ES2297453T3 - Condensador organico con capacitancia controlada por tension. - Google Patents

Condensador organico con capacitancia controlada por tension. Download PDF

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Abstract

Un condensador orgánico con capacitancia controlada por tensión que comprende al menos las siguientes capas funcionales: - un primer electrodo (2), un segundo electrodo (5), y - una capa aislante (4) que se dispone entre el primer y el segundo electrodo (2, 5); caracterizado por - al menos una primera capa semiconductora (3) que se proporciona entre el primer y el segundo electrodo (2, 5); - donde una concentración de portadores de carga libres en la al menos primera capa semiconductora (3) varía de forma controlable por la aplicación de una tensión (U52) entre el primer y el segundo electrodo (2, 5), la concentración de los portadores de carga determina la capacitancia del condensador y - la concentración de los portadores de carga libres en la al menos primera capa semiconductora (3) varía de forma controlable adicionalmente por una frecuencia de la tensión aplicada (U52).

Description

Condensador orgánico con capacitancia controlada por tensión.
La presente invención se refiere al ámbito de los condensadores orgánicos y particularmente condensadores basados en materiales orgánicos, cuya capacitancia está controlada por tensión.
Tal condensador se conoce a partir del documento JP 2001 08 5272 A.
Los condensadores pertenecen a los componentes clásicos para circuitos eléctricos de conmutación. Particularmente los circuitos eléctricos de conmutación resonantes de bobinas y condensadores como, por ejemplo, circuitos resonantes, se ajustan por un dimensionado adecuado de las características de los componentes a una o varias frecuencias de resonancia. Para el ajuste de los circuitos de conmutación de este tipo o de circuitos resonantes es ventajoso si el ajuste de las frecuencias de resonancia se puede realizar de forma eléctrica, es decir, se pueda controlar por tensión. Los circuitos orgánicos, especialmente los basadas en polímeros, son, debido a su fabricación extremadamente sencilla y económica, particularmente adecuados para usos como, por ejemplo, transpondedores de radio (transpondedores de ID por RF, etiquetas de ID por RF) o protecciones de radio contra robos. Las antenas inductivas de tales sistemas transpondedores se ajustan por conmutación paralela de un condensador a su frecuencia de resonancia. Con oscilaciones de valor nominal de los componentes, que por lo general, debido a la producción no se pueden excluir o solamente se pueden excluir con considerable complejidad, no se puede continuar adaptando o modificando un ajuste ya realizado.
Por tanto, es objetivo de la presente invención proporcionar un condensador orgánico cuya capacitancia esté controlada por tensión. Un condensador controlado por tensión de este tipo posibilita un ajuste fino posterior o continuado, de forma que, por ejemplo, en un circuito resonante se obtiene la frecuencia de resonancia deseada.
El objetivo de acuerdo con la invención se resuelve mediante un condensador orgánico con al menos una capa semiconductora que se define en la reivindicación 1 independiente. Se definen realizaciones y perfeccionamientos ventajosos en las reivindicaciones dependientes.
De acuerdo con un primer aspecto de la invención se proporciona un condensador orgánico con capacitancia variable controlada por tensión. El condensador de acuerdo con la invención comprende al menos un primer electrodo, un segundo electrodo y una capa aislante situada intercalada y se caracteriza adicionalmente por al menos una primera capa semiconductora que está dispuesta entre el primer electrodo y el segundo electrodo. Entre el primer y el segundo electrodo se aplica una tensión que actúa sobre la capa semiconductora de forma que se varía de forma controlable una concentración de portadores de carga libres en esta primera capa semiconductora por la tensión aplicada. La concentración de los portadores de carga define la capacitancia del condensador.
Además, aparte de la tensión aplicada, la frecuencia de la tensión alterna determina la concentración de los portadores de carga libres en la al menos primera capa semiconductora. Por lo tanto, la frecuencia también posibilita una variación controlable de la concentración, y, como consecuencia, de la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención. Este efecto se manifiesta por norma de tal forma que la concentración de los portadores de carga disminuye cuando aumenta la frecuencia. Por tanto, el semiconductor se comporta a frecuencias muy altas (en el intervalo de MHz o GHz altos) como un aislante. Por tanto, con frecuencias muy altas también se puede concebir un condensador que contenga solamente un semiconductor orgánico entre los electrodos, sin embargo, ningún aislante adicional más. Sin embargo, con frecuencias menores fluye entonces una corriente de pérdida por el semiconductor. Esta corriente de pérdida se puede disminuir por una selección adecuada de los materiales de los electrodos por la afinidad
electrónica.
De forma ventajosa, la variación de la concentración de los portadores de carga libres provoca una variación de una separación activa eficaz del primer y el segundo electrodo que actúan como placa del condensador. La variación de la separación activa eficaz determina en un contexto funcional la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención.
