ES2331606T3 - Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds. - Google Patents

Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds. Download PDF

Info

Publication number
ES2331606T3
ES2331606T3 ES02785901T ES02785901T ES2331606T3 ES 2331606 T3 ES2331606 T3 ES 2331606T3 ES 02785901 T ES02785901 T ES 02785901T ES 02785901 T ES02785901 T ES 02785901T ES 2331606 T3 ES2331606 T3 ES 2331606T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
cdte
film
cds
layer
cdcl2
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES02785901T
Other languages
English (en)
Inventor
Nicola Romeo
Alessio Bosio
Alessandro Romeo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Solar Systems and Equipments SRL
Original Assignee
Solar Systems and Equipments SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from IT2001LU000008A external-priority patent/ITLU20010008A1/it
Priority claimed from ITLU20010011 external-priority patent/ITLU20010011A1/it
Priority claimed from ITLU20010012 external-priority patent/ITLU20010012A1/it
Application filed by Solar Systems and Equipments SRL filed Critical Solar Systems and Equipments SRL
Application granted granted Critical
Publication of ES2331606T3 publication Critical patent/ES2331606T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/162—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS/CdTe photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, depositando dichas películas secuencialmente sobre un sustrato transparente, que comprende las etapas siguientes: - depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre dicho sustrato, - depositar una película de CdS sobre dicha película de TCO, - depositar una película de CdTe sobre dicha película de CdS, - tratar dicha película de CdTe con CdCl 2, - depositar una película de contacto al dorso sobre dicha película de CdTe tratada, caracterizando dicho procedimiento por que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl2 comprende las etapas siguientes: - formar una capa de CdCl2 sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente, - recocido de dicha capa de CdCl2 en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo una atmósfera de gas inerte, - eliminar el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que se evapore cualquier residuo de CdCl2 de la superficie de la película de CdTe.

Description

Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS.
Campo de la invención
La presente invención se refiere al campo de la tecnología de las células solares y más particularmente se refiere a un procedimiento para la producción a gran escala de células solares de CdTe/CdS de película delgada.
Antecedentes de la invención
Tal como es conocido, una configuración típica de una célula solar de CdTe/CdS presenta una secuencia de películas en la organización multicapa que comprende un sustrato de vidrio transparente con una película de óxido conductor transparente (TCO), una película de CdS que representa el conductor n, una película de CdTe que representa el conductor p, y una célula metálica de contacto al dorso. Una célula solar con una organización y estructura de capas de este tipo se da a conocer, por ejemplo, en la patente US nº 5.304.499.
Puede utilizarse vidrio flotado comercial como sustrato transparente aunque, a pesar del bajo coste de dicho vidrio, con frecuencia resultan preferentes vidrios especiales para evitar las desventajas del vidrio flotado, en particular la difusión de Na hacia el interior de la película de TCO.
El TCO más común es In_{2}O_{3}, que contiene 10% de Sn (ITO). Este material presenta una resistividad muy baja, del orden de 3x10^{-4} \Omegacm, y una transparencia elevada (>85%) en el espectro visible. Sin embargo, este material se fabrica mediante pulverización catódica y el blanco de ITO tras varias operaciones forma filamentos que contienen un exceso de In y pueden producirse descargas entre filamentos durante la pulverización catódica, dañando la película. Otro material que se utiliza comúnmente es SnO_{2} dopado con flúor, que, sin embargo, muestra una resistividad más alta, próxima a 10^{-3} \Omegacm, en consecuencia, se requiere una capa de 1 \mum de grosor para que la resistencia de la lámina sea de aproximadamente 10 \Omega/_{cuadrado}. Un grosor elevado de TCO reduce la transparencia y, por lo tanto, la fotocorriente de la célula solar. Finalmente, un nuevo material, Cd_{2}SnO_{4}, ha sido desarrollado por el grupo del NREL (X. Wu et al., Thin Solid Films 286:274-276, 1996). Además, este material presenta algunas desventajas, debido a que el blanco está constituido de una mezcla de CdO y SnO_{2} y, al ser CdO altamente higroscópico, el resultado puede ser que la estabilidad del blanco resulte insatisfactoria.
La película de CdS se deposita mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado (CSS) a partir de material granulado de CdS. Esta última técnica permite la preparación de películas delgadas a una temperatura de sustrato mucho más alta que la utilización en la simple evaporación en vacío o en la pulverización catódica, debido a que el sustrato y la fuente de evaporación se sitúan muy próximos entre sí, a una distancia de 2 a 6 mm, y la deposición se realiza en presencia de un gas inerte, tal como Ar, He o N_{2} a una presión de entre 10^{-1} y 100 mbar. Una temperatura de sustrato más alta permite el crecimiento de un material de mejor calidad cristalina. Una característica importante de la sublimación en espacio cerrado es una tasa de crecimiento muy alta, de hasta 10 \mum/minuto, que resulta adecuada para la producción a gran escala.
