ES2327890B2 - Dispositivo de filtrado de ondas acusticas de volumen. - Google Patents
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Abstract
Dispositivo de filtrado de ondas acústicas de
volumen
BAW, que comprende una pluralidad de filtros, con una pluralidad de resonadores, con frecuencias de resonancia diferentes integrados en un sustrato común, cuyo método de fabricación comprende:
BAW, que comprende una pluralidad de filtros, con una pluralidad de resonadores, con frecuencias de resonancia diferentes integrados en un sustrato común, cuyo método de fabricación comprende:
- depositar una estructura de aislamiento
acústico y eléctrico (2, 3) sobre la superficie superior de un
sustrato,
- depositar una capa de un metal como electrodo
inferior (4) y semilla para el crecimiento de la capa
subsiguiente,
- depositar secuencialmente una pluralidad de
capas delgadas de material piezoeléctrico (5,6) sobre el electrodo
inferior (4), situadas en las posiciones donde un resonador, con la
frecuencia correspondiente al espesor de dichas capas, se quiera
situar, y su posterior grabado,
- eliminar todo el material usado como máscara
en el grabado realizado,
- depositar, sobre todos los resonadores, una
capa metálica de espesor constante, que constituye el electrodo
superior (7) de cada resonador de cada filtro.
Description
Dispositivo de filtrado de ondas acústicas de
volumen.
La invención se encuadra en el sector técnico de
los dispositivos electroacústicos usados en dispositivos
electrónicos y susceptibles de ser integrados con otros circuitos
electrónicos, como por ejemplo filtros de señales eléctricas de alta
frecuencia en equipos de comunicaciones digitales inalámbricas,
como los sistemas de telefonía móvil.
Los resonadores de ondas acústicas de volumen
BAW (Bulk Acoustic Wave) son dispositivos que contienen una
película delgada de un material piezoeléctrico interpuesta entre
dos películas delgadas metálicas que constituyen los electrodos del
dispositivo. Esta estructura tiene una frecuencia de resonancia cuyo
valor depende principalmente del espesor de la película del
material piezoeléctrico, y es utilizada habitualmente como un
componente de un filtro de radiofrecuencia en, por ejemplo, equipos
de telefonía móvil. Un ejemplo típico de dichos filtros es el
llamado filtro en escalera que contiene dos tipos de resonadores
con frecuencias ligeramente distintas: el resonador serie y el
resonador paralelo, colocados respectivamente en serie y paralelo
con la señal a filtrar. Se suelen usar varias etapas de esta
asociación de resonadores para constituir un filtro completo.
Además del espesor de la película del material piezoeléctrico,
también afectan a la frecuencia de resonancia del resonador BAW los
espesores del resto de la capas que conforman el resonador, entre
los que se incluyen los electrodos, las capas de aislamiento
acústico del sustrato, las capas de pasivado y las capas de
carga.
En el caso de los filtros en escalera, los dos
tipos de resonadores (serie y paralelo) suelen tener la misma
estructura de capas, excepto una película adicional de espesor muy
bajo (carga) que se sitúa sobre el resonador paralelo con el fin de
disminuir ligeramente su frecuencia de resonancia, de tal manera que
la frecuencia central del filtro, entendiendo por tal la frecuencia
intermedia entre los bordes de la banda de transmisión del filtro,
coincide con la frecuencia de la resonancia serie del resonador
serie y con la resonancia paralelo del resonador paralelo.
Para que los resonadores tengan un alto factor
de calidad, éstos se aíslan acústicamente del sustrato. El
aislamiento acústico puede conseguirse suspendiendo el resonador
por encima del sustrato mediante técnicas de micromecanizado, o
usando los llamados espejos acústicos que consisten en apilamientos
de capas de materiales con diferente impedancia acústica cuyos
espesores son aproximadamente iguales a una cuarta parte de la
longitud de la onda de frecuencia característica que se propaga en
su interior. En el caso del aislamiento mediante espejos acústicos,
la reflectancia acústica del espejo para cada frecuencia depende,
además, del espesor de cada capa, del número de capas alternadas de
alta y baja impedancia acústica, de la diferencia entre las
impedancias acústicas de los dos tipos de material, de la rugosidad
de las capas, o de las inhomogeneidades. Es posible diseñar espejos
acústicos con frecuencia central, anchos de banda y coeficiente de
reflexión de valores muy diversos.