Además, la variación de la concentración de los portadores de carga libres determina una variación de una superficie de placa activa eficaz. La superficie de placa activa eficaz determina también en un contexto funcional la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención.
Preferiblemente, al menos uno o ambos del primer y el segundo electrodo es o son un primer o segundo electrodo estructurado o primeros y segundos electrodos estructurados. Además, preferiblemente, al menos uno de los primeros y segundos electrodos estructurados se incluye en la al menos una capa semiconductora.
De acuerdo con una realización de la invención, el condensador orgánico de acuerdo con la invención comprende una segunda capa semiconductora que se dispone entre el primer y el segundo electrodo. La primera capa semiconductora y la segunda capa semiconductora se disponen sobre lados opuestos de la capa aislante. Una concentración de portadores de carga libre en la segunda capa semiconductora se varía de forma controlable de forma análoga por la aplicación de la tensión entre el primer y el segundo electrodo.
Ventajosamente, la primera y la segunda capa semiconductora se realizan con conducción opuesta, es decir, cuando la primera capa semiconductora es una capa semiconductora con conducción de tipo p, la segunda capa semiconductora se tiene que realizar como capa semiconductora con conducción de tipo n y cuando la primera capa semiconductora es una capa semiconductora con conducción de tipo n, la segunda capa semiconductora se tiene que realizar como capa semiconductora con conducción de tipo p. Evidentemente, las dos capas semiconductoras también pueden tener el mismo carácter de conducción. También es ventajosa una construcción en la que la o las capas semiconductoras tengan carácter ambipolar, es decir, tienen conducción de tipo n y p; esto se puede garantizar, a modo de ejemplo, por una mezcla de diferentes materiales.
Una construcción ventajosa adicional se produce por una inversión de las capas aislantes y semiconductoras, es decir, a modo de ejemplo, que en la Figura 1e el semiconductor se encuentra en el centro (Nº 4) y el aislante se encuentra arriba y abajo (Nº 3, 6).
Preferiblemente, al menos uno o ambos del primer y el segundo electrodo estructurado se incluye al menos en una o ambas de la primera y segunda capa semiconductora.
Preferiblemente, al menos una de las capas funcionales del condensador de acuerdo con la invención es una capa funcional orgánica.
Por la expresión "materiales orgánicos" se deben entender todos los tipos de plásticos orgánicos, metalorgánicos y/o inorgánicos, excluyendo los materiales semiconductores clásicos basados en germanio, silicio, etc. Además, la expresión "material orgánico" no se debe limitar a material que contiene carbono, más bien también son posibles materiales como siliconas. Además, aparte de sustancias poliméricas u oligoméricas, también se pueden usar "small molecules". En el marco de esta invención también se debe entender que se obtienen capas orgánicas a partir de esos materiales o sustancias formadoras de capa. Adicionalmente, los componentes orgánicos, que están compuestos a partir de diferentes componentes funcionales, se caracterizan en el contexto de la presente invención por al menos un componente funcional orgánico, particularmente una capa orgánica.
Se obtienen detalles y realizaciones preferidas del objeto de acuerdo con la invención a partir de las reivindicaciones dependientes y de los dibujos mediante los cuales se explican a continuación de forma detallada ejemplos de realización, de forma que el objeto de acuerdo con la invención se puede entender claramente. En los dibujos se muestra:
En la Fig. 1a, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una primera realización de la invención;
En la Fig. 1b, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una segunda realización de la invención;
En la Fig. 1c, una representación esquemática de una capa de electrodos estructurados de un condensador de acuerdo con una segunda realización de la invención;
En la Fig. 1d, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con la tercera realización de la invención;
En la Fig. 1e, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con la decimoprimera realización de la invención;
En la Fig. 2, un diagrama de curva que representa la capacitancia dependiente de tensión de un condensador de acuerdo con la invención;
En la Fig. 3a, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una cuarta realización de la invención;
En la Fig. 3b, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una quinta realización de la invención;
En la Fig. 3c, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una sexta realización de la invención;
En la Fig. 3d, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con un séptima realización de la invención;
En la Fig. 3e, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una octava realización de la invención;
En la Fig. 3f, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una novena realización de la invención;
En la Fig. 3g, una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una décima realización de la invención; y
En la Fig. 4, un diagrama de curva que representa la capacitancia dependiente de tensión de un condensador de acuerdo con la invención.
La partes, los elementos, los componentes, etc., similares e iguales que se representan en las figuras se indican por referencias iguales.
La Fig. 1a muestra una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una primera realización de la invención. El condensador de acuerdo con la invención comprende un sustrato 1 que es soporte del condensador o de las capas funcionales del condensador. Sobre el sustrato 1 se aplica un (primer) electrodo inferior 2 que está cubierto por una capa semiconductora 3. La capa semiconductora 3 lleva a su vez una capa aislante 4 sobre la que se aplica adicionalmente un (segundo) electrodo superior.
