ES2462368T3 - Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control - Google Patents

Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control Download PDF

Info

Publication number
ES2462368T3
ES2462368T3 ES06848943.4T ES06848943T ES2462368T3 ES 2462368 T3 ES2462368 T3 ES 2462368T3 ES 06848943 T ES06848943 T ES 06848943T ES 2462368 T3 ES2462368 T3 ES 2462368T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
memory
data
address
digital system
bus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES06848943.4T
Other languages
English (en)
Inventor
Peter H. Sorrells
David L. Wilkie
Christopher A. Parris
Martin S. Kvasnicka
Martin R. Bowman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microchip Technology Inc
Original Assignee
Microchip Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Microchip Technology Inc filed Critical Microchip Technology Inc
Application granted granted Critical
Publication of ES2462368T3 publication Critical patent/ES2462368T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/066Means for reducing external access-lines for a semiconductor memory clip, e.g. by multiplexing at least address and data signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/102External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/04Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2216/00Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
    • G11C2216/12Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
    • G11C2216/30Reduction of number of input/output pins by using a serial interface to transmit or receive addresses or data, i.e. serial access memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Un sistema digital, que comprende una memoria (104) que usa un bus de nodo único, de datos, direcciones y control, que comprende: una matriz de memoria (104) adaptada para su acoplamiento a la alimentación eléctrica (VDD) y a puesta a tierra (VSS) ; en donde, la matriz de memoria (104) está encapsulada en un encapsulado de circuito integrado de baja cuenta de terminales (SO 2. 3, SO 2. 5) ; y un bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) acoplado a dicha matriz de memoria (104) , en el que la matriz de memoria (104) tiene un controlador de bus activo de conducción hacia arriba y conducción hacia abajo para controlar el bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) y en el que la red de memoria sincroniza una señal de reloj interna de la memoria por medio de una señal recibida; y un procesador digital (102) acoplado a la memoria (104) a través del bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) en el que el procesador digital (102) genera una primera señal de confirmación (ACK) sobre dicho bus de nodo único de datos, direcciones y control después de la recepción de un byte de datos y genera una segunda señal de confirmación (NACK) a la recepción de un byte de datos si no se va a enviar ningún byte de datos adicional por la matriz de memoria (104) .

Description

Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control
Campo técnico
La presente revelación se refiere, en general, a una memoria de semiconductores, por ejemplo una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), una memoria FLASH, una memoria de acceso aleatorio estática (SRAM), una memoria de acceso aleatorio dinámica (DRAM) y similares, y más particularmente, a una memoria de semiconductores que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control.
Antecedentes
Los dispositivos digitales de circuitos integrados, por ejemplo los procesadores digitales, tales como, por ejemplo, pero sin limitarnos a estos, microprocesadores, microcontroladores, procesadores de señal digital (DSP), redes lógicas programables (PLA), circuitos integrados de aplicación específica (ASIC) y similares, se hacen cada vez más pequeños y con menos conexiones de señales de entrada -salida (E/S) (por ejemplo, terminales) tanto por consideraciones de coste como de espacio. Usualmente, un dispositivo de circuito integrado puede estar en un encapsulado de circuito integrado que tiene una pluralidad de terminales de conexión. Al menos dos de estos terminales se deben usar para alimentación eléctrica y puesta a tierra, por ejemplo, VDD y VSS, respectivamente. Estos dispositivos de circuitos integrados se pueden beneficiar de memoria adicional, por ejemplo memoria externa. La memoria puede ser, por ejemplo, pero sin limitarse a estas, una memoria programable una vez (OTP), una memoria de solo lectura programable eléctricamente (EPROM), una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), una memoria FLASH, una memoria estática de acceso aleatorio (SRAM), una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y similares.
El documento US 5.270.972 desvela un sistema digital serie de tres terminales en el que está dispuesto una memoria en un encapsulado de baja cuenta de terminales y conectado a un bus de nodo único (303, fig. 3) controlado por un controlador de conducción hacia abajo (385). El controlador de conducción hacia abajo genera una primera o una segunda señales de confirmación sobre un bus de nodo único (303) causadas por una señal de control (ACK) recibida desde un procesador digital (340).