La película de CdTe se deposita sobre la película de CdS mediante sublimación en espacio cerrado (CSS) a una temperatura de sustrato de entre 480ºC y 520ºC. El granulado de CdTe generalmente se utiliza como fuente de CdTe que se vaporiza desde un crisol abierto.
Una etapa importante de la preparación de células solares de CdTe/CdS de elevada eficiencia es el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2}. La mayoría de grupos de investigación utilizan, para llevar a cabo esta etapa, la deposición sobre CdTe de una capa de CdCl_{2} mediante simple evaporación o sumergiendo el CdTe en una solución de metanol que contiene CdCl_{2} y después recocido del material en aire a 400ºC durante 15 a 20 minutos. Se cree generalmente que el tratamiento del CdCl_{2} mejora la calidad cristalina del CdTe al incrementar el tamaño de los granos pequeños y eliminar varios defectos del material.
Tras el tratamiento del CdCl_{2}, se mordenta el CdTe en una solución de Br-metanol o en una mezcla de ácido nítrico y ácido fosfórico. El mordentado resulta necesario, debido a que generalmente se forma CdO o CdTeO_{3} sobre la superficie del CdTe. Debe eliminarse el CdO y/o el CdTeO_{3} con el fin de conseguir un buen contacto al dorso sobre el CdTe. Además, se cree que, debido a que el mordentado produce una superficie rica en Te, se facilita la formación de un contacto óhmico al depositar un metal sobre el CdTe.
El contacto al dorso eléctrico sobre la película de CdTe generalmente se obtiene mediante deposición de una película de un metal altamente p-dopante para el CdTe, tal como cobre, por ejemplo en los contactos de grafito, que, tras el recocido, pueden difundirse hacia el interior de la película de CdTe. La utilización de una película de Sb_{2}Te_{3} como contacto al dorso en una célula solar de CdTe/CdS ha sido dada a conocer por los mismos solicitantes (N. Romeo et al., Solar Energy Materials & Solar Cells 58:209-218, 1999).
El interés industrial hacia las células solares de película delgada se ha incrementado en los últimos años, también en vista de la elevada eficiencia de conversión alcanzada hasta hoy. Recientemente se ha informado de una eficiencia de conversión récord de 16,5% (ver X. Wu et al., 17th European Photovoltaic Solar Energy Conversion Conference, Munich, Alemania, 22-26 de Octubre de 2001, II, páginas 995 a 1.000). Por lo tanto, se han realizado varios esfuerzos para proporcionar procedimientos adecuados para la producción en línea a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS.
Puede encontrarse un informe del estado de la técnica referente a dicha cuestión en D. Bonnet, Thin Solid Films 361-362:547-552, 2000. Sin embargo, varios problemas todavía dificultan la consecución de dicho resultado, en particular referentes a algunas etapas cruciales que afectan a la estabilidad y eficiencia de las células solares de película delgada de CdTe/CdS o a los costes de las mismas.
Un problema importante de los procedimientos conocidos es la etapa de mordentado a la que debe someterse la superficie de CdTe para eliminar los óxidos CdO o CdTeO_{3} formados sobre la misma. Debido a que el mordentado requiere la inmersión de sustratos que portan las películas de CdTe/CdS tratadas en soluciones ácidas, el enjuague y el secado, en la actualidad no existe maquinaria adecuada para la operación continua. Otro problema significativo que afecta negativamente a la estabilidad de las películas de TCO, así como al coste del producto final son las desventajas presentes actualmente al utilizar los TCOs conocidos, tal como se ha indicado anteriormente. Además de dichas desventajas, los TCOs conocidos requieren la utilización de vidrios especiales, tales como vidrio borosilicato, para evitar el problema de la difusión del Na, que se produce si se utiliza un vidrio de cal sodada, que dañaría la película.
Un problema adicional se refiere a la fuente a partir de la que se producen la película de CdS y la película de CdTe mediante sublimación en espacio cerrado. En el caso de que se utilicen como fuente de sublimación trozos pequeños de dichos materiales que contengan polvo, debido a un contacto térmico diferente algunas micropartículas pueden sobrecalentarse y después partirse sobre el sustrato conjuntamente con el vapor. Con el fin de evitar este inconveniente, en algunos casos se utilizan máscaras metálicas complejas, con las que la operación continua resulta problemática.
Objetivo y Descripción resumida de la invención
Es el objetivo principal de la presente invención proporcionar un procedimiento adecuado para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS estables y eficientes sobre un sustrato de bajo coste.
Un objetivo particular de la presente invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado en el que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl2 se lleva a cabo de manera que no requiera un tratamiento de mordentado para eliminar los óxidos posiblemente formados sobre la película de CdTe.
Un objetivo adicional de la presente invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado, en el que la deposición de la película de TCO se lleva a cabo de manera que pueda depositarse una película de resistividad muy reducida sin formarse ningún filamento metálico sobre el blanco y permitiendo la utilización de un sustrato económico.
Todavía otro objetivo de la invención es proporcionar un procedimiento del tipo anteriormente indicado, que permita la formación de películas de CdS y CdTe completamente libres de polvo.
Un objetivo adicional de la presente invención es proporcionar una célula solar de película delgada de CdTe/CdS estable y eficiente a coste relativamente bajo.
Los objetivos anteriormente indicados se consiguen con el procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, las características principales de la cual se exponen en la reivindica-
ción 1.
Según un aspecto importante de la invención, el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2} se lleva a cabo de la manera siguiente: en primer lugar se forma una capa de 100 nm a 200 nm de grosor de CdCl_{2} sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente; después, la capa de CdCl_{2} se somete a recocido en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y a una presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo atmósfera de gas inerte, y finalmente se elimina el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo simultáneamente el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que cualquier residuo de CdCl_{2} se evapore de la superficie de la película de CdTe. De esta manera, no resulta necesario el tratamiento de mordentado de la película de CdTe y el procedimiento puede llevarse a cabo en continuo.
Según otro aspecto de la invención, la capa de TCO se forma mediante pulverización catódica bajo una atmósfera de gas inerte que contiene 1% a 3% en volumen de hidrógeno y un compuesto de fluoroalquilo gaseoso, en particular CHF_{3}. De esta manera se dopa el TCO con flúor.
Según otro aspecto importante de la invención, como material de partida para la formación de las películas de CdS y de CdTe mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado, se utiliza un material de CdS o de CdTe, respectivamente, en forma de un bloque compacto.
Se exponen características adicionales del procedimiento según la invención en las reivindicaciones dependientes.
Breve descripción de los dibujos
Resultarán evidentes características y ventajas adicionales del procedimiento de producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS según la presente invención a partir de la descripción siguiente de una realización preferente proporcionada haciendo referencia a los dibujos adjuntos, en los que:
- la figura 1 es una representación esquemática de la secuencia de las películas de las células solares de película delgada de CdTe/CdS según la invención,
- la figura 2 es un diagrama esquemático del procedimiento según la invención.
Descripción de una realización de la invención
Con referencia a las figuras, las células solares de CdTe/CdS producidas mediante el procedimiento según la invención comprenden cinco capas depositadas secuencialmente sobre una capa base o sustrato transparente y que consisten de una capa de 300 nm a 500 nm de grosor de un óxido conductor transparente (TCO), una capa de 80 nm a 200 nm de grosor de CdS depositada sobre la capa de TCO, una capa de 4 a 12 \mum de grosor de CdTe sobre la capa de CdS y una capa de contacto al dorso formada por, como mínimo, una capa de 100 nm de grosor de SB_{2}Te_{3} y una capa de 100 nm de grosor de Mo. En particular, el sustrato base transparente consiste de vidrio de cal sodada y el óxido conductor transparente está dopado con flúor (In_{2}O_{3}:F).
La capa de TCO consiste de In_{2}O_{3}, que se dopa con flúor durante el crecimiento. El blanco de In_{2}O_{3}, a diferente de ITO, no forma ningún filamento. Se obtiene una resistividad muy reducida mediante la introducción en la cámara de pulverización catódica de una cantidad reducida de flúor en forma de un compuesto de fluoroalquilo gaseoso, tal como CHF_{3}, y una cantidad reducida de H_{2} en forma de una mezcla con un gas inerte, tal como una mezcla de Ar+H_{2}, en la que 20% de la mezcla es H_{2} con respecto a Ar. Un ejemplo típico es una película de 500 nm de In_{2}O_{3} depositada con una tasa de deposición superior a 10 \ring{A}/segundo a una temperatura de sustrato de 500ºC, con un caudal de Ar de 200 sccm, un caudal de CHF_{3} de 5 sccm y un caudal de Ar+H_{2} de 20 sccm. De esta manera, el gas reactivo de pulverización catódica está compuesto de Ar que contiene 2,5% en volumen de CHF_{3} y 1,8% en volumen de H_{2}. Esta película muestra una resistencia laminar de 5 \Omega/cuadrado, una resistividad de 2,5x10^{-4} \Omegacm y una transparencia superior a 85% en el intervalo de longitudes de onda de 400 nm a 800 nm. Otra característica de dicha película es su buena estabilidad y la capacidad de detener la difusión de Na desde el vidrio de cal sodada. Lo anterior se ha demostrado mediante la fabricación de células solares de CdTe/CdS sobre este tipo de TCO que han demostrado ser muy estables incluso si se calentaban incluso a 180ºC iluminándolas con "diez soles" durante varias horas.
Tras la deposición de la película de CdS y de la película de CdTe de la manera conocida, mediante pulverización catódica o sublimación en espacio cerrado, la superficie de la película de CdTe se trata con CdCl_{2} de la manera siguiente.
Se depositan 200 nm de CdCl_{2} mediante evaporación sobre la película de CdTe, manteniendo el sustrato a temperatura ambiente. Se lleva a cabo un recocido de 15 a 20 minutos a 400ºC en una cámara de vacío en la que se introducen 500 mbar de Ar. Tras el recocido, la cámara se evacua, manteniendo el sustrato a 400ºC durante 5 minutos y, debido a que CdCl_{2} presenta una presión de vapor elevada a 400ºC, se evapora nuevamente cualquier residuo de CdCl_{2} de la superficie de CdTe.
No se forma CdO ni CdTeO_{3} debido a que el recocido se lleva a cabo en una atmósfera inerte, que no contiene O_{2}.
Según la presente invención, no resulta necesaria una superficie rica en Te para obtener un contacto no rectificador si el contacto se realiza mediante deposición sobre la película de CdTe de una película delgada de un semiconductor de tipo p altamente conductor, tal como Sb_{2}Te_{3} o As_{2}Te_{3}. Se obtiene un buen contacto no rectificador sobre una superficie de CdTe limpia en el caso de que se deposite una capa de por lo menos 100 nm de grosor de Sb_{2}Te_{3} o de As_{2}Te_{3} mediante pulverización catódica a temperaturas de sustrato de entre 250ºC y 300ºC y de entre 200ºC y 250ºC, respectivamente. Sb_{2}Te_{3} crece formando naturalmente un conducto de tipo p con una resistividad de 10^{-4} \Omegacm, mientras que As_{2}Te_{3} crece formando un conductor de tipo p con una resistividad de 10^{-3} \Omegacm. El procedimiento de contacto se completa cubriendo el semiconductor de tipo p de baja resistividad con por lo menos 100 nm de Mo, tal como es práctica común de la técnica. Resulta necesaria una capa delgada de Mo para que el contacto al dorso presente una resistencia laminar reducida.
Como fuente de materiales de CdS y de CdTe utilizados para formar las capas respectivas mediante pulverización catódica o CSS, puede utilizarse un material granular, tal como es práctica común en este campo. Sin embargo, en vista de las desventajas indicadas anteriormente al realizar la operación de esta manera, según un aspecto particularmente preferente de la invención puede utilizarse una nueva fuente de sublimación que consiste de un bloque compacto obtenido mediante fusión y solidificación del material en un horno capaz de sostener una temperatura superior a la temperatura de fusión del material. El procedimiento de preparación del bloque compacto de CdS es el siguiente: se introducen trozos de CdS en un recipiente de grafito del volumen deseado conjuntamente con óxido de boro (B_{2}O_{3}), que es un material de bajo punto de fusión (450ºC) y muestra una presión de vapor muy baja durante la fusión. Debido a que el óxido de boro presenta una densidad inferior a la de CdS en el estado fundido, flota sobre el CdS y cubre por completo al mismo tras enfriarse. De esta manera, si se introduce CdS recubierto de B_{2}O_{3} en un horno que contiene un gas inerte a presión superior a 50 atmósferas, no se evapora incluso a una temperatura superior a su punto de fusión. Debido a que el CdS se funde a una temperatura de 1.750ºC, el horno se calienta hasta una temperatura de 1.800ºC o superior y después se enfría hasta la temperatura ambiente. De esta manera, se obtiene un bloque compacto único de CdS que resulta particularmente adecuado para la utilización como fuente de sublimación en un sistema de sublimación en espacio cerrado. Las películas de CdS preparadas con este tipo de fuente resultaron ser muy lisas y se encontraban completamente libres de polvo. Las películas de CdS utilizada para preparar las células solares de CdTe/CdS típicamente presentan un grosor de 100 nm. La temperatura del sustrato se mantiene a una temperatura de entre 200ºC y 300ºC al preparar
el CdS mediante pulverización catódica, y a una temperatura de entre 480ºC y 520ºC al prepararlo mediante sublimación en espacio cerrado. La capa de CdS depositada mediante pulverización catódica requiere un recocido a 500ºC en una atmósfera que contiene O_{2} con el fin de que la célula solar de CdS/CdTe muestre una eficiencia elevada. En el caso de que el CdS se prepare mediante sublimación en espacio cerrado, se introduce O_{2} en la cámara de sublimación durante la deposición. No se conoce cuál es la función del O_{2}, pero se cree que pasiva los límites de grano de CdS.
En una realización preferente de la invención, la fuente de CdTe también es un bloque compacto obtenido mediante fusión y solidificación de trozos de CdTe en un horno a alta presión tal como se ha descrito anteriormente. Debido a que el CdTe se funde a 1.120ºC, el horno debe calentarse hasta 1.200ºC con el fin de fundir por completo los trozos de CdTe. Las películas de CdTe se depositan sobre el CdS mediante sublimación en espacio cerrado a una temperatura de sustrato de entre 480ºC y 520ºC. Las tasas de deposición durante el crecimiento del CdTe típicamente son de
4 \mum/minuto. De esta manera, se depositan 8 \mum de CdTe en 2 minutos.
Mediante el procedimiento descrito anteriormente, se han preparado varias células solares mediante la utilización de un sustrato de 1 pulgada cuadrada de vidrio de cal sodada de bajo coste.
Un área típica de estas células es 1 cm^{2}. Las células acabadas generalmente se someten a entre 10 y 20 soles durante varias horas a una temperatura de 180ºC bajo condiciones de voltaje a circuito abierto (V_{oc}). No se observó degradación, sino que, por el contrario, se observó un incremento de la eficiencia de 20% o más.
La eficiencia de dichas células se encuentra comprendida en el intervalo de entre 12% y 14%, con voltajes a circuito abierto (V_{oc}) superiores a 800 mV, corrientes de cortocircuito (J_{sc}) comprendidas entre 22 y 25 mA/cm^{2} y factores de relleno (ff) comprendidos entre 0,6 y 0,66.
Ejemplo
Se preparó una célula que mostraba una eficiencia de 14%, de la manera siguiente: se recubrió un vidrio de cal sodada con 500 nm de In_{2}O_{3}:F (dopado con flúor) mediante deposición a 500ºC (temperatura del sustrato), tal como se ha indicado anteriormente. Se depositaron 100 nm de CdS mediante pulverización catódica a 300ºC (temperatura de sustrato), y se sometieron a recocido durante 15 minutos a 500ºC en 500 mbar de Ar que contenía 20% de O_{2}. Se depositaron 8 \mum de CdTe sobre el CdS mediante CSS a una temperatura de sustrato de 500ºC. Las películas tanto de CdS como de CdTe se produjeron a partir de un bloque compacto, tal como se ha descrito anteriormente. Se realizó un tratamiento con 150 nm de CdCl_{2} en una atmósfera de Ar, tal como se ha indicado anteriormente. Finalmente, se creó un contacto al dorso, sin ningún mordentado, mediante deposición secuencial mediante pulverización catódica de
150 nm de Sb_{2}Te_{3} y 150 nm de Mo.
Tras una hora bajo 10 soles a 180ºC en condiciones de circuito abierto, la célula solar preparada de esta manera mostraba los parámetros siguientes:
V_{oc}
852 mv
J_{sc}
25 mA/cm^{2}
ff
0,66
eficiencia
14%
Las técnicas utilizadas en dicho procedimiento, tales como la pulverización catódica y la sublimación en espacio cerrado, son rápidas, reproducibles y fácilmente escalables.
Los sistemas de pulverización catódica capaces de recubrir una superficie de 1x0,5 m^{2} de vidrio ya se encuentran disponibles comercialmente, mientras que la sublimación en espacio cerrado, que a escala de laboratorio puede recubrir fácilmente una superficie de vidrio de 20x20 cm^{2}, no resulta problemática en el escalado hasta 1x0,5 m^{2}. Un procedimiento en línea puede funcionar bien en el caso de que se desplace lentamente una superficie grande de vidrio sobre las diferentes fuentes, es decir TCO, CdS, CdTe, Sb_{2}Te_{3} o As_{2}Te_{3} y Mo. Con el fin de realizar una conexión en serie entre las células individuales, el sistema en línea también debería comprender tres procedimientos de trazado por láser, el primero después de la deposición de TCO, el segundo antes de la deposición del contacto al dorso y el tercero al final del procedimiento. Una parte importante del procedimiento según la presente invención es que no se utilizan ácidos o líquidos y, en consecuencia, el procedimiento puede operar en continuo sin la interrupción que resulta necesaria para realizar el mordentado en ácido o en una solución de Br-metanol.

Claims (14)

  1. \global\parskip0.960000\baselineskip
    1. Procedimiento para la producción a gran escala de células solares de película delgada de CdTe/CdS, depositando dichas películas secuencialmente sobre un sustrato transparente, que comprende las etapas siguientes:
    - depositar una película de un óxido conductor transparente (TCO) sobre dicho sustrato,
    - depositar una película de CdS sobre dicha película de TCO,
    - depositar una película de CdTe sobre dicha película de CdS,
    - tratar dicha película de CdTe con CdCl_{2},
    - depositar una película de contacto al dorso sobre dicha película de CdTe tratada,
    caracterizando dicho procedimiento por que el tratamiento de la película de CdTe con CdCl_{2} comprende las etapas siguientes:
    - formar una capa de CdCl_{2} sobre la película de CdTe mediante evaporación, manteniendo simultáneamente el sustrato a temperatura ambiente,
    - recocido de dicha capa de CdCl_{2} en una cámara de vacío a una temperatura de entre 380ºC y 420ºC y presión de entre 300 mbar y 1.000 mbar bajo una atmósfera de gas inerte,
    - eliminar el gas inerte de dicha cámara para producir un vacío, manteniendo el sustrato a una temperatura de entre 350ºC y 420ºC, de manera que se evapore cualquier residuo de CdCl_{2} de la superficie de la película de CdTe.
  2. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicha capa de CdCl_{2} presenta un grosor de entre 100 nm y 200 nm.
  3. 3. Procedimiento según la reivindicación 1 ó 2, en el que el recocido de la capa de CdCl_{2} se lleva a cabo durante 15 a 20 minutos.
  4. 4. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el gas inerte es Ar.
  5. 5. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la película de contacto al dorso está formada por una capa de Sb_{2}Te_{3} recubierta por una capa de Mo.
  6. 6. Procedimiento según la reivindicación 5, en el que dicha capa de Sb_{2}Te_{3} se forma mediante pulverización catódica a una temperatura de entre 250ºC y 300ºC.
  7. 7. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que la película de contacto al dorso se forma con una capa de As_{2}Te_{3} recubierta por una capa de Mo.
  8. 8. Procedimiento según la reivindicación 7, en el que la capa de As_{2}Te_{3} se forma mediante pulverización catódica a una temperatura de entre 200ºC y 250ºC.
  9. 9. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que el óxido conductor transparente es In_{2}O_{3} dopado con flúor.
  10. 10. Procedimiento según la reivindicación 9, en el que la capa de TCO se forma mediante pulverización catódica en una atmósfera de gas inerte que contiene hidrógeno y un compuesto gaseoso de fluoroalquilo.
  11. 11. Procedimiento según la reivindicación 10, en el que se utiliza una mezcla de Ar e hidrógeno, en la que el hidrógeno comprende entre 1% y 3% en volumen de la mezcla y el compuesto fluoroalquilo es CHF_{3}.
  12. 12. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que, como material de partida para la formación de las películas de CdS y de CdTe mediante sublimación en espacio cerrado se utiliza un material de CdS o de CdTe, respectivamente, en forma de un bloque compacto.
  13. 13. Procedimiento según la reivindicación 12, en el que dicho material de CdS (o de CdTe) en bloque compacto se forma recubriendo con óxido de boro trozos de material de CdS (o de CdTe), calentando el material recubierto a una temperatura superior al punto de fusión del mismo bajo una atmósfera de gas inerte y a una presión superior a 50 atmósfera, y después enfriando hasta la temperatura ambiente, de manera que el material se solidifique en una forma de bloque compacto.
  14. 14. Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en el que dicho sustrato transparente es vidrio de cal sodada.
ES02785901T 2001-10-05 2002-10-04 Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds. Expired - Lifetime ES2331606T3 (es)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT2001LU000008A ITLU20010008A1 (it) 2001-10-05 2001-10-05 Procedura per realizzare un contatto non rettificante su film cdte utilizzati per fabbricare celle solari a film sottili tipo cdte/cds.
ITLU010008U 2001-10-05
ITLU010012U 2001-10-17
ITLU20010011 ITLU20010011A1 (it) 2001-10-17 2001-10-17 Un nuovo tipo di sorgente per depositare film sottili di cdte e cds mediante css (close-spaced-sublimation).
ITLU010011U 2001-10-17
ITLU20010012 ITLU20010012A1 (it) 2001-10-17 2001-10-17 Preparazione di un ossido trasparente e conduttore (tco) adatto alla produzione su larga scala di celle solari a film sottili tipo cdte/cds.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2331606T3 true ES2331606T3 (es) 2010-01-11

Family

ID=27274234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES02785901T Expired - Lifetime ES2331606T3 (es) 2001-10-05 2002-10-04 Procedimiento para la produccion a gran escala de celulas solares de pelicula delgada de cdte/cds.

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7211462B2 (es)
EP (1) EP1433207B8 (es)
JP (1) JP4621427B2 (es)
AT (1) ATE440385T1 (es)
AU (1) AU2002349822B2 (es)
CA (1) CA2462590A1 (es)
DE (1) DE60233418D1 (es)
ES (1) ES2331606T3 (es)
PT (1) PT1433207E (es)
WO (1) WO2003032406A2 (es)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2527976A1 (es) * 2013-08-02 2015-02-02 Universidad Autónoma de Madrid Sistema para la fabricación de multicapas para células solares y procedimiento para la fabricación de éstas

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5026971B2 (ja) * 2004-08-18 2012-09-19 カリクソ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 大気圧での化学気相堆積
US20100186810A1 (en) * 2005-02-08 2010-07-29 Nicola Romeo Method for the formation of a non-rectifying back-contact a cdte/cds thin film solar cell
ITLU20050002A1 (it) * 2005-02-08 2006-08-09 Solar Systems & Equipments Srl UN NUOVO PROCESSO PER IL TRATTAMENTO IN AMBIENTE DI CLORO DELLE CELLE SOLARI A FILM SOTTILI DI CdTe/CdS senza l'uso di CdC12.
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
JP2007273455A (ja) * 2006-03-09 2007-10-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 酸化膜透明導電膜およびそれを用いた透明導電性基材、薄膜トランジスタ基板、光電変換素子、光検出素子
US20080115821A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Li Xu Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing
CN101816073B (zh) 2007-06-28 2012-02-01 太阳能系统及设备有限公司 Cdte/cds薄膜太阳能电池中的非整流后接触的形成方法
EP2215662B1 (en) 2007-11-02 2020-12-16 First Solar, Inc Method of manufacturing photovoltaic devices including doped semiconductor films
DE102008057075A1 (de) * 2007-11-22 2009-08-27 Antec Solar Gmbh Wirkungsgradoptimierte CdS/CdTe Module
KR20100126717A (ko) * 2008-03-04 2010-12-02 솔렉슨트 코포레이션 태양 전지의 제조 방법
KR20090131841A (ko) * 2008-06-19 2009-12-30 삼성전자주식회사 광전 소자
JP2012513119A (ja) * 2008-12-18 2012-06-07 ファースト ソーラー インコーポレイテッド 裏面金属コンタクトを含む光電変換装置
KR100936487B1 (ko) * 2009-01-28 2010-01-13 재근 이 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ 박막 태양전지 제조 방법
JP5878465B2 (ja) * 2009-07-13 2016-03-08 ファースト ソーラー インコーポレイテッド 太陽電池フロントコンタクトのドーピング
IT1396166B1 (it) * 2009-10-13 2012-11-16 Arendi S P A Metodo di attivazione di film sottili di cdte per applicazioni in celle solari a film sottili del tipo cdte/cds.
US20110143489A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 General Electric Company Process for making thin film solar cell
CN102199752B (zh) * 2010-03-22 2013-02-20 昆明物理研究所 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法
US8409407B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Primestar Solar, Inc. Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates
US8361229B2 (en) 2010-04-22 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8524524B2 (en) * 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
DE102010028277B4 (de) 2010-04-27 2013-04-18 Calyxo Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mit einem Halbleitermaterial beschichteten Glasscheibe und nach dem Verfahren erhältliche Solarzelle oder Solarmodul
US20110265874A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-03 Primestar Solar, Inc. Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of their manufacture
CN102870234B (zh) * 2010-04-30 2016-01-20 陶氏环球技术有限责任公司 制造基于硫属化物的光伏电池的方法
US8187963B2 (en) * 2010-05-24 2012-05-29 EncoreSolar, Inc. Method of forming back contact to a cadmium telluride solar cell
US20110315220A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 General Electric Company Photovoltaic cell and methods for forming a back contact for a photovoltaic cell
US8525019B2 (en) 2010-07-01 2013-09-03 Primestar Solar, Inc. Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules
US8771421B2 (en) 2010-12-23 2014-07-08 First Solar, Inc. Entrance and exit roll seal configuration for a vapor deposition system
DE102011004441B4 (de) * 2011-02-21 2016-09-01 Ctf Solar Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von auf Transformationstemperatur temperierten Glassubstraten
US8247686B2 (en) 2011-05-31 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Multi-layer N-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making
US8188562B2 (en) 2011-05-31 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Multi-layer N-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making
US8241930B2 (en) 2011-05-31 2012-08-14 Primestar Solar, Inc. Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
CH705074A1 (de) * 2011-06-07 2012-12-14 Von Roll Solar Ag Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit gesinterten Halbleiterschichten sowie nach diesem Verfahren hergestellte Dünnschichtsolarzellen.
US9054245B2 (en) 2012-03-02 2015-06-09 First Solar, Inc. Doping an absorber layer of a photovoltaic device via diffusion from a window layer
EP2823081A1 (en) 2012-03-05 2015-01-14 First Solar, Inc Method and apparatus for forming a transparent conductive oxide using hydrogen
KR101300790B1 (ko) 2012-04-16 2013-08-29 고려대학교 산학협력단 확산방지층을 가지는 ＣｄＴｅ 박막 태양전지 및 이의 제조방법
CN102800719B (zh) * 2012-07-27 2015-08-26 中国科学院电工研究所 一种柔性CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法
US9117956B2 (en) 2012-08-31 2015-08-25 First Solar, Inc. Method of controlling the amount of Cu doping when forming a back contact of a photovoltaic cell
US9159864B2 (en) 2013-07-25 2015-10-13 First Solar, Inc. Back contact paste with Te enrichment and copper doping control in thin film photovoltaic devices
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
US9306105B2 (en) 2013-07-31 2016-04-05 First Solar Malaysia Sdn. Bhd. Finger structures protruding from absorber layer for improved solar cell back contact
CN104518044B (zh) * 2013-09-26 2019-07-23 中国建材国际工程集团有限公司 用来制造CdTe薄层太阳能电池的背接触层的方法
DE102014208029A1 (de) 2014-04-29 2015-10-29 China Triumph International Engineering Co., Ltd. Zusätzlicher Temperaturbehandlungsschritt für Dünnschichtsolarzellen
GB201618474D0 (en) * 2016-11-02 2016-12-14 Univ Loughborough Improvements to the deposition and formation of coatings for photovoltaic cells for use in the generation of solar power
CN106711242A (zh) * 2017-01-17 2017-05-24 中国科学技术大学 一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法
CN111081812A (zh) * 2019-11-18 2020-04-28 深圳第三代半导体研究院 一种透明导电氧化物薄膜的制备方法及应用
CN114645257A (zh) * 2022-03-15 2022-06-21 北京大学深圳研究生院 一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用
CN115287593A (zh) * 2022-07-20 2022-11-04 中建材浚鑫科技有限公司 一种使用锌基金属合金作为蒸发源制备azo膜的方法
CN115483309B (zh) * 2022-09-01 2025-04-15 中国建材国际工程集团有限公司 一种大面积CdTe太阳电池组件及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4132882C2 (de) * 1991-10-03 1996-05-09 Antec Angewandte Neue Technolo Verfahren zur Herstellung von pn CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellen
JPH0685297A (ja) * 1992-09-03 1994-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池の製造法
JP3497249B2 (ja) * 1994-09-16 2004-02-16 松下電池工業株式会社 太陽電池の製造法
US5916375A (en) * 1995-12-07 1999-06-29 Japan Energy Corporation Method of producing photoelectric conversion device
US6137048A (en) * 1996-11-07 2000-10-24 Midwest Research Institute Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby
JP2001015777A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 太陽電池の製造方法
EP1130880A1 (en) 2000-02-29 2001-09-05 Silicomp SPA Headset and head support for headset.
US6251701B1 (en) * 2000-03-01 2001-06-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy All-vapor processing of p-type tellurium-containing II-VI semiconductor and ohmic contacts thereof
US6423565B1 (en) * 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
DE50012431D1 (de) * 2000-09-11 2006-05-11 Antec Solar Energy Ag Recycling-Verfahren für CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellenmodule

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2527976A1 (es) * 2013-08-02 2015-02-02 Universidad Autónoma de Madrid Sistema para la fabricación de multicapas para células solares y procedimiento para la fabricación de éstas

Also Published As

Publication number Publication date
US20040248340A1 (en) 2004-12-09
JP4621427B2 (ja) 2011-01-26
US7211462B2 (en) 2007-05-01
EP1433207B1 (en) 2009-08-19
PT1433207E (pt) 2009-11-24
ATE440385T1 (de) 2009-09-15
EP1433207A2 (en) 2004-06-30
WO2003032406A3 (en) 2003-10-30
EP1433207B8 (en) 2009-10-07
AU2002349822B2 (en) 2007-11-15
CA2462590A1 (en) 2003-04-17
WO2003032406A2 (en) 2003-04-17
DE60233418D1 (de) 2009-10-01
JP2005505938A (ja) 2005-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4621427B2 (ja) ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池を大規模に生産する方法
AU2002349822A1 (en) A process for large-scale production of CdTe/CdS thin film solar cells
US8390122B2 (en) Sputtering targets including excess cadmium for forming a cadmium stannate layer
KR101628312B1 (ko) ＣＺＴＳＳｅ계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 ＣＺＴＳＳｅ계 박막 태양전지
AU2006213445B2 (en) A process for large-scale production of CdTe/CdS thin film solar cells, without the use of CdCl2
AU2011201276A1 (en) Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
US20120067414A1 (en) CdZnO OR SnZnO BUFFER LAYER FOR SOLAR CELL
JP5042363B2 (ja) Ｃｄｔｅ／ｃｄｓ薄膜太陽電池における非整流バック接点の形成方法
CN103400895A (zh) 一种铜锌锡硫太阳能电池吸收层薄膜的制备方法
KR101441942B1 (ko) 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101582200B1 (ko) Ｃｚｔｓ계 태양전지용 박막의 제조방법 및 이를 통해 제조된 박막을 포함하는 czts계 태양전지
US8119513B1 (en) Method for making cadmium sulfide layer
CN102212780B (zh) p型硫化镉薄膜的制备方法
KR101482786B1 (ko) 산화인듐을 이용한 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조방법
RU2212080C2 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОПИРИТНЫХ CuInSe2, Cu (In, Ga)Se2, CuGaSe2 ТОНКИХ ПЛЕНОК
Romeo et al. High Efficiency CdTe/CdS Thin Film solar Cells by a Process Suitable for Large Scale Production
US11891687B2 (en) Transparent conductor materials with enhanced near infrared properties and methods of forming thereof
Liang Study on the properties of ZnO-TFT prepared by magnetron sputtering
Abdullahi CZTS Absorber from Compound Target: Zn-Rich Target Fabrication and Deposition by Radio Frequency (RF) Sputtering Method
Romeo et al. A CdTe thin film module factory with a novel process
KR101410673B1 (ko) Ｃｉｇｓ박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 ｃｉｇｓ박막 태양전지
JP2005217067A (ja) 太陽電池及びその製造方法
CN102683473B (zh) 一种在太阳能电池阴极基底上形成光吸收层的方法
Han Electrodeposited cuprous oxide solar cells