El sustrato 1 puede ser, por ejemplo, una película de poliéster flexible que lleva el electrodo inferior 2.
Tanto el (primer) electrodo inferior 2 como el (segundo) electrodo superior 5 se pueden realizar como conductores orgánicos a partir de, por ejemplo, pani, pedot, polipirrol, negro de humo. Es una alternativa igualmente un electrodo inferior o superior 2, 5 que se puede componer como conductor metálico de, por ejemplo, oro, cobre, plata, aluminio, níquel, cromo o se puede producir a partir de aleaciones o de metales o de otras partículas conductoras (como, por ejemplo, grafito u hollín), que están presentes como partículas o de forma coloidal en formulaciones correspondientes y que se pueden aplicar por métodos adecuados; son ejemplos de esto la plata conductora o el negro de
humo.
La capa semiconductora orgánica 3 se puede producir, por ejemplo, a partir de polímeros conjugados en modificación conductora de tipo n o p como, por ejemplo, politiofeno, polifluoreno o a partir de moléculas pequeñas ("small molecules") en modificación conductora de tipo n o p como, por ejemplo, pentaceno, tetraceno, C60.
La capa aislante 4 se puede proporcionar como una capa aislante orgánica 4, que se puede producir, por ejemplo, a partir de poliisobutileno, poliestireno, poli(4-hidroxiestireno), polimetilmetacrilato, polivinilidenodifluoruro, cymel. La capa aislante, sin embargo, también se puede fabricar a partir de una modificación superficial de los electrodos, por ejemplo, por oxidación de electrodos metálicos como se conoce particularmente en aluminio; sin embargo, también a partir de una modificación superficial de conductores orgánicos, por lo que se convierten en aislantes o mal conductores de otra superficie.
Al contrario que en condensadores orgánicos conocidos en el estado de la técnica, que son particularmente, como se ha mencionado anteriormente, no modificables por tensión, el condensador de acuerdo con la invención comprende una capa semiconductora adicional 3 que provoca la dependencia de tensión de la capacitancia. La magnitud decisiva para la dependencia de tensión de acuerdo con la invención es la concentración de portadores de carga libres en la capa semiconductora 3, que se aplica por la aplicación de una tensión U_{52} entre el (primer) electrodo inferior 2 y el (segundo) electrodo superior 5. Con la tensión U_{52} variable varía la concentración de los portadores de carga libres en la capa semiconductora 3. Se habla en el contexto de la variación de los portadores de carga libres de un enriquecimiento o un empobrecimiento de la capa semiconductora 3. En el estado enriquecido se encuentran muchos portadores de carga en la capa semiconductora 3, es decir, la concentración es elevada. En el estado empobrecido, sin embargo, ya no hay portadores de carga libres en la capa semiconductora, es decir, la concentración es baja o mínima.
Para la capacitancia de un condensador es decisiva la separación eficaz de las dos placas de condensador, en este documento, el (primer) electrodo inferior 2 y el (segundo) electrodo superior 5. Teniendo en consideración la variación que se ha analizado anteriormente de los portadores de carga libres con la tensión aplicada U_{52}, la separación eficaz a de los dos electrodos varía entre una separación a_{min}= d_{m} en el estado enriquecido, que se corresponde a un grosor d_{m} de la capa aislante 4 y una separación a_{max}= d_{sc} + d_{m} en el estado empobrecido, que se corresponde a la suma de un grosor d_{sc} de la capa semiconductora 3 y del grosor d_{m} de la capa aislante 4.
La capacitancia del componente que funcionalmente es esencialmente indirectamente proporcional a la separación de placa eficaz a, es, de forma correspondiente a esto, en el estado enriquecido alta y en el estado empobrecido baja. La construcción de un condensador orgánico dependiente de tensión de acuerdo con la primera realización de la invención, como se representa en la Fig. 1a, posibilita una variación de la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención en un factor de 2 a 3.
La Fig. 1b muestra una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una segunda realización de la invención.
Se puede conseguir un efecto adicional que contribuye a la variación que se ha descrito anteriormente de la capacitancia estructurando de forma adecuada el electrodo inferior 2. Una posible estructuración del electrodo inferior 2 se indica en la Fig. 1b. La estructuración se refiere a la superficie activa eficaz del electrodo inferior 2 que sirve como placa de condensador.
Además de la variación de la separación de placa eficaz a del condensador, en el estado empobrecido de la capa semiconductora 3 disminuye adicionalmente la superficie de placa activa eficaz del condensador hasta la superficie del electrodo inferior estructurado 2', que disminuye con respecto a la superficie de placa del electrodo superior 5, que sirve como segunda placa de condensador.
En el estado enriquecido de la capa semiconductora 3, la misma o el electrodo superior 5 determina la superficie de placa activa eficaz, es decir, en este documento, de forma análoga, el grosor d_{m} de la capa aislante 4 es determinante para la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención.