El documento EP 1 496 444 desvela un procedimiento de generación de una señal de activación de un núcleo de memoria normalizado. El documento US 6.034.898 desvela una memoria dinámica de acceso aleatorio para aumentar la corriente del controlador de salida de datos que comparte transistores de conducción hacia arriba y transistores de conducción hacia abajo. El documento US 2005/0268022 desvela una memoria de línea caché y un procedimiento que tiene un puerto de direcciones serie. El documento US 5.809.518 desvela un protocolo de transferencia de comandos / datos para una arquitectura de bus de un hilo.
Sumario
Es un objeto de la presente invención proporcionar un sistema digital que tiene una memoria conectada a un bus de un nodo único que proporciona un protocolo de transmisión fiable. Este objeto se puede conseguir por el sistema digital como se define en la reivindicación independiente 1. Las mejoras adicionales se caracterizan en las reivindicaciones dependientes.
Por ejemplo, una matriz de memoria (en adelante en ese documento "memoria") puede estar acoplada a un dispositivo digital de circuito integrado con un número mínimo de conexiones, por ejemplo, se pueden requerir un bus de nodo único de datos, direcciones y control, más alimentación eléctrica y puesta a tierra, por ejemplo, VDD (o VCC) y VSS, respectivamente, para la operación de la memoria, de este modo se puede usar un encapsulado mínimo de circuito integrado de tres terminales, por ejemplo, SOT 23-3, SC70-3, etc. para el encapsulado de la memoria. La selección de direcciones de la memoria cuando se implementa una pluralidad de memorias puede usar terminales de selección de dirección adicionales sobre un encapsulado de circuito integrado de baja cuenta de terminales, por ejemplo, SOT 23-5, SOT 23-6, MSOP-8, SOIC-8 y similares, y/o programando una dirección de memoria para cada una de la pluralidad de memorias a través del bus de nodo único de datos, direcciones y control.
De acuerdo con una realización de ejemplo específica como se describe en la presente revelación, una memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control, comprende una matriz de memoria adaptada para el acoplamiento a un bus de nodo único de datos, direcciones y control, alimentación eléctrica y puesta a tierra. La matriz de memoria tiene un controlador activo de conducción hacia arriba y conducción hacia abajo para controlar el bus de nodo único de datos, direcciones y control. La matriz de memoria puede estar encapsulada en un encapsulado de circuito integrado con una baja cuenta de terminales. La memoria puede ser también parte de un encapsulado de circuito integrado de múltiples dados que albergan tanto el dispositivo digital como la memoria.
De acuerdo con otra realización de ejemplo específica como se describe en la presente revelación, un sistema digital comprende un procesador digital y una matriz de memoria que se acopla al procesador digital a través de un bus de nodo único de datos, direcciones y control. La matriz de memoria tiene un controlador activo de bus con conducción hacia arriba y hacia abajo para controlar el bus de nodo único de datos, direcciones y control. El procesador digital
puede ser el maestro y la matriz de memoria puede ser un esclavo sobre el bus de nodo único de datos, direcciones y control.
Breve descripción de los dibujos
Se puede adquirir un entendimiento más completo de la presente revelación refiriéndonos a la siguiente descripción tomada junto con los dibujos adjuntos, en los que:
la Figura 1 ilustra un diagrama de bloques esquemático de un dispositivo digital de circuito integrado acoplado a una memoria con un bus de nodo único de datos, direcciones y control, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 2 ilustra diagramas físicos esquemáticos de encapsulados de circuitos integrados de baja cuenta de terminales de ejemplo, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 3 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para un bus de nodo único de datos, direcciones y control ilustrado en la Figura 1, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 4 ilustra un diagrama de una asignación de bytes de dirección de un dispositivo de memoria en una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 5 ilustra una tabla de un conjunto de instrucciones para una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación:
la Figura 6 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de lectura de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 7 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de escritura de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 8 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de activación de escritura de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 9 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de desactivación de escritura de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 10 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de lectura del registro de estado de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 11 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de escritura del registro de estado de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 12 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de borrar todo de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación;
la Figura 13 ilustra un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de escribir todo de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específico de la presente revelación;
Aunque la presente revelación es susceptible de diversas modificaciones y formas alternativas, se han mostrado en los dibujos realizaciones de ejemplo específicas de la misma y se han descrito en detalle en este documento. Sin embargo, se entenderá que la descripción en este documento de realizaciones específicas de ejemplo no pretende limitar la revelación a las formas particulares desveladas en este documento, sino que por el contrario esta revelación cubrirá todas las modificaciones y equivalentes como se define por las reivindicaciones adjuntas.
