ES2334566T3 - TRANSITION FROM MICROCINTA TO WAVE GUIDE FOR MILIMETRIC WAVES INCORPORATED IN A MULTI-PAPER PRINTED CIRCUIT CARD. - Google Patents
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Abstract
Description
Transición de microcinta a guía de onda para ondas milimétricas incorporadas en una tarjeta de circuitos impresos multicapas.Transition from micro tape to waveguide for Millimeter waves incorporated into a printed circuit board multilayers
La presente invención relata el campo de los circuitos de microondas y de los aparatos y más concretamente una transición de microcinta a guía de onda para ondas milimétricas incorporadas en una tarjeta de circuitos impresos multicapas. Recordamos que "microondas" es un término genérico para indicar varias rangos de frecuencia para la propagación de aire de aproximadamente 1 GHz hasta cerca 3 THz, las ondas milimétricas corresponden al rango de EHF de 30 a 300 GHz (\lambda = 10 a 1 mm). La realización de la presente invención es particularmente conveniente en el rango EHF, pero no hay limitaciones a la aplicación en otros rangos de frecuencia, por ejemplo de SHF de 3 a 30 GHz (\lambda = 10 a 1 cm). La invención se refiere tanto a un método para fabricar la transición como a la transición misma.The present invention relates the field of microwave circuits and appliances and more specifically a transition from micro tape to waveguide for millimeter waves incorporated in a multilayer printed circuit board. We remember that "microwave" is a generic term to indicate various frequency ranges for air propagation of approximately 1 GHz up to about 3 THz, the millimeter waves correspond to the EHF range of 30 to 300 GHz (λ = 10 to 1 mm). The embodiment of the present invention is particularly convenient in the EHF range, but there are no limitations to the application in other frequency ranges, for example from SHF 3 to 30 GHz (λ = 10 to 1 cm). The invention relates both to a method to manufacture the transition as to the transition itself.
Actualmente los fabricantes de transceptores de microondas están presionados por una demanda cada vez mayor de aparatos que funcionan en el rango de las ondas milimétricas, por ejemplo para usos en: enlaces por radio de capacidad alta/media/baja, redes de punto a multipunto, comunicaciones por satélite, etc. Concentrándose en las técnicas de fabricación orientadas a lograr productos con una buena relación entre coste y eficacia, como los tradicionales circuitos impresos (Printed Circuit Boards; PCB), son problemáticos en este rango de frecuencia, debido a las pérdidas dieléctricas crecientes de los sustratos y a la insuficiencia de los diseños conocidos de circuitos de interfaz planar con guía de ondas mecánicos.Currently the transceiver manufacturers of microwaves are pressured by a growing demand for devices that operate in the range of millimeter waves, by example for uses in: capacity radio links high / medium / low, point-to-multipoint networks, communications by satellite, etc. Focusing on manufacturing techniques aimed at achieving products with a good relationship between cost and efficiency, like traditional printed circuits (Printed Circuit Boards; PCB), are problematic in this range of frequency, due to the increasing dielectric losses of substrates and the inadequacy of the known designs of Planar interface circuits with mechanical waveguide.
Se conocen en la técnica las transiciones de microcinta a guía de onda realizadas con sustratos dieléctricos de pérdida alta para la fabricación del PCB. El solicitante de la presente invención presentó el 30-5-2002 una solicitud de patente europea indicada como Ref.[1] en las Referencias enumeradas al final de la descripción. De acuerdo con la Ref.[1] el rango de frecuencia de funcionamiento de la transición se extendía hasta 35 GHz en los sustratos de fibra de vidrio reforzados (FR4). El tablero multicapa hizo uso de una capa de cobre gruesa como segunda capa de la composición de la estructura del disco para proporcionar la rigidez mecánica al sustrato FR4 para la conexión de una guía de onda rectangular en la cara inferior. La capa de cobre fue fresada para poner al descubierto la ventana dieléctrica de una transición de una hendidura y obtener mientras tanto una especie de reborde alrededor de ella para montar la guía de onda. Ignorando la transición por el momento, la idea del aprovechamiento de sustratos de pérdida alta para obtener los circuitos microondas fiables y de bajo coste, apropiados a las técnicas de ensamblaje automáticas o semiautomáticas, ya ampliamente utilizadas en la fabricación del PCBs, había sido heredada de una demanda de patente europea precedente presentada por el mismo solicitante el 26/07/2001 e indicado actualmente como Ref.[2]. Esta segunda aplicación describía una tecnología chip sobre placa (COB), que permitió integrar sobre el sustrato muchas partes del transreceptor, en particular era posible acomodar sobre el sustrato tanto los componentes del montaje en superficie como aquellos en chip (diferenciado o MMIC) con los circuitos de polarización pertinentes, para la transición convencional de la guía de ondas que constituyó el interfaz de radio del transreceptor. La frecuencia de 80 GHz era el límite teórico dependiendo de la anchura mínima Wm de la microcinta y del grueso h de la capa FR4 permitida por la tecnología. Considerando a Wm = 200 \mum la anchura de la microcinta, y \lambda/Wm = 10 como un buen parámetro de diseño, entonces para obtener el valor de 50 \Omega para la impedancia característica de la microcinta el grosor de la capa de FR4 era h = 100 \mum. El valor optimista de 80 GHz había sido calculado para la única propagación de onda a lo largo de la microcinta sin tomar en la debida consideración los efectos de las transiciones de microcinta a guía de onda. Dado que la invención que será divulgada se refiere a una realización alternativa a la transición de la Ref.[1] capaz de funcionar realmente hasta 80 GHz, son necesarios algunos detalles de la realización en Ref.[1] para apreciar las mejoras. Las figuras 1a, 1b, 2a, 2b, y 3 divulgan esos detalles.Microwave to waveguide transitions made with high loss dielectric substrates for PCB fabrication are known in the art. The applicant for the present invention filed on 30-5-2002 a European patent application indicated as Ref. [1] in the References listed at the end of the description. In accordance with Ref. [1] The operating frequency range of the transition extended to 35 GHz on reinforced fiberglass substrates (FR4). The multilayer board made use of a thick copper layer as the second layer of the disc structure composition to provide mechanical rigidity to the FR4 substrate for the connection of a rectangular waveguide on the underside. The copper layer was milled to expose the dielectric window of a transition from a groove and meanwhile obtain a kind of flange around it to mount the waveguide. Ignoring the transition at the moment, the idea of using high-loss substrates to obtain reliable and low-cost microwave circuits, appropriate to automatic or semi-automatic assembly techniques, already widely used in PCB manufacturing, had been inherited from a previous European patent application filed by the same applicant on 07/26/2001 and currently indicated as Ref. [2]. This second application described a chip-on-board (COB) technology, which made it possible to integrate many parts of the transceiver onto the substrate, in particular it was possible to accommodate both surface mount components and chip components (differentiated or MMIC) with the substrate. relevant polarization circuits, for the conventional transition of the waveguide that constituted the radio interface of the transceiver. The 80 GHz frequency was the theoretical limit depending on the minimum width Wm of the micro tape and the thickness h of the FR4 layer allowed by the technology. Considering Wm = 200 µm the width of the micro tape, and λ / Wm = 10 as a good design parameter, then to obtain the value of 50 Ω for the characteristic impedance of the micro tape the thickness of the FR4 layer It was h = 100. The optimistic value of 80 GHz had been calculated for the only wave propagation along the micro-tape without taking due account of the effects of the micro-tape transitions to waveguide. Since the invention that will be disclosed refers to an alternative embodiment to the transition of Ref. [1] capable of actually operating up to 80 GHz, some details of the realization in Ref. [1] are necessary To appreciate the improvements. Figures 1a, 1b, 2a, 2b, and 3 disclose those details.
La figura 1a muestra un montaje metálico colocado en la cara superior de un sustrato dieléctrico FR4 que pertenece a una estructura multicapas. El montaje incluye una microcinta que se extiende a lo largo del eje de simetría longitudinal del sustrato y que termina con una placa metálica. La microcinta y el circuito restante (no visibles para simplificar) se rodean por un diseño de blindaje metálico que delimita una ventana rectangular no metalizada correspondiente a una ventana dieléctrica, ingresada por la microcinta emplacada. La metalización perimétrica de la ventana dieléctrica esta formado como un marco rectangular con cuatro círculos no metalizados en las cuatro esquinas en correspondencia de los orificios roscados por la estructura multicapas. La Figura 1b muestra una capa de cobre gruesa adherida a la cara inferior del sustrato dieléctrico para formar un núcleo metálico que da rigidez a la estructura multicapas y que constituye un plano de tierra para la parte superior de la microcinta. El núcleo metálico esta fresado y completamente aislado para dejar al descubierto el sustrato dieléctrico en correspondencia de la ventana dieléctrica, de manera que la placa es visible para la parte de atrás debido a la semitransparencia de la capa FR4. La Figura 2a es un corte transversal a lo largo del eje A-A de la figura 1a. La figura muestra la estructura multicapas incluyendo tres sustratos dieléctricos y el núcleo de metal. Los sustratos dieléctricos superior e inferior están metalizados, mientras que el interpuesto se usa como aislante. El final de la guía de ondas rectangular ensambla la ventana rectangular fresada en el núcleo metálico en correspondencia a la ventana dieléctrica del sustrato superior, de modo que la abertura en el núcleo metálico es una continuación de la guía de onda a la ventana dieléctrica del sustrato. Una tapa metálica colocada sobre el marco de la cara superior se fija a la estructura multicapas por medio de cuatro tornillos en la esquina del marco que penetra en el sustrato dieléctrico superior, el núcleo metálico (el reborde) y las paredes de la guía de ondas rectangular. La tapa metálica es un cuerpo hueco con una hendidura rectangular frente a la ventana no metálica. En funcionamiento, el final emplacado de la microcinta que entra en la ventana dieléctricos actúa como una sonda electromagnética para irradiar en el espacio cerrado a su alrededor. Las dimensiones de la placa se calculan para transferir la energía de la microcinta de alimentación a la guía de ondas de manera eficiente. La tapa metálica atornillada se usa como un reflector para prevenir la propagación de la placa en la dirección opuesta a la guía de onda. Para este objetivo el hueco de la tapa metálica actúa como un corto de retorno para la señal. De las consideraciones antedichas se puede concluir que la sonda y la ventana dieléctrica en comunicación con la guía de onda constituyen una transición de microcinta a guía de onda que transforma el modo de la propagación "quasi-TEM" de la microcinta en el modo TE_{10} de la guía de onda rectangular. Las propiedades electromagnéticas de las transiciones son recíprocas, de modo que la misma estructura usada por el transmisor RF para transportar dentro de la guía de onda una transmisión de señal de la microcinta se usa también por el receptor para transportar una señal de recepción RF de la guía de onda a la microcinta.Figure 1a shows a metal assembly placed on the top face of a FR4 dielectric substrate that It belongs to a multilayer structure. The assembly includes a micro tape that extends along the axis of symmetry longitudinal of the substrate and ending with a metal plate. The micro tape and the remaining circuit (not visible to simplify) is surrounded by a metallic shield design that delimits a window non-metallic rectangular corresponding to a window dielectric, entered by the located micro tape. Metallization perimeter of the dielectric window is formed as a frame rectangular with four non-metallic circles in the four corresponding corners of the holes threaded by the multilayer structure Figure 1b shows a copper layer thick adhered to the underside of the dielectric substrate for form a metal core that gives rigidity to the multilayer structure and that constitutes a ground plane for the top of the micro tape The metal core is milled and completely insulated to expose the dielectric substrate in correspondence of the dielectric window, so that the plate is visible to the back due to the semi-transparency of the FR4 layer. Figure 2a is a cross section along the axis A-A of figure 1a. The figure shows the structure multilayers including three dielectric substrates and the core of metal. The upper and lower dielectric substrates are metallized, while the interposer is used as an insulator. He end of the rectangular waveguide assembles the window rectangular milled in the metal core corresponding to the dielectric window of the upper substrate, so that the opening in the metal core is a continuation of the waveguide to the substrate dielectric window. A metal lid placed on the upper face frame is fixed to the multilayer structure by middle of four screws in the corner of the frame that penetrates the upper dielectric substrate, the metal core (the flange) and the walls of the rectangular waveguide. The metal cover is a hollow body with a rectangular slit in front of the window no metallic In operation, the located end of the micro tape enters the dielectric window acts like a probe electromagnetic to radiate in the enclosed space to your around. Plate dimensions are calculated to transfer The power of the power supply belt to the waveguide of efficient way. The screwed metal cover is used as a reflector to prevent the propagation of the plate in the direction opposite to the waveguide. For this purpose the lid gap Metallic acts as a short return for the signal. Of the above considerations it can be concluded that the probe and the dielectric window in communication with the waveguide constitute a transition from micro tape to waveguide that transforms the mode of the "quasi-TEM" propagation of the micro tape in the TE_ {10} mode of the rectangular waveguide. The Electromagnetic properties of transitions are reciprocal, of so that the same structure used by the RF transmitter to transport a signal transmission from the waveguide the micro tape is also used by the receiver to transport a RF reception signal from the waveguide to the micro tape.
