ES2360669T3 - CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN. - Google Patents

CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN. Download PDF

Info

Publication number
ES2360669T3
ES2360669T3 ES00109199T ES00109199T ES2360669T3 ES 2360669 T3 ES2360669 T3 ES 2360669T3 ES 00109199 T ES00109199 T ES 00109199T ES 00109199 T ES00109199 T ES 00109199T ES 2360669 T3 ES2360669 T3 ES 2360669T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
layer
llla
absorber layer
support sheet
vla
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES00109199T
Other languages
English (en)
Inventor
Olaf Tober
Jürgen Dr. Penndorf
Michael Dr. Winkler
Klaus Prof. Dr. Jacobs
Thomas Dr. Koschack
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Odersun AG
Original Assignee
Odersun AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Odersun AG filed Critical Odersun AG
Application granted granted Critical
Publication of ES2360669T3 publication Critical patent/ES2360669T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/167—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising Group I-III-VI materials, e.g. CdS/CuInSe2 [CIS] heterojunction photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/126—Active materials comprising only Group I-III-VI chalcopyrite materials, e.g. CuInSe2, CuGaSe2 or CuInGaSe2 [CIGS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1698—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible
    • H10F77/1699—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS on metal foils or polymer foils
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Célula solar de película delgada basándose en un semiconductor compuesto de lb/llla/Vla, caracterizada porque entre la capa absorbedora de lb/llla/Vla policristalina (5) de CulnS2 del tipo de conducción p y una lámina de soporte (1) flexible de acero, que sirve como sustrato, se dispone un electrodo posterior (4) a partir de la fase intermetálica binaria Cu7In3 de los mismos metales lb y llla que forman la capa absorbedora (5) y sobre la capa absorbedora (5) policristalina se dispone una capa intermedia (7) delgada de sulfuro de cadmio, óxido de indio, hidróxido de indio o sulfuro de cinc.

Description

La presente invención se refiere a una célula solar de película delgada según el preámbulo de la reivindicación 1 así como un procedimiento para una célula solar de dichas características según el preámbulo de la reivindicación 3.
Uno de los objetivos esenciales del desarrollo de los módulos fotovoltaicos es una reducción clara de los costes de producción de la energía eléctrica de origen solar para las aplicaciones terrestres. Para las aplicaciones extraterrestres, además de la resistencia a la radiación de las células solares, el aspecto central del desarrollo lo constituye la reducción del peso de los módulos solares.
Las células solares y los módulos basándose en semiconductores compuestos de lb/llla/Vla policristalinos son los candidatos apropiados para alcanzar dicho objetivo. En particular con los semiconductores compuestos basados en cobre, indio y galio así como el selenio y el azufre como material absorbedor fotovoltaico, que se denominan generalmente como CIS y CIGS, se han alcanzado unos progresos muy grandes en el curso de los últimos años.
La estructura de célula conocida a partir del documento US-A-5141564, con un sustrato de vidrio, un electrodo posterior de molibdeno, una capa absorbedora policristalina de 1 a 5 μm de espesor de CuInSe2 o CuIn(Se,S)2 del tipo de conducción p, una capa de ventana de sulfuro de cadmio delgada y un electrodo frontal transparente del tipo de conducción n, constituye la base de la mayoría de procedimientos para la realización de dichas células solares de película delgada policristalinas. En lugar de depositarse sobre unos sustratos de vidrio recubiertos con molibdeno, las capas absorbedoras policristalinas pueden depositarse asimismo sobre unos sustratos en forma de cinta flexibles, tales como unas cintas de molibdeno o unas cintas metálicas recubiertas de molibdeno, tal como se describe en los documentos DE-C2-4225385 y EP-A1-0574716.