Descripción detallada
Refiriéndonos ahora a los dibujos, se ilustran esquemáticamente los detalles de las realizaciones específicas de ejemplo. Los mismos elementos en los dibujos se representarán por los mismos números, y elementos similares se representarán por los mismos números con un sufijo diferente en letras minúsculas.
Refiriéndonos ahora a la Figura 1, se representa un diagrama de bloques esquemático de un dispositivo digital de circuito integrado acoplado a una memoria con un bus de nodo único de datos, direcciones y control, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. Un procesador digital 102 puede estar acoplado a una memoria 104 por un bus de nodo único de datos, direcciones y control 106. El procesador digital 102 puede ser un microprocesador, un microcontrolador, un procesador de señales digitales (DSP), una matriz lógica programable (PLA), un circuito integrado de aplicación específica (ASIC) y similares. La memoria 104 puede ser una memoria no volátil, por ejemplo, una memoria programable una vez (OTP), una memoria de solo lectura programable eléctricamente (EPROM), una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), una memoria FLASH, y similares. La memoria 104 también puede ser una memoria volátil, por ejemplo una memoria estática de acceso aleatorio (SRAM), una memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y similares. El bus de nodo único de datos, direcciones y control 106 puede ser un nodo conductivo, por ejemplo un conductor de circuito impreso, un nodo de enlace de dados de circuitos integrados y similares. El procesador digital 102 y la memoria 104 pueden tener un controlador activo de conducción hacia arriba (por ejemplo, lógica "1") y de conducción hacia abajo (por ejemplo, lógica "0") acoplado al bus de nodo único de datos, direcciones y control 106. El procesador digital 102 y la memoria 104 pueden estar acoplados a un retorno de la fuente de alimentación común, por ejemplo, VSS, puesta a tierra, etc. y alimentación eléctrica, por ejemplo VCC, VDD, etc.
Refiriéndonos ahora a la Figura 2, se representan diagramas físicos esquemáticos de encapsulados de circuitos integrados de baja cuenta de terminales. La memoria 104 puede estar encapsulada en un encapsulado de circuito integrado de baja cuenta de terminales, por ejemplo, SOT 23-3, SOT 23-5, SC70-3 y similares. Se contempla y está dentro del ámbito de esta revelación que se puede usar cualquier encapsulado de circuito integrado de baja cuenta de terminales para encapsular la memoria 104. También se contempla y está dentro del ámbito de la presente revelación que el procesador digital 102 y la memoria 104 pueden estar encapsulados en un encapsulado de circuito integrado de dados dual en el que el bus de nodo único, de datos, direcciones y control 106 puede ser un hilo de enlace (no mostrado) u otra conexión directa entre dados dentro del encapsulado del circuito integrado. El encapsulado de circuito integrado puede tener un terminal de puesta a tierra, VSS, un terminal de alimentación eléctrica, VDD o VCC; y un terminal bidireccional de entrada -salida en serie (E/S), SCIO. Además se pueden usar los terminales de selección de dirección de memoria cableados A0 y A1 cuando están disponibles más de tres terminales sobre el encapsulado de circuito integrado. Se contempla y está dentro del ámbito de esta revelación que el establecimiento de las direcciones de bloque de memoria se puede realizar mediante instrucciones software a través del terminal SCIO.