La Figura 2b muestra una serie de orificios pasantes metalizados (vía de orificios visible en la Figura 2a) espaciados regularmente a lo largo del marco. Estas vías de orificios alrededor de la zona de transición han introducido sucesivamente la clasificación de la Ref. [1] con el objetivo de mejorar el funcionamiento de la transición en las frecuencias más altas (35.5 GHz) del rango de operaciones. Esta declaración es posible porque la transición en la Ref. [1] y la transición de la presente invención se desarrollaron en los laboratorios del mismo aspirante. El suministro en la vía de orificios a la falta de continuidad de la guía de onda por el grosor del sustrato dieléctrico alrededor de la zona de transición. Gracias a la vía de orificios, la energía está limitada dentro de la parte paralelepipédica del sustrato dieléctrico adyacente a la cavidad de aire de la guía de onda, de otra manera la propagación por el sustrato dieléctrico fuera de la zona de la transición constituiría una causa de pérdidas. Además, la vía de orificios suministra la tapa superior con contactos de tierra distribuidos alrededor de la transición, mejorando el contacto pobre proporcionado por los tornillos en las cuatro esquinas del marco. La Figura 3 es una fotografía de la disposición del transceptor que representa la disposición real de la vía de orificios; como se puede notar, son necesarias varias filas de orificios metalizados para una operación satisfactoria en el rango de SHF (no en EHF).Figure 2b shows a series of holes Metallic throughings (hole path visible in Figure 2a) regularly spaced along the frame. These ways of holes around the transition zone have introduced successively the classification of Ref. [1] with the objective of improve the functioning of the transition at the most frequencies high (35.5 GHz) of the range of operations. This statement is possible because the transition in Ref. [1] and the transition of the present invention were developed in the laboratories thereof candidate. The supply in the hole path in the absence of continuity of the waveguide due to the thickness of the substrate dielectric around the transition zone. Thanks to the path of holes, energy is limited within the part parallelepiped of the dielectric substrate adjacent to the cavity of waveguide air, otherwise propagation by the dielectric substrate outside the transition zone would constitute A cause of losses. In addition, the hole path provides the top cover with ground contacts distributed around the transition, improving the poor contact provided by screws in the four corners of the frame. Figure 3 is a photograph of the transceiver arrangement that represents the actual arrangement of the hole path; as you can see, they are several rows of metallic holes are necessary for an operation satisfactory in the SHF range (not in EHF).
A pesar de la simplicidad de la fabricación de la transición ilustrada en las figuras anteriores, cualquier tentativa de arreglar su uso en el rango de EHF ha concluido con un fracaso debido a la inaceptable pérdida de energía y la distorsión introducida por la transición. Del análisis de las causas principales de estos fracasos resulta que las ondas milimétricas:Despite the simplicity of manufacturing the transition illustrated in the previous figures, any attempt to fix its use in the EHF range has concluded with a failure due to unacceptable loss of energy and distortion introduced by the transition. From the analysis of the causes main of these failures it turns out that the waves millimeters:
- 1.one.
- La vía de orificios no pueden delimitar más el campo electromagnético en la parte paralelepipédica rodeada del sustrato dieléctrico. La desventaja se debe al hecho de que los diámetros y las distancias recíprocas de los orificios son comparables con la longitud de onda usada y no pueden además reducir la causa de las limitaciones tecnológicas inevitables del proceso de la vía de orificios.The orifices can no longer delimit the electromagnetic field in the parallelepipedic part surrounded by the dielectric substrate. The disadvantage is due to the fact that diameters and distances Reciprocals of the holes are comparable to the wavelength used and cannot further reduce the cause of the limitations inevitable technological process of the pathway holes
- 2.2.
- El grosor del sustrato dieléctrico no es más completamente insignificante en comparación con la longitud de onda de la señal, como una consecuencia de la vía de orificios la tapa superior no conecta con tierra de manera eficiente. Por consiguiente la tapa no se puede considerar como una continuación de la guía de onda terminada oportunamente en la parte superior, y un desajuste entre los dos lados de la placa puede generar reflejos no deseados y modos de resonancia falsos.He dielectric substrate thickness is not more completely insignificant compared to the wavelength of the signal, as a consequence of the hole path the top cover does not connect with earth efficiently. Therefore the lid does not It can be considered as a continuation of the waveguide timely completed at the top, and a mismatch between both sides of the plate can generate unwanted reflections and false resonance modes.
- 3.3.
- Las pérdidas dentro de la parte dieléctrica de la transición son excesivas debido al mal funcionamiento del sustrato semi-valioso. The losses within the dielectric part of the transition are excessive due to substrate malfunction semi-valuable
La solicitud de la patente europea indicada en la Ref.[5] divulga un paquete de alta frecuencia que comprende un sustrato dieléctrico, un elemento de alta frecuencia que funciona en una región de alta frecuencia y se monta en una cavidad formada sobre dicho sustrato dieléctrico, y una línea de microcinta formada sobre la superficie o en una parte interior de dicho sustrato dieléctrico y conectado eléctricamente a dicho elemento de alta frecuencia, en el que el paso de la transmisión de señal de una guía de onda se conecta a un paso conductor lineal o a una capa a tierra que constituye la línea de la microcinta. En la parte del empalme de la guía de onda, por ejemplo, un final del paso conductor lineal se abre electromagnéticamente, de manera que la parte final trabaja como una antena monopolar dentro de la guía de onda que está conectada.The European patent application indicated in Ref. [5] discloses a high frequency package comprising a dielectric substrate, a high frequency element that works in a high frequency region and is mounted in a formed cavity on said dielectric substrate, and a micro-tape line formed on the surface or in an inner part of said substrate dielectric and electrically connected to said high element frequency, at which the signal transmission step of a guide wave is connected to a linear conductor passage or to a ground layer which constitutes the micro tape line. In the splice part of the waveguide, for example, an end of the linear conductor step is opens electromagnetically, so that the final part works like a monopolar antenna inside the waveguide that is connected.
El paquete de alta frecuencia ya mencionado se ha diseñado para funcionar en ondas milimétricas que usan materiales de sustrato costoso y rígido que tienen una constante dieléctrica baja y pérdidas pequeñas (por ejemplo alúmina). Por otra parte, la estructura complicada hace difíciles de obtener el sellado de la multicapas a la guía de onda y el uso de una tapa superior de cierre. Otra dificultad surge en la correcta terminación de la irradiación de la microcinta dentro de la guía de onda.The high frequency package already mentioned is designed to work in millimeter waves that use materials of expensive and rigid substrate that have a dielectric constant low and small losses (for example alumina). Moreover, the complicated structure makes it difficult to obtain the seal of the multilayers to the waveguide and the use of an upper cover of closing. Another difficulty arises in the correct termination of the irradiation of the micro tape inside the waveguide.
El objeto principal de la presente invención consiste en vencer las desventajas conocidas de la técnica e indicar una transición de microcinta a guía de onda que se puede conseguir en PCBs dispuesta para funcionar en las microondas con buen funcionamiento en el rango más cercano de EHF (hasta 80 GHz)The main object of the present invention it consists in overcoming the known disadvantages of the technique and indicate a transition from micro tape to waveguide that can be get on PCBs ready to run in microwaves with smooth operation in the closest EHF range (up to 80 GHz)
La invención alcanza dicho objetivo al proporcionar un método para fabricar una transición de microcinta a guía de onda, según lo divulgado en las reivindicaciones del procedimiento.The invention achieves said objective by provide a method to fabricate a transition from micro tape to waveguide, as disclosed in the claims of the process.
Otro objetivo de la invención es una transición de microcinta a guía de onda obtenida según el procedimiento, según lo divulgado en las reivindicaciones del dispositivo.Another object of the invention is a transition. from micro tape to waveguide obtained according to the procedure, according to as disclosed in the claims of the device.
Según la invención, la transición divulgada en
la Ref.[1] se rediseña ahora completamente para quitar casi
completamente el diafragma dieléctrico anterior del espacio de la
transición. Frecuentemente el aire llena el espacio de propagación
de las ondas electromagnéticas en la nueva transición; con esto se
supera la desventaja destacada en el punto 3. Otra diferencia
fundamental del estado anterior de la técnica es que la guía de onda
ahora penetra el sustrato dieléctrico para conectar la tapa
metálica, sin romper la continuidad de las paredes metálicas, a
excepción de los dos surcos cuyo efecto es totalmente marginal. En
otras palabras, el marco de la vía de orificios es completamente
innecesario para limitar el campo electromagnético, y también se
superar las desventajas destacadas en los puntos
1 y 2.According to the invention, the transition disclosed in Ref. [1] It is now completely redesigned to almost completely remove the anterior dielectric diaphragm from the transition space. Frequently the air fills the propagation space of the electromagnetic waves in the new transition; This overcomes the disadvantage highlighted in point 3. Another fundamental difference from the prior art is that the waveguide now penetrates the dielectric substrate to connect the metal cover, without breaking the continuity of the metal walls, except for the two grooves whose effect is totally marginal. In other words, the hole path frame is completely unnecessary to limit the electromagnetic field, and also overcome the disadvantages highlighted at the points
1 and 2.
Ventajosamente, la parte de la guía de onda de la transición y la parte mecánica del transceptor se pueden obtener por medio del control numérico de las técnicas de fabricación que comienzan desde un bloque de metal duro. La transición de la microcinta a la guía de onda por guía de onda rectangular es, según la actual invención, la más fácil de obtener, pero el mismo acercamiento se aplica para obtener transiciones para las guías de onda circulares o elípticas.Advantageously, the waveguide part of the transition and the mechanical part of the transceiver can be obtained through numerical control of manufacturing techniques that They start from a hard metal block. The transition of the micro tape to the waveguide by rectangular waveguide is, according to the current invention, the easiest to obtain, but the same approach is applied to obtain transitions for guides circular or elliptical wave.
Siendo reparadas todas las causas de las pérdidas y del mal funcionamiento imputable a la única transición, el límite de frecuencia superior debido a la microcinta en la técnica de PCBs. por ejemplo 80 GHz, es ahora completamente explotable para el transceptor.All the causes of the losses and malfunction attributable to the only transition, the upper frequency limit due to the micro tape on the PCB technique. for example 80 GHz, it is now completely exploitable for the transceiver.
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Las características de la presente invención que se consideran novedosas se ponen en adelante con particularidad en las reivindicaciones añadidas. La invención y sus ventajas se pueden entender con referencia a la descripción detallada siguiente de una realización de la misma tomada conjuntamente con los dibujos de acompañamiento dados con propósitos puramente explicativos y no limitativos, en donde:The characteristics of the present invention that they are considered novel they are put forward with particularity in the claims added. The invention and its advantages can be understand with reference to the following detailed description of a realization thereof taken in conjunction with the drawings of accompaniment given for purely explanatory purposes and not limiting, where:
- Las figuras 1a a 3, ya descritas, muestran una transición de microcinta a guía de ondas según el estado anterior de la técnica mencionado en la Ref. [1];- Figures 1a to 3, already described, show a transition from micro tape to waveguide according to the previous state of the technique mentioned in Ref. [1];
- Las figuras 4a a 4d muestran algunos pasos de la fabricación de la multicapas y la guía de onda según el procedimiento de la invención;- Figures 4a to 4d show some steps of the manufacture of the multilayers and the waveguide according to the method of the invention;
- Las figuras 5a a 5d muestran una vista desde arriba, una vista longitudinal y una vista de una sección cortada transversal de la transición según la invención;- Figures 5a to 5d show a view from above, a longitudinal view and a view of a cut section transverse of the transition according to the invention;
- Las figuras 6a y 6b muestran un modelo de simulación de la perspectiva y los parámetros relevantes de la transición según la invención;- Figures 6a and 6b show a model of simulation of the perspective and the relevant parameters of the transition according to the invention;
- Las figuras 7 y 8 muestran los parámetros S y S del modelo simulado;- Figures 7 and 8 show the parameters S and S of the simulated model;
- La figura 9a muestra una vista desde arriba de dos transiciones back to back usadas para las medidas;- Figure 9a shows a top view of two back to back transitions used for measurements;
- La figura 9b muestra una fotografía de la transición back to back de la figura 9a;- Figure 9b shows a photograph of the back to back transition of figure 9a;
- Las figuras 10 y 11 muestran los parámetros S y S medidos realmente al final de la disposición de la figura 9a;- Figures 10 and 11 show the parameters S and S actually measured at the end of the arrangement of the figure 9a;
- La figura 12 muestra una vista desde arriba de una transición de microcinta a guía de onda circular, sin la tapa superior.- Figure 12 shows a top view of a transition from micro tape to circular waveguide, without the lid higher.
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Como regla de descripción, en las figuras de los dibujos los elementos se identifican con números de referencia. Además, los elementos representados en las figuras no son una reproducción a escala de los originales. Con referencia a la figura 4a vemos una cara parcial superior de un sustrato dieléctrico 1 que pertenece a una estructura multicapas conocida utilizada actualmente para obtener el circuito de un transceptor que funciona en aproximadamente 60 GHz (rango EHF) que emplea técnicas tradicionales PCB. La estructura multicapas es una versión más simple de la divulgada en la Ref. [1] limitándose a incluir un sustrato dieléctrico fino 1, caracterizado por pérdidas dieléctricas altas en comparación con la alúmina o el arseniuro de galio sustratos usados tradicionalmente para aplicaciones EHF, que hace de adherencia a una placa de cobre gruesa que da la rigidez necesaria a la estructura plana. Una transición de microcinta a guía de onda y viceversa, usada para conectar tanto el transmisor como los amplificadores del receptor a la misma antena por medio de un duplexor, es la única parte del transreceptor relativa a la presente invención. El sustrato 1 da apoyo a un diseño metálico que incluye entre otras cosas una microcinta 2 colocada a lo largo del eje de simetría longitudinal de la figura. La microcinta 2 termina con una pequeña placa 3 cerca del centro de una banda 4 colocado entre dos ventanas rectangulares simétricas 5 y 6 obtenidos por el traslado de multicapas por fresado, según las técnicas conocidas. La superficie de las dos ventanas 5 y 6 prevalece con respecto a la superficie de la banda central 4, de modo que el espacio de la transición se llena de manera prevalente con aire. Una metalización 7 rodea, como un marco, las dos ventanas simétricas 5 y 6 y la banda central 4, dejando un corto espacio libre para la microcinta 2, pero teniendo un dedo 7a cubriendo la banda 4 para una zona corta frente a la placa 3. Varios orificios pasantes metalizados 8 se espacian con regularidad a lo largo del perímetro del marco 7. El único propósito de estos orificios es el de evitar posibles separaciones de la capa dieléctrica superior del núcleo de metal (placa) como una consecuencia de la operación de fresado para abrir las ventanas 5 y 6, porque de la no perfecta compatibilidad física en el interfaz entre las dos capas.As a rule of description, in the figures of Drawings the elements are identified with reference numbers. In addition, the elements represented in the figures are not a reproduction at scale of the originals. With reference to the figure 4a we see an upper partial face of a dielectric substrate 1 that belongs to a known multilayer structure used currently to get the circuit of a transceiver that works at approximately 60 GHz (EHF range) that employs techniques Traditional PCBs The multilayer structure is one more version simple of the one disclosed in Ref. [1] limited to include a fine dielectric substrate 1, characterized by losses high dielectrics compared to alumina or arsenide of Gallium substrates traditionally used for EHF applications, which It adheres to a thick copper plate that gives stiffness necessary to flat structure. A transition from micro tape to waveguide and vice versa, used to connect both the transmitter as the amplifiers of the receiver to the same antenna by means of a duplexer is the only part of the transceiver related to the present invention The substrate 1 supports a metallic design that includes among other things a micro tape 2 placed along the axis of longitudinal symmetry of the figure. The micro tape 2 ends with a small plate 3 near the center of a band 4 placed between two symmetrical rectangular windows 5 and 6 obtained by the transfer of multilayers by milling, according to known techniques. The surface of the two windows 5 and 6 prevails with respect to the surface of the central band 4, so that the space of the Transition is predominantly filled with air. A metallization 7 surrounds, as a frame, the two symmetric windows 5 and 6 and the central band 4, leaving a short free space for the micro tape 2, but having a finger 7a covering the band 4 for an area cut in front of the plate 3. Several metallic through holes 8 they are regularly spaced along the perimeter of frame 7. The The only purpose of these holes is to avoid possible separations of the upper dielectric layer of the metal core (plate) as a consequence of the milling operation to open Windows 5 and 6, because of the not perfect physical compatibility in the interface between the two layers.
En la figura 4b se representa una vista superior parcial de la parte mecánica 9 del transceptor. La mecánica se fabrica en un modo que incluye el final de un guía de ondas rectangular 10. La cavidad interna 11 de la guía de ondas metálica 10 está llena de aire. Dos orificios rectangulares 12 y 13 se fresan para todo el grosor de las dos paredes más largas en el extremo de la guía de ondas 10, a lo largo del eje de simetría. Cuatro orificios roscados 14 son visibles en las cuatro esquinas de la parte mecánica 9. Las dimensiones de las dos ventanas 5 y 6 y la anchura de la banda 4 se ponen para acomodar al mismo tiempo la banda 4 en los surcos 12 y 13 en el borde de la guía de ondas 10 y en el borde de la guía de ondas 10 dentro de las ventanas 5 y 6, tanto como la profundidad de los surcos 12 y 13 lo permita. Con referencia a las figuras 4c y 4d, antes de que ocurra este alojamiento, la parte del núcleo metálico debe de eliminarse de la banda 4. La figura 4c y la figura 4d muestran el núcleo metálico antes y después de la eliminación, respectivamente. Una indicación de la verdadera colocación de la sección transversal interna 11 de la guía de ondas 10 se añade con la línea discontinua en la figura 4d. Se puede apreciar que la banda 4 está libre del metal en correspondencia de la cavidad de la microonda 10, de modo que la zona de la microcinta emplacada 2, 3 que penetra la cavidad 11 esta libre de irradiar como una sonda dentro de la guía de ondas 10.A top view is shown in Figure 4b partial of the mechanical part 9 of the transceiver. The mechanics are manufactures in a way that includes the end of a waveguide rectangular 10. The internal cavity 11 of the metal waveguide 10 is full of air. Two rectangular holes 12 and 13 are milled for the entire thickness of the two longest walls at the end of the waveguide 10, along the axis of symmetry. Four threaded holes 14 are visible in the four corners of the mechanical part 9. The dimensions of the two windows 5 and 6 and the width of the band 4 are set to accommodate at the same time the band 4 in grooves 12 and 13 at the edge of waveguide 10 and at the edge of the waveguide 10 inside windows 5 and 6, as much as the depth of the grooves 12 and 13 allows. With reference to figures 4c and 4d, before this occurs housing, the metal core part must be removed from the band 4. Figure 4c and figure 4d show the metal core before and after removal, respectively. An indication of the true placement of the internal cross section 11 of waveguide 10 is added with the broken line in the figure 4d It can be seen that band 4 is free of metal in correspondence of the microwave cavity 10, so that the zone of the micro tape located 2, 3 that penetrates the cavity 11 is free to radiate like a probe inside the waveguide 10.
La figura 5a muestra una vista desde arriba del montaje constituido por la multicapas de la figura 4a sobrepuesto a la mecánica de la figura 4b para que puedan interpenetrar. Dos ejes A-A y B-B se indican en la figura como planos de referencia para las secciones transversales divulgadas en la siguiente figura. La figura 5b muestra la sección transversal a lo largo del eje de simetría longitudinal A-A de la figura 5a. Con referencia a la figura 5b el borde de la guía de ondas 10 surge de las aberturas 5 y 6 y una tapa metálica 16 se apoya en eso. La tapa 16 se sujeta a la guía de ondas 10 por medio de los tornillos 17 que penetran los cuatro orificios roscados 14 (figura 4b). La tapa 16 incluye un hueco central 18 formado como una zona muy corta de la guía de onda 10 cerrada en el extremo. En comparación con el estado anterior de la técnica de la figura 2a, la tapa 16 ahora está conectada a la guía de onda sin ninguna capa dieléctrica interpuesta, de modo que la continuidad metálica de las paredes de la guía de onda 10 no se interrumpen nunca a través de la transición hasta que se alcance la tapa. De este modo las corrientes de retorno reflejadas de la tapa alcanzan la tierra directamente y, como consecuencia, son innecesarios vía los orificios alrededor de la transición como en la figura 2b por los motivos antes indicados. Las ranuras 12 y 13 tienen profundidades diferentes, la primera (12) es más profunda que la segunda (13) para incluir también el dedo de cobre 15a (figura 4d). La asimetría de los reflejos de luz en las dos profundidades es una consecuencia del montaje asimétrico en la banda 4, que lleva una microcinta en la parte izquierda mientras que la parte derecha esta descubierta. Más exactamente, la microcinta 2 deja de ser como tal solamente en el final de la ranura 12, cuya profundidad se calcula en consecuencia. Por otra parte, la profundidad de las dos ranuras 12 y13 se calculará para asegurar un cierto espacio libre entre el final de la guía de ondas 10 y la microcinta 2, y teniendo en cuenta que una cierta tolerancia en la anchura de las ranuras 12 y 13 se prevé para la inserción de la banda 4 sin problemas, como se ve en la figura 5a, el sustrato 1 tiene que fijarse en la mecánica1. Los dos orificios 19, visibles en la figura 5a, son parte de un número de los taladrados en la multicapa y la mecánica 9 para alinear el circuito planar con respecto a la guía de ondas 10 y para sujetarlos a la mecánica. Las Figuras 5c y 5d muestran la sección transversal a lo largo del eje de simetría transversal B-B y C-C de la figura 5a, respectivamente. La observación de estas figuras más adelante aclara los argumentos ya desarrollados en la descripción de los precedentes y no es necesaria una descripción adicional.Figure 5a shows a top view of the assembly consisting of the multilayers of figure 4a superimposed on the mechanics of figure 4b so that they can interpenetrate. Two axes A-A and B-B are indicated in the figure as reference planes for cross sections disclosed in the following figure. Figure 5b shows the section transverse along the axis of longitudinal symmetry A-A of Figure 5a. With reference to figure 5b the edge of the waveguide 10 arises from openings 5 and 6 and a metal lid 16 is supported by that. The cover 16 is attached to the guide of waves 10 by means of the screws 17 that penetrate the four threaded holes 14 (figure 4b). Cap 16 includes a gap center 18 formed as a very short area of waveguide 10 closed at the end. Compared to the previous state of the technique of figure 2a, the cover 16 is now connected to the guide wave without any dielectric layer interposed, so that the metallic continuity of the walls of the waveguide 10 is not never interrupt through the transition until the top. In this way the return currents reflected from the lid they reach the earth directly and, as a consequence, are unnecessary via the holes around the transition as in the Figure 2b for the reasons indicated above. Slots 12 and 13 they have different depths, the first (12) is deeper than the second (13) to also include the 15th copper finger (figure 4d). The asymmetry of the light reflections in both depths is a consequence of asymmetric band mounting 4, which carries a micro tape on the left side while the Right part is discovered. More exactly, the micro tape 2 ceases to be as such only at the end of slot 12, whose Depth is calculated accordingly. Moreover, the depth of the two slots 12 and 13 will be calculated to ensure a certain free space between the end of waveguide 10 and the micro tape 2, and taking into account that a certain tolerance in the width of slots 12 and 13 is provided for the insertion of the band 4 without problems, as seen in figure 5a, the substrate 1 It has to look at mechanics1. The two holes 19, visible in Figure 5a, are part of a number of the drills in the multilayer and mechanics 9 to align the planar circuit with with respect to the waveguide 10 and to fasten them to the mechanics. The Figures 5c and 5d show the cross section along the axis of transverse symmetry B-B and C-C of Figure 5a, respectively. The observation of these figures more further clarifies the arguments already developed in the description of the precedents and no additional description is necessary.
En la operación, la transición se ha diseñado
para funcionar en el rango de 55-60 GHz, de acuerdo
con las demandas del mercado de aparatos transceptores. La mecánica
funciona por una máquina de control numérico para obtener una guía
de onda WR15 (1.88 x 3.76 mm). Los circuitos planos se obtienen a
partir de multicapas que se usan incluyendo un sustrato dieléctrico
de 0.1 mm de espesor pegado a una placa metálica de cobre (núcleo)
de 2 mm de espesor. El substrato dieléctrico seleccionado se conoce
con el nombre comercial Roger^{TM}4350, que tiene pérdidas
medidas por un tan\delta = 0.037 en 10 GHz, según lo declarado por
el fabricante; este valor aumenta claramente en el rango de
frecuencia operativo de la transición. Roger^{TM} es similar a FR4
o a "vetronite^{TM}" utilizado para fabricar la transición
citada en la Ref. [1], es decir, un material hecho de fibra de
vidrio impregnada con la resina de epóxido que tiene tan\delta
desde 0.025 a 0.05. Estos valores de tan\delta son típicos para
PCBs pero no inmediatamente para los circuitos de microonda donde la
alúmina impone con un tan \delta = 0.0001. El acoplamiento
electromagnético entre la microcinta 2 y la guía de onda 10 se
obtienen por medio de una sonda puesta en el plano E de la guía de
onda rectangular 10 y que termina con la placa pequeña 3. Esta
sonda se ha obtenido como continuación de la microcinta 2 dentro de
la cavidad11 de la guía de onda 10 después de haber apartado del
plano de tierra por debajo. El borde de la guía de onda 10 surge de
las multicapas en la zona de la transición, todo lo que la
profundidad de las ranuras 12 y 13 lo permite, y une el borde de la
tapa 16. La pared superior de la tapa 16 actúa como un cortocircuito
para reflejar en retorno la señal hacia la placa 3. Esta tiene que
ver un circuito abierto en su plano para la señal reflejada para
guardarla adaptada a la guía de onda 10. La transformación de
impedancia requerida se obtiene fresando la longitud de la zona 18
en una forma que la distancia del plano de la placa 3 desde el plano
del cortocircuito interno a la tapa 16 es de cerca de \lambda/4.
Para completar el análisis de la transición deben de considerarse
el efecto de las dos hendiduras delimitadas por la tapa 16 o las
ranuras 12 o 13. No hay problemas con estas hendiduras porque sus
dimensiones transversales son tales que se comportan como dos guías
de onda subyacentes en el rango de frecuencia de
55-60 GHz. Además, las hendiduras son más largas que
pocos \lambda y el efecto de los modos de no propagación son
insignificantes, de modo que el campo electromagnético esta
totalmente limitado en el volumen de la transición, diversamente de
las vía de orificios del estado anterior de la
técnica.In the operation, the transition is designed to operate in the range of 55-60 GHz, in accordance with the demands of the transceiver device market. The mechanics work by a numerical control machine to obtain a waveguide WR15 (1.88 x 3.76 mm). Flat circuits are obtained from multilayers that are used including a 0.1 mm thick dielectric substrate bonded to a 2 mm thick copper metal core (core). The selected dielectric substrate is known under the trade name Roger? 4350, which has losses measured by a tan? = 0.037 at 10 GHz, as stated by the manufacturer; This value clearly increases in the operating frequency range of the transition. Roger? Is similar to FR4 or "vetronite?" Used to make the transition cited in Ref. [1], that is, a material made of fiberglass impregnated with the epoxy resin that has so δ from 0.025 to 0.05. These values of tan? Are typical for PCBs but not immediately for microwave circuits where alumina imposes with a tan? = 0.0001. The electromagnetic coupling between the micro-belt 2 and the waveguide 10 is obtained by means of a probe placed in the plane E of the rectangular waveguide 10 and ending with the small plate 3. This probe has been obtained as a continuation of the micro tape 2 inside the cavity 11 of the waveguide 10 after having moved away from the ground plane below. The edge of the waveguide 10 arises from the multilayers in the transition zone, all that the depth of the grooves 12 and 13 allows, and joins the edge of the lid 16. The upper wall of the lid 16 acts as a short circuit to reflect in return the signal towards the plate 3. This has to see an open circuit in its plane for the reflected signal to keep it adapted to the waveguide 10. The required impedance transformation is obtained by milling the length of the zone 18 in a way that the distance from the plane of the plate 3 from the plane of the internal short circuit to the cover 16 is about λ / 4. To complete the analysis of the transition, the effect of the two grooves delimited by the cover 16 or the grooves 12 or 13 must be considered. There are no problems with these grooves because their transverse dimensions are such that they behave like two underlying waveguides in the frequency range of 55-60 GHz. In addition, the grooves are longer than few λ and the effect of the non-propagation modes is insignificant, so that the electromagnetic field is totally limited in the volume of the transition, variously of the holes in the previous state of the
technique.
Un primer diseño de la transición 55-60 GHz se ha realizado aproximadamente calculando las dimensiones de sus piezas relevantes con la ayuda de dos libros convencionales citados en la Ref. [3] y en la Ref. [4]. El diseño ha sido refinado sucesivamente por varias sesiones de la simulación realizadas por medio del simulador electromagnético 3D Agilent^{TM} HFSS operativo en el modelo mostrado en la figura 6a. El objetivo es que optimiza las dimensiones de la sonda, incluidas las de la placa 3, para funcionar en la banda deseada manteniendo la anchura de banda y la correspondencia de condiciones en la medida de lo posible no afectados por las tolerancias mecánicas y de montaje. Con referencia a la figura 6a, vemos el modelo incluyendo la banda dieléctrica 4 apoyada en el borde de la guía de onda 10 transversal a su cavidad rectangular 11. Este modelo también incluye la hendidura comprendida entre la ranura 12 y la tapa 16, conteniendo la zona relevante de la microcinta 2. La parte terminal de la sonda con la placa 3 se modela dentro de la cavidad 11 y se representa con mayores detalles en la figura 6b. Con referencia a la figura 6b, vemos la microcinta 2 y la placa 3 formando como una T. La base de la placa rectangular 3 perpendicular a la microcinta 2 tiene una longitud c mayor que la altura b, pero esto no es una regla general. Las etiquetas w y h indican respectivamente las dimensiones más largas y más cortas de la cavidad rectangular 11, mientras que la etiqueta a indica la longitud de la microcinta 2 (sin cobre debajo) dentro de la cavidad 11 del flanco interno 12 a la base de la placa 3; es decir: la longitud de la línea que lleva la señal a la placa 3. La simulación se lleva a cabo considerando una guía de onda WR15 (1,88 x 3,76 mm); con lo que: h = 0.5 w. Los resultados de la simulación han confirmado que la frecuencia central de la transición depende de la proporción (a+b)/w, mientras que el nivel de la adaptación en los puertos de entrada y de salida depende de la proporción c/b dentro del ancho de banda considerado. Hablando en términos generales, mayor es la proporción (a+b)/w (por ejemplo la placa más cerca al centro de la cavidad) más baja es la frecuencia central fo de la transición. Además, una vez que w (3,76 mm) se selecciona de acuerdo con las normas de diseño típico para guía de ondas rectangular que opera en la proximidad de la frecuencia central deseada fo (58 GHz), y (a+b)/w se fija para obtener el fo exacto, entonces b (y por lo tanto a) y c se optimizan en la banda de frecuencia deseada independientemente del fo exacto fijado previamente. Para la banda operativa de 55-60 GHz, se encuentran los valores de (a+b)/w = 0,18 y c/b = 2.22 para ser óptima. Los resultados de las simulaciones se relatan en las figuras 7 y 8 que conciernen a los parámetros de dispersión S_{11} y S_{21} versus frecuencia, respectivamente. Con referencia a la figura 7, vemos que el coeficiente de reflexión S_{11} nunca cae debajo de 20 dB en la banda considerada, mientras en la figura 8 la pérdida de inserción máxima S_{21} es aproximadamente 0.1 dB.A first design of the 55-60 GHz transition has been made approximately by calculating the dimensions of its relevant pieces with the help of two conventional books cited in Ref. [3] and in Ref. [4]. The design has been successively refined by several simulation sessions carried out by means of the Agilent ™ HFSS 3D electromagnetic simulator operating in the model shown in Figure 6a. The objective is that it optimizes the dimensions of the probe, including those of the plate 3, to operate in the desired band maintaining the bandwidth and the correspondence of conditions as far as possible not affected by the mechanical and assembly tolerances. With reference to Figure 6a, we see the model including the dielectric band 4 resting on the edge of the waveguide 10 transverse to its rectangular cavity 11. This model also includes the gap between the groove 12 and the cover 16, containing the relevant area of the micro tape 2. The terminal part of the probe with the plate 3 is modeled inside the cavity 11 and is shown in greater detail in Figure 6b. With reference to Figure 6b, we see the micro-tape 2 and the plate 3 forming as a T. The base of the rectangular plate 3 perpendicular to the micro-tape 2 has a length c greater than the height b , but this is not a general rule. The labels w and h respectively indicate the longest and shortest dimensions of the rectangular cavity 11, while the label a indicates the length of the micro-tape 2 (without copper below) within the cavity 11 of the inner flank 12 to the base of plate 3; that is to say: the length of the line that carries the signal to the plate 3. The simulation is carried out considering a waveguide WR15 (1.88 x 3.76 mm); with which: h = 0.5 w . The simulation results have confirmed that the central frequency of the transition depends on the ratio (a + b) / w, while the level of adaptation at the input and output ports depends on the c / b ratio within the bandwidth considered. Generally speaking, the higher the ratio (a + b) / w (for example, the plate closest to the center of the cavity) is the lowest the center frequency fo of the transition. In addition, once w (3.76 mm) is selected according to the typical design standards for rectangular waveguide operating in the proximity of the desired center frequency fo (58 GHz), and (a + b) / w is set to obtain the exact fo, then b (and therefore a) and c are optimized in the desired frequency band regardless of the exact fo previously set. For the 55-60 GHz operating band, the values of (a + b) / w = 0.18 and c / b = 2.22 are found to be optimal. The results of the simulations are reported in Figures 7 and 8 concerning the dispersion parameters S_ {11} and S_ {21} versus frequency, respectively. With reference to Figure 7, we see that the reflection coefficient S_ {11} never falls below 20 dB in the band considered, while in Figure 8 the maximum insertion loss S_ {{}} is approximately 0.1 dB.
Para comprobar la validez de las simulaciones y los funcionamientos reales de la transición, se ha realizado un prototipo con dos transiciones conectados "back-to-back" por una microcinta central, como el que está representado en la figura 9a fotografiada en la figura 9b. La parte izquierda de la figura 9a es una imagen especular de la transición de la figura 5a. La adaptación en un puerto de entrada de la estructura doble se mide después de haber cerrado el otro puerto sobre una terminación adaptada, por lo tanto la medida concierne a toda la adaptación de las dos transiciones. Los parámetros de dispersión medidos S_{11} y S_{21} versus frecuencia se relatan en las figuras 10 y 11, respectivamente. Con referencia a la figura 10, vemos que el coeficiente de reflexión S_{11} nunca es peor que 10 dB en la banda considerada. El parámetro de pérdida de inserción S_{21} indicado en la figura 11 esta fuertemente influenciado por la microcinta central que interconecta las dos transiciones. De hecho, la longitud de 20 mm (aproximadamente 7\lambda) de la microcinta causa perdidas de cerca de 1.5 dB, como una consecuencia de cada transición contribuye a la medida con aproximadamente 1.25 dB.To check the validity of the simulations and the actual operations of the transition, a prototype with two transitions connected "back-to-back" for one central micro tape, like the one shown in figure 9a Photographed in figure 9b. The left part of figure 9a is a mirror image of the transition of Figure 5a. The adaptation in a double structure input port is measured after having closed the other port on termination adapted, therefore the measure concerns the entire adaptation of The two transitions. The dispersion parameters measured S_ {11} and S_ {21} versus frequency are reported in Figures 10 and 11, respectively. With reference to figure 10, we see that the reflection coefficient S_ {11} is never worse than 10 dB in the considered band. The insertion loss parameter S_ {21} indicated in figure 11 is strongly influenced by the central micro tape that interconnects the two transitions. In fact, the length of 20 mm (approximately 7 λ) of the micro tape causes losses of about 1.5 dB, as a consequence of each Transition contributes to the measurement with approximately 1.25 dB.
La figura 12 muestra una vista desde arriba de una transición de microcinta a guía de ondas circular, sin la tapa superior, la realización de la cual es directamente alcanzable a partir de la descripción precedente de la transición de la microcinta a la guía de onda rectangular. Lo mismo se aplica para una transición de una microcinta a guía de onda rectangular elíptica (no representado en la figura).Figure 12 shows a top view of a transition from micro tape to circular waveguide, without the lid superior, the realization of which is directly attainable at from the preceding description of the transition of the micro tape to the rectangular waveguide. The same applies to a transition from a micro tape to rectangular waveguide elliptical (not shown in the figure).
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[1] EP 02425349.4, título: "BROADBAND MICROSTRIP TO WAVEGUIDE TRANSITION ON MULTILAYER PRINTED CIRCUIT BOARDS ARRANGED FOR OPERATING IN THE MICROWAVES". (Publicado el 03/12/2003 con el número 1367668)[1] EP 02425349.4, title: "BROADBAND MICROSTRIP TO WAVEGUIDE TRANSITION ON MULTILAYER PRINTED CIRCUIT BOARDS ARRANGED FOR OPERATING IN THE MICROWAVES ". (Published on 12/03/2003 with the number 1367668)
[2] EP 01830497.2, título: "PRINTED CIRCUIT BOARD AND RELEVANT MANUFACTURING METHOD FOR THE INSTALLATION OF MICROWAVE CHIPS UP TO 80 GHz". (Publicado el 29/01/2003 con el número 1280392)[2] EP 01830497.2, title: "PRINTED CIRCUIT BOARD AND RELEVANT MANUFACTURING METHOD FOR THE INSTALLATION OF MICROWAVE CHIPS UP TO 80 GHz ". (Published on 01/29/2003 with the number 1280392)
[3] "Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures", G. L. Matthaei, L. Yong y E. M. T. Jones; Artech House Books; 1980.[3] "Microwave Filters, Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures", GL Matthaei , L. Yong and EMT Jones ; Artech House Books ; 1980 .
[4] "Foundation for Microwave Engineering"; R. E. Collin; McGraw-Hill 2ª edición; © 1992.[4] "Foundation for Microwave Engineering"; RE Collin ; McGraw-Hill 2nd edition; © 1992 .
[5] EP 0874415 A2, titulo: "HIGH-FREQUENCY PACKAGE". Solicitante: KYOCERA CORPORATION. (Publicado el 28/10/1998).[5] EP 0874415 A2, title: "HIGH-FREQUENCY PACKAGE". Applicant: KYOCERA CORPORATION (Posted on 10/28/1998).
Claims (16)
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madamente 100 \mum, el valor de (a+b)/w es de aproximadamente 0.18 y el valor de c/b es de aproximadamente 2.22.it includes the stage of optimization of the adaptation in the input and output ports within the desired frequency band by fixing the c / b ratio, where c is the height of the rectangular plate within the considered bandwidth; wherein the desired frequency band ranges from 55 to 60 GHz; in which a dielectric layer (1) with a relative dielectric constant ε of approximately 3.54 is used and in which the thickness is approximately
At 100 µm, the value of (a + b) / w is about 0.18 and the value of c / b is about 2.22.
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP04425300A EP1592081B1 (en) | 2004-04-29 | 2004-04-29 | Microstrip to waveguide transition for millimetric waves embodied in a multilayer printed circuit board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2334566T3 true ES2334566T3 (en) | 2010-03-12 |
Family
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