ES2312850T3 - Union entre una linea de microbanda y una guia de ondas. - Google Patents
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Abstract
Disposición para una unión entre una línea de micrDisposición para una unión entre una línea de microbanda y una guía de ondas, que comprende - una líobanda y una guía de ondas, que comprende - una línea de microbanda (ML) aplicada sobre un lado supenea de microbanda (ML) aplicada sobre un lado superior de un sustrato dieléctrico (S), - una guía derior de un sustrato dieléctrico (S), - una guía de ondas aplicada sobre el lado superior del sustrat ondas aplicada sobre el lado superior del sustrato (S) con una abertura (OB) en al menos una superfo (S) con una abertura (OB) en al menos una superficie frontal, en que una pared lateral de la guía icie frontal, en que una pared lateral de la guía de ondas es una capa metalizada (LS) realizada sobde ondas es una capa metalizada (LS) realizada sobre el sustrato (S), - un rebajo (A) realizado en lre el sustrato (S), - un rebajo (A) realizado en la capa metalizada (LS), hacia dentro del cual sobra capa metalizada (LS), hacia dentro del cual sobresale la línea de microbanda (ML) a través de la aesale la línea de microbanda (ML) a través de la abertura (OB) hacia dentro de la guía de ondas, - ubertura (OB) hacia dentro de la guía de ondas, - una metalización de lado trasero (RM) realizada sobna metalización de lado trasero (RM) realizada sobre un lado trasero del sustrato (S), - agujeros dere un lado trasero del sustrato (S), - agujeros de interconexión (VH) eléctricamente conductores ent interconexión (VH) eléctricamente conductores entre la capa metalizada (LS) sobre el lado superior re la capa metalizada (LS) sobre el lado superior del sustrato (S) y la metalización de lado traserodel sustrato (S) y la metalización de lado trasero (RM), los cuales rodean el rebajo (A), caracteriz (RM), los cuales rodean el rebajo (A), caracterizada porque en la zona de la abertura (OB) de la guada porque en la zona de la abertura (OB) de la guía de ondas, en una pared lateral, opuesta al ladoía de ondas, en una pared lateral, opuesta al lado superior del sustrato (S), de la guía de ondas, e superior del sustrato (S), de la guía de ondas, está realizada una estructura escalonada (ST) conecstá realizada una estructura escalonada (ST) conectada de forma conductora a la línea de microbanda tada de forma conductora a la línea de microbanda (ML) en al menos una parte (ST1), en que los escal(ML) en al menos una parte (ST1), en que los escalones de la estructura escalonada (ST) tienen una aones de la estructura escalonada (ST) tienen una anchura creciente en la dirección longitudinal, apanchura creciente en la dirección longitudinal, apartada de la unión, de la guía de ondas. rtada de la unión, de la guía de ondas.
Description
Unión entre una línea de microbanda y una guía
de ondas.
La invención se refiere a una disposición
conforme a la reivindicación 1.
En muchos casos de aplicación de la técnica de
hiperfrecuencia, en particular la técnica de ondas milimétricas, es
necesario acoplar a una guía de ondas una onda guiada en una línea
de microbanda y viceversa. Para ello se desea una unión lo más
libre de reflexión y de pérdidas posible. Esta unión procura, dentro
de un intervalo de frecuencias limitado, que las impedancias entre
la guía de ondas y la línea de banda se adapten entre sí y que la
imagen de campo de uno de los tipos de guía de ondas sea transferida
a la imagen de campo del otro tipo de guía de ondas.
Uniones entre línea de microbanda y guía de
ondas son conocidas por ejemplo a partir del documento DE 197 41
944 A1 o US 6.265.950 B1.
En el documento DE 197 41 944 A1 se describe una
disposición en la que la línea de microbanda está aplicada sobre el
lado superior del sustrato (figura 1). La guía de ondas HL está
aplicada con una superficie frontal al lado inferior del sustrato
S. El sustrato S tiene en la zona de la guía de ondas HL un agujero
D, que corresponde esencialmente a la sección transversal de la
guía de ondas HL. En la línea de microbanda ML está dispuesto un
elemento de acoplamiento (no representado), que sobresale hacia
dentro del agujero D. El agujero D, por el lado superior del
sustrato S, está rodeado por una tapa de apantallamiento SK, la cual
está conectada de forma eléctricamente conductora mediante taladros
(agujeros de interconexión) VH eléctricamente conductores a la
metalización RM existente sobre el lado inferior del sustrato S.