Refiriéndonos ahora a la Figura 3, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de temporización de la señal para un bus de nodo único de datos, direcciones y control ilustrado en la Figura 1. El bus de nodo único de datos, direcciones y control 106 puede operar usando un bus de nodo único bidireccional y un protocolo de transmisión de datos. Un dispositivo que envía datos sobre el bus 106 se puede definir como transmisor, y un dispositivo que recibe datos como receptor. El bus 106 se puede controlar por un dispositivo maestro que puede determinar un periodo de reloj, control de acceso al bus y puede iniciar todas las operaciones del mismo. Usualmente, la memoria 104 puede ser el esclavo y el procesador digital 102 puede ser el maestro. Ambos maestro y esclavo pueden operar como transmisor y receptor, pero el maestro determina qué modo operativo (maestro o esclavo) se activa para cada uno.
Todos los comandos pueden estar precedidos por una cabecera de Comienzo. La cabecera de Comienzo puede consistir de, por ejemplo, pero sin limitarse a estos, un código binario de 8 bits (por ejemplo, 01010101) que se saca desde el dispositivo que transmite. El protocolo de señales sobre el bus 106 puede ser el Manchester codificado, o cualquier otro tipo de protocolo de señal de transferencia en serie, por ejemplo, el protocolo sin retorno a cero (NRZ), la modulación de posición de pulso (PPM), la codificación por desplazamiento de frecuencia (FSK), la codificación por desplazamiento de fase (PSK), la codificación por desplazamiento de amplitud (ASK) y similares, que pueden usar un byte de cabecera de Comienzo inicial (u otra palabra de longitud) para sincronizar juntos los relojes de maestro y esclavo.
Cada uno de los receptores, cuando se direcciona, puede generar una confirmación después de recibir un cierto número de bits, por ejemplo, cada byte (8 bits). El receptor puede confirmar forzando el terminal SCIO a nivel alto, por ejemplo, a sustancialmente VDD o VCC, durante la primera mitad de un bit y a continuación a nivel bajo, por ejemplo, sustancialmente a VSS, durante la segunda mitad (restante) del bit. Durante una lectura de la matriz, el maestro puede señalar un final de datos al esclavo generando un bit de confirmación sobre el último byte que se ha sacado con el reloj para el esclavo, por ejemplo, puede transmitirse un "1", indicando que no se envíen más datos.
Si no se produce ninguna actividad sobre el bus 106, durante un cierto periodo de tiempo, puede tener lugar un reinicio de bus. Tanto el dispositivo maestro como el esclavo pueden volver a continuación a los modos de reposo. Cualesquiera comandos adicionales se procesarán por una cabecera de Comienzo correcta para sacar el dispositivo direccionado del modo de reposo.
Refiriéndonos ahora a la Figura 4, se representa un diagrama de una asignación de los bytes de dirección del dispositivo de memoria en una memoria de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. La dirección del dispositivo puede seguir a la cabecera de Comienzo desde el dispositivo maestro. La dirección del dispositivo puede consistir de un " código de familia" de cuatro bits, por ejemplo, pero sin limitarse a
este "1010" y los últimos cuatro bits del byte de dirección del dispositivo pueden ser los bits de Selección de Chip (por ejemplo, A3, A2, A1 y A0). Se contempla y está dentro del ámbito de esta revelación que se pueden usar otros códigos de familia de otra longitud de bits.
Refiriéndonos a la Figura 5, se representa una tabla de un conjunto de instrucciones para una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. Después del byte de dirección del dispositivo, se puede enviar un byte de comando por el maestro para indicar el tipo de operación a realizar. En la tabla de la Figura 5 se muestra un conjunto de instrucciones de ejemplo específicas. Se contempla y está dentro del ámbito de esta revelación que se pueden usar otras instrucciones e instrucciones adicionales para el conjunto de instrucciones.
Refiriéndonos a la Figura 6, se representa un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de lectura de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente realización. La instrucción de lectura se puede usar por el maestro para acceder a cualquier localización de memoria en un modo aleatorio. La lectura de datos desde la memoria 104 puede comenzar en una dirección seleccionada. Después de que se ha enviado la instrucción de lectura al esclavo, se pueden transmitir los dos bytes de la Palabra de Dirección, en los que el esclavo puede generar un bit de confirmación (ACK), por ejemplo "0" después de cada byte recibido. A continuación el esclavo puede enviar un primer byte de datos al maestro. Si hay más datos a leer, a continuación el maestro puede responder con un bit de confirmación que indica al esclavo que saque el siguiente byte de datos. Esto puede continuar hasta que el maestro responde con un bit NACK (por ejemplo, un "1" en lugar del bit de confirmación). La memoria 104 puede tener un puntero de dirección que puede proporcionar lecturas secuenciales incrementales a la terminación de cada lectura. De este modo se puede leer en serie cualquier número de bytes almacenados en una secuencia de direcciones desde la memoria 104 durante una operación de lectura múltiple.