En los sistemas de telecomunicación inalámbrica
multibanda, como por ejemplo los teléfonos móviles multibanda,
existe la necesidad de usar filtros de frecuencias centrales
sustancialmente diferentes unas de otras. Existe un gran interés en
conseguir la integración de estos filtros en sustratos únicos para
disminuir el tamaño de los componentes y por tanto de los sistemas,
reducir el consumo y mejorar las prestaciones. Sin embargo, aunque
es bien conocido el método de implementar un filtro mediante la
carga de uno de sus resonadores con una película delgada para el
ajuste de su frecuencia, no es tan inmediato el método que permita
la integración en un sólo sustrato de varios filtros de frecuencia
central sustancialmente distinta y que difiera en pocos pasos
tecnológicos del método convencional de fabricación de un filtro de
una sola frecuencia.
Se han propuesto diversos métodos para conseguir
esto. Uno de ellos consiste en el depósito de una capa única de
material piezoeléctrico con el espesor característico de la
frecuencia de resonancia menor del filtro que se desea integrar, y
el posterior ataque parcial de la capa para ajustar los resonadores
de mayor frecuencia [patente EP1221770A1]. En otra propuesta,
similar a la anterior, el espesor de la capa única de material
piezoeléctrico se ajusta al espesor característico de la frecuencia
de resonancia mayor del filtro que se desea integrar, y a
continuación se realiza un recrecimiento parcial de esta capa para
ajustar los resonadores de frecuencia menor. También se ha
propuesto el uso de electrodos de distintos materiales y espesores
[patente US7180224 B2].
Por tanto, es necesario un método de fabricación
de varios filtros basados en resonadores BAW con frecuencias
centrales sustancialmente diferentes sobre un único sustrato, que
además, no implique la adición de un número sustancial de pasos
adicionales a los procesos de fabricación existentes para la
fabricación de un filtro con una única frecuencia central sobre
dicho sustrato.
La presente invención se refiere a un método de
fabricación de un dispositivo de filtrado de ondas acústicas de
volumen BAW (Bulk Acoustic Wave) que comprende una pluralidad
filtros, compuestos por resonadores de ondas acústicas de volumen
BAW, con frecuencias de resonancia sustancialmente diferentes,
integrados sobre un único sustrato, que comprende:
- -
- una primera etapa de depósito de una estructura de aislamiento acústico y eléctrico sobre la superficie superior de un sustrato en el que pueden o no estar integrados previamente circuitos electrónicos;
- -
- una segunda etapa de depósito de una capa de un metal que sirve como electrodo inferior y semilla para el crecimiento de la capa subsiguiente,
- -
- una tercera etapa de depósito de una pluralidad de capas delgadas de material piezoeléctrico, de distintos espesores, sobre el electrodo inferior, y su posterior grabado de manera secuencial e iterativa, de tal manera que cada capa de material piezoeléctrico tenga un espesor correspondiente a cada una de las diferentes frecuencias de resonancia deseadas, estando situada cada capa de diferente espesor de material piezoeléctrico en las posiciones donde un resonador con la frecuencia correspondiente a ese espesor se quiera situar.
- Esta tercera etapa comprende:
- -
- una primera subetapa de depósito de una capa de material piezoeléctrico con el espesor requerido para la frecuencia deseada, en una zona del electrodo inferior de la segunda etapa,
- -
- una segunda subetapa de depósito y grabado de material máscara sobre las zonas, de la capa de material piezoeléctrico depositado en la primera subetapa, donde se quiera proteger del ataque químico que se usa para eliminarlo del resto de la superficie,
- -
- una tercera subetapa de eliminación, por ataque químico, de todo el material piezoeléctrico no protegido por el material máscara.