Todas dichas disposiciones tienen en común un electrodo posterior de molibdeno. Sin embargo, la reducida adherencia de las capas absorbedoras policristalinas sobre el molibdeno origina el desprendimiento de las capas sobre los sustratos de vidrio y desprendimientos sobre las cintas flexibles y, hasta la fecha, ha impedido en gran medida el desarrollo de las células solares CIS flexibles. Para mejorar la adherencia de las capas absorbedoras CIS, en el documento WO95/09441 se proponen unas capas intermedias de titanio, tántalo, cromo o nitruro de titanio entre el electrodo posterior de molibdeno y la capa absorbedora. En el documento EP-A2-0360403 se propone una célula solar de diselenuro de indio y cobre con una capa intermedia con un contenido de galio entre el absorbedor CIS y el sustrato de molibdeno. En el documento EP-A2-0798786 se propone una célula solar con una capa superior de calcopirita, en la que entre el electrodo posterior de molibdeno y la capa absorbedora se dispone una capa intermedia delgada, que contiene cinc. Todas dichas disposiciones adolecen del inconveniente de la introducción de un elemento adicional y, con ello, la necesidad de una etapa tecnológica adicional para la deposición de dichas capas.
En el documento DE-C2-19634580 se proponen un procedimiento con el que la capa absorbedora CIS se deposita directamente sobre una cinta de cobre. Con dicho procedimiento, la capa absorbedora CIS se compenetra sólidamente con la cinta de cobre, de tal modo que en este caso no se producen desprendimientos o desplazamientos. Entre la cinta de cobre y la capa absorbedora policristalina, en “Solar Energy Materials and Solar Cells 53 (1998) páginas 285-298” se constata una capa delgada de fases de cobre-indio intermetálicas. La capa absorbedora realizada empleando dicho procedimiento es del tipo de conducción n. Puesto que la movilidad del portador minoritario en las calcopiritas de conducción n es de un orden de magnitud inferior que en las de conducción p, con dicha disposición son de esperar unos rendimientos inferiores que con la disposición con una capa absorbedora de conducción p y una capa colectora de conducción n. Además, con este procedimiento, la reducida estabilidad mecánica del cobre repercute negativamente, de modo que deben emplearse unas cintas de cobre relativamente gruesas. Puesto que con dicho procedimiento la cinta de cobre constituye al mismo tiempo la fuente de cobre para la capa absorbedora, deben emplearse unas cintas de cobre muy puras, que encarecen innecesariamente las células solares.
Otras células solares de película delgada convencionales se conocen a partir de los documentos siguientes:
US-A-5 477 088
JACOBS K ET AL: “CISCuT- a non vacuum roll to roll technique for the preparation of copper indium chalcogenide absorber layers on a copper tape” 2ND WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONVERSION./ 15TH EUROPEAN PV SOLAR ENERGY CONFERENCE,/ 27TH US IEEE PHOTOVOLTAICSPECIALISTS CONFERENCE,/ 10TH ASIA/PACIFIC PV SCIENCE AND ENGINEERING CONFERENCE. VIENNA. AUSTRIA, JULY 6-10, 1998, Tomo VOL. 1, 6 julio 1998 (06-07-1998) páginas 409412, XP002148778 ISBN: 92-828-5179-6
WO 94/07269 A El objetivo de la presente invención es crear una célula solar del tipo mencionado anteriormente, que sea manejable más fácilmente y sea rentable económicamente, que se adhiera sólidamente en particular sobre unas láminas de soporte económicas de un tipo cualquiera, que sea flexible, que se pueda producir con un coste reducido y que tenga un peso muy reducido, así como proporcionar un procedimiento para realizar una célula solar de dichas características.
Dicho objetivo se alcanza, según la presente invención, mediante una célula solar con las características de la reivindicación 1 y, en lo que al procedimiento se refiere, mediante un procedimiento con las características de la reivindicación 3. Unas configuraciones ventajosas son objeto de las reivindicaciones subordinadas correspondientes.
La idea básica de la invención es realizar el electrodo posterior de la célula solar a partir de las fases intermetálicas de los mismos metales lb y llla, que se emplean para la formación de la capa absorbedora policristalina. Dichas fases intermetálicas sirven al mismo tiempo para proporcionar la adherencia entre la capa absorbedora y la lámina de soporte flexible. Con ello resulta innecesaria la deposición separada de una capa de molibdeno como electrodo posterior y la deposición de unas capas intermedias para mejorar la adherencia de la capa absorbedora.