Esta disposición tiene la desventaja de que la
placa de circuito impreso debe ser montada de forma eléctricamente
conductora sobre una placa portadora previamente preparada que
contiene la guía de ondas HL. Además es necesaria una tapa de
apantallamiento SK fabricada de forma precisa, situada de forma
mecánicamente exacta y colocable de forma eléctricamente
conductora. La fabricación de esta disposición es intensiva en
tiempo y costes por el elevado número de pasos de preparación de
diferente tipo. Otras desventajas se producen por unas elevadas
necesidades de espacio debido a la guía de ondas dispuesta por fuera
de la placa de circuito impreso.
En la disposición descrita en el documento US
6.265.950 B1 para una unión entre una línea de microbanda y una
guía de ondas, el sustrato con la línea de microbanda aplicada
encima sobresale hacia dentro de la guía de ondas. Una desventaja
de esta disposición es la integración de la guía de ondas en un
entorno de tarjeta de circuito impreso. La guía de ondas sólo puede
ser dispuesta en las superficies de límite de la tarjeta de
circuito impreso (sustrato). Una integración de la guía de ondas
dentro de la tarjeta de circuito impreso no es posible por motivos
de la preparación intensiva en costes de la placa de circuito
impreso.
En el artículo de Sano et al.: "A
transition from microstrip to dielectric-filled
rectangular waveguide in surface mounting", 2002 IEEE
MTT-S International Microwave Symposium Digest (IMS
2002) Seattle, WA, 2-7 junio de 2002, IEEE
MTT-S International Microwave Symposium, New York,
NY: IEEE, US, Vol. 2 de 4, 2 de junio de 2002, páginas
813-816, XP001109917,
ISBN:0-7803-7239-5
es conocida una disposición para una unión entre una línea de
microbanda y una guía de ondas conforme al preámbulo de la
reivindicación 1. El empleo, descrito en el artículo, de agujeros
de interconexión (via holes) eléctricamente conductores entre
la capa metalizada sobre el lado superior de un sustrato y la
metalización de lado trasero se describe detalladamente en el
documento EP 0 920 071 A2.
A partir del documento JP 05283915 es conocida
otra unión entre una línea de microbanda y una guía de ondas, en
que la unión, para mejorar la adaptación entre la línea de
microbanda y la guía de ondas, tiene varios escalones de igual
anchura a lo largo de la extensión longitudinal de la guía de
ondas.
Constituye la tarea de la invención proporcionar
una disposición para una unión entre una línea de microbanda y una
guía de ondas, que sea realizable sencilla y económicamente y que
requiera poco espacio y en la que la adaptación de la impedancia
entre la línea de microbanda y la guía de ondas se haya
mejorado.
Esta tarea es resuelta por la disposición con
las características conforme a la reivindicación 1. Estructuraciones
ventajosas de la disposición son el objeto de las reivindicaciones
subordinadas.
Una ventaja de la disposición conforme a la
invención es la fabricación sencilla y económica de la unión entre
microbanda y guía de ondas. Para realizar la unión son necesarios
menos componentes, en comparación con el estado de la técnica. Otra
ventaja es que la implementación de la guía de ondas en el entorno
de tarjeta de circuito impreso no tiene que producirse como en el
documento US 6.265.950 en el borde de la tarjeta de circuito
impreso, sino que puede producirse en un lugar arbitrario sobre la
tarjeta de circuito impreso. La disposición conforme a la invención
requiere con ello un espacio pequeño.
Ventajosamente, la guía de ondas es un
componente de montaje en superficie (SMD, del inglés "Surface
Mount Device"). La parte de guía de ondas es colocada para ello
en un paso de montaje simple desde arriba sobre la tarjeta de
circuito impreso y es conectada de forma conductora. La conexión de
la guía de ondas a la unión puede integrarse así en procedimientos
de equipamiento conocidos. A través de ello se ahorran pasos de
fabricación, con lo que se reducen los costes y el tiempo de
fabricación.
La invención así como otras estructuraciones
ventajosas de la disposición conforme a la invención se explican
más detalladamente en lo que sigue con ayuda de dibujos.
Muestran:
la figura 1 un corte longitudinal a través de
una disposición para una unión entre microbanda y guía de ondas
conforme al estado de la técnica,
la figura 2 en vista desde arriba la capa
metalizada sobre el lado superior del sustrato,
la figura 3 una vista en perspectiva de una
estructura interior escalonada, a modo de ejemplo, del componente
SMD,
la figura 4 un corte longitudinal a través de
una disposición conforme a la invención para una unión entre
microbanda y guía de ondas,
la figura 5 un primer corte transversal a través
de la zona 3 de la figura 4,
la figura 6 un segundo corte transversal a
través de la zona 4 de la figura 4,
la figura 7 un tercer corte transversal a través
de la zona 5 de la figura 4,
la figura 8 un cuarto corte transversal a través
de la zona 6 de la figura 4,
la figura 9 otra forma de realización ventajosa
de la unión entre microbanda y guía de ondas conforme a la
invención.
La figura 2 muestra en vista desde arriba la
capa metalizada del sustrato. Esta capa metalizada se denomina
también estructura de aterrizaje para la unión entre microbanda y
guía de ondas. La estructura de aterrizaje LS tiene un rebajo A con
una abertura OZ. A través de esta abertura OZ discurre la línea de
microbanda ML, que termina dentro del rebajo A. El rebajo A está
rodeado por agujeros de interconexión VH, también denominados en
inglés via holes. Estos agujeros de interconexión VH son
agujeros del sustrato realizados de forma eléctricamente
conductora, los cuales unen la estructura de aterrizaje LS con la
metalización de lado trasero (no representada) realizada sobre el
lado trasero del sustrato. La separación mutua entre los agujeros de
interconexión VH se escoge con un valor tan pequeño que dentro del
intervalo de frecuencias útiles la emisión de la onda
electromagnética a través de los espacios intermedios es pequeña.
Los agujeros de interconexión VH pueden discurrir aquí, para la
reducción de la emisión, también en varias filas dispuestas
paralelamente entre sí.
La figura 3 muestra una representación en
perspectiva de una estructura interior escalonada, a modo de
ejemplo, del componente SMD. El componente B tiene
correspondientemente a la abertura en el rebajo de la estructura de
aterrizaje (véase la figura 2) igualmente una abertura OB. En la
dirección longitudinal del componente, una estructura escalonada
ST1, ST está realizada a una distancia prefijable de la abertura OB
en la pared lateral. La pared lateral, que contiene la estructura
escalonada ST1 y ST, del componente B está situada enfrente de la
superficie del sustrato tras el montaje de la estructura de
aterrizaje LS (véase la figura 4). El componente de guía de ondas B
a colocar está abierto hacia abajo (en dirección al sustrato) antes
del montaje y con ello está todavía incompleto. La pared lateral
aún ausente es formada por la estructura de aterrizaje LS realizada
sobre el sustrato.
La disposición conforme a la invención, además,
no está limitada por el número de los escalones representados en la
figura 3 o la figura 4. La estructura ST puede ser adaptada, en lo
referente al número de escalones y a la longitud y anchura de los
distintos escalones, a los respectivos requisitos de la unión.
En la representación mostrada, el escalón
designado con la referencia ST1 tiene una altura tal que al colocar
con complementariedad de forma el componente B sobre la estructura
de aterrizaje conforme a la figura 2, el escalón ST1 se apoya
directamente sobre la línea de microbanda ML y con ello se establece
una conexión eléctricamente conductora entre la línea de microbanda
ML y el componente B.
La figura 4 muestra en corte longitudinal una
disposición conforme a la invención de una unión entre microbanda y
guía de ondas. Para ello, el componente B está colocado conforme a
la figura 3 con complementariedad de forma sobre la estructura de
aterrizaje del sustrato S conforme a la figura 3. El componente B es
colocado en este caso en particular de tal modo sobre el sustrato
que entre la estructura de aterrizaje y el componente B se produce
una conexión eléctricamente conductora.
Por el lado inferior, el sustrato S tiene un
recubrimiento metálico RM esencialmente continuo. La zona de guía
de ondas está indicada en la representación con la referencia HB. La
zona de unión está indicada con la referencia UB.
La unión entre microbanda y guía de ondas
conforme a la invención funciona según el siguiente principio:
La señal de alta frecuencia fuera de la guía de
ondas HL es conducida a través de una línea de microbanda ML con la
impedancia Z_{0} (zona 1). La señal de alta frecuencia dentro de
la guía de ondas HL es conducida en la forma del modo fundamental
de guía de ondas TE_{10}. La unión UB convierte la imagen de campo
del modo de microbanda paso a paso en la imagen de campo del modo
de guía de ondas. Al mismo tiempo, la unión UB actúa de modo
transformador a través de los escalonamientos del componente B en lo
referente a la impedancia de onda y procura en el intervalo de
frecuencias útiles una adaptación de la impedancia Z_{0} a la
impedancia Z_{HL} de la guía de ondas HL. A través de ello se hace
posible una unión con pocas pérdidas y poca reflexión entre ambas
guías de onda.
La línea de microbanda ML conduce primeramente a
la zona 2 de un denominado canal de corte. Este canal es formado a
partir del componente B, la metalización de lado trasero RM y los
agujeros de interconexión VH, que crean una conexión conductora
entre el componente B y la metalización de lado trasero RM. La
anchura del canal de corte está escogida de tal modo que en esta
zona 2, además del modo de microbanda que conduce la señal, no
puede propagarse ningún tipo de onda adicional. La longitud del
canal determina la amortiguación del modo de guía de onda
indeseado, que no puede propagarse, e impide una emisión hacia el
espacio libre (zona 1).
En la zona 3, la línea de microbanda ML se
encuentra en un tipo de guía de ondas parcialmente llena. La guía
de ondas es formada a partir del componente B, la metalización de
lado trasero RM y los agujeros de interconexión VH (figura 5). En
la zona 4, la estructura escalonada del componente B está conectada
a la línea de microbanda ML (figura 6). Las paredes laterales del
componente B están conectadas, a través de una denominada fila de
apantallamiento compuesta por agujeros de interconexión VH, de forma
conductora a la metalización de lado trasero RM del sustrato S.
A través de ello se forma una guía de ondas de
cresta cargada dieléctricamente. La energía de la señal se
concentra entre la metalización de lado trasero RM y la cresta
formada a partir de la línea de microbanda ML y el escalón ST1 del
componente B.
En comparación con la zona 4, en la zona 5
disminuye la altura de la estructura escalonada ST contenida en el
componente B, de forma que al unir con complementariedad de forma el
componente B sobre la estructura de aterrizaje LS del sustrato S se
produce una rendija de aire L definida entre el material de sustrato
y la estructura escalonada ST (figura 7). Las paredes laterales del
componente B están conectadas a través de agujeros de interconexión
VH de forma conductora a la metalización de lado trasero RM. A
través de ello se forma una guía de ondas de cresta parcialmente
llena y dieléctricamente cargada.
Conforme a la invención, la anchura del escalón
aumenta transversalmente a la dirección longitudinal de la guía de
ondas HL para igualar gradualmente la imagen de campo de la zona 4 a
la imagen de campo del modo de guía de ondas (zona 6). La longitud,
anchura y altura de los escalones están escogidas de tal modo que la
impedancia del modo de microbanda Z_{0} es transformada en la
impedancia del modo de guía de ondas Z_{HL} al final de la zona
6. En caso necesario puede aumentarse también el número de escalones
en la estructura del componente B en la zona 5.
La figura 6 muestra la zona de guía de ondas HB.
El componente B forma las paredes laterales y la tapa de la guía de
ondas HL. El suelo de la guía de ondas es formado por la estructura
de aterrizaje LS del sustrato S, es decir que en comparación con la
zona 5 no se encuentra ahora ningún relleno dieléctrico en la guía
de ondas HL.
Una o varias de las filas de apantallamiento,
que discurren transversalmente a la dirección de propagación de la
onda de la guía de ondas y que están compuestas por agujeros de
interconexión VH en la zona de unión entre la zona 5 y la zona 6,
realizan la unión entre la guía de ondas llenada dieléctricamente de
forma parcial y la guía de ondas meramente llena de aire.
Simultáneamente, a través de estas filas de apantallamiento se
impide el acoplamiento de la señal entre la estructura de aterrizaje
LS y la metalización de lado trasero.
En la zona 6 puede existir en la zona superior
de tapa opcionalmente también una estructura escalonada (análoga a
la estructura escalonada en la zona 5).
La longitud y altura de estos escalones se
escoge análogamente a la zona 5 de tal modo que en combinación con
las otras zonas la impedancia del modo de microbanda Z_{0} es
transformada en la impedancia Z_{HL}, existente al final de la
zona 6, del modo de guía de ondas.
En la figura 9 se representa otra forma de
realización ventajosa de la unión entre microbanda y guía de ondas
conforme a la invención. Con esta forma de realización es posible
realizar una unión de guía de ondas sencilla y económica, en la que
la señal de alta frecuencia puede ser desacoplada a través del
sustrato S hacia abajo a través de la abertura de guía de ondas DB
continua contenida en el sustrato. La abertura de guía de ondas DB
tiene ventajosamente paredes interiores (IW) eléctricamente
conductoras. El componente B tiene ventajosamente en la zona del
agujero DB, sobre la pared lateral opuesta a la abertura de guía de
ondas DB, una forma de escalón ST. Con esta forma de escalón ST, la
onda de la guía de ondas es desviada en 90º desde la zona de guía
de ondas HB del componente B hacia la abertura de guía de ondas DB
del sustrato S. Sobre el lado inferior del sustrato S puede estar
dispuesta en la zona de la abertura de guía de ondas DB por ejemplo
otra guía de ondas o un elemento de emisión. En el ejemplo presente
en la figura 9, otro material portador TP, por ejemplo una tarjeta
de circuito impreso de una o varias capas o un portador metálico,
puede estar aplicado a la metalización de lado trasero RM. La
ventaja de esta disposición consiste en comparación con el documento
DE 197 41 944 A1 en la estructura simplificada y económica del
sustrato S y del material portador TP. La abertura de guía de ondas
es fresada de forma pasante y las paredes interiores son metalizadas
por galvanización. Ambos pasos de trabajo son procedimientos
estándar habituales en la tecnología de placas de circuito impreso,
fácilmente realizables.
Claims (7)
1. Disposición para una unión entre una línea de
microbanda y una guía de ondas, que comprende
- -
- una línea de microbanda (ML) aplicada sobre un lado superior de un sustrato dieléctrico (S),
- -
- una guía de ondas aplicada sobre el lado superior del sustrato (S) con una abertura (OB) en al menos una superficie frontal, en que una pared lateral de la guía de ondas es una capa metalizada (LS) realizada sobre el sustrato (S),
- -
- un rebajo (A) realizado en la capa metalizada (LS), hacia dentro del cual sobresale la línea de microbanda (ML) a través de la abertura (OB) hacia dentro de la guía de ondas,
- -
- una metalización de lado trasero (RM) realizada sobre un lado trasero del sustrato (S),
- -
- agujeros de interconexión (VH) eléctricamente conductores entre la capa metalizada (LS) sobre el lado superior del sustrato (S) y la metalización de lado trasero (RM), los cuales rodean el rebajo (A),
caracterizada porque en la
zona de la abertura (OB) de la guía de ondas, en una pared lateral,
opuesta al lado superior del sustrato (S), de la guía de ondas,
está realizada una estructura escalonada (ST) conectada de forma
conductora a la línea de microbanda (ML) en al menos una parte
(ST1), en que los escalones de la estructura escalonada (ST) tienen
una anchura creciente en la dirección longitudinal, apartada de la
unión, de la guía de
ondas.
2. Disposición según la reivindicación 1,
caracterizada porque la guía de ondas es un componente
SMD.
3. Disposición según la reivindicación 1 ó 2,
caracterizada porque la estructura escalonada (ST) está
realizada en la pared lateral, opuesta al rebajo (A), de la guía de
ondas.
4. Disposición según una de las reivindicaciones
precedentes, caracterizada porque los agujeros de
interconexión (VH) discurren en varias filas dispuestas
paralelamente entre sí.
5. Disposición según una de las reivindicaciones
precedentes, caracterizada porque el sustrato (S) tiene en
la zona de la capa metalizada (LS) sobre el lado superior del
sustrato (S) una abertura de guía de ondas (DB).
6. Disposición según la reivindicación 4,
caracterizada porque la superficie interior de la abertura de
guía de ondas (DB) es eléctricamente conductora.
7. Disposición según la reivindicación 4 ó 5,
caracterizada porque la pared lateral, opuesta al lado
superior del sustrato, de la guía de ondas tiene una estructura
escalonada (ST) en la zona de la abertura de guía de ondas (DB).
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Families Citing this family (26)
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|---|---|---|---|---|
| US7680464B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Waveguide—printed wiring board (PWB) interconnection |
| US7603097B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-10-13 | Valeo Radar Systems, Inc. | Vehicle radar sensor assembly |
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| WO2009068071A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A microstrip to waveguide transition arrangement |
| US8159316B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-04-17 | Kyocera Corporation | High-frequency transmission line connection structure, circuit board, high-frequency module, and radar device |
| EP2277232B1 (en) * | 2008-04-16 | 2016-06-08 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | A waveguide transition arrangement |
| ES2612488T3 (es) * | 2010-03-10 | 2017-05-17 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Acoplador de microcinta |
| US9653796B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-05-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Structure and technique for antenna decoupling in a vehicle mounted sensor |
| DE102014109120B4 (de) | 2014-06-30 | 2017-04-06 | Krohne Messtechnik Gmbh | Mikrowellenmodul |
| KR102674456B1 (ko) * | 2017-01-26 | 2024-06-13 | 주식회사 케이엠더블유 | 전송선로-도파관 전이 장치 |
| US10468736B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-11-05 | Aptiv Technologies Limited | Radar assembly with ultra wide band waveguide to substrate integrated waveguide transition |
| DE102017214871A1 (de) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | Astyx Gmbh | Übergang von einer Streifenleitung auf einen Hohlleiter |
| KR101827952B1 (ko) | 2017-10-18 | 2018-02-09 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 초소형 레이더 시스템 |
| KR101839045B1 (ko) | 2017-10-18 | 2018-03-15 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 시스템에서의 신호 전송용 구조 |
| KR101858585B1 (ko) | 2018-03-15 | 2018-05-16 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 시스템의 전력 결합 장치 |
| US11283162B2 (en) * | 2019-07-23 | 2022-03-22 | Veoneer Us, Inc. | Transitional waveguide structures and related sensor assemblies |
| US11757166B2 (en) * | 2020-11-10 | 2023-09-12 | Aptiv Technologies Limited | Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board |
| US11616306B2 (en) | 2021-03-22 | 2023-03-28 | Aptiv Technologies Limited | Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board |
| CN115207588A (zh) * | 2021-04-09 | 2022-10-18 | 华为技术有限公司 | 一种转接装置、电子设备、终端和转接装置的制备方法 |
| EP4084222A1 (en) | 2021-04-30 | 2022-11-02 | Aptiv Technologies Limited | Dielectric loaded waveguide for low loss signal distributions and small form factor antennas |
| US12224502B2 (en) | 2021-10-14 | 2025-02-11 | Aptiv Technologies AG | Antenna-to-printed circuit board transition |
| US12265172B2 (en) | 2022-05-25 | 2025-04-01 | Aptiv Technologies AG | Vertical microstrip-to-waveguide transition |
| US12424767B2 (en) | 2022-11-15 | 2025-09-23 | Aptiv Technologies AG | Planar surface features for waveguide and antenna |
| US12506272B2 (en) | 2023-05-16 | 2025-12-23 | Aptiv Technologies AG | Production-tolerant multi-part antenna system |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4754239A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Waveguide to stripline transition assembly |
| JPH0590807A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nissan Motor Co Ltd | 導波管・ストリツプ線路変換器 |
| JP2682589B2 (ja) * | 1992-03-10 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | 同軸マイクロストリップ線路変換器 |
| JPH05283915A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
| JPH08162810A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | ストリップライン導波管変換回路 |
| DE19636890C1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Streifenleitung |
| DE19741944A1 (de) * | 1997-09-23 | 1999-03-25 | Daimler Benz Aerospace Ag | Streifenleiter-Hohlleiter-Übergang |
| US5982250A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-09 | Twr Inc. | Millimeter-wave LTCC package |
| JP2002111312A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 導波管フィルタ |
-
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