- Se repetirán estas subetapas de manera secuencial e iterativa hasta que se hayan depositado y definido tantas capas de material piezoeléctrico como sean necesarias para obtener los resonadores de distintas frecuencias de resonancia.
- -
- Una cuarta etapa de eliminación de todo el material usado como máscara en los sucesivos procesos de definición de los resonadores
- -
- una quinta etapa de depósito y su grabado, sobre todos los resonadores, de una capa metálica de espesor constante, que constituye el electrodo superior de cada resonador de cada filtro.
\vskip1.000000\baselineskip
Tras la quinta etapa se continúa el procesado
como si un sólo tipo de resonador fuera a ser fabricado.
Este procedimiento de obtener capas del material
piezoeléctrico con diferentes espesores en zonas diferentes de un
mismo sustrato tiene como principal ventaja el utilizar siempre
para el crecimiento del material piezoeléctrico el mismo sustrato,
el electrodo inferior. Se evitan los procesos, siempre
dificultosos, de realizar ataques parciales de películas delgadas
para obtener espesores menores, así como los procesos de
recrecimiento de materiales piezoeléctricos que son también de una
gran dificultad debido a la degradación de las propiedades del
material recrecido. El número de pasos tecnológicos adicionales
para cada conjunto de resonadores con frecuencia de resonancia
sustancialmente diferente es escaso ya que sólo incluye el depósito
de una máscara para el ataque del piezoeléctrico y su definición,
el ataque del material piezoeléctrico, la limpieza y
acondicionamiento del electrodo inferior, el depósito de un nuevo
material piezoeléctrico de otro espesor.
A continuación se pasa a describir de manera muy
breve una serie de dibujos que ayudan a comprender mejor la
invención y que se relacionan expresamente con una realización de
dicha invención que se presenta como un ejemplo no limitativo de
ésta:
La Figura 1 es un esquema del corte transversal
del dispositivo, con las estructuras apiladas de capas para
resonadores que pueden ser usados en dos filtros con frecuencias
sustancialmente diferentes.
La Figura 2 muestra un esquema de las etapas
primera y segunda del procedimiento de fabricación del dispositivo
representado en la Figura 1.
La Figura 3 muestra un esquema de las subetapas
de la etapa 3 del método de obtención del dispositivo de la figura
1.
La Figura 4 muestra un esquema de la etapa 4 del
método de obtención del dispositivo de la figura 1.
La Figura 5 muestra un esquema de la etapa 5 del
método de obtención del dispositivo de la figura 1.
La Figura 6 muestra un esquema del dispositivo
con una capa de carga en los resonadores paralelo.
\newpage
En las figuras se incluyen unas referencias
numéricas que representan los elementos utilizados en la
realización preferida sin que ello suponga carácter limitativo
alguno de la invención:
- 1.-
- sustrato
- 2.-
- capa de material con alta impedancia acústica
- 3.-
- capa de material con baja impedancia acústica
- 4.-
- electrodo inferior
- 5.-
- primera capa de material piezoeléctrico
- 6.-
- segunda capa de material piezoeléctrico
- 7.-
- electrodo superior
- 8.-
- capa de carga
- 9.-
- primera capa de material máscara
- 10.-
- segunda capa de material máscara
- 11.-
- resonador serie del filtro 1
- 12.-
- resonador paralelo del filtro 1
- 13.-
- resonador serie del filtro 2
- 14.-
- resonador paralelo del filtro 2
- 15.-
- filtro 1
- 16.-
- filtro 2
\vskip1.000000\baselineskip
Con objeto de clarificar la invención se
describe un ejemplo concreto de integración en un mismo sustrato de
filtros de transmisión y recepción de dos bandas usadas en
telefonía móvil. El total de filtros con frecuencia central distinta
es en este caso de cuatro, aunque un mayor número de ellos pueden
ser integrados en el mismo sustrato, cada uno de ellos con dos
tipos de resonadores con frecuencia de resonancia ligeramente
distinta que se consiguen cargando con una capa adicional el
electrodo superior de los de más baja frecuencia como es habitual
en este tipo de filtros. Las referencias en esta sección se hacen a
la figura 1. En esta figura sólo se han representado dos filtros
(15, 16) de los cuatro filtros mencionados, con un resonador en
serie (11, 13) y otro en paralelo (12, 14) cada uno.
Se parte, como primera etapa, de un sustrato (1)
que posee una superficie plana, como por ejemplo una oblea de
silicio monocristalino que puede contener circuitos electrónicos
integrados . Se deposita sobre la superficie plana una sucesión de
capas de un material con alta impedancia acústica (2) como el
Si_{3}N_{4}, alternadas con capas de otro material con baja
impedancia acústica (3), como el SiOC, pudiendo ser de otros
materiales como W, AlN, SiO_{2}, etc., como puede verse en la
figura 2.
Este conjunto de capas constituye el aislamiento
acústico en forma de espejo de Bragg. El diseño de este espejo es
tal que la reflectancia acústica sea lo mayor posible en la banda
de frecuencia donde se engloben las frecuencias centrales de los
filtros a integrar. Si estas frecuencias son muy distintas, se
podrían diseñar y fabricar distintos espejos en las distintas áreas
donde los resonadores o conjuntos de resonadores tuvieran las
frecuencias correspondientes.
El siguiente paso, o segunda etapa, es depositar
y definir mediante las técnicas habituales de fotolitografía y
ataque el electrodo inferior (4), como se muestra en la figura 2.
Este electrodo debe ser un metal o apilamiento de metales de alta
conductancia eléctrica que, además, permita el crecimiento del
material piezoeléctrico (5) y (6) con suficiente buena calidad
estructural y piezoeléctrica. Este electrodo ha de ser también
compatible con el método de ataque del material piezoeléctrico (5) y
(6) hasta el punto de poder soportar el depósito y eliminación de
varias capas de dicho material piezoeléctrico, permitiendo después
de cada proceso el crecimiento de una nueva capa de material
piezoeléctrico de buena calidad. En el ejemplo este electrodo
inferior. (4) está formado por una capa delgada de iridio.
El paso siguiente, o tercera etapa (Figura 3),
es el depósito de la primera capa de material piezoeléctrico (5).
Esta capa debe tener un espesor tal que el resonador que se haga
con ella tenga la frecuencia de resonancia deseada. En este ejemplo
se usa el AlN como material piezoeléctrico.
El siguiente paso es depositar y definir una
capa de un material máscara (9) que proteja el material
piezoeléctrico en las zonas donde se quiera proteger del ataque
químico que se usa para eliminarlo del resto de la superficie. En
este ejemplo este material puede ser por ejemplo el molibdeno que
no es atacado por el hidróxido potásico caliente que es el atacante
químico usado habitualmente para eliminar el AlN de las zonas
deseadas.
A continuación se deposita una nueva capa de AlN
de un espesor distinto (6), correspondiente a los resonadores de
otra frecuencia de resonancia. Se vuelve a depositar y definir una
nueva capa del material máscara (Mo) (10) para atacar esta segunda
capa de AlN de todas las zonas deseadas. En las zonas en que ya
exista AlN del depósito anterior (5), éste está protegido por la
correspondiente capa de Mo que no fue retirada (9).
Estos pasos de depósito de AlN, depósito y
definición de Mo y ataque de AlN, se repiten tantas veces como
espesores distintos de AlN se requieran en la superficie del
sustrato, en el caso concreto de este ejemplo, cuatro veces. Al
final la superficie del sustrato estará recubierta de zonas con
espesores distintos de AlN cubiertas por capas de Mo (9) y (10),
como se muestra en la figura 3. El paso siguiente, o cuarta etapa,
consiste en eliminar la máscara protectora (Mo) (9) y (10) como se
muestra en la figura 4, y depositar, en una quinta etapa, una capa
metálica que, una vez definida, constituye el electrodo superior de
los resonadores (7), como se muestra en la figura 5. A partir de
aquí, la fabricación de filtros es como es habitual, usando una
capa de carga (8), como se muestra en la figura 6, para variar
ligeramente la frecuencia de los resonadores paralelo (12, 14), en
los filtros tipo escalera, depositando capas de protección,
recreciendo los contactos y encapsulando, si procede, los
dispositivos.
La aplicación industrial de este invento se
encuentra en los sistemas electrónicos que usen filtros de señales
basados en ondas acústicas de volumen fabricados con películas
delgadas de materiales piezoeléctricos y que requieran la
integración de tales filtros con frecuencias centrales
sustancialmente distintas en el mismo sustrato. Son ejemplos de
estos sistemas aquellos de telefonía móvil con más de una banda de
funcionamiento, sistemas de recepción de señales de posicionamiento
global, sistemas digitales de transmisión de datos, radio digital,
sistemas de radar multicanal, etc.
Claims (4)
1. Método de fabricación de dispositivos de
filtrado de ondas acústicas de volumen que comprenden una pluralidad
de filtros, que comprenden una pluralidad de resonadores, con
frecuencias de resonancia diferentes integrados en un sustrato
común, caracterizado por comprender:
- -
- una primera etapa de depósito de una estructura de aislamiento acústico y eléctrico (2, 3) sobre la superficie superior de un sustrato,
- -
- una segunda etapa de depósito de una capa de un metal como electrodo inferior (4) y semilla,
- -
- una tercera etapa de ejecución secuencial e iterativa de las siguientes subetapas hasta que se hayan depositado y definido tantas capas de material piezoeléctrico como sean necesarias para obtener los resonadores de distintas frecuencias de resonancia deseados:
- -
- una primera subetapa de depósito de una capa de material piezoeléctrico (5, 6) con el espesor requerido para la frecuencia deseada, en una zona del electrodo inferior (4) de la segunda etapa,
- -
- una segunda subetapa de depósito y grabado de material máscara (9, 10) sobre las zonas de la capa de material piezoeléctrico depositado en la primera subetapa, donde se quiera proteger del ataque químico que se usa para eliminarlo del resto de la superficie,
- -
- una tercera subetapa de ataque químico de eliminación de todo el material piezoeléctrico (5, 6) no protegido por el material máscara (9, 10).
\vskip1.000000\baselineskip
2. Método de fabricación según reivindicación 1,
caracterizado porque tras la tercera etapa comprende una
cuarta etapa de eliminación de todo el material usado como máscara
para los diferentes ataques químicos de grabado realizados.
3. Método de fabricación según reivindicación 2,
caracterizado porque tras la cuarta etapa comprende una
quinta etapa de depósito, sobre todos los resonadores, de una capa
metálica de espesor constante y su grabado, que constituye el
electrodo superior (7) de cada resonador de cada filtro.
4. Método de fabricación según reivindicación 3,
caracterizado porque tras la quinta etapa se continúa el
procedimiento como si de un solo resonador se tratara, comprendiendo
las etapas de:
- -
- aplicación de una capa de carga (8) para variar ligeramente la frecuencia de los resonadores paralelo en los filtros tipo escalera,
- -
- depósito de capas de protección,
- -
- récrecimiento de los contactos y
- -
- opcionalmente, encapsulado de los dispositivos.
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221770A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Nokia Corporation | Baw filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
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|---|---|---|---|---|
| US6787048B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
-
2009
- 2009-04-06 ES ES200900936A patent/ES2327890B2/es active Active
-
2010
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1221770A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-10 | Nokia Corporation | Baw filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
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