Debido a la buena adherencia de la capa absorbedora pueden utilizarse como sustrato unas láminas metálicas económicas, muy delgadas y mecánicamente sólidas. Sobre dichos sustratos pueden realizarse unas células solares flexibles en unos procesos continuos de rodillo a rodillo. Para ello, en una primera etapa se depositan los metales lb y llla, en un proceso de rodillo a rodillo continuo. En un segundo proceso de rodillo a rodillo continuo, la lámina de soporte recubierta con el precursor se calcogeniza en un reactor de ranura estrecha. El proceso se conduce de tal modo que el precursor metálico lb/llla se transforme, únicamente de una forma incompleta, en la capa absorbedora p policristalina ternaria, de tal modo que inmediatamente haya sobre la lámina de soporte unas fases intermetálicas de los metales lb y llla, que sirven como electrodo posterior de la estructura de la célula solar.
Gracias a los tiempos de reacción cortos en la calcogenización y a la capacidad calorífica reducida de la lámina de soporte, pueden depositarse de un modo eficiente unas capas absorbedoras policristalinas ternarias sobre unas láminas de soporte delgadas, en un proceso continuo de rodillo a rodillo. La capa absorbedora policristalina se compenetra sólidamente con el electrodo posterior, de tal modo que no se producen desprendimientos ni desplazamientos en las láminas metálicas flexibles. La deposición de una capa intermedia y de un electrodo frontal transparente en un procedimiento de rodillo a rodillo continuo completa el proceso para la realización de dichas células solares de película delgada flexibles.
La presente invención se describe a continuación con la ayuda de dos ejemplos de forma de realización. Los dibujos asociados representan lo siguiente:
La figura 1representa una configuración esquemática de una célula solar;
La figura 2 representa una vista ampliada de una capa absorbedora policristalina que se compenetra sólidamente con el electrodo posterior; y
La figura 3 representa unas vistas esquemáticas de unos productos intermedios en la realización de la célula solar flexible.
Como lámina de soporte 1 se emplea habitualmente una lámina de acero delgada, típicamente con un espesor de 10 μm a 30 μm, que puede estar recubierta adicionalmente con otros metales u óxidos. Sobre la lámina de soporte 1 existe el electrodo posterior 4 con un espesor de 1 μm a 5 μm, que se compone de la fase intermetálica Cu7In3. Encima se dispone la capa absorbedora policristalina (PAS) 5 del tipo de conducción p, compuesta de la fase CulnS2. La misma presenta típicamente un espesor 1 μm a 3 μm. La PAS 5 se compenetra sólidamente con el electrodo posterior 4, de tal modo que no se producen desplazamientos. Sobre la capa absorbedora policristalina 5 se dispone una capa intermedia delgada 7, preferentemente de CdS. Dicha capa intermedia 7 presenta un espesor de 10 nm a 50 nm. Sobre la capa intermedia 7 se encuentra el electrodo de referencia transparente 8, preferentemente de óxido de cinc dopado externamente.
Dicha célula solar presenta un espesor únicamente de aproximadamente 20 μm a 40 μm y por lo tanto puede realizarse con una gran eficiencia de uso de materiales. Con su reducido espesor de la capa, es muy ligera y por lo tanto óptimamente apta para las aplicaciones extraterrestres.
Para realizar dichas células solares, sobre la lámina de acero 1 flexible se depositan electrolíticamente consecutivamente, preferentemente en un proceso de rodillo a rodillo, los metales cobre e indio. Este es un procedimiento muy eficiente en cuanto a eficiencia de material y relativamente simple en cuanto a técnica de instalación. Asimismo es posible la deposición del precursor metálico mediante unos procesos de vaporización por pulverización y al vacío o una combinación de dichos procesos. La capa de cobre 2 presenta un espesor de 1 μm a 5 μm. El espesor de la capa de indio 3 es de 0,5 μm a 2 μm.