Por una estructuración optimizada del electrodo inferior 2 se puede variar la capacitancia del condensador de acuerdo con la invención, a modo de ejemplo, en un factor adicional 10 que contribuye de forma aditiva a la variación debido a la separación eficaz a. La Fig. 1c muestra una representación esquemática de una capa de electrodo estructurado optimizado 2' de un condensador de acuerdo con una segunda realización de la invención. La superficie de placa eficaz de esta capa de electrodo 2 disminuye en el electrodo inferior 2 por la superficie total de las escotaduras circulares (que se representan como estructuras circulares claras).
Teniendo en cuenta la Fig. 2 se ilustra una evolución cualitativa típica de una capacitancia dependiente de tensión de un condensador de acuerdo con la invención. La capacitancia se aplica en unidades aleatorias contra la tensión U_{52} aplicada entre el electrodo inferior y el superior 2, 5. La evolución representada de la capacitancia dependiente de tensión muestra particularmente la evolución de un condensador modificable en la capacitancia controlada por tensión por un semiconductor intrínseco 3 con conducción por huecos como, por ejemplo, politiofeno. La capa semiconductora 3 se encuentra con tensiones U_{52} positivas en el estado empobrecido, es decir, el condensador muestra una capacitancia reducida, mientras que el estado enriquecido se ajusta con tensiones U_{52} negativas, es decir, el condensador muestra una gran capacitancia. La variación de capacitancia entre el estado empobrecido y enriquecido comprende en este caso de 100 a 275 (es decir, una variación en un factor 2,75) con una tensión aplicada U_{52} en el ámbito de \pm 30 V.
En las realizaciones de las Figs. 1a y 1b, el principio básico de la presente invención se ha explicado con el ejemplo de dos realizaciones del condensador de acuerdo con la invención con capacitancia controlada por tensión. Las siguientes realizaciones representan otras configuraciones ventajosas del condensador de acuerdo con la invención que se basan esencialmente en los principios que se han descrito anteriormente.
La Fig. 1e muestra una representación esquemática de un condensador de acuerdo con la decimoprimera realización de la invención. Según la misma, la variación de la capacitancia controlada por tensión del condensador de acuerdo con la invención se puede aumentar por una segunda capa semiconductora 6. La misma se tiene que realizar con conducción opuesta a la primera capa semiconductora 3, es decir, si la capa semiconductora 3 tiene conducción de tipo p, la capa semiconductora 6 se tiene que realizar con conducción de tipo n o viceversa. En el estado enriquecido, las dos capas semiconductoras 3 y 6 están llenas de portadores de carga, es decir, las capas semiconductoras 3 y 6 comprenden una gran concentración de portadores de carga libres. Como consecuencia, la capacitancia es máxima ya que la separación entre las capas semiconductoras 3 y 6 que se determina por el grosor d_{m} de la capa aislante determina la separación de placa eficaz. En el estado empobrecido, las dos capas semiconductores 3 y 6 están empobrecidas, es decir, no comprenden portadores de carga libres. Como consecuencia, la capacitancia es mínima ya que la separación entre los electrodos 2 y 5, que se determina por el grosor d_{m} de la capa aislante 4 y por los grosores de las capas semiconductoras 3 y 6 d_{sc3} y d_{sc6}, determina la separación de placa eficaz a.
La Fig. 1d muestra una representación esquemática de un condensador de acuerdo con una tercera realización de la invención. En el estado empobrecido, en esta realización se tiene que tener en cuenta que la superficie de placa eficaz del condensador de acuerdo con la invención produce la capacitancia por las estructuraciones del (primer) electrodo inferior estructurado 2' y del (segundo) electrodo superior estructurado 5'. Si los electrodos 2' y 5' estructurados se disponen desplazados entre sí, como se ilustra en la Fig. 1d, la capacitancia en el estado empobrecido incluso puede desaparecer casi completamente, ya que esencialmente no hay placas de condensador conductoras opuestas y de este modo la superficie de placa activa eficaz es mínima.
Como alternativa a la construcción que se ha descrito hasta ahora del condensador inventivo es posible una inversión parcial en la disposición de las capas funcionales sin que se pierda por esto el efecto que se ha descrito anteriormente, la capacitancia dependiente de tensión. En las Figs. 3a y 3b se muestra de forma esquemática una cuarta o una quinta realización de un condensador de acuerdo con la invención, que son esencialmente análogas a las realizaciones representadas en las Figs. 1a o 1b.
Con referencia a la Fig. 3a también se puede realizar un condensador de acuerdo con la invención, aplicando sobre el (primer) electrodo inferior 2 llevado por el sustrato 1 la capa aislante 4, que a su vez lleva la capa semiconductora 3 que está cubierta por el (segundo) electrodo superior 5. Los especialistas en la técnica de componentes orgánicos entenderán que de este modo se obtiene un condensador con capacitancia modificable controlada por tensión.