Refiriéndonos ahora a las Figuras 7 y 8, en las que la Figura 7 representa un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de escritura de una memoria y la Figura 8 representa un diagrama esquemático de formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de activación de la escritura de una memoria de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. Antes de escribir a la memoria 104, se puede enviar una instrucción de activación de la escritura (WREN) por el maestro, por ejemplo, el procesador digital 102, para establecer un seguro de activación de escritura (no mostrado). Una vez que se ha establecido el seguro de activación de escritura, se puede emitir una instrucción de escritura (WRITE) (incluyendo la cabecera y los bytes de dirección del dispositivo) seguidos por el byte más significativo (MSB) y el byte menos significativo (LSB) de la Dirección de Palabra. A continuación, después de que se recibe el último bit de ACK, el maestro puede transmitir a continuación el byte de datos a escribir dentro de la memoria 104.
Refiriéndonos a la Figura 9, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de desactivación de la escritura de una memoria de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. La instrucción de desactivación de escritura (WRDI) puede eliminar el seguro de activación de escritura (no mostrado). El seguro de activación de escritura se puede eliminar cuando se ha ejecutado satisfactoriamente la instrucción WRDI, se ha ejecutado satisfactoriamente la instrucción (WRSR) de escritura del registro de estado, y/o se ha ejecutado satisfactoriamente la instrucción WRITE.
Refiriéndonos a la Figura 10, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de la temporización de señal para una secuencia de comando de lectura del registro de estado de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. La instrucción de lectura del registro de estado (RDSR) puede proporcionar acceso al Registro de Estado (no mostrado) de la memoria 104. El Registro de Estado se puede leer en cualquier momento, incluso durante una operación de escritura. El Registro de Estado se puede formatear como sigue:
7
6 5 4 3 2 1 0
X
X
X
X
BP1 BP0 WEL WIP
Los bits 4 -7 se pueden reservar para los bits de ID futuras. Un bit de Escritura en Procedimiento (WIP) puede indicar si la memoria 104 está ocupada con una operación de escritura. Por ejemplo, cuando está fijado a "1", puede estar en progreso una operación de escritura, cuando está fijado a "0" no hay ninguna escritura en progreso. También se puede usar el significado opuesto del bit. Se contempla y está dentro del ámbito de la revelación que se puede usar cualquier tamaño de bits del Registro de Estado, y se puede reservar cualquier número de bits como bits de ID. El Registro de Estado puede ser una pluralidad de Registros de Estado.
Un bit de Seguro de Activación de Escritura (WEL) puede indicar el estado de un seguro de activación de la escritura (no mostrado). Por ejemplo, cuando está fijo a "1", el seguro de activación de escritura puede permitir escrituras a una matriz de memoria, cuando está fijo a "0", no se pueden permitir escrituras a la matriz de memoria. También se puede usar el significado opuesto del bit. Este bit puede ser de solo lectura.
Los bits de Protección de Bloque (por ejemplo BP0 y BP1) pueden indicar qué bloques están actualmente protegidos frente a escritura. Los bits BP0 y BP1 se pueden fijar mediante la instrucción WRSR. Los bits BP0 y BP1 pueden ser no volátiles.