A continuación, la lámina de soporte 1 recubierta con el precursor de Cu/In se calcogeniza durante algunos segundos en un reactor de ranura estrecha en un proceso de rodillo a rodillo. El precursor se calienta, preferentemente en cuestión de milisegundos, hasta 450ºC a 600ºC bajo una atmósfera de gas inerte. El indio se funde, el cobre se incorpora a la masa fundida según el diagrama de fases. A continuación, el precursor se calcogeniza en un gas de reacción que contiene azufre o selenio, preferentemente en un gas de soporte de nitrógeno que contiene azufre. En dicho proceso, la capa absorbedora policristalina 5 de conducción p se forma mediante una reacción química del azufre en forma gaseosa con el precursor de Cu/In líquido. La calcogenización dura preferentemente de 1 a 10 segundos. En dicha conducción del proceso, el precursor de Cu/In se transforma, únicamente de una forma incompleta, en la capa absorbedora policristalina 5. Tras la calcogenización, la lámina 1 con la capa absorbedora 5 se tempera, bajo una atmósfera de gas inerte, a una temperatura de preferentemente 500ºC a 600ºC. Dicha etapa de temperación dura típicamente de 10 a 60 s. En dicho proceso, el precursor residual se solidifica formando unas fases de Cu/In intermetálicas, de la fase Cu7In3, que forma el electrodo posterior 4 de la célula solar y, al mismo tiempo, se compenetra sólidamente con la capa absorbedora 5. La temperación determina la estructura cristalina y las características electrónicas de la capa absorbedora policristalina 5. Tras la temperación, la lámina se enfría, bajo una atmósfera de gas inerte, en cuestión de segundos hasta la temperatura ambiente.
El proceso completo “Calentamiento – Calcogenización – Temperación – Enfriamiento” dura típicamente entre 15 y 70 s. Se origina la estructura “Lámina de acero 1 – Electrodo posterior de Cu/In 4 – Capa absorbedora CIS p policristalina 5”.
Sobre la superficie de la capa absorbedora CIS 5 pueden haberse formado unas fases de Cu/Calcógeno binarias 6, que se quitan con mordiente en una etapa intermedia en un procedimiento de rodillo a rodillo.
Sobre la capa absorbedora policristalina 5 de conducción p se deposita al agua fuerte una capa de sulfuro de cadmio en un proceso de rodillo a rodillo. Asimismo, es posible la deposición de unas capas delgadas de óxido de indio, de hidróxido de indio o de sulfuro de cinc.
En una última etapa se aplica un electrodo superior transparente (TCO) en un proceso de rodillo a rodillo, que habitualmente consiste en una capa de ZnO de 1 μm a 2 μm y que puede depositarse mediante un proceso de pulverización. En este caso pueden emplearse asimismo otros óxidos conductores.
DOCUMENTOS QUE SE LISTAN EN LA DESCRIPCIÓN
Esta lista de documentos listados por el Solicitante se recopiló exclusivamente para información del lector y no forma parte del documento de patente europeo. Se recopiló con el máximo esmero; sin embargo, la Oficina Europea de Patentes declina toda responsabilidad sobre los errores u omisiones que pudiera contener.
5
Documentos de patente listados en la descripción
 US 5141564 A  EP 0360403 A2  DE 4225385 C2  EP 0798786 A2  EP 0574716 A1  DE 19634580 C2  WO 9509441 A  US 5477088 A
10 Bibliografía no de patentes listada en la descripción
 Solar Energy Materials and Solar Cells, 1998,  JACOBS K et al. CISCuT – a non vacuum roll
vol. 53, 285-298 to roll technique for the preparation of copper indium chalcogenide absorber layers on a copper tape. 2ND WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONVERSION, / 15TH EUROPEAN PV SOLAR ENERGY CONFERENCE. / 27TH US IEEE PHOTOVOLTAICSPECIALISTS CONFERENCE. / 10TH ASIA/PACIFIC PV SCIENCE AND ENGINEERING CONFERENCE. VIENNA, AUSTRIA, 06. Juli 1998, vol 1, ISSN 92-828-5179-6, 409-412

Claims (6)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Célula solar de película delgada basándose en un semiconductor compuesto de lb/llla/Vla,
    caracterizada porque
    entre la capa absorbedora de lb/llla/Vla policristalina (5) de CulnS2 del tipo de conducción p y una lámina de soporte (1) flexible de acero, que sirve como sustrato, se dispone un electrodo posterior (4) a partir de la fase intermetálica binaria Cu7In3 de los mismos metales lb y llla que forman la capa absorbedora (5) y sobre la capa absorbedora (5) policristalina se dispone una capa intermedia (7) delgada de sulfuro de cadmio, óxido de indio, hidróxido de indio o sulfuro de cinc.