El condensador de acuerdo con la invención, según la realización representada en la Fig. 3b muestra un (segundo) electrodo superior 5' estructurado y una construcción por lo demás análoga al condensador de acuerdo con la invención representado en la Fig. 3a. Se puede observar que este condensador de acuerdo con la invención presenta de forma análoga las ventajas y el comportamiento del condensador descrito en la Fig. 1b.
Como alternativa a las realizaciones que se han descrito anteriormente (ilustradas en las Figs. 1b y 3b) también es posible realizar una construcción en la que solamente se manifieste el efecto de la variación de las superficies de placa eficaces que varían por el estado enriquecido y el empobrecido de las capas semiconductoras 3, 5. Los condensadores correspondientes de acuerdo con otras realizaciones de la invención se ilustran en las Figs. 3c y 3d.
De acuerdo con la Fig. 3c, sobre el sustrato 1 se aplica la capa semiconductora 3 en la que se incluye el (primer) electrodo inferior estructurado 2' de tal modo que está en contacto con la capa aislante 4, que cubre la capa semiconductora 3 y el (primer) electrodo inferior estructurado 2'. Sobre la capa aislante 4 se aplica el (segundo) electrodo superior no estructurado 5'.
De acuerdo con la Fig. 3d, el sustrato 1 lleva el (primer) electrodo inferior no estructurado 2' que está cubierto por la capa aislante 4, con la que a su vez se ponen en contacto el (segundo) electrodo superior estructurado 5' y la capa semiconductora 3, donde el (segundo) electrodo superior estructurado 5' está incluido en la capa semiconductora 3.
Teniendo en cuenta los principios que se han descrito anteriormente de la presente invención, el especialista entenderá teniendo en cuenta las enseñanzas de la presente invención que la separación eficaz a de las realizaciones representadas en las Figs. 3c y 3d de los condensadores de acuerdo con la invención se corresponde en el estado enriquecido y en el estado empobrecido de la capa semiconductora 3 al grosor d_{m} de la capa aislante 4. La variación de la capacitancia está determinada por la variación de la superficie de placa activa eficaz.
En la realización representada en la Fig. 3c del condensador de acuerdo con la invención, la superficie de placa activa eficaz en el estado enriquecido de la capa semiconductora 3 se forma por la superficie total limitante con la capa aislante 4, que se define a partir de la superficie limitante con la capa aislante 4 del (primer) electrodo inferior estructurado 2' y la superficie limitante con la capa aislante 4 de la capa semiconductora 3. A diferencia de esto, la superficie de placa activa eficaz en el estado empobrecido de la capa semiconductora 3 se determina esencialmente por la superficie limitante con la capa aislante 4 del (primer) electrodo inferior estructurado 2'.
Lo análogo se aplica para la realización representada en la Fig. 3c del condensador de acuerdo con la invención. En este caso, la superficie de placa activa eficaz en el estado empobrecido de la placa semiconductora 3 se determina esencialmente por la superficie limitante con la capa aislante 2 del (segundo) electrodo superior estructurado 5', mientras que en el estado enriquecido de la capa semiconductora 3, la superficie de placa activa eficaz se determina a partir de la superficie total limitante con la capa aislante 4, que se define a partir de la superficie limitante con la capa aislante 4 del (segundo) electrodo superior estructurado 5' y la superficie limitante con la capa aislante 4 de la capa semiconductora 3.
Se pueden deducir otras realizaciones que se basan en el efecto de variación de las superficies de placa activas eficaces del condensador de acuerdo con la invención a partir de la realización descrita con referencia a la Fig. 1d. Para esto, al menos uno del (primer) electrodo inferior estructurado 2' y del (segundo) electrodo superior estructurado 5' se proporciona limitante con la capa aislante 4 e incluido de forma correspondiente en una de las capas semiconductoras 3 y/o 6.
La Fig. 3e muestra con detalle un condensador de acuerdo con la invención que es llevado por un sustrato 1 sobre el que se aplica una capa semiconductora 3, en la que se incluye un (primer) electrodo inferior estructurado 2', de forma que la primera capa semiconductora 3 y el (primer) electrodo inferior estructurado 2' limitan con una capa aislante cubriente 4. Sobre la capa aislante 4 se proporciona adicionalmente una segunda capa semiconductora 6 que a su vez lleva un (segundo) electrodo superior estructurado 5'.
En la Fig. 3f se representa un condensador de acuerdo con la invención, que se compone de un (primer) electrodo inferior estructurado 2' que se aplica sobre un sustrato 1 y que se incluye en una primera capa semiconductora 3 que limita con una capa aislante 4 y que está cubierta por la misma. Sobre la capa aislante 4 se proporciona adicionalmente un (segundo) electrodo superior estructurado 5' incluido en una segunda capa semiconductora 6, que limitan ambos con la capa aislante.
