ES2348613T3 - Procedimiento para la fabricación de dispositivos micromecanicos que contienen un material getter y dispositivos fabricados de acuerdo con el mismo. - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
- B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
Procedimiento para la fabricación de dispositivos micromecánicos, que comprende una etapa de unión directa entre dos partes de soporte, una de las cuales (12, 20) está fabricada a base de silicio y la otra está fabricada de silicio o de un material semiconductor, cerámico u óxido, de manera que elementos funcionales (11) y posibles elementos auxiliares del dispositivo se encuentran presentes, como mínimo, sobre una de estas partes de soporte y en el que un depósito de material getter (13, 24) se encuentra presente sobre una parte de soporte de silicio, comprendiendo las siguientes etapas: proporcionar una primera parte de soporte (10) sobre la que los elementos funcionales (11) y posibles elementos auxiliares del dispositivo son incorporadas; disponer una segunda parte de soporte (20); estando formadas dichas primera y segunda partes de soporte, de manera tal que cuando se acoplan forman una cavidad (14) en la que están alojados dichos elementos funcional, auxiliares y depósito de material getter; aproximar las dos partes de soporte mencionadas para formar dicha cavidad y soldar las dos partes mencionadas por unión directa; caracterizándose dicho procedimiento porque dicho depósito de material getter es formado sobre dicha parte de soporte de silicio, por medio de una primera operación de formación sobre la parte de soporte de silicio de una capa intermedia (23) de un material vítreo, cerámico u óxido, que tiene un grosor mínimo de 50 nanómetros, y una segunda operación de depósito de una capa de material getter (24) que tiene un grosor no superior a 10 micras sobre dicha capa intermedia, y que el material getter utilizado es una aleación que contiene zirconio y, como mínimo, un segundo elemento escogido entre molibdeno, niobio, tántalo y tungsteno, encontrándose presente el zirconio en porcentajes comprendidos entre 70 y 97% en peso.
Description
La presente invención se refiere a un procedimiento
para la fabricación de dispositivos micromecánicos que contienen un
material getter y a los dispositivos fabricados mediante este
procedimiento. En particular, la invención se refiere a un
procedimiento para la fabricación de dispositivos que comprenden
una etapa de unión conjunta de dos obleas por fusión en el interfaz
entre ellas, siendo fabricada una de las obleas mediante silicio, y
la otra mediante un semiconductor, material cerámico u óxido; la
invención se refiere también a los dispositivos finales y a
materiales getter específicos capaces de resistir las condiciones
del procedimiento.
Los dispositivos micromecánicos se conocen de manera
general como “Sistemas microelectromecánicos” o “Sistemas
microoptoelectromecánicos”, y con sus abreviaturas MEMS y MOEMS (a
continuación se hará referencia solamente a MEMS, que tendrá
también el significativo de MODEMS). Estos dispositivos están
formados a base de una cavidad estanqueizada, dentro de la que se
encuentran piezas micromecánicas capaces de llevar a cabo
movimientos predeterminados o piezas capaces de interaccionar con
radiaciones electromagnéticas, además de piezas auxiliares y
alimentaciones eléctricas tanto para el suministro de potencia para
el dispositivo como para la transmisión al exterior de la señal
generada por el dispositivo. Se encuentran entre los ejemplos de
dichos dispositivos los microacelerómetros, descritos en numerosas
patentes tales como US 5.594.170, US 5.656.778 y US 5.952.572;
resonadores miniaturizados, utilizados en el campo de las
telecomunicaciones, y particularmente en la fabricación de
teléfonos móviles que se describen en las patentes US 5.821.836 y
US 6.058.027; o bien sensores miniaturizados IR, un ejemplo de los
cuales se describe en la patente US 5.895.233.
Al final del procedimiento de fabricación, diferentes
gases quedan contenidos en la cavidad de un MEMS, siendo residuales
del procedimiento o debidos a la desgasificación de las paredes de
- la
- misma cavidad, los cuales pueden interferir con el
- funcionamiento
- de los MEMS: por ejemplo, pueden modificar la
- conducción
- térmica en el sistema alterando, por lo tanto, la
medición de temperatura en el caso de un sensor IR, que por lo
tanto requiere el mayor grado posible de vacío en la cavidad. Otros
dispositivos MEMS no tienen esta exigencia tan estricta de niveles
de vacío extremadamente elevados. Por ejemplo, en acelerómetros una
baja presión de gas en la cavidad ayuda a amortiguar la vibración
de la pieza móvil después de que ha sido puesta en movimiento; esto
permite la recuperación rápida de la situación de “reposo” del
dispositivo, haciéndolo más fácilmente disponible para otras
detecciones de movimiento; con este objetivo, la fabricación de
algunos MEMS prevé el relleno de la cavidad antes de su cierre
estanco con un gas determinado (por ejemplo, un gas noble) a
presiones del orden de miles de Pascal (Pa). En estos casos, no
obstante, también es necesario que la atmósfera en la cavidad tenga
una presión y composición química constantes, porque las
variaciones de sus parámetros podrían alterar la viscosidad del
medio alrededor de las partes móviles, alterando por lo tanto las
mediciones.
El conseguir grados de vacío muy elevados o una
atmósfera constante durante toda la vida de un dispositivo MEMS se
puede asegurar introduciendo en la cavidad un material getter, es
decir, un material capaz de eliminar la mayor parte de gases no
nobles. Son materiales getter usualmente utilizados los metales,
tales como zirconio, titanio o aleaciones de los mismos; es
preferente una aleación con un porcentaje en peso de zirconio 80%cobalto 15%-tierras raras 5%, comercializado por la solicitante
con la designación St 787. La utilización de materiales getter en
los dispositivos MEMS se describe, por ejemplo, en las patentes USA
Nºs 5.952.572, 6.499.354, 6.590.850, 6.621.134, 6.635.509 y
6.923.625.
Los MEMS son fabricados con tecnologías derivadas de la
fabricación de circuitos semiconductores de integrados, que
consisten de manera típica en depósitos localizados de los
materiales deseados sobre soportes planos de cristal, de cuarzo, de
material cerámico (por ejemplo, carburo de silicio) o de un
material semiconductor (el silicio es preferente), y eliminaciones
selectivas de zonas de capas de diferente material. En particular,
los MEMS de última generación, descritos en la siguiente referencia
a la figura 1, son fabricados normalmente por la soldadura de dos
piezas entre sí, siendo formada una primera pieza –10habitualmente a base de un soporte plano, en general de silicio,
sobre el que se constituyen los elementos funcionales –11-y los
elementos auxiliares (los cuales no se han mostrado en el dibujo),
y una segunda parte –12-que puede ser fabricada a base de cristal,
cuarzo, material cerámico o un material semiconductor y que en
general tiene sólo la función de cerrar el dispositivo a efectos de
proteger los elementos internos. Dado que esta segunda parte se
encuentra, en general, libre de elementos funcionales y, por lo
tanto, proporciona mayor espacio libre, el material getter –13está dispuesto preferentemente sobre esta parte, tal como se
describe, por ejemplo, en la patente USA 6.897.551. La técnica
- preferente para el depósito de capas de material getter
- en esta
- solicitud
- es el depósito catódico, habitualmente conocido como
- “bombardeo
- iónico” (“sputtering”). Tal como es sabido, en esta
técnica, un cuerpo que tiene en general forma de un cilindro de
poca longitud (llamado “objetivo”), fabricado del material que se
desea depositar, y el soporte sobre el que se desea formar el
depósito, son dispuestos en una cámara cerrada; la cámara es
llenada con un gas noble, en general argón, a una presión inferior
a la atmosférica, aplicando una diferencia de potencial de una
magnitud de miles de voltios (o más baja, dependiendo de la
configuración utilizada) entre el objetivo (mantenido a potencial
catódico) y un ánodo, siendo ionizado el gas noble y los iones
producidos de este modo son acelerados hacia el objetivo,
erosionándolo por impacto; el material erosionado se deposita sobre
las superficies disponibles incluyendo el soporte; utilizando
sistemas de enmascarado dotados de aberturas adecuadas es posible
reducir el área del soporte en el que se ha formado el depósito.
Como alternativa, el bombardeo iónico puede ser llevado a cabo en
condiciones reactivas, a saber, añadiendo al gas noble un pequeño
porcentaje de un gas reactivo, por ejemplo, oxígeno, que reacciona
con las partículas erosionadas por el objetivo en la fase gaseosa
produciendo un depósito del material que resulta de la reacción del
gas reactivo con dichas partículas. Una vez que la totalidad de los
elementos necesarios para el funcionamiento de los MEMS han sido
formados sobre las dos partes, éstas son unidas entre sí por
soldadura a lo largo de una línea que encierra los elementos del
dispositivo. El micro-dispositivo queda, por lo tanto, cerrado de
forma estanca en un espacio cerrado –14-y está protegido mecánica
y químicamente con respecto al ambiente externo.
La soldadura puede ser llevada a cabo por numerosas
técnicas conocidas por la definición habitual de “unión”
(“bond-ing”). Una primera posibilidad consiste en insertar entre
las dos partes un metal maleable, tal como indio, plomo u oro, y
provocar su fusión y solidificación, posiblemente ejerciendo una
cierta presión (“unión a presión”): no obstante, esta técnica tiene
como resultado soldaduras que no son completamente fiables desde el
punto de vista de resistencia mecánica. Otro tipo de unión es la
anódica (utilizada principalmente en el caso en el que uno de los
soportes está realizado a base de cristal o cuarzo y el otro es de
silicio), de manera que se aplica una diferencia de potencial de
unos 1000 V entre las dos partes mantenidas a una temperatura
aproximada de 300-500oC; en estas condiciones existe una migración
de iones positivos desde el soporte mantenido a un potencial
positivo (por ejemplo, iones sodio del cristal) hacia el soporte
mantenido a un potencial negativo, y una migración de iones
negativos (por ejemplo, oxígeno del silicio) a la dirección
opuesta; esta migración de material entre los dos soportes tiene
como resultado su soldadura entre sí. Otra posible técnica es la
unión eutéctica, en la que una capa de metal o aleación capaz de
formar una composición eutéctica con el material de, como mínimo,
uno de los dos soportes, se interpone entre los dos soportes, a
efectos de provocar una fusión localizada en la zona de soldadura
por medio de un tratamiento térmico adecuado. No obstante, la unión
eutéctica no es utilizada, en general cuando existe el peligro de
contaminación metálica, por ejemplo cuando se lleva a cabo la unión
eutéctica junto con un proceso de fabricación cMOS. Los materiales
getter actualmente disponibles son los compatibles con los procesos
de fabricación de MEMS que utilizan las técnicas de unión antes
descritas.
Otra posible técnica de sellado de MEMS es la unión
directa que requiere la fusión localizada del material de los
soportes; el conseguir una unión estable de esta manera requiere,
en general, elevadas temperaturas, por ejemplo, unos 1000oC en el
caso de silicio. Esta técnica puede utilizar también una capa
intermedia, por ejemplo, óxido de silicio cuando se unen dos partes
de silicio. En comparación con las técnicas anteriormente citadas,
la unión directa permite obtener una mejor unión entre las dos
partes a soldar, incrementando tanto la fuerza de adherencia como
la estabilidad con respecto a las condiciones de esfuerzo, tales
como choques térmicos y mecánicos, vibraciones o ciclos térmicos.
Con este tipo de unión, las características mecánicas del área de
soldadura son comparables con las del material que forman las
partes soldadas. Este tipo de unión es utilizado para los
dispositivos que deben tener una gran fiabilidad y duración (por
ejemplo, aplicaciones en aviónica).
No obstante, se ha demostrado que los materiales getter
utilizados en la actualidad no son capaces de resistir los
tratamientos térmicos requeridos por unión directa. En primer
lugar, durante estos tratamientos térmicos, la mayor parte de
materiales getter sufren fuertes redistribuciones estructurales y
morfológicas, que pueden tener como resultado la fusión del
depósito de material (por ejemplo, en el caso de la aleación citada
St 787); las consecuencias mínimas observadas consisten en la
pérdida casi total de la capacidad de absorción de gas por parte
del getter, mientras que en el caso de fusión el material getter
puede “humedecer” las partes funcionales del dispositivo y, después
de la solidificación, puede alterar por completo o puede impedir su
funcionamiento. En algunos casos, también se ha observado una
evaporación parcial y nueva condensación del material getter sobre
las superficies adyacentes, con consecuencias negativas sobre el
funcionamiento del dispositivo. Otro problema que ha sido observado
con todos los materiales getter es que si el depósito es formado
sobre silicio, se separa del soporte durante el enfriamiento que
sigue la operación de unión, de manera que fragmentos sólidos
pueden entrar en contacto con las partes funcionales, lo cual
dificulta la eficacia del dispositivo.
Es un objeto de la presente invención dar a conocer un
procedimiento para la fabricación de dispositivos micromecánicos
que comprende una etapa de unión directa de dos piezas de soporte
sobre las que se encuentran presentes elementos funcionales,
accesorios y material getter, y también proporcionar dispositivos
micromecánicos finales y una familia de materiales getter capaces
de resistir el proceso de fabricación.
Estos objetivos son conseguidos de acuerdo con la
presente invención con un procedimiento para la fabricación de
dispositivos micromecánicos, que comprende una etapa de unión
directa de dos partes de soporte, una de las cuales está realizada
a base de silicio y la otra de silicio o de un semiconductor,
material cerámico u óxido, de manera que los elementos funcionales
y posibles elementos auxiliares del dispositivo se encuentran
presentes, como mínimo, en una de las piezas de soporte, y en el
que un depósito de material getter se encuentra presente sobre una
parte de soporte de silicio, comprendiendo las etapas siguientes:
proporcionar una primera parte de soporte en la que elementos
funcionales y posiblemente elementos auxiliares del dispositivo
quedan incorporados; disponer una segunda parte de soporte; estando
formadas dichas primera y segunda partes de manera tal que cuando
se acoplan forman una cavidad, de manera que dichos elementos
funcionales, elementos auxiliares y material getter se depositan y
quedan alojados; aproximado las dos piezas de soporte mencionadas,
de manera que formen dicha cavidad y efectuando la soldadura de
dichas dos piezas de soporte por unión directa, caracterizándose
dicho procedimiento por el hecho de que dicho depósito de material
getter es formado sobre dicha parte de soporte de silicio por medio
de una primera operación de formación sobre la parte de soporte de
silicio de una capa intermedia de un material vítreo, cerámico o de
óxido, con un grosor mínimo de 50 nanómetros y una segunda
operación de depositar una capa de material getter, que tiene un
grosor no superior a 10 micras, sobre dicha capa intermedia; y
porque el material getter utilizado es una aleación que contiene
zirconio y, como mínimo, un segundo elemento escogido entre
molibdeno, niobio, tántalo y tungsteno, de manera que el zirconio
se encuentra presente con un porcentaje comprendido entre 70 y 97%
- en peso.
- La
- invención se mostrará a continua ción haciendo
- referencia a lo
- s dibujos, en los que:
- -
- La figura 1, que ya se ha descrito con
referencia a la técnica anterior, muestra
esquemáticamente una vista en sección de un
dispositivo MEMS;
-La figura 2 muestra las etapas principales de
la operación, que caracterizan el procedimiento
de la invención.
Los inventores han descubierto que es posible impedir
que los depósitos de material getter sobre soportes de silicio se
separen durante un procedimiento de unión directa si se utilizan
algunos materiales getter específicos, si entre el material getter
y el silicio se interpone una capa intermedia realizada a base de
un material vítreo, cerámico u óxido, y si el getter y las capas
intermedias tienen valores de espesor específicos, dado que el
procedimiento de la invención se caracteriza por la presencia de la
capa intermedia y por la definición de dichos espesores, mientras
que para el resto de operaciones es completamente similar a otros
procedimientos para la fabricación de MEMS con unión directa,
solamente se describirán en detalle a continuación las
características de innovación de la invención.
Tal como se ha descrito en lo anterior, debido al
espacio disponible es preferible producir la capa de getter sobre
el soporte opuesto a aquél en el que están construidos elementos
funcionales MEMS y elementos auxiliares; por lo tanto, en el resto
de la descripción se hará referencia a esta realización, pero será
evidente para los técnicos en la materia que la invención puede ser
aplicada también en el caso en el que el depósito de getter se
obtenga sobre el mismo soporte que lleva los elementos funcionales
y auxiliares.
La formación de la capa intermedia y de la capa de
material getter sobre la misma se pueden llevar a cabo por medio de
diferentes técnicas. Por ejemplo, la capa intermedia puede ser
realizada a base de un compuesto vítreo o cerámico de silicio, por
ejemplo óxido o nitruro; en este caso dicha capa se puede dejar
crecer empezando desde el soporte de silicio por reacción con
oxígeno o nitrógeno a suficiente temperatura o de manera
alternativa es posible adoptar la técnica de implantación de iones
de oxígeno o nitrógeno en el silicio, seguido de tratamientos
térmicos de difusión (conocidos en este sector como “recocido”
(“annealing”) para hacer homogénea la capa formada de esta manera
en cuanto a estructura y características.
No obstante, la técnica preferente para el crecimiento
de las diferentes capas es el bombardeo iónico, posiblemente
reactivo, ofreciendo un elevado control de las características
geométricas y estructurales de la capa bajo formación con un coste
limitado. Además, con respecto a las técnicas anteriormente
citadas, el bombardeo iónico proporciona la ventaja adicional de
ser capaz de formar capas intermedias adecuadas para los objetivos
de la invención con materiales distintos de los compuestos de
silicio, tales como, por ejemplo, nitruros o carburos metálicos.
La forma preferente de llevar a cabo el procedimiento
de la invención (depósito por bombardeo iónico, tanto de las capas
intermedias como de material getter sobre el soporte libre de
elementos funcionales) se describe a continuación con referencia a
la figura 2, en la que los elementos se han mostrado en una vista
en sección esquemática.
La figura 2a muestra un soporte –20-, similar al
soporte –12-de la figura 1 pero que tiene una orientación de
arriba hacia abajo con respecto al mismo.
La figura 2b muestra la operación de formación de la
capa intermedia sobre el soporte –20-. El depósito es llevado a
cabo preferentemente sobre un área restringida del soporte –20-,
colocando una protección o máscara –21-sobre el soporte, cuya
máscara tiene una abertura –22-que define el área del soporte –20en la que se tiene que formar el depósito; las flechas de la figura
2b indican la dirección de las partículas del material escogido
para la formación de la capa intermedia –23-. El grosor de la capa
intermedia puede ser controlado, tal como es bien conocido en esta
técnica, ajustando el tiempo de procedimiento, la potencia aplicada
entre ánodo y objetivo y la distancia entre el objetivo del
material a depositar y el soporte –20-. El grosor de la capa –23debe ser, por lo menos, de 50 nanómetros (nm), porque se ha
observado que con grosores más reducidos no se puede impedir el
desprendimiento de la capa getter formada subsiguientemente;
preferentemente este grosor es menor de 2 µm, a efectos de minimizar el tiempo de depósito de la capa intermedia asegurando, no obstante, las características funcionales óptimas. El depósito de la capa –23-por bombardeo iónico puede ser llevado a cabo también bajo condiciones reactivas, por ejemplo, en presencia de pequeñas cantidades de oxígeno en el gas noble, proporcionando un óxido como material constitutivo de dicha capa.
La operación de formación de la capa intermedia puede
ser llevada a cabo también de otras maneras, por ejemplo, sin
utilizar la máscara –21-en la fase de depósito, al depositar de
manera uniforme el material de la capa –23-sobre el soporte –20-y
eliminando después selectivamente a efectos de obtener la geometría
deseada; en este caso, la utilización de una máscara podría ser
necesaria para la operación de eliminación selectiva de partes de
la capa depositada de este modo.
La operación subsiguiente es el depósito de la capa de
material getter. También esta operación puede ser llevada a cabo
sin utilizar máscaras, al depositar de manera uniforme el material
sobre la parte de soporte –20-(en la que la capa –23-se encuentra
ya presente) y eliminando luego selectivamente el getter, a efectos
de dejarlo solamente en correspondencia con la capa –23-. No
obstante, también en este caso el depósito de la capa de material
getter se lleva a cabo preferentemente utilizando un sistema de
protección o enmascarado, de manera que el material getter se
deposita solamente sobre la capa intermedia. La máscara puede tener
una abertura más reducida que la utilizada en la operación mostrada
en la figura 2b, pero preferentemente la forma, dimensiones y
alineación de la abertura son iguales que en la operación anterior,
a efectos de hacer máxima el área de depósito del getter (y, por lo
tanto, su capacidad de absorción de gas); estas condiciones
preferentes se consiguen de la forma más conveniente utilizando la
misma máscara mantenida en alineación constante con respecto a la
parte de soporte –20-en las dos operaciones, simplificando de esta
manera todo el proceso. Utilizando la misma máscara para las dos
operaciones de depósito, éstas son llevadas a cabo consecutivamente
durante la misma etapa de fabricación al sustituir simplemente el
objetivo del material de la capa intermedia por el objetivo de
material getter, ajustando el tiempo de utilización de los dos
objetivos en base al grosor deseado para las dos capas de
diferentes materiales. Esta modalidad es representada en la figura
2c, en la que la misma máscara –21-de la figura 2b con la abertura
–22-es utilizada para depositar la capa –24-de material getter;
también en este caso, las flechas indican la dirección de las
partículas de material getter que están siendo depositadas.
En la figura 2, la máscara –21-se ha representado como
objeto físico colocado sobre la parte de soporte –20-. Esta opción
es posible cuando los depósitos a formar tienen dimensiones
laterales no inferiores a 200-300 micras aproximadamente; por
debajo de estas dimensiones es necesario recurrir a máscaras
litográficas, obtenidas por depósito sobre el soporte de películas
de materiales orgánicos sensibles a UV, exposición a luz UV y
eliminación selectiva con agentes químicos de partes expuestas (o
no expuestas) de dichas películas, de acuerdo con un procedimiento
bien conocido en el sector de la microelectrónica y que se puede
aplicar al depósito de materiales getter, tal como se ha descrito
en la solicitud de patente internacional WO 2006/109343 a nombre
del solicitante.
El material getter compatible con la operación de unión
directa es una aleación que contiene zirconio y, como mínimo, un
segundo elemento escogido entre molibdeno, niobio, tántalo y
tungsteno, en la que el zirconio se encuentra presente en
porcentajes comprendidos entre 70 y 97% en peso. Preferentemente,
el segundo elemento es escogido entre niobio y tántalo, y en este
caso el zirconio se encuentra presente en porcentajes comprendidos
entre 85 y 95% en peso.
El grosor de la capa de material getter no debe superar 10 µm, porque los inventores han observado experimentalmente que para grosores más elevados el depósito de getter se desprende del soporte durante la unión directa (en particular, durante el enfriamiento después de la unión) a pesar de la presencia de la capa intermedia e independientemente del grosor de ésta última; el
grosor de esta capa es preferentemente superior a 0,1 µm, y para menores grosores la capacidad de absorción de gas resulta demasiado baja.
La parte de soporte –20-preparada de este modo, con la
adición de las capas –23-y –24-, es sometida a continuación a las
operaciones subsiguientes del proceso de fabricación MEMS, en
particular la unión directa con un soporte parecido a la pieza de
soporte –10-. Tal como se conoce en este sector, a efectos de
asegurar una buena calidad de la unión directa, es preferible que
las dos superficies a soldar entre sí sean sometidas de forma
preliminar a limpieza y tratamientos de modificación superficial,
tales como pulido mecánico, lapeado o lavados químicos. Estos
tratamientos son llevados a cabo preferentemente antes de las
etapas de depósito de las capas intermedia y de getter, pero
también se puede llevar a cabo después de dichas etapas de
depósito, tal como se describe en la solicitud de patente
internacional WO 2005/047558 a nombre del solicitante. La etapa de
sellado también se puede llevar a cabo en presencia de un gas
determinado (por ejemplo, un gas noble) a una presión inferior a la
atmosférica, para obtener un dispositivo MEMS que tiene una presión
de gas fija en la cavidad por las razones anteriormente explicadas.
Claims (15)
- REIVINDICACIONES
- 1.
- Procedimiento para la fabricación de dispositivos micromecánicos, que comprende una etapa de unión directa entre dos partes de soporte, una de las cuales (12, 20) está fabricada a base de silicio y la otra está fabricada de silicio o de un material semiconductor, cerámico u óxido, de manera que elementos funcionales (11) y posibles elementos auxiliares del dispositivo se encuentran presentes, como mínimo, sobre una de estas partes de soporte y en el que un depósito de material getter (13, 24) se encuentra presente sobre una parte de soporte de silicio, comprendiendo las siguientes etapas: proporcionar una primera parte de soporte (10) sobre la que los elementos funcionales (11) y posibles elementos auxiliares del dispositivo son incorporadas; disponer una segunda parte de soporte (20); estando formadas dichas primera y segunda partes de soporte, de manera tal que cuando se acoplan forman una cavidad (14) en la que están alojados dichos elementos funcional, auxiliares y depósito de material getter; aproximar las dos partes de soporte mencionadas para formar dicha cavidad y soldar las dos partes mencionadas por unión directa; caracterizándose dicho procedimiento porque dicho depósito de material getter es formado sobre dicha parte de soporte de silicio, por medio de una primera operación de formación sobre la parte de soporte de silicio de una capa intermedia (23) de un material vítreo, cerámico u óxido, que tiene un grosor mínimo de 50 nanómetros, y una segunda operación de depósito de una capa de material getter (24) que tiene un grosor no superior a 10 micras sobre dicha capa intermedia, y que el material getter utilizado es una aleación que contiene zirconio y, como mínimo, un segundo elemento escogido entre molibdeno, niobio, tántalo y tungsteno, encontrándose presente el zirconio en porcentajes comprendidos entre 70 y 97% en peso.
-
- 2.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dichos segundo elemento es escogido entre niobio y tántalo, y el zirconio se encuentra presente en dicha aleación en porcentajes comprendidos entre 85 y 95% en peso.
-
- 3.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha capa intermedia está constituida por óxido o nitruro de silicio y su formación es llevada a cabo por medio de reacción de la parte de soporte de silicio con oxígeno o nitrógeno.
-
- 4.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha capa intermedia está realizada en óxido o nitruro de silicio y su formación es llevada a cabo por medio de implantación de iones de oxígeno o de nitrógeno en el silicio.
-
- 5.
- Procedimiento, según la reivindicación 4, en el que la implantación de iones es llevada a cabo por tratamientos térmicos de difusión de oxígeno o nitrógeno en el silicio.
-
- 6.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha capa intermedia es formada por depósito catódico.
-
- 7.
- Procedimiento, según la reivindicación 6, en el que el depósito catódico tiene lugar en condiciones reactivas.
-
- 8.
- Procedimiento, según la reivindicación 6, en el que el depósito catódico es llevado a cabo sobre una zona reducida de la parte (20) de soporte de silicio, colocando sobre dicha parte de soporte una máscara (21) con una abertura (22) que define un área de dicha parte de soporte de silicio, en la que se formará el depósito.
-
- 9.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha operación de depósito de la capa (24) de material getter tiene lugar por medio de depósito catódico.
-
- 10.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha operación de depósito de la capa de material getter (24) es llevada a cabo solamente sobre la capa intermedia colocando sobre la parte (20) de soporte de silicio una máscara con una abertura que tiene unas dimensiones menores o iguales a las de la máscara utilizada en la formación de la capa intermedia y alineada de forma tal con respecto a la parte (20) de soporte de silicio que el material getter se deposita solamente sobre dicha capa intermedia.
-
- 11.
- Procedimiento, según la reivindicación 10, en el que las operaciones de formación de las capas intermedia y de material getter tienen lugar utilizando la misma máscara (21) con una alineación constante con respecto a la parte (20) de soporte de silicio.
- 12. Procedimiento, según la reivindicación 1, en el queel grosor de la capa de material getter está comprendido entre 0,1 y 10 µm.
-
- 13.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que las superficies de las dos partes de soporte mencionadas a soldar entre sí son sometidas a limpieza y tratamiento de modificación superficial antes de la soldadura.
-
- 14.
- Procedimiento, según la reivindicación 13, en el que dichos tratamientos son escogidos entre pulido mecánico, lapeado o lavados químicos.
-
- 15.
- Procedimiento, según la reivindicación 1, en el que dicha operación de soldadura de las dos partes de soporte mencionadas por unión directa es llevada a cabo en presencia de un gas noble a una presión inferior a la atmosférica.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITMI05A2343 | 2005-12-06 | ||
| IT002343A ITMI20052343A1 (it) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Processo per la produzione di dispositivi micromeccanici contenenti un materiale getter e dispositivi cosi'prodotti |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2348613T3 true ES2348613T3 (es) | 2010-12-09 |
Family
ID=37951839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES06832341T Active ES2348613T3 (es) | 2005-12-06 | 2006-11-28 | Procedimiento para la fabricación de dispositivos micromecanicos que contienen un material getter y dispositivos fabricados de acuerdo con el mismo. |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7833880B2 (es) |
| EP (1) | EP1957395B1 (es) |
| JP (1) | JP5015947B2 (es) |
| KR (1) | KR101364623B1 (es) |
| CN (1) | CN101291873B (es) |
| AT (1) | ATE480495T1 (es) |
| AU (1) | AU2006322862C1 (es) |
| CA (1) | CA2623020C (es) |
| DE (1) | DE602006016850D1 (es) |
| DK (1) | DK1957395T3 (es) |
| ES (1) | ES2348613T3 (es) |
| IL (1) | IL191756A (es) |
| IT (1) | ITMI20052343A1 (es) |
| NO (1) | NO20081994L (es) |
| RU (1) | RU2401245C2 (es) |
| TW (1) | TWI325409B (es) |
| WO (1) | WO2007066370A1 (es) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2922202B1 (fr) * | 2007-10-15 | 2009-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procede de fabrication. |
| EP2484629B1 (fr) * | 2011-02-03 | 2013-06-26 | Nivarox-FAR S.A. | Pièce de micromécanique complexe ajourée |
| RU2474912C1 (ru) * | 2011-08-23 | 2013-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ получения газопоглощающей структуры |
| US9966319B1 (en) * | 2011-10-27 | 2018-05-08 | Global Circuit Innovations Incorporated | Environmental hardening integrated circuit method and apparatus |
| US9935028B2 (en) | 2013-03-05 | 2018-04-03 | Global Circuit Innovations Incorporated | Method and apparatus for printing integrated circuit bond connections |
| US9870968B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-01-16 | Global Circuit Innovations Incorporated | Repackaged integrated circuit and assembly method |
| RU2523718C2 (ru) * | 2012-11-20 | 2014-07-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения |
| RU2522362C1 (ru) * | 2012-12-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Микроэлектромеханический взрыватель изохорический |
| RU2522323C1 (ru) * | 2012-12-29 | 2014-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Микроэлектромеханический взрыватель |
| US10160638B2 (en) | 2013-01-04 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for a semiconductor structure |
| US8847373B1 (en) * | 2013-05-07 | 2014-09-30 | Innovative Micro Technology | Exothermic activation for high vacuum packaging |
| DE102015224499A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Spannungsreduzierung beim Laserwiederverschluss durch Temperaturerhöhung |
| DE102015226772A1 (de) * | 2015-12-29 | 2017-06-29 | Robert Bosch Gmbh | Gettervorrichtung für ein mikromechanisches Bauelement |
| JP6932491B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2021-09-08 | 株式会社豊田中央研究所 | Ｍｅｍｓ装置を製造する方法 |
| CN106517082B (zh) * | 2016-11-14 | 2017-11-03 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种mems吸气剂图形化制备方法 |
| CN109879240B (zh) * | 2017-12-06 | 2021-11-09 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种厚膜吸气材料的制备方法 |
| FR3083537B1 (fr) * | 2018-07-06 | 2021-07-30 | Ulis | Boitier hermetique comportant un getter, composant integrant un tel boitier hermetique et procede de fabrication associe |
| US11508680B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-22 | Global Circuit Innovations Inc. | Solder ball application for singular die |
| CN112614779B (zh) * | 2020-12-17 | 2024-12-03 | 苏州厚朴传感科技有限公司 | 一种吸气剂图形化的掩膜方式 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4050914A (en) * | 1976-07-26 | 1977-09-27 | S.A.E.S. Getters S.P.A. | Accelerator for charged particles |
| US5503285A (en) * | 1993-07-26 | 1996-04-02 | Litton Systems, Inc. | Method for forming an electrostatically force balanced silicon accelerometer |
| EP0734589B1 (en) | 1993-12-13 | 1998-03-25 | Honeywell Inc. | Integrated silicon vacuum micropackage for infrared devices |
| US5594170A (en) | 1994-06-15 | 1997-01-14 | Alliedsignal Inc. | Kip cancellation in a pendulous silicon accelerometer |
| US5656778A (en) | 1995-04-24 | 1997-08-12 | Kearfott Guidance And Navigation Corporation | Micromachined acceleration and coriolis sensor |
| JPH09196682A (ja) | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 角速度センサと加速度センサ |
| US5821836A (en) | 1997-05-23 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Miniaturized filter assembly |
| RU2137249C1 (ru) * | 1998-03-31 | 1999-09-10 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Способ изготовления микромеханических приборов |
| US6499354B1 (en) * | 1998-05-04 | 2002-12-31 | Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. | Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices |
| US6110808A (en) * | 1998-12-04 | 2000-08-29 | Trw Inc. | Hydrogen getter for integrated microelectronic assembly |
| JP2000182511A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Yamaha Corp | 電界放射型素子の製造方法 |
| US6058027A (en) | 1999-02-16 | 2000-05-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | Micromachined circuit elements driven by micromachined DC-to-DC converter on a common substrate |
| US6590850B2 (en) | 2001-03-07 | 2003-07-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Packaging for storage devices using electron emissions |
| US6534850B2 (en) * | 2001-04-16 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Company | Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation |
| TW533188B (en) * | 2001-07-20 | 2003-05-21 | Getters Spa | Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices |
| US6923625B2 (en) | 2002-01-07 | 2005-08-02 | Integrated Sensing Systems, Inc. | Method of forming a reactive material and article formed thereby |
| US6621134B1 (en) | 2002-02-07 | 2003-09-16 | Shayne Zurn | Vacuum sealed RF/microwave microresonator |
| US6635509B1 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-21 | Dalsa Semiconductor Inc. | Wafer-level MEMS packaging |
| ITMI20030069A1 (it) * | 2003-01-17 | 2004-07-18 | Getters Spa | Dispositivi micromeccanici o microoptoelettronici con deposito di materiale getter e riscaldatore integrato. |
| US7235461B2 (en) * | 2003-04-29 | 2007-06-26 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for bonding semiconductor structures together |
| CN1594067A (zh) * | 2003-09-08 | 2005-03-16 | 华中科技大学机械科学与工程学院 | 一种低温集成的圆片级微机电系统气密性封装工艺 |
| ITMI20032209A1 (it) * | 2003-11-14 | 2005-05-15 | Getters Spa | Processo per la produzione di dispositivi che richiedono per il loro funzionamento un materiale getter non evaporabile. |
| ITMI20050616A1 (it) | 2005-04-12 | 2006-10-13 | Getters Spa | Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti |
-
2005
- 2005-12-06 IT IT002343A patent/ITMI20052343A1/it unknown
-
2006
- 2006-11-20 TW TW095142822A patent/TWI325409B/zh active
- 2006-11-28 AU AU2006322862A patent/AU2006322862C1/en not_active Ceased
- 2006-11-28 ES ES06832341T patent/ES2348613T3/es active Active
- 2006-11-28 KR KR1020087016396A patent/KR101364623B1/ko active Active
- 2006-11-28 DE DE602006016850T patent/DE602006016850D1/de active Active
- 2006-11-28 DK DK06832341.9T patent/DK1957395T3/da active
- 2006-11-28 US US12/094,726 patent/US7833880B2/en active Active
- 2006-11-28 AT AT06832341T patent/ATE480495T1/de active
- 2006-11-28 CN CN2006800394011A patent/CN101291873B/zh active Active
- 2006-11-28 JP JP2008544013A patent/JP5015947B2/ja active Active
- 2006-11-28 RU RU2008127306/28A patent/RU2401245C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-11-28 EP EP06832341A patent/EP1957395B1/en active Active
- 2006-11-28 CA CA2623020A patent/CA2623020C/en active Active
- 2006-11-28 WO PCT/IT2006/000824 patent/WO2007066370A1/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-04-25 NO NO20081994A patent/NO20081994L/no not_active Application Discontinuation
- 2008-05-27 IL IL191756A patent/IL191756A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2401245C2 (ru) | 2010-10-10 |
| TWI325409B (en) | 2010-06-01 |
| ATE480495T1 (de) | 2010-09-15 |
| NO20081994L (no) | 2008-06-05 |
| US7833880B2 (en) | 2010-11-16 |
| JP5015947B2 (ja) | 2012-09-05 |
| WO2007066370A1 (en) | 2007-06-14 |
| KR101364623B1 (ko) | 2014-02-19 |
| DE602006016850D1 (de) | 2010-10-21 |
| IL191756A (en) | 2012-08-30 |
| EP1957395B1 (en) | 2010-09-08 |
| ITMI20052343A1 (it) | 2007-06-07 |
| EP1957395A1 (en) | 2008-08-20 |
| TW200732245A (en) | 2007-09-01 |
| CA2623020A1 (en) | 2007-06-14 |
| IL191756A0 (en) | 2008-12-29 |
| CA2623020C (en) | 2015-10-20 |
| JP2009518191A (ja) | 2009-05-07 |
| AU2006322862C1 (en) | 2011-12-01 |
| KR20080081019A (ko) | 2008-09-05 |
| DK1957395T3 (da) | 2011-01-03 |
| AU2006322862A1 (en) | 2007-06-14 |
| AU2006322862B2 (en) | 2011-04-28 |
| US20080293178A1 (en) | 2008-11-27 |
| RU2008127306A (ru) | 2010-01-20 |
| CN101291873A (zh) | 2008-10-22 |
| CN101291873B (zh) | 2011-06-15 |
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