  2. 2.
    Célula solar de película delgada según la reivindicación 1, caracterizada porque la lámina de soporte (1) presenta un espesor comprendido entre 15 μm y 100 μm.
  3. 3.
    Procedimiento para la realización de una célula solar de película delgada según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 2, caracterizado porque
    -los metales lb y llla de Cu, In se depositan sobre la lámina de soporte (1) flexible de acero, aplicándose primeramente una capa de cobre con un espesor de 1 μm a 5 μm y a continuación una capa de indio con un espesor de 0,5 μm a 2 μm, -desde el lado opuesto al de la lámina de soporte (1), los metales Cu, In se convierten verticalmente, mediante una reacción con calcógeno, únicamente de una forma incompleta, para obtener la capa absorbedora fotovoltaicamente activa (5) de CulnS2 del tipo de conducción p, de tal modo que entre la capa absorbedora (5) y la lámina de soporte (1) se forma el electrodo posterior (4) a partir de la fase intermetálica Cu7In3 de los mismos metales lb y llla que se depositaron para producir la capa absorbedora (5)
    -se deposita una capa intermedia (7) de sulfuro de cadmio, óxido de indio, hidróxido de indio o sulfuro de cinc y -se deposita un electrodo frontal (8) conductor transparente.
  4. 4.
    Procedimiento según la reivindicación 3, caracterizado porque la lámina de soporte (1) con la capa absorbedora (5) se tempera tras la calcogenización bajo una atmósfera de gas inerte, preferentemente a una temperatura de 500ºC a 600ºC y con una duración de 10 a 60 s.
  5. 5.
    Procedimiento según la reivindicación 4, caracterizado porque la duración del proceso completo “calentamiento - calcogenización – temperado – enfriamiento” es de 15 a 70 s.
  6. 6.
    Procedimiento según cualquiera de las reivindicaciones 3 a 5, caracterizado porque el proceso de calcogenización es un procedimiento de “rodillo a rodillo”.
ES00109199T 1999-05-10 2000-05-09 CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN. Expired - Lifetime ES2360669T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19921515 1999-05-10
DE19921515A DE19921515A1 (de) 1999-05-10 1999-05-10 Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ia/IIIb/VIa- Verbindungshalbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2360669T3 true ES2360669T3 (es) 2011-06-08

Family

ID=7907592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES00109199T Expired - Lifetime ES2360669T3 (es) 1999-05-10 2000-05-09 CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6429369B1 (es)
EP (1) EP1052703B1 (es)
JP (1) JP4873771B2 (es)
AT (1) ATE502402T1 (es)
AU (1) AU776778B2 (es)
DE (2) DE19921515A1 (es)
ES (1) ES2360669T3 (es)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002329877A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法
US20070251570A1 (en) * 2002-03-29 2007-11-01 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US7560641B2 (en) * 2002-06-17 2009-07-14 Shalini Menezes Thin film solar cell configuration and fabrication method
CN100530701C (zh) * 2002-09-30 2009-08-19 米亚索尔公司 薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法
EP1556902A4 (en) 2002-09-30 2009-07-29 Miasole MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SOLAR CELLS IN A LARGE SCALE
DE10259472B4 (de) * 2002-12-19 2006-04-20 Solarion Gmbh Flexible Dünnschichtsolarzelle mit flexibler Schutzschicht
EP1606846B1 (en) * 2003-03-24 2010-10-27 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with mesh electrode
US20050072461A1 (en) * 2003-05-27 2005-04-07 Frank Kuchinski Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
DE102004042306B4 (de) * 2004-02-17 2007-10-04 Pvflex Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Substrates für flexible Dünnschicht-Solarzellen nach der CIS-Technologie
US20060060237A1 (en) * 2004-09-18 2006-03-23 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
US8623448B2 (en) * 2004-02-19 2014-01-07 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles
US8372734B2 (en) * 2004-02-19 2013-02-12 Nanosolar, Inc High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