Adicionalmente, en la Fig. 3g se muestra un condensador de acuerdo con la invención que de, forma análoga a la Fig. 3e, prevé un (primer) electrodo inferior estructurado 2' que está incluido en una primera capa semiconductora 3 llevada por un sustrato 1 de forma que el (primer) electrodo inferior estructurado 2' y la primera capa semiconductora 3 limitan con esta capa aislante 4 cubriente. De forma análoga a la Fig. 3f, con la capa aislante 4 limitan además un (segundo) electrodo superior estructurado 5' y una segunda capa semiconductora 6, donde el (segundo) electrodo superior estructurado 5' está incluido en la segunda capa semiconductora 6.
Para las capacitancias de las realizaciones representadas en las Figs. 3e a 3f del condensador de acuerdo con la invención, en el estado empobrecido de la primera capa semiconductora 3 y la segunda capa semiconductora 6 son determinantes las separaciones del (primer) electrodo inferior estructurado 2' y del (segundo) electrodo superior estructurado 5' teniendo en cuenta las superficies de placa activas eficaces, donde las superficies de placa activas eficaces se determinan a partir de la estructuración del (primer) electrodo inferior estructurado 2' y del (segundo) electrodo superior estructurado 5'. Dependiendo de la configuración (primer) electrodo inferior estructurado 2' y del (segundo) electrodo superior estructurado 5', esencialmente la superficie de placa activa eficaz es determinante de la capacitancia.
Como ya se ha descrito en el contexto con la Fig. 1d, las capacitancias en el estado empobrecido en las realizaciones que se han descrito anteriormente pueden desaparecer esencialmente completamente cuando los electrodos 2' y 5' se disponen o estructuran opuestos entre sí, como se ilustra en las Fig. 1d o en las Figs. 3e a 3g, ya que esencialmente no hay placas de condensador conductoras opuestas entre sí.
En el estado enriquecido de la primera capa semiconductora 3 y la segunda capa semiconductora 6, las superficies de placa activas eficaces se determinan por las superficies de las capas semiconductoras 3 ó 6 limitantes con la capa aislante 4 o por las superficies totales de las capas semiconductoras 3 ó 6 limitantes con la capa aislante 4 con electrodos inferior o superior 2' ó 5' incluidos, de forma que las capacitancias en este caso se determinan esencialmente por el grosor d_{m} de las capas aislantes 4.
Se debe señalar adicionalmente que las capas semiconductoras 3 y 6 se tienen que realizar con conducción opuesta para posibilitar el comportamiento que se ha descrito anteriormente de las capacitancias. Es decir, que cuando la capa semiconductora 3 tiene conducción de tipo p, la capa semiconductora 6 se tiene que realizar con conducción de tipo n o viceversa.
Con referencia a la Fig. 2 se ha descrito la capacitancia de un condensador de acuerdo con la invención contra la tensión aplicada U_{52} entre el (primer) electrodo inferior 2 ó 2' y el (segundo) electrodo superior 5 ó 5' para una frecuencia determinada.
Debido a las características de la capa semiconductora 3 o de las capas semiconductoras 3 y 6 que, por la tensión aplicada U_{52} se desplazan en el estado empobrecido o enriquecido, es decir, en las que por la tensión aplicada U_{52} varía la concentración de portadores de carga libres, de forma que las capas semiconductoras presentan una conductancia variable, la variación de la capacitancia depende de la frecuencia. La dependencia de frecuencia se determina esencialmente a partir de la velocidad de la variación de la concentración de los portadores de carga libres por una tensión U_{52} aplicada que se modifica. De esto se deduce directamente que con una constancia de la velocidad de la variación de la concentración con frecuencia creciente de la tensión aplicada se ajusta una menor variación de la capacitancia para el mismo intervalo de tensión de la tensión U_{52} aplicada.
La Fig. 4 muestra un diagrama de curva que representa la capacitancia dependiente de frecuencia y de tensión de un condensador de acuerdo con la invención. Se puede observar que con la frecuencia creciente, con la variación de la tensión U_{52} en el mismo intervalo de tensión \pm 30 V disminuye la variación de la capacitancia. En el ejemplo ilustrado, la variación de la capacitancia disminuye de aproximadamente 100:145 con una frecuencia de aproximadamente 10 kHz, pasando por aproximadamente 100:122 con una frecuencia de aproximadamente 100 kHz hasta aproximadamente 100:105 con una frecuencia de aproximadamente 1 MHz. Tal comportamiento dependiente de frecuencia es particularmente ventajoso para el ajuste (preciso) de circuitos de resonancia en los que la capacitancia dependiente de frecuencia se conmuta paralela a una inductividad.