Refiriéndonos a la FIG. 11, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de temporización de
5 señal para una secuencia de comando de escritura del registro de estado de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo específica de la presente revelación. La instrucción de Escritura del Registro de Estado (WRSR) puede permitir una selección, por ejemplo, uno de cuatro niveles, de protección de la matriz de memoria escribiendo los bits apropiados en el registro de estado. La matriz de memoria puede estar dividida en segmentos. Por ejemplo, cuatro segmentos. Cada uno de los segmentos puede estar protegido frente a escritura
10 independientemente de los otros segmentos. La partición de los segmentos puede estar controlada como ejemplo, pero sin limitarse a lo que se indica en la tabla a continuación:
BP1
BP2 Direcciones de la Matriz Protegidas frente a escritura
0
0
Ninguna
0
1 1/4 superior de la matriz de memoria
1
0 1/2 superior de la matriz de memoria
1
1
Toda la matriz de memoria
Refiriéndonos a la Figura 12, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de temporización de señal para una secuencia de comando de borrar todo de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo
15 específica de la presente revelación. La instrucción de borrar todo (ERAL) se puede usar para borrar toda la matriz de memoria a "1", por ejemplo, '0xFF', con un comando de instrucción único. Una vez que se ha establecido el seguro de activación de escritura, se puede emitir una instrucción ERAL a continuación la matriz de memoria se puede borrar a '0xFF'.
Refiriéndonos a la Figura 13, se representa un diagrama esquemático de las formas de onda de temporización de
20 señal para una secuencia de comando de escribir todo de una memoria, de acuerdo con una realización de ejemplo de la presente revelación. La instrucción de Escribir Todo (WRAL) se puede usar para fijar toda la matriz de memoria a "0", por ejemplo '0x00', con un único comando de instrucción. Una vez que se establece el seguro de activación de escritura se puede emitir la instrucción WRAL y a continuación la matriz de memoria se puede fijar a '0x00'.

Claims (15)

  1. REIVINDICACIONES
    1. Un sistema digital, que comprende
    una memoria (104) que usa un bus de nodo único, de datos, direcciones y control, que comprende:
    una matriz de memoria (104) adaptada para su acoplamiento a la alimentación eléctrica (VDD) y a puesta a tierra (VSS); en donde, la matriz de memoria (104) está encapsulada en un encapsulado de circuito integrado de baja cuenta de terminales (SOT 23-3, SOT 23-5); y un bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) acoplado a dicha matriz de memoria (104), en el que la matriz de memoria (104) tiene un controlador de bus activo de conducción hacia arriba y conducción hacia abajo para controlar el bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) y en el que la red de memoria sincroniza una señal de reloj interna de la memoria por medio de una señal recibida; y
    un procesador digital (102) acoplado a la memoria (104) a través del bus de nodo único de datos, direcciones y control (106) en el que el procesador digital (102) genera una primera señal de confirmación (ACK) sobre dicho bus de nodo único de datos, direcciones y control después de la recepción de un byte de datos y genera una segunda señal de confirmación (NACK) a la recepción de un byte de datos si no se va a enviar ningún byte de datos adicional por la matriz de memoria (104).
  2. 2.
    El sistema digital de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la señal recibida comprende una cabecera de comienzo codificada en binario multi-bit.
  3. 3.
    El sistema digital de acuerdo con la reivindicación 1 o 2, en el que la matriz de memoria (104) genera una señal de confirmación (ACK) después de la recepción de un byte por dicho controlador de bus de conducción hacia arriba y conducción hacia abajo.
  4. 4.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, que comprende además al menos un terminal de selección de la dirección de memoria (A0; A1).
  5. 5.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, en el que la matriz de memoria (104) usa un protocolo de transferencia en serie de señales seleccionado del grupo que consiste en Manchester, modulación de ancho de pulso (PWM), modulación sin retorno a cero (NRZ), modulación de la posición de pulso (PPM), codificación de desplazamiento de frecuencia (FSK), codificación de desplazamiento de fase (PSK), y codificación de desplazamiento de amplitud (ASK).
  6. 6.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, en el que la matriz de memoria (104) tiene una instrucción READ que lee los datos de la matriz de memoria (104) comenzando en una dirección seleccionada y una instrucción WRITE que escribe los datos a la matriz de memoria (104) comenzando en la dirección seleccionada.
  7. 7.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, en el que la matriz de memoria (104) tiene una instrucción WREN que establece un seguro de activación de la escritura de modo que posibilita las operaciones de escritura y una instrucción WRDI que elimina el seguro de activación de la escritura de modo que imposibilita las operaciones de escritura.
  8. 8.
