles de
energía de hasta 550 vatios.
Para propósitos de comparación, se usa el mismo
aparato para bombardear carbonato de litio (Li_{2}CO_{3})
usando energía de radiofrecuencia. Estos resultados se indican
también en la Figura 4 mediante la curva indicada como
"dTLI_{2}CO_{3} 700 vatios".
Los datos mostrados en la Figura 4 indican que
el bombardeo desde una diana de litio mecánica con 250 vatios de
energía de bombardeo transfiere suficiente litio para provocar un
cambio del 65% en la transmisión de la luz a través de una capa de
WO_{3} de 8 amp en tres pasadas del sustrato bajo la diana (curva
100). En contraste, usando 700 vatios aplicando energía RF con una
diana de bombardeo de Li_{2}CO_{3}, una capa similar de
WO_{3} de 8 amp, requiere aproximadamente 13-14
pasadas para alcanzar el mismo nivel de transmisión de luz y por lo
tanto el mismo nivel de litiación (curva 102).
Ejemplo
2
Usando procedimientos similares a los del
Ejemplo 1, una serie de ensayos usando potenciales AC y DC se
preparan con una única diana en una única cámara. La diana
permanece en la cámara y la cámara se mantiene bajo la atmósfera
inerte desde el principio de la primera ejecución hasta el final de
la última ejecución. De nuevo, la transferencia de litio en las
láminas de vidrio se mide por el porcentaje de transmisión de luz (%
T, Figura 8) después de la exposición. Los menores valores de
porcentaje T indican más litiación. El gráfico de la Figura 8
muestra los resultados para las diversas ejecuciones en el orden en
el que se realizaron las ejecuciones viéndose las últimas
ejecuciones en el lado derecho del dibujo. Los valores de %T para
ejecuciones con potencial AC se muestran a una distancia por debajo
del eje 400 en la Figura 8, mientras que los valores para las
ejecuciones con potencial DC se muestran por encima del eje. En
ambos casos, los puntos más cercanos al eje 400 representan mayores
grados de litiación. La primera ejecución 402 después de cerrar la
cámara se prepara usando potencial AC. Ejecuciones posteriores
demuestran que aunque se consigue un grado razonable de litiación
con las ejecuciones DC, las ejecuciones AC producen un mayor grado
de litiación.
Claims (45)
1. Un método de bombardear litio que comprende
las etapas de:
(a) proporcionar una diana que incluye una capa
superior de litio metálico que define dicha superficie expuesta y
una capa de bombardeo metálico, un contraelectrodo y un
sustrato.
(b) mantener la diana, contraelectrodo y
sustrato en una atmósfera sustancialmente inerte a presión
subatmosférica; y mientras se mantiene la diana en dicha atmósfera
sustancialmente inerte;
(c) aplicar un potencial de bombardeo entre
dicho contraelectrodo y dicha diana, incluyendo potencial de
bombardeo, un potencial alterno o un potencial continuo en una
dirección hacia delante de manera que dicha diana es negativa con
respecto a dicho contraelectrodo, realizándose dicha etapa de
aplicar un potencial de pulverización para mantener un plasma
adyacente a dicha diana y el litio mecánico de bombardeo desde dicha
diana bajo la influencia de dicho potencial de bombardeo; y
(d) durante uno o más intervalos antes de la
terminación de dicho potencial de bombardeo, aplicando potencial de
aclaramiento entre dicho contraelectrodo y dicha diana, dicho
potencial de aclaramiento diferente de dicho potencial y de
bombardeo incluyendo un potencial inverso en una dirección inversa
opuesta a dicha dirección hacia delante.