La producción de un condensador de acuerdo con una realización de la invención se puede realizar de forma convencional produciendo las capas individuales funcionales mediante métodos conocidos como, por ejemplo, bombardeo iónico o metalizado por vaporización y recubrimiento por centrifugación o impresión, cuando las sustancias de las capas funcionales que se tienen que aplicar son solubles. Una estructuración de las capas funcionales, como se puede requerir en el contexto del uso de electrodos estructurados 2' y 5', se puede realizar por un lado por métodos convencionales como decapado y desprendimiento en combinación con métodos litográficos, y por otro lado por diversas técnicas de impresión. Las capas individuales funcionales tienen típicamente un grosor de menos
de 2 \mum.
Las realizaciones representadas con referencia a las Figs. 1a y 1b de un condensador de acuerdo con la invención con capacitancia modificable controlada por tensión se pueden producir, por ejemplo, del siguiente modo. Sobre una película flexible de poliéster que sirve como sustrato 1 se aplica por bombardeo iónico un (primer) electrodo inferior 2 en forma de una capa metálica, por ejemplo, particularmente una capa de oro. La misma se puede estructurar mediante métodos litográficos y decapado para obtener un (primer) electrodo inferior estructurado 2' de acuerdo con la Fig. 1b o la Fig. 1c. A continuación se aplica por proyección un polímero conjugado disuelto, por ejemplo, politiofeno, por recubrimiento por centrifugación. Después de la evaporación del disolvente se obtiene una capa semiconductora homogénea, la capa semiconductora 3. La capa aislante o la capa de aislamiento 4 también se aplica como recubrimiento por centrifugación a partir de la solución, por ejemplo, de polihidroxiestireno (PHS) en solución, de forma que después de la evaporación del disolvente a su vez se obtiene una capa aislante homogénea 4. Sobre la misma se aplica por bombardeo iónico el (segundo) electrodo superior 5 en forma de una capa metálica, por ejemplo, particularmente una capa de oro, que a su vez también se puede estructurar de forma litográfica o mediante
decapado.
La estructura del condensador orgánico controlado por tensión de acuerdo con una de las realizaciones de la presente invención y particularmente de las realizaciones descritas anteriormente con referencia a las Fig. 1a ó 1b, de capas funcionales conductoras, semiconductoras y aislantes, es esencialmente compatible con las etapas habituales del proceso de la fabricación de circuitos de conmutación orgánicos integrados o circuitos de conmutación poliméricos. De este modo se posibilita la integración de un condensador de acuerdo con la invención con capacitancia variable controlada por tensión en un circuito orgánico de este tipo.
Un condensador de acuerdo con la invención con capacitancia variable controlada por tensión se puede utilizar, por ejemplo, en acción conjunta con diodos como rectificadores, como elemento RC, en un circuito de resonancia como condensador dependiente de frecuencia, como condensador de filtro, como componente de película delgada, etc. En la última aplicación, los grosores de las capas funcionales se pueden realizar menores de 2 \mum. De este modo, el condensador de acuerdo con la invención es adecuado, por ejemplo, para la integración en transpondedores de radio (transpondedores de ID por RF, etiquetas de ID por RF) o en etiquetas de protección contra robo. También se pueden concebir combinaciones en otros usos, como transistores, diodos, diodos luminosos, células fotovoltaicas o fotodetectores o con pilas planas o con elementos, particularmente cuando estos componentes también se basan en capas funcionales orgánicas.

Claims (9)

1. Un condensador orgánico con capacitancia controlada por tensión que comprende al menos las siguientes capas funcionales:
-
un primer electrodo (2), un segundo electrodo (5), y
-
una capa aislante (4) que se dispone entre el primer y el segundo electrodo (2, 5);
caracterizado por
-
al menos una primera capa semiconductora (3) que se proporciona entre el primer y el segundo electrodo (2, 5);
-
donde una concentración de portadores de carga libres en la al menos primera capa semiconductora (3) varía de forma controlable por la aplicación de una tensión (U_{52}) entre el primer y el segundo electrodo (2, 5), la concentración de los portadores de carga determina la capacitancia del condensador y
-
la concentración de los portadores de carga libres en la al menos primera capa semiconductora (3) varía de forma controlable adicionalmente por una frecuencia de la tensión aplicada (U_{52}).
2. El condensador orgánico de acuerdo con la reivindicación 1, caracterizado porque la variación de la concentración de los portadores de carga libres tiene como consecuencia una variación de una separación activa eficaz (a) de los electrodos (2, 5) que actúan como placas de condensador, donde la separación activa eficaz (a) determina funcionalmente la capacitancia.
3. El condensador orgánico de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la variación de la concentración de los portadores de carga libres tiene como consecuencia una variación de la superficie de placa activa eficaz, donde la superficie de placa activa eficaz determina funcionalmente la capacitancia.
4. El condensador orgánico de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque al menos uno del primer y el segundo electrodo (2, 5) es un electrodo estructurado (2', 5').
5. El condensador orgánico de acuerdo con la reivindicación 4, caracterizado porque al menos uno del primer y del segundo electrodo estructurado (2', 5') se incluye en la capa semiconductora (3).
6. El condensador orgánico de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el condensador orgánico comprende una segunda capa semiconductora (6) que se proporciona entre el primer y el segundo electrodo (2, 5) y se dispone sobre uno de los lados de la capa aislante (4) de forma opuesta a la primera capa semiconductora (3), donde una concentración de portadores de carga libres en la segunda capa semiconductora (6) se puede variar de forma controlable por la aplicación de la tensión (U_{52}) entre el primer y el segundo electrodo (2, 5).
7. El condensador orgánico de acuerdo con la reivindicación 6, caracterizado porque la primera y la segunda capa semiconductora (3, 5) se realizan con conducción opuesta.
8. El condensador orgánico de acuerdo con la reivindicación 6 ó la reivindicación 7, caracterizado porque al menos uno del primer y segundo electrodo estructurado (2', 5') se incluye en al menos una de la primera y segunda capa semiconductora (3, 6).
9. El condensador orgánico de acuerdo con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque al menos una de las capas funcionales es una capa de una sustancia orgánica.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005035590A1 (de) * 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauelement
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
CN100573286C (zh) * 2006-12-25 2009-12-23 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示器结构
EP2538420A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-26 Technische Universität Darmstadt Kondensator für passive Hochfrequenz-Komponenten
DE102011078478B4 (de) * 2011-06-30 2013-09-05 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Dünnschichtsystem zum Speichern elektrischer Energie und Solarmodul mit Energiespeicher
CN102881822A (zh) * 2011-07-13 2013-01-16 北京大学 一种透明柔性阻变存储器及其制备方法
GB201212051D0 (en) 2012-07-06 2012-08-22 Zyk S A Energy storage apparatus
TWI478033B (zh) * 2012-09-07 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 電容式觸控面板的電容結構
KR20150128743A (ko) * 2013-03-14 2015-11-18 사우디 베이식 인더스트리즈 코포레이션 전도성 나노-필러로 도핑된 유전성 폴리머 기반 프랙셔널 오더 커패시터
US9147851B1 (en) * 2013-06-17 2015-09-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force DNA-conjugated polymer varactors
DE102014227034A1 (de) * 2013-12-30 2015-07-02 Ignis Innovation Inc. Dünnfilmtransistor
CN104217863B (zh) * 2014-09-10 2017-06-13 武汉理工大学 场效应调控超级电容器的制备方法

Family Cites Families (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL243218A (es) * 1958-12-24
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (es) * 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) * 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) * 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
US4340057A (en) * 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
US4529994A (en) * 1981-12-17 1985-07-16 Clarion Co., Ltd. Variable capacitor with single depletion layer
US4554229A (en) * 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
EP0239808B1 (en) * 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
FI84862C (fi) * 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US5038184A (en) * 1989-11-30 1991-08-06 Xerox Corporation Thin film varactors
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
WO1993009469A1 (de) * 1991-10-30 1993-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
EP0603939B1 (en) * 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
EP0722563A4 (en) * 1993-08-24 1998-03-04 Metrika Lab Inc NEW ELECTRONIC DISPOSABLE ANALYSIS DEVICE
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
DE69531477T2 (de) * 1994-05-16 2004-07-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Halbleiteranordnung aus halbleitendem, organischem material
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) * 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (en) * 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
DE69830846T2 (de) * 1997-09-11 2006-05-24 Precision Dynamics Corp., San Fernando Radiofrequenzidentifikationsetikett auf flexiblem substrat
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
DE69937485T2 (de) * 1998-01-28 2008-08-21 Thin Film Electronics Asa Methode zur herstellung zwei- oder dreidimensionaler elektrisch leitender oder halbleitender strukturen, eine löschmethode derselben und ein generator/modulator eines elektrischen feldes zum gebrauch in der herstellungsmethode
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6239662B1 (en) * 1998-02-25 2001-05-29 Citizen Watch Co., Ltd. Mis variable capacitor and temperature-compensated oscillator using the same
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
JP4664501B2 (ja) * 1998-04-10 2011-04-06 イー インク コーポレイション 有機系電界効果トランジスタを用いる電子ディスプレイ
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6517955B1 (en) * 1999-02-22 2003-02-11 Nippon Steel Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
US6300141B1 (en) * 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) * 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
JP2001085272A (ja) * 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
EP1085320A1 (en) * 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
JP2004538618A (ja) * 1999-10-11 2004-12-24 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 集積回路
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) * 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
US6706159B2 (en) * 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) * 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
WO2002015264A2 (de) * 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10045192A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US6787433B2 (en) * 2001-09-19 2004-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
JP2004235577A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nec Electronics Corp 電圧制御可変容量素子

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