US8329501B1 (en) 2004-02-19 2012-12-11 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
CN101894881A (zh) * 2004-03-15 2010-11-24 索罗能源公司 用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置
US20090032108A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-05 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
EP1805804B1 (en) * 2004-09-18 2010-03-24 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
US8541048B1 (en) * 2004-09-18 2013-09-24 Nanosolar, Inc. Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US20070224464A1 (en) * 2005-03-21 2007-09-27 Srini Balasubramanian Dye-sensitized photovoltaic cells
WO2007002376A2 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Konarka Technologies, Inc. Method of preparing electrode
EP1902476B1 (en) * 2005-07-12 2014-07-09 Merck Patent GmbH Method of transferring photovoltaic cells
WO2007011742A2 (en) * 2005-07-14 2007-01-25 Konarka Technologies, Inc. Cigs photovoltaic cells
KR100850000B1 (ko) * 2005-09-06 2008-08-01 주식회사 엘지화학 태양전지 흡수층의 제조방법
JP5649954B2 (ja) * 2007-04-02 2015-01-07 メルク パテント ゲーエムベーハー 光起電力セルとして構成される物品
US20080302357A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Denault Roger Solar photovoltaic collector hybrid
DE102007036715B4 (de) 2007-08-05 2011-02-24 Solarion Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung flexibler Dünnschichtsolarzellen
US20090065046A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-12 Denault Roger Solar photovoltaic module to solar collector hybrid retrofit
WO2009046178A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-09 University Of Delaware I-iii-vi2 photovoltaic absorber layers
DE102007052237A1 (de) * 2007-10-22 2009-04-30 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung eines Trägers für Dünnschichtsolarzellen
JP2011505267A (ja) * 2007-11-08 2011-02-24 エム． セイガー、ブライアン 改善された反射防止用被覆
US8324414B2 (en) 2009-12-23 2012-12-04 Battelle Energy Alliance, Llc Methods of forming single source precursors, methods of forming polymeric single source precursors, and single source precursors and intermediate products formed by such methods
US9371226B2 (en) 2011-02-02 2016-06-21 Battelle Energy Alliance, Llc Methods for forming particles
US8003070B2 (en) * 2008-03-13 2011-08-23 Battelle Energy Alliance, Llc Methods for forming particles from single source precursors
US8951446B2 (en) 2008-03-13 2015-02-10 Battelle Energy Alliance, Llc Hybrid particles and associated methods
US7842534B2 (en) * 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film
EP2159846A1 (en) 2008-08-29 2010-03-03 ODERSUN Aktiengesellschaft Thin film solar cell and photovoltaic string assembly
US8134069B2 (en) 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
JP2012527523A (ja) * 2009-05-21 2012-11-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 銅スズ硫化物および銅亜鉛スズ硫化物インク組成物
US20110067998A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Miasole Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing
US8153469B2 (en) * 2009-12-07 2012-04-10 Solopower, Inc. Reaction methods to form group IBIIIAVIA thin film solar cell absorbers
WO2011084171A1 (en) * 2009-12-17 2011-07-14 Precursor Energetics, Inc. Molecular precursors for optoelectronics
US20110162696A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Miasole Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof
DE102010015740B4 (de) 2010-04-21 2013-04-11 Mühlbauer Ag Vorrichtung zur Herstellung eines Solarmoduls mit flexiblen Dünnschicht-Solarzellen
FR2961022B1 (fr) * 2010-06-02 2013-09-27 Centre Nat Rech Scient Cellule photovoltaïque pour application sous flux solaire concentre
WO2012107256A1 (en) 2011-02-10 2012-08-16 Empa Process for producing light absorbing chalcogenide films
US8642884B2 (en) * 2011-09-09 2014-02-04 International Business Machines Corporation Heat treatment process and photovoltaic device based on said process
US8722136B2 (en) * 2011-10-21 2014-05-13 First Solar, Inc. Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices
US8679893B2 (en) * 2011-12-21 2014-03-25 Intermolecular, Inc. Absorbers for high-efficiency thin-film PV
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