    El sistema digital de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la matriz de memoria (104) tiene una instrucción RDSR que lee desde una pluralidad de registros de estado y una instrucción WRSR que escribe a uno o a la pluralidad de registros de estado.
  9. 9.
    El sistema digital de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la matriz de memoria (104) tiene una instrucción ERAL que borra toda la matriz de memoria (104) y una instrucción WRAL que escribe toda la matriz de memoria (104).
  10. 10.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, en el que la matriz de memoria (104) se selecciona del grupo que consiste en una memoria programable una vez (OTP), una memoria de solo lectura programable eléctricamente (EPROM), una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM), y una memoria FLASH.
  11. 11.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, en el que el encapsulado de circuito integrado (SOT 23-3) tiene tres terminales (VSS, VDD, SCIO).
  12. 12.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores, que comprende además un encapsulado de circuito integrado (SOT 23-3; SOT 23-5) que encapsula el procesador digital (102) y la matriz de memoria (104).
  13. 13.
    El sistema digital de acuerdo con la reivindicación 12, en el que el encapsulado del circuito integrado SOT 23-3;
    SOT 23-5) es un encapsulado de dados dual.
  14. 14.
    El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores 11 -13, en el que el procesador digital
    (102) se selecciona del grupo que consiste en un microprocesador, un microcontrolador y procesador de señales digitales (DSP), una matriz lógica programable (PLA), y un circuito integrado de aplicación específica (ASIC).
  15. 15. El sistema digital de acuerdo con una de las reivindicaciones anteriores 11-14, en el que el procesador digital
    (102) es un maestro y la matriz de memoria (104) es un esclavo sobre el bus de nodo único de datos, direcciones y control (106).
ES06848943.4T 2005-12-13 2006-12-11 Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control Active ES2462368T3 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US301670 2005-12-13
US11/301,670 US7376020B2 (en) 2005-12-13 2005-12-13 Memory using a single-node data, address and control bus
PCT/US2006/047489 WO2007075336A2 (en) 2005-12-13 2006-12-11 Memory using a single-node data, address and control bus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2462368T3 true ES2462368T3 (es) 2014-05-22

Family

ID=38139132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES06848943.4T Active ES2462368T3 (es) 2005-12-13 2006-12-11 Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7376020B2 (es)
EP (1) EP1969601B1 (es)
KR (1) KR100973185B1 (es)
CN (1) CN101326585B (es)
ES (1) ES2462368T3 (es)
TW (1) TWI397923B (es)
WO (1) WO2007075336A2 (es)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7788430B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-31 Microchip Technology Incorporated Enhanced single-node protocol for data, address and control operations
KR100943137B1 (ko) * 2008-05-13 2010-02-18 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치의 테스트 방법
US8291143B1 (en) * 2009-02-11 2012-10-16 Brocade Communication Systems, Inc. Single line communication
US9755821B2 (en) 2015-04-02 2017-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Device including single wire interface and data processing system including the same
KR102328014B1 (ko) 2015-08-24 2021-11-18 삼성전자주식회사 싱글 와이어 인터페이스를 포함하는 장치와 이를 포함하는 데이터 처리 시스템
DE102016123400B3 (de) * 2016-01-19 2017-04-06 Elmos Semiconductor Aktiengesellschaft Eindrahtlichtsteuerbus mit mehreren Pegeln
TWI625915B (zh) * 2016-11-18 2018-06-01 Industrial Technology Research Institute 智慧型充電方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4641302A (en) * 1985-06-24 1987-02-03 Racal Data Communications Inc. High speed packet switching arrangement
DE3751608T2 (de) * 1986-09-01 1996-06-27 Nippon Electric Co Serielles Busschnittstellensystem zur Datenübertragung mit einer Zweidrahtleitung als Taktbus und Datenbus.