2. Un método de bombardeo de litio que comprende
las etapas de:
(a) proporcionar una diana que incluye una capa
superior de litio metálico que define dicha superficie expuesta y
una capa de soporte metálico, un contraelectrodo y un sustrato;
(b) mantener la diana, contraelectrodo y
sustrato en una atmósfera sustancialmente inerte a presión
subatmosférica; y mientras se mantiene la diana en dicha atmósfera
sustancialmente inerte;
(c) aplicar un potencial de bombardeo entre
dicho contraelectrodo y dicha diana, incluyendo dicho potencial de
bombardeo un potencial alterno o un potencial continuo en una
dirección hacia delante de manera que dicha diana es negativa con
respecto a dicho contraelectrodo, realizándose dicha etapa de
aplicar un potencial de bombardeo de manera que se mantiene un
plasma adyacente de dicha diana y el litio metálico de pulverización
desde dicha diana bajo la influencia de dicho potencial de
bombardeo; y
(d) limpiar dicha superficie expuesta aplicando
un potencial de aclaramiento entre dicho contraelectrodo y dicha
diana durante un primer intervalo antes de la aplicación de dicho
potencial de bombardeo, siendo dicho potencial de aclaramiento
diferente de dicho potencial de bombardeo incluyendo un potencial
inverso en una dirección inversa opuesta a dicha dirección hacia
delante.
3. Un método de acuerdo con la reivindicación 2
que comprende adicionalmente la etapa de aplicar dicho potencial de
aclaramiento durante al menos un intervalo adicional después del
comienzo de dicha etapa de aplicar dicho potencial de
bombardeo.
4. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 3 en el que dicha etapa
de aplicar dicho potencial de aclaramiento incluye la etapa de
aplicar un potencial alterno regular que tiene una frecuencia
sustancialmente constante durante cada uno de dichos intervalos.
5. Un método de acuerdo con la reivindicación 4,
en el que dicho potencial de bombardeo es un potencial alterno
periódico que tiene una primera frecuencia y dicho potencial de
aclaramiento es un potencial alterno periódico que tiene una
segunda frecuencia mayor que dicha primera frecuencia.
6. Un método de acuerdo con la reivindicación 4,
en el que dicho potencial de aclaramiento es un potencial
directo.
7. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2, o la reivindicación 3 en el que dicha etapa
de aplicar dicho potencial de aclaramiento incluye la etapa de
aplicar un potencial inverso en dicha dirección inversa en uno o
más pulsos durante cada uno de dichos intervalos.
8. Un método de acuerdo con la reivindicación 7,
en el que dichos pulsos se aplican como una serie de pulsos de
potencial inversos intercalados con una serie de pulsos de potencial
hacia delante durante cada uno de dichos intervalos.
9. Un método de acuerdo con la reivindicación 8
en el que cada uno de dichos pulsos de potencial inverso es entre
aproximadamente 1 \mus y aproximadamente 10 \mus de duración y
en el que cada uno de dichos pulsos de potencial hacia delante es
entre aproximadamente 10 \mus y aproximadamente 100 \mus de
duración.
10. Un método de acuerdo con la reivindicación 8
en el que dicho potencial de bombardeo es un potencial continuo que
tiene una primera magnitud y dicho potencial inverso tiene una
magnitud menor que dicha primera magnitud.
11. Un método de acuerdo con la reivindicación 2
o la reivindicación 3 en el que dicha diana tiene uno o más
compuestos de litio sobre dicha superficie expuesta desde dicho
primer intervalo y en el que dichos compuestos de litio se retiran
al menos parcialmente de dicha superficie expuesta durante dicho
primer intervalo.
12. Un método de acuerdo con la reivindicación
11, en el que dicha etapa de aplicar dicho potencial de bombardeo
comienza menos de una hora después de la terminación de dicho primer
intervalo.
13. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 3 en el que dicha etapa
de mantener dicha diana, contraelectrodo y sustrato en dicha
atmósfera inerte incluye la etapa de mantener dicha diana,
contraelectrodo y sustrato en una cámara cerrada y mantener dicha
cámara sustancialmente cerrada antes de la terminación del primero
de dichos intervalos hasta después de la terminación de dicho
potencial de bombardeo.
14. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 3 que comprende
adicionalmente la etapa de refrigerar la capa de litio metálico
refrigerando la capa de soporte metálico de manera que el calor se
conduce desde la capa de litio a la capa de soporte.
15. Un método de acuerdo con la reivindicación
14 en el que dicha capa de litio metálico está unida
metalúrgicamente a dicha capa de soporte.
16. Un método de bombardear litio que comprende
las etapas de mantener una primera diana que incluye una capa
superior de litio metálico que define dicha superficie expuesta y
una capa de soporte metálica, estando dicha capa superior unida
metalúrgicamente a dicha capa de soporte, un contraelectrodo y un
sustrato en un gas sustancialmente inerte a presión subatmosférica
e imponiendo un potencial entre dicha diana y dicho contraelectrodo
para formar un plasma adyacente a dicha diana y bombardear dicha
superficie expuesta con iones de dicho gas para de esta manera
sacar el litio de dicha diana a dicho sustrato, incluyendo dicha
etapa de imponer dicho potencial la etapa de aplicar un potencial
alterno que tiene una frecuencia inversa entre aproximadamente 8 kHz
y aproximadamente 120 kHz.
17. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicha etapa de imponer dicho potencial incluye la
etapa de aplicar un potencial continuo, dicho potencial continuo
sigue después de la terminación de dicho potencial alterno,
manteniéndose dicha diana continuamente en dicha atmósfera inerte
desde el inicio de dicho potencial alterno hasta la terminación de
dicho potencial continuo.
18. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicho potencial alterno se aplica a través de la
totalidad de dicha etapa de imponer un potencial.
19. Un método de acuerdo con la reivindicación
18 en el que dicho contraelectrodo incluye una segunda diana que
tiene litio metálico sobre una superficie expuesta, con lo que el
litio se bombardeará desde dicha segunda diana así como desde dicha
primera diana durante la aplicación de dicho potencial alterno.
20. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicho potencial alterno tiene una frecuencia inversa
de entre aproximadamente 10 kHz y aproximadamente 100 kHz.
21. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 16 en el que dicho
sustrato incluye un material intercalable con litio en una
superficie expuesta, y en el que dicho litio que se saca de dicha
diana se intercala en dicho material intercalable con litio.
22. Un método de acuerdo con la reivindicación
21 en el que dicho material intercalable con litio es un calcogenuro
metálico.
23. Un método de acuerdo con la reivindicación
22 en el que dicho calcogenuro metálico está compuesto esencialmente
de WO_{3}.
24. Un método de acuerdo con la reivindicación
21, en el que dicho material intercalable con litio es un material
electrocrómico.
25. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicho potencial alterno tiene una forma de onda
sustancialmente simétrica.
26. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicho potencial alterno tiene una forma de onda
asimétrica de manera que dicha diana es negativa con respecto a
dicho contraelectrodo durante la mayor parte de cada ciclo de dicha
forma de onda.
27. Un método de acuerdo con la reivindicación
16 en el que dicho gas está compuesto esencialmente por argón o una
mezcla de argón y helio.
28. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 16 que comprende
adicionalmente la etapa de mover continuamente dicho sustrato en una
dirección de movimiento durante dicha etapa de imponer un potencial
para exponer de esta manera nuevas regiones del sustrato a dicho
litio expulsado.
29. Un método de acuerdo con la reivindicación
28, en el que dicho sustrato y dicha superficie opuesta de dicha
diana tienen dimensiones transversales a dicha dirección de
movimiento de al menos aproximadamente 0,2 mm.
30. Un método de acuerdo con la reivindicación
29 en el que dicha diana incluye una pluralidad de elementos diana
cada uno de los cuales tiene una superficie expuesta, la superficie
de dicho uno o más elementos diana constituye comparativamente la
superficie expuesta de dicha diana.
31. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 16 en el que dicha etapa
de imponer un potencial se realiza para suministrar energía a una
velocidad de entre aproximadamente 0,2 y aproximadamente 7 vatios
por cm^{2} de dicha superficie expuesta.
32. Un método de acuerdo con la reivindicación 1
o la reivindicación 2 o la reivindicación 16 que comprende
adicionalmente la etapa de refrigerar la capa del litio metálico
refrigerando la capa de soporte metálico de manera que el calor se
conduce desde la capa de litio a la capa de soporte.
33. Un método de preparación de una diana de
bombardeo que comprende las etapas de proporcionar una capa de
soporte metálico, aplicar litio fundido a una superficie superior de
dicha capa de soporte y refrigerar dicho litio fundido para
solidificar así el litio y formar la capa superior de litio unida
metalúrgicamente a dicha capa de soporte.
34. Un método de acuerdo con la reivindicación
33 en el que dicha superficie superior de dicha capa de soporte
incluye una depresión y un reborde que rodea dicha depresión,
realizándose dicha etapa de aplicar dicho litio fundido de manera
que dicho litio fundido llena dicha depresión y cubre dicho reborde
y, de manera que la tensión superficial de dicho litio fundido
retiene el litio fundido en la periferia de dicho reborde.
35. Un método de acuerdo con la reivindicación
33 en el que dicha etapa de proporcionar una capa de soporte
metálico incluye la etapa de proporcionar un recubrimiento de indio
sobre dicha superficie superior.
36. Un método de acuerdo con la reivindicación
33 en el que dicha capa de soporte está formada principalmente a
partir de un metal seleccionado entre el grupo compuesto por acero
inoxidable.
37. Un método de acuerdo con la reivindicación
33 en el que dicha etapa de aplicar litio fundido incluye la etapa
de yuxtaponer una lámina de litio metálico con dicha capa de soporte
de manera que dicha lámina cubre dicha superficie superior y funde
dicha lámina.
38. Un método de acuerdo con la reivindicación
37 en el que dicha etapa de fundir dicha lámina se realiza
aplicando calor a dicha capa de soporte de manera que el calor se
transfiere a través de dicha capa de soporte a dicha lámina.
39. Un elemento diana de bombardeo que comprende
una capa de soporte metálico, una capa superior de litio metálico
que cubre una superficie superior de dicha capa de soporte y que
está unida metalúrgicamente a la misma.
40. Una diana de acuerdo con la reivindicación
39 en la que dicha capa de soporte está formada a partir de acero
inoxidable.
41. Una diana de acuerdo con la reivindicación
39 que comprende adicionalmente indio dispuesto en dicha superficie
superior de dicha capa de soporte, estando dicho litio unido a dicha
capa de soporte a través de dicha superficie superior.
42. Un diana de acuerdo con la reivindicación 39
en la que dicha superficie superior y dicha capa superior son
planas.
43. Una diana de acuerdo con la reivindicación
39 en la que dicha superficie superior define una depresión y un
reborde que rodea dicha depresión, incluyendo dicha capa superior
una parte relativamente fina que cubre dicho reborde y una parte
relativamente gruesa que llena dicha depresión.
44. Un ensamblaje que incluye una diana de
acuerdo con la reivindicación 43, y un contenedor de la diana que
incluye medios magnéticos para proporcionar un campo magnético en un
área preseleccionada y medios para asegurar dicha capa de soporte a
dicho contenedor de la diana de manera que dicha área
preseleccionada está alineada con dicha depresión y con dicha parte
relativamente gruesa de dicha capa superior.
45. Un ensamblaje que incluye una diana de
acuerdo con la reivindicación 39, un contenedor de la diana y medios
para asegurar dicha de soporte a dicho contenedor de la diana.
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Families Citing this family (135)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830336A (en) * | 1995-12-05 | 1998-11-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sputtering of lithium |
| US6051117A (en) * | 1996-12-12 | 2000-04-18 | Eltech Systems, Corp. | Reticulated metal article combining small pores with large apertures |
| US6744060B2 (en) | 1997-05-12 | 2004-06-01 | Cymer, Inc. | Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources |
| US6815700B2 (en) | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
| DE19735803B4 (de) * | 1997-08-18 | 2006-10-19 | Werner Prof. Dr. Weppner | Elektrode-Elektrolyt-Anordnung, Verfahren zur Herstellung einer Elektrode-Elektrolyt-Anordnung und Verwendung einer Elektrode-Elektrolyt-Anordnung |
| JP2000073164A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-07 | Showa Alum Corp | スパッタリング用バッキングプレート |
| DE19948839A1 (de) | 1999-10-11 | 2001-04-12 | Bps Alzenau Gmbh | Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
| US7180081B2 (en) * | 2000-06-09 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | Discharge produced plasma EUV light source |
| US7346093B2 (en) * | 2000-11-17 | 2008-03-18 | Cymer, Inc. | DUV light source optical element improvements |
| US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| US7439530B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US7465946B2 (en) * | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
| US7378673B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-05-27 | Cymer, Inc. | Source material dispenser for EUV light source |
| US7598509B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US7372056B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
| US7088758B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-08 | Cymer, Inc. | Relax gas discharge laser lithography light source |
| US6709958B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials |
| US7042615B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-05-09 | The Regents Of The University Of California | Electrochromic devices based on lithium insertion |
| US7217941B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
| US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
| US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
| US7193228B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
| US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
| US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
| US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
| US7196342B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US7109503B1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-19 | Cymer, Inc. | Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris |
| US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
| US7372610B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-05-13 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrochromic devices and methods |
| US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
| US7482609B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US8679674B2 (en) * | 2005-03-25 | 2014-03-25 | Front Edge Technology, Inc. | Battery with protective packaging |
| US7846579B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-12-07 | Victor Krasnov | Thin film battery with protective packaging |
| US7180083B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7365349B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| US7141806B1 (en) | 2005-06-27 | 2006-11-28 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7402825B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-07-22 | Cymer, Inc. | LPP EUV drive laser input system |
| US20070007505A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide PVD components |
| US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
| US7453077B2 (en) * | 2005-11-05 | 2008-11-18 | Cymer, Inc. | EUV light source |
| US7307237B2 (en) * | 2005-12-29 | 2007-12-11 | Honeywell International, Inc. | Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips |
| WO2008055824A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Sage Electrochromics, Inc. | Method of making an ion-switching device without a separate lithiation step |
| US7862627B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-01-04 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery substrate cutting and fabrication process |
| KR101010716B1 (ko) * | 2007-07-25 | 2011-01-24 | 지에스나노텍 주식회사 | 비전도성 타겟을 사용하는 스퍼터링에 의한 세라믹 박막의증착 방법 및 그를 위한 장치 |
| US8628645B2 (en) * | 2007-09-04 | 2014-01-14 | Front Edge Technology, Inc. | Manufacturing method for thin film battery |
| US9782949B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
| US8514476B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-08-20 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
| US7715082B2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-05-11 | Soladigm, Inc. | Electrochromic devices based on lithium insertion |
| US8842357B2 (en) | 2008-12-31 | 2014-09-23 | View, Inc. | Electrochromic device and method for making electrochromic device |
| US9007674B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-14 | View, Inc. | Defect-mitigation layers in electrochromic devices |
| US8432603B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-04-30 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US9103018B2 (en) * | 2009-05-08 | 2015-08-11 | General Plasma, Inc. | Sputtering target temperature control utilizing layers having predetermined emissivity coefficients |
| US20100291431A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery with protective packaging |
| US8502494B2 (en) * | 2009-08-28 | 2013-08-06 | Front Edge Technology, Inc. | Battery charging apparatus and method |
| US11314139B2 (en) | 2009-12-22 | 2022-04-26 | View, Inc. | Self-contained EC IGU |
| US8213074B1 (en) | 2011-03-16 | 2012-07-03 | Soladigm, Inc. | Onboard controller for multistate windows |
| US20130271813A1 (en) | 2012-04-17 | 2013-10-17 | View, Inc. | Controller for optically-switchable windows |
| US10690540B2 (en) | 2015-10-06 | 2020-06-23 | View, Inc. | Multi-sensor having a light diffusing element around a periphery of a ring of photosensors |
| US10303035B2 (en) | 2009-12-22 | 2019-05-28 | View, Inc. | Self-contained EC IGU |
| US11592723B2 (en) | 2009-12-22 | 2023-02-28 | View, Inc. | Automated commissioning of controllers in a window network |
| US12496809B2 (en) | 2010-11-08 | 2025-12-16 | View Operating Corporation | Electrochromic window fabrication methods |
| US9958750B2 (en) | 2010-11-08 | 2018-05-01 | View, Inc. | Electrochromic window fabrication methods |
| US20120152727A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Alkali Metal Deposition System |
| US10935865B2 (en) | 2011-03-16 | 2021-03-02 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
| US9030725B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-05-12 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
| US8254013B2 (en) | 2011-03-16 | 2012-08-28 | Soladigm, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US9778532B2 (en) | 2011-03-16 | 2017-10-03 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US11630367B2 (en) | 2011-03-16 | 2023-04-18 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
| US11822202B2 (en) | 2011-03-16 | 2023-11-21 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US11054792B2 (en) | 2012-04-13 | 2021-07-06 | View, Inc. | Monitoring sites containing switchable optical devices and controllers |
| US9454055B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-09-27 | View, Inc. | Multipurpose controller for multistate windows |
| US9645465B2 (en) | 2011-03-16 | 2017-05-09 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US8705162B2 (en) | 2012-04-17 | 2014-04-22 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US9412290B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-08-09 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| BR112013025622A2 (pt) | 2011-04-07 | 2016-12-27 | Sage Electrochromics Inc | método para depositar um filme ou revestimento de lítio sobre um substrato, sistema de pulverização catódica, e, processo de monitoramento ou modificação da uniformidade ou taxa de deposição de lítio sobre um substrato |
| WO2012145702A2 (en) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Soladigm, Inc. | Lithium sputter targets |
| WO2013003458A1 (en) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | Soleras Ltd. | Sputtering target |
| WO2013003065A2 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Soladigm, Inc. | Sputter target and sputtering methods |
| US8865340B2 (en) | 2011-10-20 | 2014-10-21 | Front Edge Technology Inc. | Thin film battery packaging formed by localized heating |
| WO2013059674A1 (en) | 2011-10-21 | 2013-04-25 | View, Inc. | Mitigating thermal shock in tintable windows |
| US11865632B2 (en) | 2011-12-12 | 2024-01-09 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| EP2791733B1 (en) | 2011-12-12 | 2017-10-25 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| US10295880B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-05-21 | View, Inc. | Narrow pre-deposition laser deletion |
| US10802371B2 (en) | 2011-12-12 | 2020-10-13 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| US12403676B2 (en) | 2011-12-12 | 2025-09-02 | View Operating Corporation | Thin-film devices and fabrication |
| US12061402B2 (en) | 2011-12-12 | 2024-08-13 | View, Inc. | Narrow pre-deposition laser deletion |
| US9887429B2 (en) | 2011-12-21 | 2018-02-06 | Front Edge Technology Inc. | Laminated lithium battery |
| US8864954B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-10-21 | Front Edge Technology Inc. | Sputtering lithium-containing material with multiple targets |
| US12578609B2 (en) | 2012-03-13 | 2026-03-17 | View Operating Corporation | Methods of controlling multi-zone tintable windows |
| US12153320B2 (en) | 2012-03-13 | 2024-11-26 | View, Inc. | Multi-zone EC windows |
| US9341912B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-05-17 | View, Inc. | Multi-zone EC windows |
| US11950340B2 (en) | 2012-03-13 | 2024-04-02 | View, Inc. | Adjusting interior lighting based on dynamic glass tinting |
| US11635666B2 (en) | 2012-03-13 | 2023-04-25 | View, Inc | Methods of controlling multi-zone tintable windows |
| US9257695B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-02-09 | Front Edge Technology, Inc. | Localized heat treatment of battery component films |
| US9077000B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-07-07 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and localized heat treatment |
| US11674843B2 (en) | 2015-10-06 | 2023-06-13 | View, Inc. | Infrared cloud detector systems and methods |
| US9638978B2 (en) | 2013-02-21 | 2017-05-02 | View, Inc. | Control method for tintable windows |
| US11300848B2 (en) | 2015-10-06 | 2022-04-12 | View, Inc. | Controllers for optically-switchable devices |
| US10964320B2 (en) | 2012-04-13 | 2021-03-30 | View, Inc. | Controlling optically-switchable devices |
| US12400651B2 (en) | 2012-04-13 | 2025-08-26 | View Operating Corporation | Controlling optically-switchable devices |
| US10048561B2 (en) | 2013-02-21 | 2018-08-14 | View, Inc. | Control method for tintable windows |
| US10503039B2 (en) | 2013-06-28 | 2019-12-10 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| RU2636811C2 (ru) | 2012-04-13 | 2017-12-01 | Вью, Инк. | Приложения для управления оптически переключаемыми устройствами |
| US9159964B2 (en) | 2012-09-25 | 2015-10-13 | Front Edge Technology, Inc. | Solid state battery having mismatched battery cells |
| US8753724B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-06-17 | Front Edge Technology Inc. | Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen |
| US9356320B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-05-31 | Front Edge Technology Inc. | Lithium battery having low leakage anode |
| US11719990B2 (en) | 2013-02-21 | 2023-08-08 | View, Inc. | Control method for tintable windows |
| US11966142B2 (en) | 2013-02-21 | 2024-04-23 | View, Inc. | Control methods and systems using outside temperature as a driver for changing window tint states |
| US12422725B2 (en) | 2013-02-21 | 2025-09-23 | View Operating Corporation | Control methods and systems using outside temperature as a driver for changing window tint states |
| US12372846B2 (en) | 2013-02-21 | 2025-07-29 | View Operating Corporation | Control methods and systems using external 3D modeling and schedule-based computing |
| US11960190B2 (en) | 2013-02-21 | 2024-04-16 | View, Inc. | Control methods and systems using external 3D modeling and schedule-based computing |
| US10443121B2 (en) * | 2013-04-24 | 2019-10-15 | View, Inc. | Sustained self-sputtering of lithium for lithium physical vapor deposition |
| US12353111B2 (en) | 2013-06-28 | 2025-07-08 | View Operating Corporation | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US12061404B2 (en) | 2013-06-28 | 2024-08-13 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US9885935B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-02-06 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
| US10221612B2 (en) | 2014-02-04 | 2019-03-05 | View, Inc. | Infill electrochromic windows |
| US10859983B2 (en) | 2014-03-05 | 2020-12-08 | View, Inc. | Monitoring sites containing switchable optical devices and controllers |
| US12235560B2 (en) | 2014-11-25 | 2025-02-25 | View, Inc. | Faster switching electrochromic devices |
| US10008739B2 (en) | 2015-02-23 | 2018-06-26 | Front Edge Technology, Inc. | Solid-state lithium battery with electrolyte |
| CN107533267A (zh) | 2015-03-20 | 2018-01-02 | 唯景公司 | 更快速地切换低缺陷电致变色窗 |
| TWI823168B (zh) | 2015-07-07 | 2023-11-21 | 美商唯景公司 | 用於可著色窗戶之控制方法 |
| CN108367537B (zh) | 2015-07-13 | 2021-05-07 | 雅宝公司 | 将固态锂低压冷结合至金属基材的方法 |
| WO2017016575A1 (en) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Applied Materials, Inc. | Cooling and utilization optimization of heat sensitive bonded metal targets |
| US11255722B2 (en) | 2015-10-06 | 2022-02-22 | View, Inc. | Infrared cloud detector systems and methods |
| CA3003639A1 (en) | 2015-10-29 | 2017-05-04 | View, Inc. | Controllers for optically-switchable devices |
| EP3449300B1 (en) | 2016-04-29 | 2022-09-07 | View, Inc. | Calibration of electrical parameters in optically switchable windows |
| CN118497689A (zh) * | 2016-08-03 | 2024-08-16 | 西格玛锂业有限公司 | 形成金属锂涂层的方法 |
| US11454854B2 (en) | 2017-04-26 | 2022-09-27 | View, Inc. | Displays for tintable windows |
| US10957886B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-03-23 | Front Edge Technology, Inc. | Battery having multilayer protective casing |
| CN109402589A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-03-01 | 重庆天齐锂业有限责任公司 | 一种磁控溅射制备超薄金属锂薄膜的方法及系统 |
| US11631493B2 (en) | 2020-05-27 | 2023-04-18 | View Operating Corporation | Systems and methods for managing building wellness |
| EP4073580A1 (en) | 2019-12-10 | 2022-10-19 | View, Inc. | Laser methods for processing electrochromic glass |
| US11703737B2 (en) | 2020-02-12 | 2023-07-18 | Sage Electrochromics, Inc. | Forming electrochromic stacks using at most one metallic lithium deposition station |
| TW202206925A (zh) | 2020-03-26 | 2022-02-16 | 美商視野公司 | 多用戶端網路中之存取及傳訊 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US34469A (en) * | 1862-02-18 | Improved evaporating-pans for saccharine juices | ||
| US4046659A (en) * | 1974-05-10 | 1977-09-06 | Airco, Inc. | Method for coating a substrate |
| US4709740A (en) * | 1983-11-10 | 1987-12-01 | Aluminum Company Of America | Direct chill casting of aluminum-lithium alloys |
| US4824744A (en) * | 1984-09-14 | 1989-04-25 | Duracell Inc. | Method of making cell anode |
| DD252205B5 (de) * | 1986-09-01 | 1993-12-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Zerstaeubungseinrichtung |
| JPS63128171A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
| US4756810A (en) * | 1986-12-04 | 1988-07-12 | Machine Technology, Inc. | Deposition and planarizing methods and apparatus |
| USRE34469E (en) | 1987-06-18 | 1993-12-07 | Eic Laboratories, Inc. | Solid state electrochromic light modulator |
| US4938571A (en) * | 1987-06-18 | 1990-07-03 | Cogan Stuart F | Solid state electrochromic light modulator |
| DE3727901A1 (de) * | 1987-08-21 | 1989-03-02 | Leybold Ag | Zerstaeubungskathode nach dem magnetronprinzip |
| JPH02155162A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-14 | Brother Ind Ltd | 蓄電池 |
| US5080471A (en) * | 1990-04-06 | 1992-01-14 | Eic Laboratories, Inc. | Electrochromic material and electro-optical device using same |
| US5284561A (en) * | 1991-11-13 | 1994-02-08 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for sputter coating employing machine readable indicia carried by target assembly |
| WO1992013115A1 (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-06 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
| FR2685011B1 (fr) * | 1991-12-13 | 1994-02-04 | Elf Aquitaine Ste Nale | Procede de preparation d'un element de cible pour pulverisation cathodique et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
| DE4202425C2 (de) * | 1992-01-29 | 1997-07-17 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten |
| US5370775A (en) * | 1992-04-10 | 1994-12-06 | Sun Active Glass Electrochromics, Inc. | Formation of chemically reduced electrode layers |
| US5427669A (en) * | 1992-12-30 | 1995-06-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Thin film DC plasma processing system |
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