CN102723399B (zh) * 2011-12-26 2015-05-20 云南师范大学 一种Cu(InAl)Se2薄膜的化学制备工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5045409A (en) * 1987-11-27 1991-09-03 Atlantic Richfield Company Process for making thin film solar cell
US5141564A (en) 1988-05-03 1992-08-25 The Boeing Company Mixed ternary heterojunction solar cell
US4915745A (en) 1988-09-22 1990-04-10 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell and method of making
JP2862309B2 (ja) * 1990-02-16 1999-03-03 キヤノン株式会社 集積化太陽電池及び太陽電池の集積化法
JPH04304681A (ja) * 1991-04-01 1992-10-28 Dowa Mining Co Ltd ＣｕＩｎＳｅ２系光電変換素子の製造方法
EP0574716B1 (en) 1992-05-19 1996-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for preparing chalcopyrite-type compound
DE4225385C2 (de) 1992-07-31 1994-09-29 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur kostengünstigen Herstellung einer Schicht eines ternären Verbindungshalbleiters
WO1994007269A1 (de) * 1992-09-22 1994-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat
US5477088A (en) * 1993-05-12 1995-12-19 Rockett; Angus A. Multi-phase back contacts for CIS solar cells
JPH0797213A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Agency Of Ind Science & Technol Ｉｎ化合物およびその製造方法
DE4333407C1 (de) 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht
JP3097805B2 (ja) * 1994-10-03 2000-10-10 矢崎総業株式会社 太陽電池とその製造方法並びにめっき方法
DE19611996C1 (de) 1996-03-26 1997-09-11 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19634580C2 (de) 1996-08-27 1998-07-02 Inst Solar Technologien Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5985691A (en) * 1997-05-16 1999-11-16 International Solar Electric Technology, Inc. Method of making compound semiconductor films and making related electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001007360A (ja) 2001-01-12
EP1052703A2 (de) 2000-11-15
JP4873771B2 (ja) 2012-02-08
EP1052703B1 (de) 2011-03-16
EP1052703A3 (de) 2007-03-07
AU3260800A (en) 2000-11-16
DE19921515A1 (de) 2000-11-30
AU776778B2 (en) 2004-09-23
US6429369B1 (en) 2002-08-06
DE50016078D1 (de) 2011-04-28
ATE502402T1 (de) 2011-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2360669T3 (es) CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN.
Kessler et al. Technological aspects of flexible CIGS solar cells and modules
ES2292216T3 (es) Un metodo basado en oxido de fabricacion de peliculas de semiconductor compuesto y de fabricacion de dispositivos electronicos relacionados.
CN101331589B (zh) 半导体层、包含该半导体层的光电组件以及它们的制备方法
US20050072461A1 (en) Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
JP5480782B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
TWI487129B (zh) 薄膜太陽能電池及其製造方法
TW201138144A (en) Method of manufacturing solar cell
TW200840068A (en) Roll-to-roll integration of thin film solar modules
US8993370B2 (en) Reverse stack structures for thin-film photovoltaic cells
EP2497123A2 (en) Manufacture of n-type chalcogenide compositions and their uses in photovoltaic devices
Park et al. Flexible Cu (In, Ga) Se 2 photovoltaics for bending applications: advances from materials to panels
US20150083208A1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
US9966482B2 (en) Solar cell module and preparing method of the same
KR102818793B1 (ko) 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법
US20150000742A1 (en) Solar cell absorber thin film and method of fabricating same
KR20110012552A (ko) 박막 태양 전지의 제조방법
ES2357190T3 (es) Célula solar de capa fina basada en semiconductores de compuestos ib/iiia/via con una barrera de potencial dentro de la capa de absorbente y procedimiento para la preparación de una célula solar de dicho tipo.
US9966485B2 (en) Solar cell and method of fabricating the same
Sharma et al. Design and Analysis of Various Solar Cell Technologies for Improvements in Efficiencies
US20150228821A1 (en) Solar cell contact and method of making the contact
US20100300539A1 (en) Solar cell structure and manufacturing method thereof
US20260006938A1 (en) Cigs solar cell with both transparency and flexibility and its manufacturing method
Sharma et al. Smart Materials in Energy Storage Devices: Solar Cells
Pal et al. Chalcogenide-Based 2D Nanomaterials for Solar Cells