US5198999A (en) * 1988-09-12 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Serial input/output semiconductor memory including an output data latch circuit
US5844842A (en) * 1989-02-06 1998-12-01 Hitachi, Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device
US5210846B1 (en) * 1989-05-15 1999-06-29 Dallas Semiconductor One-wire bus architecture
US5270972A (en) * 1992-04-14 1993-12-14 Xicor, Inc. Three terminal serial-communicating peripheral device
US5508971A (en) * 1994-10-17 1996-04-16 Sandisk Corporation Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems
US5847450A (en) 1996-05-24 1998-12-08 Microchip Technology Incorporated Microcontroller having an n-bit data bus width with less than n I/O pins
US6055204A (en) * 1997-04-29 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Circuits, systems, and methods for re-mapping memory column redundancy
KR100264076B1 (ko) * 1997-06-20 2000-08-16 김영환 데이타 출력 드라이버 전류를 증가시킨 디램
FR2769744B1 (fr) * 1997-10-15 2001-03-30 Sgs Thomson Microelectronics Circuit integre a memoire comprenant un circuit interne de generation d'une haute tension de programmation
JP2001273773A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体メモリ装置
US6505266B1 (en) * 2000-04-07 2003-01-07 Jing Lu Gu Method and apparatus for a mix signal module
CN1159723C (zh) * 2000-08-29 2004-07-28 上海新茂半导体有限公司 一种串行存储器
GB0123422D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Improved memory controller
US6967591B1 (en) * 2002-04-15 2005-11-22 Linear Technology Corporation Multi-bit digital input using a single pin
TWI252494B (en) * 2003-06-11 2006-04-01 Samsung Electronics Co Ltd Memory system with reduced pin count
ITVA20030022A1 (it) 2003-07-07 2005-01-08 St Microelectronics Srl Metodo di generazione di un segnale di abilitazione in una memoria multi-protocollo e relativo dispositivo di memoria.
US6865113B2 (en) * 2003-07-23 2005-03-08 Catalyst Semiconductor, Inc. System and method for programming non-volatile memory
TWI258150B (en) * 2003-12-29 2006-07-11 Inventec Multimedia & Telecom Portable storage device with prompting function
US7315585B2 (en) * 2004-02-11 2008-01-01 Micrel, Inc. Clock-less serial data interface using a single pin
US20050268022A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-01 Pelley Perry H Cache line memory and method therefor
US7957266B2 (en) * 2004-05-28 2011-06-07 Alcatel-Lucent Usa Inc. Efficient and robust routing independent of traffic pattern variability
US20060248267A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-02 Programmable Microelectronics Corporation Flash memory having configurable sector size and flexible protection scheme

Also Published As

Publication number Publication date
TWI397923B (zh) 2013-06-01
CN101326585A (zh) 2008-12-17
WO2007075336A2 (en) 2007-07-05
US7376020B2 (en) 2008-05-20
WO2007075336A3 (en) 2007-08-23
KR100973185B1 (ko) 2010-07-30
EP1969601A2 (en) 2008-09-17
TW200746166A (en) 2007-12-16
US20070133310A1 (en) 2007-06-14
EP1969601B1 (en) 2014-02-12
KR20080080295A (ko) 2008-09-03
CN101326585B (zh) 2011-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101507628B1 (ko) 동기 직렬 인터페이스 nand의 데이터 판독을 위한 시스템 및 방법
US9904596B2 (en) Serial bus event notification in a memory device
US7475174B2 (en) Flash / phase-change memory in multi-ring topology using serial-link packet interface
EP3458966B1 (en) Apparatuses and methods for performing intra-module databus inversion operations
US7755919B1 (en) Flash memory module
US11714713B2 (en) Accessing error statistics from dram memories having integrated error correction
ES2462368T3 (es) Memoria que usa un bus de nodo único de datos, direcciones y control
US20110258364A1 (en) Configurable memory device
KR101513488B1 (ko) 데이터, 어드레스, 및 제어 동작들을 위한 개선된 단일 노드 프로토콜
RU2824172C1 (ru) Способ передачи данных в соответствии с протоколом jedec и машиночитаемый носитель для реализации данного способа
US9620230B2 (en) Memory device that performs an advance reading operation
TWI462103B (zh) 記憶體控制器、記憶體控制方法及記憶體系統
US8004910B2 (en) Data transfer system
JP2007219851A (ja) 半導体メモリ
CN120340576A (zh) 被配置为执行错误检查的半导体存储装置
JP2005050172A (ja) フラッシュメモリの制御回路、並びに、この制御回路を備えるメモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム