ES2549604T3 - Dispositivo de heterounión p-n de estado sólido - Google Patents

Dispositivo de heterounión p-n de estado sólido Download PDF

Info

Publication number
ES2549604T3
ES2549604T3 ES10727791.5T ES10727791T ES2549604T3 ES 2549604 T3 ES2549604 T3 ES 2549604T3 ES 10727791 T ES10727791 T ES 10727791T ES 2549604 T3 ES2549604 T3 ES 2549604T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
sno2
type
band
coating
separation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES10727791.5T
Other languages
English (en)
Inventor
Henry J. Snaith
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oxford University Innovation Ltd
Original Assignee
Oxford University Innovation Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oxford University Innovation Ltd filed Critical Oxford University Innovation Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ES2549604T3 publication Critical patent/ES2549604T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H10K30/352—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles the inorganic nanostructures being nanotubes or nanowires, e.g. CdTe nanotubes in P3HT polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Heterounión p-n de estado sólido que comprende un material orgánico de tipo p en contacto con un material de tipo n en el que dicho material de tipo n comprende SnO2 mesoporoso revestido con al menos dos materiales y en el que el revestimiento más externo más próximo al material de tipo p es un revestimiento superficial de un material de revestimiento superficial que tiene un límite de la banda de conducción más próximo al nivel de vacío y/o una separación de bandas mayor que el SnO2, en el que dicho SnO2 además está revestido con al menos un revestimiento intermedio entre el material de SnO2 "central" y el revestimiento superficial del material de revestimiento superficial, en el que el revestimiento intermedio comprende un material con una mayor separación de bandas y/o una banda de conducción más próxima al nivel de vacío que el SnO2 y/o un material con una separación de bandas de 3 ± 1,5 eV, o en el que el revestimiento intermedio comprende un material con una separación de bandas inferior y/o una banda de conducción más alejada del nivel de vacío que el SnO2 y/o un material con una separación de bandas de 3 ± 1,5 eV.

Description

imagen1
imagen2
imagen3
imagen4
imagen5
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
E10727791
07-10-2015
imagen6
Los colorantes de rutenio se han descrito en muchos documentos publicados que incluyen, por ejemplo, Kuang et al. Nano Letters 6 769-773 (2006), Snaith et al. Angew. Chem. Int. Ed. 44 6413-6417 (2005), Wang et al. Nature Materials 2, 402-498 (2003), Kuang et al. Inorganica Chemica Acta 361 699-706 (2008), y Snaith et al. J Phys, Chem. Lett. 112 7562-7566 (2008).
Otros sensibilizadores conocidos por los expertos en la materia incluyen complejos de metal-ftalocianina tales como ftalocianina de zinc PCH001, cuya síntesis y estructura se describe en Reddy et al. (Angew. Chem. Int. Ed. 46 373376 (2007)) (en particular con referencia al esquema 1), complejos de metal-porfirina, colorantes de escuaraína, colorantes basados en tiofeno, colorantes basados en flúor, colorantes moleculares y colorantes poliméricos. Ejemplos de colorantes de escuaraína se pueden encontrar, por ejemplo, en Burke et al., Chem. Commun. 2007, 234, y ejemplos de polímeros de polifluoreno y politioteno en McNeill et al., Appl.Phys. Lett. 2007, 90.
Un tipo adicional de sensibilizador que es muy apropiado para su uso en todos los aspectos de la presente invención es el denominado "punto cuántico". Los puntos cuánticos (también conocidos como "nano puntos" o "Q-dots") son partículas semiconductoras de tamaño nanométrico en las que se produce una transición gradual desde estado sólido a una estructura molecular a medida que se reduce el tamaño de partícula. Los puntos cuánticos se adsorben en la heterounión constituida por el semiconductor de tipo n (revestido como se indica en el presente documento) y el semiconductor de tipo p. Como puntos cuánticos, se pueden usar partículas constituidas por CdS, Bi2S3, Sb2S3 o Ag2S, aunque se prefiere el PbS. Otros compuestos adecuados para la fabricación de puntos cuánticos son InAs, CdTe, CdSe, HgTe. También son adecuadas las soluciones sólidas de HgTe y CdTe o de HgSe y CdSe.
En la presente invención, el sensibilizador de puntos cuánticos funciona exactamente como sensibilizador de colorantes, por lo que la luz es adsorbida por los Q-dots y produce pares de electrón-hueco. Los electrones se inyectan desde los Q-dots hacia el sólido conductor de electrones (material de tipo n) mientras que los huecos se inyectan en la parte conductora de huecos de la unión (material de tipo p). De esta forma se produce energía eléctrica a partir de luz. Las células de heterounión sensibilizadas por puntos cuánticos ofrecen diversas ventajas. Las separaciones de banda y por tanto los intervalos de absorción se pueden ajustar mediante el tamaño de partícula o mediante el ajuste de las concentraciones relativas de los componentes en soluciones sólidas como HgTe/CdTe o HgSe/CdSe. La separación de bandas de estas soluciones se puede ajustar para que se aproxime al valor óptimo para la conversión de luz solar en energía eléctrica, que es de 1,3 eV para una sola unión y de 0,9 eV como célula de absorción IR en una célula de unión en tándem.
Otra ventaja es que la sección transversal óptica de los Q-dots es significativamente más grande que la de los colorantes moleculares. Esto permite el uso de películas más delgadas que dan lugar a fotovoltajes más altos así como mejores factores de llenado de la célula, y por tanto a rendimientos de conversión más altos. En una realización, el material de tipo n de las uniones y los dispositivos de la presente invención puede ser plano o esencialmente plano en lugar de poroso. La sensibilización con Q-dots como se describe en el presente documento es adecuada en particular para dichos materiales de tipo n planos, esencialmente planos o de baja porosidad (por ejemplo, como se describe a continuación). La producción de una SDSC basada en TiO2 sensibilizada con puntos cuánticos se describe en la patente EP 1176646. También se proporciona un ejemplo de una célula de la presente invención sensibilizada con puntos cuánticos de PbS en la sección de ejemplos a continuación (véanse ejemplos y Figura 8).
A pesar de que muchos de los colorantes indicados anteriormente presentan una absorción de amplio espectro en la región visible, una de las ventajas claves de la presente invención es que la banda de conducción inferior del SnO2 permite la inyección de electrones excitados por fotones solares de energía ligeramente inferior, incluyendo los de frecuencias del infrarrojo cercano. La sensibilización sobre dicho espectro amplio es posible con un único agente de sensibilización, pero también puede ser ventajoso incluir dos o más sensibilizadores, por ejemplo, con características de absorción complementarias. En una realización preferida, todos los aspectos de la presente invención son adecuados para su uso con co-sensibilización usando una pluralidad de (por ejemplo, al menos 2, tal como 2, 3, 4 o 5) agentes de sensibilización diferentes. Algunos pares complementarios incluyen, por ejemplo, los
7
imagen7
imagen8
imagen9
5
15
25
35
45
55
E10727791
07-10-2015
Preferentemente, restos adicionales presentes opcionalmente sobre A, tales como R(w) en (tII), por ejemplo, se seleccionan entre alquenos C4-C30 que comprenden dos o más dobles enlaces conjugados.
Ra se puede usar como resto capaz de controlar el punto de fusión de un compuesto orgánico de transporte de carga. La referencia con respecto a la capacidad para controlar el punto de fusión es el propio material de transporte de carga desprovisto de al menos un resto Ra. En particular, la función de Ra es proporcionar un material de transporte de carga que adopte la fase deseada a las temperaturas indicadas en el presente documento. El ajuste del punto de fusión para obtener las características deseadas en los intervalos de temperatura indicados anteriormente se puede conseguir con un único resto Ra o una combinación de restos Ra iguales o diferentes, presentes en cualquiera de las estructuras (tI)-(tV).
Para reducir el punto de fusión se puede usar al menos un resto lineal, ramificado o cíclico que contiene uno o varios átomos de oxígeno, y así se puede usar la ausencia de dichos restos o restos alternativos para incrementar de forma correspondiente los puntos de fusión, obteniendo así las características deseadas. Otros restos, incluidos por ejemplo alquilos como se ha definido anteriormente, pueden ayudar en el ajuste del punto de fusión y/o las características de fase.
Ra se puede halogenar y/o perhalogenar en uno, varios o todos los H del resto. Ra puede estar sustituido por halógenos. Preferentemente, el halógeno es flúor.
Si Ra es un compuesto que contiene oxígeno, preferentemente es un hidrocarburo C1-C30 saturado lineal, ramificado
o cíclico que comprende 1-15 átomos de oxígeno, con la condición de que el número de átomos de oxígeno preferentemente no supere el número de carbonos. Preferentemente, Ra comprende al menos entre 1,1 y 2 veces tantos carbonos como átomos de oxígeno. Preferentemente, Ra es un hidrocarburo saturado C1-C20 que comprende 2-10 átomos de oxígeno, preferentemente un hidrocarburo saturado C3-C10 que comprende 3-6 átomos de oxígeno.
Preferentemente, Ra es lineal o ramificado. Más preferentemente Ra es lineal.
Preferentemente, Ra se selecciona entre un grupo alcoxi, alcoxialquilo, alcoxialcoxi o alquilalcoxi C1-C30, preferentemente C2-C15 y lo más preferentemente C3-C8 como se ha definido anteriormente.
Ejemplos de restos Ra se pueden seleccionar independientemente entre las estructuras siguientes:
imagen10
en la que A indica cualquier A en la fórmula (tI-V) anterior.
Cualquier Ra presente puede estar unido a un átomo de carbono o un heteroátomo opcionalmente presente en A. Si Ra está unido a un heteroátomo, preferentemente está unido a un átomo de N. No obstante, preferentemente cualquier Ra está unido a un átomo de carbono. Dentro de la misma estructura (tI-tV), cualquier Ra puede estar unido a un carbono o a un heteroátomo independientemente de que haya presente otro Ra sobre el mismo A o en la misma estructura.
Preferentemente, cada estructura A, tal como A, A1, A2, A3 y A4, si está presente en las fórmulas (tI-tV) anteriores comprende al menos un resto Ra. Por ejemplo, en un compuesto de acuerdo con la estructura (tI-tV), al menos una estructura A comprende un resto Ra que contiene oxígeno como se ha definido anteriormente, mientras que uno o más A diferentes y/o iguales del mismo compuesto comprenden un resto Ra alifático, por ejemplo, un grupo alquilo como se define a continuación, preferentemente un grupo alquilo C2-C20, más preferentemente C3-C15, preferentemente lineal.
Las siguientes definiciones de restos se proporcionan con respecto a todas las referencias, a los restos respectivos, además de definiciones preferidas dadas opcionalmente en otra parte. Estas se aplican específicamente a las fórmulas relacionadas con los transportadores de huecos (fórmulas tN) pero opcionalmente también se pueden aplicar a todas las demás fórmulas del presente documento en las que no haya conflicto con otras definiciones proporcionadas.
Un grupo alcoxialcoxi anterior es un grupo alcoxi como se define a continuación, que está sustituido por uno o varios grupos alcoxi como se define a continuación, por lo que cualquier grupo alcoxi sustituyente puede estar sustituido por uno o más grupos alcoxi, siempre que no se supere el número total de 30 carbonos.
Un grupo alcoxi es un grupo alcoxi lineal, ramificado o cíclico que tiene entre 1 y 30, preferentemente 2 y 20, más preferentemente 3-10 átomos de carbono.
11
imagen11
imagen12
imagen13
imagen14
E10727791
07-10-2015
La Figura 1
representa una célula solar orgánica sensibilizada por colorante de estado sólido formada con un material semiconductor de tipo n de SnO2 mesoporoso.
5
La Figura 2 - muestra una representación esquemática de las transferencias de carga que tienen lugar en la operación de DSC. hν indica la absorción de luz, e inj = inyección de electrones, rec = recombinación entre electrones en el material de tipo n y de huecos en el material de tipo p, h+inj = transferencia de huecos (regeneración del colorante), CB = banda de conducción.
La Figura 3a
representa las curvas de corriente-tensión para DSC de estado sólido bajo luz solar simulada AM 1,5 de 100 mWcm-2, que incorporan SnO2 desnudo, SnO2 revestido con TiO2, SnO2 revestido con MgO, y SnO2 doblemente revestido con TiO2 y MgO.
15
Las Figuras 3b, c representan los parámetros de rendimiento de la célula solar extraídos de las curvas de corriente tensión medidas bajo luz solar simulada AM 1,5 de 100 mWcm-2, para DSC de estado sólido a base de SnO2 que incorporan recubrimientos de MgO depositados en una solución 120 mM de acetato de magnesio, con la adición de una "intercapa" de TiO2 (entre el SnO2 y el MgO) depositada en una solución acuosa de TiCl4 con un intervalo de molaridades. 3b) muestra la corriente del cortocircuito y la eficacia de conversión de energía y 3c) muestra la tensión de circuito abierto y el factor de llenado.
25
La Figura 4 representa el espectro de acción fotovoltaico para las mismas SDSC que las medidas en la Figura 3a, presentadas como a) eficiencia de conversión de fotón incidente en electrón (IPCE) y b) eficiencia de conversión de fotón absorbido en electrón (APCE). La absorción de luz total en la película se ha estimado midiendo el espectro de reflexión de un dispositivo revestido de plata en una esfera de integración. Indicamos que en los dispositivos reales se usan electrodos de plata.
La Figura 5a
muestra el tiempo de vida electrónico en función de la intensidad de luz blanca de fondo para DSC de estado sólido que incorporan electrodos de SnO2 desnudo, SnO2-MgO, SnO2-TiO2 y SnO2-TiO2-MgO, medido en circuito abierto mediante la técnica de decaimiento del fotovoltaje transitorio con una pequeña perturbación.
35
La Figura 5b muestra el coeficiente de difusión electrónico efectivo (estimado usando De = w2/2,35τtrans) para las mismas células que las medidas en la Figura 5a en función de la intensidad de luz blanca de fondo, medida en cortocircuito mediante la técnica de decaimiento de la fotocorriente transitoria.
imagen15
La Figura 5c representa la longitud de difusión electrónica (estimada usando las mismas células, estimada en cortocircuito usando los coeficientes de difusión de la Figura 5b y estimando el tiempo de vida electrónico en cortocircuito usando la técnica del fotovoltaje transitorio a corriente constante.
La Figura 5d muestra la longitud de difusión electrónica para DSC de estado sólido que incorporan electrodos de SnO2-MgO y SnO2-TiO2-MgO en función de la polarización aplicada, medida 45 a una intensidad de iluminación de fondo de luz blanca de 100 mWcm-2.
La Figura 6 muestra imágenes de una micrografía electrónica de transmisión de alta resolución (HRTEM) de nanocristales de SnO2 dentro de las películas mesoporosas fabricadas a partir de una pasta de nanopartículas sinterizadas. a) SnO2 desnudo. b) SnO2 con un revestimiento de MgO en una solución de acetato de magnesio 120 mM. c) SnO2 con un revestimiento de TiO2 en una solución de TiCl4 20 mM. d) SnO2 con revestimientos de TiO2 (20 mM) y MgO (120 mM). Todas las películas se sinterizaron en primer lugar a 500 ºC antes del tratamiento superficial y a continuación una vez más a 500 ºC después de todos los tratamientos superficiales. Los marcadores de escala corresponden a 5 nm.
55 La Figura 7 muestra el rendimiento de una SDSC comparativa a base de SnO2 desnudo compuesta por una capa compacta de SnO2/SnO2 mesoporoso/sensibilizador D102/transportador de huecos Spiro-OMeTAD (con i-TFSI y tBP añadidos).
La Figura 8a muestra el espectro de IPCE para DSC de estado sólido compuestas por SnO2 revestido con MgO, sensibilizadas con nanopartículas de PbS. Los electrodos de SnO2-MgO se sensibilizaron con las nanopartículas de PbS mediante el método de revestimiento por inmersión y el posterior intercambio de ligandos. La leyenda hace referencia al número de inmersiones.
16
imagen16
imagen17
imagen18
imagen19

Claims (1)

  1. imagen1
    imagen2
    imagen3
ES10727791.5T 2009-06-08 2010-06-08 Dispositivo de heterounión p-n de estado sólido Active ES2549604T3 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0909818 2009-06-08
GBGB0909818.7A GB0909818D0 (en) 2009-06-08 2009-06-08 Device
PCT/GB2010/001117 WO2010142947A1 (en) 2009-06-08 2010-06-08 Solid state heterojunction device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2549604T3 true ES2549604T3 (es) 2015-10-29

Family

ID=40937053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10727791.5T Active ES2549604T3 (es) 2009-06-08 2010-06-08 Dispositivo de heterounión p-n de estado sólido

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9349971B2 (es)
EP (1) EP2441101B1 (es)
JP (1) JP5866281B2 (es)
CN (1) CN102625956B (es)
ES (1) ES2549604T3 (es)
GB (1) GB0909818D0 (es)
WO (1) WO2010142947A1 (es)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513406B1 (ko) 2006-09-29 2015-04-17 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치
AU2011258475A1 (en) 2010-05-24 2012-11-15 Nanoholdings, Llc Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
JP6061475B2 (ja) * 2011-03-09 2017-01-18 大阪瓦斯株式会社 全固体光増感太陽電池
CA2832129A1 (en) * 2011-04-05 2012-10-11 Franky So Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell
CN103733355B (zh) 2011-06-30 2017-02-08 佛罗里达大学研究基金会有限公司 用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备
WO2013126385A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 Northwestern University Photoluminescent compounds
EP2693503A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
AU2013319979B2 (en) 2012-09-18 2016-08-25 Oxford Photovoltaics Limited Optoelectronic device
WO2015164731A1 (en) 2014-04-24 2015-10-29 Northwestern University Solar cells with perovskite-based light sensitization layers
US9349967B2 (en) 2014-07-16 2016-05-24 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for manufacturing the same
GB201421133D0 (en) 2014-11-28 2015-01-14 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
CA2988784A1 (en) 2015-06-11 2017-03-09 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices
CN106449980B (zh) * 2016-09-27 2018-09-28 宁夏宝塔石化科技实业发展有限公司 一种光传感器
CN108054294A (zh) * 2017-10-26 2018-05-18 南昌航空大学 一种浸泡法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法
CN108054295A (zh) * 2017-10-26 2018-05-18 南昌航空大学 用原位生成法制备过渡金属氧化物/量子点体异质结方法及在发光二极管中应用
JP2019117889A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 太陽誘電株式会社 色素増感太陽電池
CN108376745B (zh) * 2018-03-01 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
JP2021064543A (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 シャープ株式会社 発光素子、表示装置および発光素子の製造方法
US10984959B1 (en) * 2020-04-13 2021-04-20 United Arab Emirates University Quantum dot-sensitized solar cell and method of making the same
CN112447910B (zh) * 2020-11-23 2022-03-15 东北师范大学 一种量子点太阳能电池及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19533850A1 (de) * 1995-09-13 1997-03-27 Hoechst Ag Photovoltaische Zelle
DE19711714A1 (de) * 1997-03-20 1998-10-01 Hoechst Ag Spiroverbindungen und deren Verwendung
JP2001257012A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子および太陽電池
EP1176646A1 (en) 2000-07-28 2002-01-30 Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) Solid state heterojunction and solid state sensitized photovoltaic cell
JP4071428B2 (ja) * 2000-09-22 2008-04-02 住友大阪セメント株式会社 色素増感型太陽電池及びその製造方法
GB0524083D0 (en) * 2005-11-25 2006-01-04 Isis Innovation Photovoltaic device
EP1837929A1 (en) 2006-03-23 2007-09-26 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Liquid Charge Transporting Material
US8373060B2 (en) * 2006-10-24 2013-02-12 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Semiconductor grain microstructures for photovoltaic cells
EP1936644A3 (en) * 2006-12-22 2011-01-05 Sony Deutschland Gmbh A photovoltaic cell
EP2115788A2 (en) 2007-02-16 2009-11-11 ETeCH AG Semiconductor device structure
US20090020149A1 (en) 2007-07-16 2009-01-22 Woods Lawrence M Hybrid Multi-Junction Photovoltaic Cells And Associated Methods
DE502008002569D1 (de) * 2007-07-23 2011-03-24 Basf Se Photovoltaische tandem-zelle
US20100006148A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Honeywell International Inc. Solar cell with porous insulating layer
KR101920721B1 (ko) * 2010-06-04 2018-11-22 삼성전자주식회사 그라펜 나노리본의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 얻어진 그라펜 나노리본

Also Published As

Publication number Publication date
CN102625956B (zh) 2016-03-16
GB0909818D0 (en) 2009-07-22
EP2441101A1 (en) 2012-04-18
US9349971B2 (en) 2016-05-24
JP5866281B2 (ja) 2016-02-17
US20120146007A1 (en) 2012-06-14
JP2012529764A (ja) 2012-11-22
CN102625956A (zh) 2012-08-01
EP2441101B1 (en) 2015-09-09
WO2010142947A1 (en) 2010-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2549604T3 (es) Dispositivo de heterounión p-n de estado sólido
ES2746262T3 (es) Nanocomposite fotovoltaico que comprende nano-heterouniones en volumen inorgánicas procesadas en solución, célula solar y dispositivos de fotodiodo que comprenden el nanocomposite
ES2967341T3 (es) Arquitectura de dispositivo
KR101322646B1 (ko) 용액으로부터 형성된 나노결정 태양 전지
Chen et al. Nanochemistry and nanomaterials for photovoltaics
He et al. High‐efficiency Si/polymer hybrid solar cells based on synergistic surface texturing of Si nanowires on pyramids
Tong et al. Fully-printed, flexible cesium-doped triple cation perovskite photodetector
Günes et al. Hybrid solar cells using HgTe nanocrystals and nanoporous TiO2 electrodes
Zhu et al. Self-powered, broadband perovskite photodetector based on ZnO microspheres as scaffold layer
KR101351336B1 (ko) 산화물 반도체-나노카본 핵-껍질 일체형 양자점과 이를 이용한 자외선 태양전지 및 그 제조 방법
Yang et al. Transition from photoconductivity to photovoltaic effect in P3HT/CuInSe2 composites
Lee et al. Solid-state dye-sensitized solar cells based on ZnO nanoparticle and nanorod array hybrid photoanodes
Hou et al. Efficient and stable perovskite solar cell achieved with bifunctional interfacial layers
Kim et al. Engineered surface halide defects by two-dimensional perovskite passivation for deformable intelligent photodetectors
KR20150080296A (ko) 태양 전지 전자 수송층의 배리어층으로 사용되는 풀러렌 입자들이 포함된 코어-쉘 구조 나노복합체, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 태양 전지
Im et al. Efficient HgTe colloidal quantum dot-sensitized near-infrared photovoltaic cells
Pang et al. Synchronous interface modification and bulk passivation via a one-step cesium bromide diffusion process for highly efficient perovskite solar cells
JP7073626B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
Lee et al. Improving photostability of non-fullerene acceptor-based inverted organic solar cells using Ga-doped ZnO electron transport layer
Peng et al. Long wavelength optical absorption and photovoltaic performance enhancement on CuInS2 and PbS quantum dot co-sensitized solar cells
KR102135101B1 (ko) 반투명 및 유연 태양전지 및 그 제조 방법
Lim et al. Improvement of external quantum efficiency depressed by visible light-absorbing hole transport material in solid-state semiconductor-sensitized heterojunction solar cells
Wang et al. Hybrid solar cells constructed of macroporous n-type GaP coated with PEDOT: PSS
KR102745715B1 (ko) 금속산화물 기반 투명 광전소자 및 이의 제조방법
RU2592743C1 (ru) Фотоэлектрический преобразователь энергии на основе комплексов фталоцианинов и их аналогов