ES2320926T3 - Dispositivo de conmutacion electrica. - Google Patents

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Robert Gregory Wagoner
Igor Berroteran
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Abstract

Un dispositivo de conmutación eléctrica, que comprende: un circuito excitador (12) que genera una señal de tensión; un primer IGBT (14) que tiene un primer terminal de puerta (20), un primer terminal (22) del colector, y un primer terminal de emisor (24), recibiendo el primer terminal de puerta (20) la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un primer circuito de impedancia (50), estando el primer terminal (22) del colector eléctricamente acoplado a una fuente de tensión (63); un segundo IGBT (16) que tiene un segundo terminal de puerta (26), un segundo terminal (28) del colector, y un segundo terminal de emisor (30), estando el segundo terminal de emisor (30) eléctricamente acoplado al primer terminal de emisor (24), recibiendo el segundo terminal de puerta (26) la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un segundo circuito de impedancia (52), estando el segundo terminal (28) del colector eléctricamente acoplado al terminal (22) del colector; un primer resistor (58) eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) y un nodo (68); y un segundo resistor (60) eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) y el nodo (68), de tal manera que, cuando los primero y segundo terminales de puerta (20, 26) reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de los primero y segundo circuitos de impedancia (50, 52), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta (20) y el primer terminal de emisor (24) es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta (26) y el segundo terminal de emisor (30), dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de emisor (24) del primer IGBT (14) hacia una carga (64) para que sea sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor (30) del segundo IGBT (16) hacia la carga (64); caracterizado porque: el extremo del primer resistor (58) conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) está conectado al extremo del primer circuito de impedancia (50) el cual está conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14); el extremo del segundo resistor (60) conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia (52) el cual está conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16); en el que los primero y segundo resistores (58, 60) están previstos para mantener una tensión de puerta a emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta (20, 26) de los IGBTs (14, 16), respectivamente.

Description

Dispositivo de conmutación eléctrica.
Antecedentes de la invención
Los convertidores de alimentación utilizan una pluralidad de transistores para suministrar una cantidad deseada de corriente eléctrica hacia una carga. Un problema de los convertidores de alimentación, sin embargo, es que durante condiciones operacionales transitorias (por ejemplo, la apertura o cierre) de la pluralidad de transistores paralelos acoplados, las tensiones de puerta de la pluralidad de transistores no son iguales entre sí. Como resultado de ello, una corriente eléctrica que está siendo suministrada por cada transistor de la pluralidad de transistores no es igual entre los transistores. Este desequilibrio de la corriente eléctrica entre los transistores puede producir la degradación de los transistores y reducir la capacidad de salida del convertidor de alimentación.
En el documento JP 09 28 94 42 las corrientes principales que fluyen hacia los emisores principales de los primero y segundo IGBTs son detectados por medio de unas primera y segunda resistencias de detección conectadas a los emisores de los IGBTs. Unos primero y segundo amplificadores operacionales vigilan la tensión a través de las primera y segunda resistencias de detección y si la tensión a través de una mayor es mayor que la tensión a través de la otra. El respectivo amplificador operacional abre un respectivo FET para hacer descender la tensión de puerta del respectivo IGBT, produciendo con ello su corriente principal para equilibrar las corrientes de los primero y segundo IGBTs.
De acuerdo con ello, los inventores en la presente memoria han advertido la necesidad de un dispositivo de conmutación eléctrica mejorado que pueda equilibrar las corrientes eléctricas alimentadas desde transistores múltiples acoplados en paralelo.
Breve descripción de la invención
Se proporciona un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con una forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye un circuito excitador que genera una señal de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal del colector, y un primer terminal de emisor. El primer terminal de puerta recibe la señal de tensión procedente del circuito excitador a través de un primer circuito de impedancia. El primer terminal del colector está eléctricamente acoplado a una fuente de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica comprende así mismo un segundo IGBT que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal del colector, y un segundo terminal de emisor. El segundo terminal de emisor está acoplado eléctricamente al primer terminal de emisor. El segundo terminal de puerta recibe esta señal de tensión procedente del circuito excitador a través de un segundo circuito de impedancia. El segundo terminal del colector está eléctricamente acoplado al primer terminal del colector. El dispositivo de conmutación eléctrica comprende así mismo un primer resistor eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer IGBT y un nodo. El dispositivo de conmutación eléctrica comprende así mismo un segundo resistor eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta del segundo IGBT y el nodo. Cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador a través de los primero y segundo circuitos de impedancia, respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de emisor es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de emisor, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de emisor del primer IGBT hacia una carga que es sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor del segundo IGBT hacia la carga. El extremo del primer resistor conectado al primer terminal de puerta del primer IGBT está conectado al extremo del primer circuito de impedancia cuando está conectado al primer terminal de puerta del primer IGBT. El extremo del segundo resistor conectado al segundo terminal de puerta del segundo IGBT está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia, el cual está conectado al segundo terminal de puerta del segundo IGBT. Los primero y segundo resistores están previstos para mantener una tensión puerta - emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta de los IGBTs, respectivamente.
Se proporciona un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con otra forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye un circuito excitador que genera una señal de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer IGBT que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal del colector, y un primer terminal de emisor. El primer terminal de puerta recibe la señal de tensión desde el circuito excitador a través de un primer circuito de impedancia. El primer terminal del colector está eléctricamente acoplado a una carga. El dispositivo de conmutación eléctrica comprende así mismo un segundo IGBT que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal del colector, y un segundo terminal de emisor. El segundo terminal de emisor está eléctricamente acoplado al primer terminal de emisor. El segundo terminal de puerta recibe la señal de tensión desde el circuito excitador a través de un segundo circuito de impedancia. El segundo terminal del colector está eléctricamente acoplado al primer terminal del colector. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer resistor eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer IGBT y un nodo. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un segundo resistor eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta del segundo IGBT y el nodo. Cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador a través de los primero y segundo circuitos de impedancia, respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de emisor es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de emisor, dando como resultado una segunda corriente que fluye desde el primer terminal de emisor del primer IGBT hacia una fuente de tensión que es sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor del segundo IGBT hacia la fuente de tensión. El extremo del primer resistor conectado al primer terminal de puerta del primer IGBT está conectado a un extremo del primer circuito de impedancia, el cual está conectado al primer terminal de puerta del primer IGBT. El extremo del segundo resistor conectado al segundo terminal de puerta del segundo IGBT está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia, el cual está conectado al segundo terminal de puerta del segundo IGBT. Los primero y segundo resistores están previstos para mantener una tensión puerta - emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta de los IGBTs, respectivamente.
Se proporciona un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con otra forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye un excitador que genera una señal de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET) que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal de fuente, y un primer terminal de drenaje. El primer terminal de puerta recibe la señal de tensión desde el circuito excitador a través de un primer circuito de impedancia. El primer terminal de fuente está eléctricamente acoplado una fuente de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un segundo MOSFET que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal de fuente, y un segundo terminal de drenaje. El segundo terminal de drenaje está eléctricamente acoplado al primer terminal de drenaje. El segundo terminal de puerta recibe la señal de tensión desde el circuito excitador a través de un segundo circuito de impedancia. El segundo terminal de fuente está eléctricamente acoplado al primer terminal de fuente. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer resistor eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer MOSFET y un nodo. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un segundo resistor eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta del segundo MOSFET y el nodo. Cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador a través de los primero y segundo circuitos de impedancia, respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de drenaje es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de drenaje, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de drenaje del primer MOSFET hacia una carga que es sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de drenaje del segundo MOSFET hacia la carga. El extremo del primer resistor conectado al primer terminal de puerta del primer MOSFET está conectado al extremo del primer circuito de impedancia, el cual está conectado al primer terminal de puerta del primer MOSFET. El extremo del segundo resistor conectado al segundo terminal de puerta del segundo MOSFET está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia, el cual está conectado al segundo terminal de puerta del segundo MOSFET. Los primero y segundo resistores están previstos para mantener una tensión puerta - emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta de los MOSFETs, respectivamente.
Se proporciona un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con otra forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye un circuito excitador que genera una señal de tensión. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer MOSFET que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal de fuente, y un primer terminal de drenaje. El primer terminal de puerta recibe la seña de tensión desde el circuito excitador a través de un primer circuito de impedancia. El primer terminal de fuente está eléctricamente acoplado a una carga. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un segundo MOSFET que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal de fuente, y un segundo terminal de drenaje. El segundo terminal de drenaje está eléctricamente acoplado al primer terminal de drenaje. El segundo terminal de puerta recibe la señal de tensión desde el circuito excitador a través de un segundo circuito de impedancia. El segundo circuito de fuente está eléctricamente acoplado al primer terminal de fuente. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un primer resistor eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer MOSFET y un nodo. El dispositivo de conmutación eléctrica incluye así mismo un segundo resistor eléctricamente acoplado desde el segundo terminal de puerta del segundo MOSFET y el nodo. Cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador a través de los primero y segundo circuitos de impedancia, respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de drenaje es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de drenaje, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de drenaje del primer MOSFET haga una fuente de tensión que es sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de drenaje del segundo MOSFET hacia la fuente de tensión.
Otros dispositivos de acuerdo con las formas de realización resultarán o son evidentes para la persona experta en la materia tras el análisis de los dibujos y de la descripción detallada subsecuentes previstos solo a modo de ejemplo. Se pretende que todos dichos sistemas y procedimientos adicionales se incluyan en el alcance de la presente invención y que estén protegidos por las reivindicaciones que se acompañan.
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 es un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con una forma de realización ejemplar;
la Figura 2 ilustra unas primera, segunda, y tercera señales de tensión aplicadas a los terminales de puerta de los primero, segundo, y tercero IGBTs, respectivamente, durante una condición de conmutación en el dispositivo de conmutación eléctrica de la Figura 1;
la Figura 3 ilustra unas primera, segunda, y tercera corrientes eléctricas que fluyen a través de los primero, segundo, y tercero IGBTs, respectivamente, durante una condición de conmutación en el dispositivo de conmutación eléctrica de la Figura 1;
la Figura 4 ilustra unos primero, segundo, y tercero niveles de energía asociados con unos primero, segundo, y tercero IGBTs, respectivamente, durante una condición de conmutación en el dispositivo de conmutación eléctrica de la Figura 1;
la Figura 5 ilustra unas primera, segunda, y tercera tensiones de colector a emisor asociadas con unos primero, segundo, y tercero IGBTs, respectivamente, durante una condición de conmutación en el dispositivo de conmutación eléctrica de la Figura 1; y
la Figura 6 ilustra un dispositivo de conmutación eléctrica de acuerdo con otra forma de realización ejemplar.
Descripción detallada de la invención
Con referencia a la Figura 1, en ella se ilustra un dispositivo de conmutación eléctrica 10 para el suministro de corrientes eléctricas eléctricamente equilibradas hacia una carga 64 de acuerdo con una forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica 10 incluye un circuito excitador de puerta 12, unos IGBTs 14, 16, 18, unos circuitos de impedancia 50, 52, 54, unos resistores 58, 60, 62 y una fuente de tensión 63.
El circuito excitador de puerta 12 genera una señal de tensión que tiene una tensión positiva para la apertura de los IGBTs 14, 16, 18. En particular, el circuito excitador de puerta 12 genera una señal de tensión en el nodo 66 para abrir los IGBTs 14, 16, 18 de tal manera que los IGBTs 14, 16, 18 suministran unas corrientes eléctricas (l1), (l2), (l3), respectivamente, hacia la carga 64. Así mismo, el circuito excitador de puerta 12 suprime la señal de tensión para cerrar los IGBTs 14, 16, 18 de manera que los IGBTs 14, 16, 18 cesan de alimentar las corrientes eléctricas (11), (12), (13), respectivamente, hacia la carga 64. En una forma de realización ejemplar, la señal de tensión es reiteradamente generada a una frecuencia predeterminada, dentro de una gama de frecuencias de 10 a 10.000 Hz por ejemplo.
Los IGBTs 14, 16, 18 están dispuestos para alimentar las corrientes eléctricas (11), (12), (13), respectivamente hacia la carga 64. Los IGBTs 14, 16, 18 están eléctricamente acoplados en paralelo entre los nodos 76 y 78.
El IGBT 14 incluye un terminal de puerta 20, un terminal 22 del colector, y un terminal de emisor 24. El terminal de puerta 20 está eléctricamente acoplado a un nodo 70. El terminal 22 del colector está eléctricamente acoplado al nodo 78 el cual está a su vez eléctricamente acoplado a la fuente de tensión 63. Cuando el circuito excitador de puerta 12 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 66, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 50 hacia el terminal de puerta 20 para abrir el IGBT 14. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 12 no genera la señal de tensión en el nodo 66, el IGBT 14 es cerrado.
El IGBT 16 incluye un terminal de puerta 26, un terminal 28 del colector, y un terminal de emisor 30. El terminal de puerta 26 está eléctricamente acoplado a un nodo 72. El terminal 28 del colector está eléctricamente acoplado al nodo 78, el cual a su vez está eléctricamente acoplado a la fuente de tensión 63. Cuando el circuito excitador de puerta 12 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 66, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 52 hacia el terminal de puerta 26 para abrir el IGBT 16. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 12 no genera la señal de tensión en el nodo 66, el IGBT 16 es cerrado.
El IGBT 18 incluye un terminal de puerta 32, un terminal 34 del colector, y un terminal de emisor 36. El terminal de puerta 32 está eléctricamente acoplado a un nodo 74. El terminal 34 del colector está eléctricamente acoplado al nodo 78 el cual a su vez está eléctricamente acoplado a la fuente de tensión 63. Cuando el circuito excitador de puerta 12 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 66, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 54 hacia el terminal de puerta 32 para abrir el IGBT 18. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 12 no genera la señal de tensión en el nodo 66, el IGBT 18 es cerrado.
Los resistores 58, 60, 62 están previstos para mantener una tensión sustancialmente igual (por ejemplo tensión puerta a emisor) en cada uno de los terminales de puerta 20, 26, 32 de los IGBTs 14, 16, 18, respectivamente. En particular, cuando la tensión en los terminales de puerta 20, 26, 32 es respectivamente mantenida como tensiones sustancialmente iguales, (por ejemplo, dentro de un margen de un 20% entre sí), las corrientes (l1), (l2), y (l3) suministradas por los IGBTs 14, 16, 18, respectivamente, tienen un valor sustancialmente igual entre sí. Así mismo, la cantidad de energía consumida por los IGBTs 14, 16, 18, durante una condición de conmutación es sustancialmente igual de los unos respecto a los otros. Como se muestra, el resistor 58 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 20 y un nodo 68. El resistor 60 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 26 y el nodo 68. El resistor 62 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 32 y el nodo 68. Cada uno de los resistores 58, 60, 62 pueden tener una resistencia comprendida entre 0,01 y 10 ohmios.
La fuente de tensión 63 está configurada para suministrar una corriente eléctrica a la carga 64. La fuente de tensión 63 está eléctricamente acoplada entre el nodo 78 y la carga 64. La carga 64 comprende uno o más dispositivos o elementos de circuito que tienen una impedancia. Como se muestra, la carga 64 está eléctricamente acoplada entre la fuente de tensión 63 y el nodo 76.
Con referencia a las Figuras 2-5, se expondrá el esquema ejemplar de señal de las señales generadas por el dispositivo de conmutación eléctrica 10. El esquema de señales 84, 86, 88 se corresponde con las tensiones puerta a emisor de los IGBTs 14, 16, 18 cuando los IGBTs pasan de un estado operacional "abierto" a un estado operacional "cerrado" durante un intervalo de tiempo desde el tiempo T1 hasta el tiempo T2. Como se muestra, los esquemas de señal 84, 86, 88 tienen unas amplitudes sustancialmente similares que indican que las tensiones de puerta a emisor de los IGBTs 14, 16, 18 son sustancialmente iguales entre sí a lo largo del intervalo de tiempo.
Los esquemas de señal 102, 104, 106 se corresponden con las tensiones de colector a emisor de los IGBTs 14, 16, 18 cuando los IGBTs pasan de un estado operacional "abierto" a un estado operacional "cerrado" a lo largo de un intervalo de tiempo desde el tiempo T1 a T2. Como se muestra, los esquemas de señal 102, 104, 106 tienen unas amplitudes sustancialmente similares que indica que las tensiones de colector a emisor de los IGBTs 14, 16, 18 son sustancialmente iguales entre sí a lo largo del intervalo de tiempo.
Los esquemas de señal 90, 92, 94 se corresponden a las corrientes (11), (12), (13), respectivamente, que son suministradas por los IGBTs 14, 16, 18, respectivamente, cuando los IGBTs pasan del estado operacional "abierto" al estado operacional "cerrado" a lo largo del intervalo de tiempo del tiempo T1 al tiempo T2. Como se muestra, los esquemas de señal 90, 92, 94 tienen unas amplitudes sustancialmente similares que indican que las corrientes (l1), (l2), (l3), son sustancialmente iguales entre sí a lo largo de un intervalo de tiempo.
Los esquemas de señal 96, 98, 100 corresponden a los niveles de energía de los IGBTs 14, 16, 18 cuando los IGBTs pasan del estado operacional "abierto" al estado operacional "cerrado" a lo largo del intervalo de tiempo desde el tiempo T1 hasta el tiempo T2. Como se muestra, los esquemas de señal 96, 98, 100 tienen unas amplitudes sustancialmente similares que indican que la energía utilizada por los IGBTs es sustancialmente igual en unos y otros transistores a lo largo del intervalo de tiempo.
En una forma de realización alternativa, los IGBTs 14, 16, 18 del dispositivo de conmutación eléctrica 10 pueden ser sustituidos con unos primero, segundo, y tercero MOSFETs, respectivamente. En particular, el terminal de puerta del primer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 70. Así mismo, el terminal de emisor del primer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 76. Así mismo, el terminal del colector del primer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 78. Así mismo, el terminal de puerta del segundo MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 72. El terminal de emisor del segundo MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 76. El terminal del colector del segundo MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 78. Así mismo, el terminal de puerta del tercer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 74. El terminal del emisor del tercer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 76. El terminal del colector del tercer MOSFET estaría eléctricamente acoplado al nodo 78.
Con referencia a la Figura 6, en ella se ilustra un dispositivo de conmutación eléctrica 120 para suministrar corrientes eléctricas equilibradas a una carga 174 de acuerdo con otra forma de realización ejemplar. El dispositivo de conmutación eléctrica 120 incluye un circuito excitador de puerta 122, unos transistores de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFETs) 124, 126, 128, unos circuitos de impedancia 160, 162, 164, unos resistores 166, 168, 170, y una fuente de tensión 172.
El circuito excitador de puerta 122 genera una señal de tensión que tiene una tensión positiva para abrir los MOSFETs 124, 126, 128. En particular, el circuito excitador de puerta 122 genera una señal de tensión que tiene una tensión positiva en el nodo 176 para abrir los MOSFETs 124, 126, 128 de manera que los MOSFETs 124, 126, 128 suministran las corrientes eléctricas (14), (15), (16), respectivamente, hacia la carga 174. Así mismo, el circuito excitador de puerta 122 suprime la señal de tensión en el nodo 176 para cerrar los MOSFETs 124, 126, 128 de manera que los MOSFETs
124, 126, 128 cesan de suministrar las corrientes eléctricas (14), (15), (16), respectivamente, a la carga 174.
Los MOSFETs 124, 126, 128 están dispuestos para suministrar corrientes eléctricas (14), (15), (16), respectivamente, a la carga 174. Los MOSFETs 124, 126, 128 están eléctricamente acoplados en paralelo entre los nodos 186 y 188.
El MOSFET 124 incluye un terminal de puerta 130, un terminal de fuente 132, y un terminal de drenaje 134. El terminal de puerta 130 está eléctricamente acoplado a un nodo 180. El terminal de fuente 132 está eléctricamente acoplado al nodo 188 el cual a su vez está eléctricamente acoplado a la carga 174. El terminal de drenaje 134 está eléctricamente acoplado al nodo 186. Cuando el circuito excitador de puerta 122 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 176, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 160 hacia el terminal de puerta 130 para abrir el MOSFET 124. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 122 no genera la señal de tensión en el nodo 176, el MOSFET 124 es cerrado.
El MOSFET 126 incluye un terminal de puerta 136, un terminal de fuente 138, y un terminal de drenaje 140. El terminal de puerta 136 está eléctricamente acoplado a un nodo 182. El terminal de fuente 138 está eléctricamente acoplado al nodo 188 el cual a su vez está acoplado a la carga 174. El terminal de drenaje 140 está eléctricamente acoplado al nodo 186. Cuando el circuito excitador de puerta 122 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 176, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 162 hacia el terminal de puerta 136 para abrir el MOSFET 126. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 122 no genera la señal de tensión en el nodo 176, el MOSFET 126 es cerrado.
El MOSFET 128 incluye un terminal de puerta 142, un terminal de fuente 144, y un terminal de drenaje 146. El terminal de puerta 142 está eléctricamente acoplado a un nodo 184. El terminal de fuente 144 está eléctricamente acoplado al nodo 188 el cual a su vez está eléctricamente acoplado a la carga 174. El terminal de drenaje 146 está eléctricamente acoplado al nodo 186. Cuando el circuito excitador de puerta 122 genera una señal de tensión con una tensión positiva en el nodo 176, una porción de la señal de tensión se propaga a través del resistor 164 hacia el terminal de puerta 142 para abrir el MOSFET 128. Como una alternativa, cuando el circuito excitador de puerta 122 no genera la señal de tensión en el nodo 176, el MOSFET 128 es cerrado.
Los resistores 166, 168, 170 están previstos para mantener una tensión sustancialmente igual (por ejemplo una tensión de drenaje a fuente) en cada uno de los terminales de puerta 130, 136, 142 de los MOSFETs 124, 126, 128, respectivamente. En particular, cuando la tensión en los terminales de puerta 130, 136, 142 es mantenida como unas tensiones sustancialmente iguales, las corrientes (14), (15), y (16) suministradas por los MOSFETs 124, 126, 128, respectivamente, tienen un valor sustancialmente igual unas de otras. Así mismo, la cantidad de energía consumida por los MOSFETs 124, 126, 128 durante la condición de conmutación es sustancialmente igual de unos con respecto a otros. Como se muestra, el resistor 166 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 130 y un nodo 178. El resistor 168 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 136 y el nodo 178. El resistor 170 está eléctricamente acoplado entre el terminal de puerta 142 y el nodo 178.
La fuente de tensión 172 está configurada para suministrar una corriente eléctrica a la carga 174. La fuente de tensión 172 está eléctricamente acoplada entre la carga 174 y el nodo 186. La carga 174 comprende uno o más dispositivos o elementos de circuito que tienen una impedancia. Como se muestra, la carga 174 está eléctricamente acoplada a la fuente de tensión 172 y al nodo 188.
En una forma de realización alternativa, los MOSFETs 124, 126, 128 del dispositivo de conmutación eléctrica 120 pueden ser sustituidos por unos primero, segundo, y tercero IGBTs, respectivamente. En particular, un terminal de puerta del primer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 180. Un terminal de drenaje del primer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 186. Un terminal de fuente del primer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 188. Así mismo, el terminal de puerta del segundo IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 182. Un terminal de drenaje del segundo IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 186. Un terminal de fuente del segundo IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 188. Así mismo, un terminal de puerta del tercer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 184. Un terminal de drenaje del tercer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 186. Un terminal de fuente del tercer IGBT estaría eléctricamente acoplado al nodo 188.
Los dispositivos de conmutación eléctrica inventivos proporcionan una ventaja sustancial respecto de otros dispositivos de conmutación. En particular, los dispositivos de conmutación eléctrica proporcionan el efecto técnico de equilibrar las corrientes suministradas por los IGBTs o los MOSFETs a una carga.
Aunque la invención se ha descrito con referencia a una forma de realización ejemplar, debe entenderse por parte de los expertos en la materia que pueden llevarse a cabo diversos cambios y que pueden sustituirse las equivalencias de sus elementos sin apartarse del alcance de la invención. Así mismo, pueden efectuarse muchas modificaciones respecto de las enseñanzas contenidas en la invención, para adaptarse a una situación concreta sin apartarse de su alcance. Por consiguiente, se pretende que la invención no quede limitada a la forma de realización divulgada de llevar a la práctica la presente invención, sino que la invención incluye todas las formas de realización que caigan dentro del alcance de las reivindicaciones previstas. Así mismo, el uso de los términos primero, segundo, etc., no indica ningún orden de importancia, sino que por el contrario los términos primero, segundo, etc., se utilizan para distinguir un elemento de otro.

Claims (10)

1. Un dispositivo de conmutación eléctrica, que comprende:
\quad
un circuito excitador (12) que genera una señal de tensión;
\quad
un primer IGBT (14) que tiene un primer terminal de puerta (20), un primer terminal (22) del colector, y un primer terminal de emisor (24), recibiendo el primer terminal de puerta (20) la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un primer circuito de impedancia (50), estando el primer terminal (22) del colector eléctricamente acoplado a una fuente de tensión (63);
\quad
un segundo IGBT (16) que tiene un segundo terminal de puerta (26), un segundo terminal (28) del colector, y un segundo terminal de emisor (30), estando el segundo terminal de emisor (30) eléctricamente acoplado al primer terminal de emisor (24), recibiendo el segundo terminal de puerta (26) la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un segundo circuito de impedancia (52), estando el segundo terminal (28) del colector eléctricamente acoplado al terminal (22) del colector;
\quad
un primer resistor (58) eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) y un nodo (68); y
\quad
un segundo resistor (60) eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) y el nodo (68), de tal manera que, cuando los primero y segundo terminales de puerta (20, 26) reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de los primero y segundo circuitos de impedancia (50, 52), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta (20) y el primer terminal de emisor (24) es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta (26) y el segundo terminal de emisor (30), dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de emisor (24) del primer IGBT (14) hacia una carga (64) para que sea sustancialmente igual a una segun- da corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor (30) del segundo IGBT (16) hacia la carga (64);
\quad
caracterizado porque:
el extremo del primer resistor (58) conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) está conectado al extremo del primer circuito de impedancia (50) el cual está conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14);
el extremo del segundo resistor (60) conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia (52) el cual está conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16);
en el que los primero y segundo resistores (58, 60) están previstos para mantener una tensión de puerta a emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta (20, 26) de los IGBTs (14, 16), respectivamente.
2. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 1, en el que los primero y segundo resistores (58, 60) tienen una resistencia comprendida entre 0,01 y 10 ohmios.
3. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 1, en el que la señal de tensión tiene una frecuencia de 10 a 100.000 Hertzios.
4. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 1, que así mismo comprende:
\quad
un tercer IGBT (18) que tiene un tercer terminal de puerta (32), un tercer terminal (34) del colector, y un tercer terminal de emisor (36), estando el tercer terminal de emisor (36) eléctricamente acoplado al segundo terminal de emisor (30), recibiendo el tercer terminal de puerta (32) la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un tercer circuito de impedancia (54), estando el tercer terminal (78) del colector eléctricamente acoplado al segundo terminal (28) del colector; y
\quad
un tercer resistor (67) eléctricamente acoplado entre el tercer terminal de puerta (32) del tercer IGBT (18) y el nodo (68), de tal manera que, cuando los primero, segundo, y tercer terminales de puerta (20, 26, 32), reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de los primero, segundo, y tercer circuitos de impedancia (50, 52, 54), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta (20) y el primer terminal de emisor (24) sustancialmente igual tanto a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta (26) y el segundo terminal de emisor (30) como a una tercera tensión entre el tercer terminal de puerta (32) y el tercer terminal de emisor (36), dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de emisor (24) del primer IGBT (14) hacia la carga (64) para que sea sustancialmente igual tanto a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor (30) del segundo IGBT (16) hacia la carga (64) como una tercera corriente que fluye desde el tercer terminal de emisor (36) del tercer IGBT (18) hacia la carga (64).
5. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 1, en el que las primera y segunda cantidades de energía eléctrica utilizadas por el primer IGBT (14) y el segundo IGBT (16), respectivamente, durante una condición de conmutación son sustancialmente iguales entre sí.
6. Un dispositivo de conmutación eléctrica, que comprende:
\quad
un circuito excitador (122) que genera una señal de tensión;
\quad
un primer IGBT que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal del colector, y un primer terminal de emisor, recibiendo el primer terminal de puerta la señal de tensión desde el circuito excitador (122) a través de un primer circuito de impedancia (160), estando el primer terminal del colector eléctricamente acoplado a una carga (174);
\quad
un segundo IGBT que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal del colector, y un segundo terminal de emisor, estando el segundo terminal de emisor eléctricamente acoplado al primer terminal de emisor, recibiendo el segundo terminal de puerta la señal de tensión desde el circuito excitador (122) a través de un segundo circuito de impedancia (162), estando el segundo terminal del colector eléctricamente acoplado al primer terminal del colector;
\quad
un primer resistor (166) eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer IGBT (124) y un nodo (178); y
\quad
un segundo resistor (168) eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta del segundo IGBT y el nodo (178), de tal manera que, cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (122) a través de los primero y segundo circuitos de impedancia (160, 162), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de emisor es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de emisor, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de emisor del primer IGBT hacia una fuente de tensión (172) para que sea sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de emisor del segundo IGBT hacia la fuente de tensión (172);
\quad
caracterizado porque:
el extremo del primer resistor (58) conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) está conectado al extremo del primer circuito de impedancia (50) el cual está conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14);
el extremo del segundo resistor (60) conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia (52) el cual está conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16);
en el que los primero y segundo resistores (58, 60) están previstos para mantener una tensión de puerta a emisor sustancialmente igual en cada uno de los terminales de puerta (20, 26) de los IGBTs (14, 16), respectivamente.
7. Un dispositivo de conmutación eléctrica, que comprende:
\quad
un circuito excitador (12) que genera una señal de tensión;
\quad
un primer MOSFET que tiene un primer terminal de puerta, un primer terminal de fuente y un primer terminal de drenaje, recibiendo el primer terminal de puerta la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un primer circuito de impedancia (50), estando el primer terminal de fuente eléctricamente acoplado a una fuente de tensión (63);
\quad
un segundo MOSFET que tiene un segundo terminal de puerta, un segundo terminal de fuente, y un segundo terminal de drenaje, estando el segundo terminal de drenaje eléctricamente acoplado al primer terminal de drenaje, recibiendo el segundo terminal de puerta la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un segundo circuito de impedancia (52), estando el segundo terminal de fuente eléctricamente acoplado al primer terminal de fuente;
\quad
un primer resistor (58) eléctricamente acoplado entre el primer terminal de puerta del primer MOSFET y un nodo (68); y
\quad
un segundo resistor (62) eléctricamente acoplado entre el segundo terminal de puerta del segundo MOSFET y el nodo (68), de tal manera que, cuando los primero y segundo terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de los primero y segundo circuitos de impedancia (50, 52), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de drenaje es sustancialmente igual a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de drenaje, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de drenaje del primer MOSFET hacia una carga (64) para que sea sustancialmente igual a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de drenaje del segundo MOSFET hacia la carga (64),
\quad
caracterizado porque:
el extremo del primer resistor (58) conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14) está conectado al extremo del primer circuito de impedancia (50) el cual está conectado al primer terminal de puerta (20) del primer IGBT (14);
el extremo terminal del segundo resistor (60) conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16) está conectado al extremo del segundo circuito de impedancia (52) el cual está conectado al segundo terminal de puerta (26) del segundo IGBT (16);
en el que los primero y segundo resistores (58, 60) están previstos para mantener una tensión de puerta a emisor sustancialmente igual a cada uno de los terminales de puerta (20, 26) de los IGBTs (14, 16), respectivamente.
8. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 7, en el que los primero y segundo resistores (50, 68) tienen una resistencia comprendida entre 0,01 y 10 ohmios.
9. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 7, en el que la señal de tensión tiene una frecuencia de 10 a 100.000 Hertzios.
10. El dispositivo de conmutación eléctrica de la reivindicación 7, que así mismo comprende:
\quad
un tercer MOSFET que tiene un tercer terminal de puerta, un tercer terminal del colector, y un tercer terminal de emisor, recibiendo el tercer terminal de puerta, la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de un tercer circuito de impedancia (54), estando el tercer terminal del colector eléctricamente acoplado al segundo terminal del colector; y
\quad
un tercer resistor (62) eléctricamente acoplado entre el tercer terminal de puerta del tercer MOSFET y el nodo (68), de tal manera que, cuando los primero, segundo, y tercer terminales de puerta reciben la señal de tensión desde el circuito excitador (12) a través de los primero, segundo, y tercer circuitos de impedancia (50, 52, 54), respectivamente, una amplitud de una primera tensión entre el primer terminal de puerta y el primer terminal de drenaje es sustancialmente igual tanto a una segunda tensión entre el segundo terminal de puerta y el segundo terminal de drenaje como a una tercera tensión entre el tercer terminal de puerta y el tercer terminal de emisor, dando como resultado una primera corriente que fluye desde el primer terminal de drenaje del primer MOSFET hacia la carga (64) para que sea sustancialmente igual tanto a una segunda corriente que fluye desde el segundo terminal de drenaje del segundo MOSFET hacia la carga (64) como a una tercera corriente que fluye desde el tercer terminal de emisor del tercer MOSFET hacia la carga (64).
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