ES2580854T3 - Aparato fotovoltaico y método de fabricación del mismo - Google Patents

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ES2580854T3 ES11759750.0T ES11759750T ES2580854T3 ES 2580854 T3 ES2580854 T3 ES 2580854T3 ES 11759750 T ES11759750 T ES 11759750T ES 2580854 T3 ES2580854 T3 ES 2580854T3
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Abstract

Un aparato fotovoltaico, que comprende: un sustrato (100) de soporte; un primer electrodo posterior (210) dispuesto sobre el sustrato (100) de soporte; una parte absorbente (310) de luz dispuesta sobre el primer electrodo posterior (210); un tampón (321, 331) dispuesto sobre la parte absorbente (310) de luz; y una película (323, 333) de barrera dispuesta sobre una superficie lateral de la parte absorbente (310) de luz y que se extiende desde el tampón (321, 331), en el que el tampón (321, 331) comprende: un primer tampón (321) dispuesto sobre la parte absorbente (310) de luz; y un segundo tampón (331) dispuesto sobre el primer tampón (321), caracterizado por que la película (303) de barrera comprende: una primera película (323) de barrera que se extiende desde el primer tampón (321); y una segunda película (333) de barrera que se extiende desde el segundo tampón (331).

Description

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DESCRIPCION
Aparato fotovoltaico y metodo de fabricacion del mismo Antecedentes
La presente invencion se refiere a un aparato fotovoltaico y al metodo de fabricacion del mismo.
A medida que aumenta la demanda de energia, se estan desarrollando activamente celulas solares para convertir energia solar en energia electrica.
En particular, se estan usando ampliamente celulas solares a base de cobre-indio-galio-selenio (a base de CIGS) que son aparatos de heterounion p-n con una estructura de sustrato. En el presente documento, la estructura del sustrato incluye un sustrato de vidrio, una capa de electrodos posteriores de metal, una capa absorbente de luz a base de CIGS de tipo p, una capa tampon de alta resistencia, y una capa de ventanas de tipo n, como por ejemplo se describe en el documento JP 2002094089.
Sumario
Las realizaciones proporcionan un aparato fotovoltaico que suprime la corriente de fuga y que tiene una mayor eficiencia de conversion fotoelectrica, y un metodo de fabricacion del mismo.
En una realizacion, un aparato fotovoltaico comprende: un sustrato de soporte; un primer electrodo posterior dispuesto sobre el sustrato de soporte; una parte absorbente de luz dispuesta sobre el primer electrodo posterior; un tampon intermedio dispuesto sobre la parte absorbente de luz; y una pelicula de barrera dispuesta sobre una superficie lateral de la parte absorbente de luz, y que se extiende desde el tampon intermedio.
En otra realizacion, un aparato fotovoltaico comprende: un sustrato de soporte; una capa de electrodos posteriores dispuesta sobre el sustrato de soporte; una capa absorbente de luz dispuesta sobre la capa de electrodos posteriores y que tiene formada una ranura pasante en la misma; una capa tampon dispuesta sobre una superficie superior de la capa absorbente de luz, y una superficie interior de la ranura pasante; y una capa de ventanas dispuesta sobre la capa tampon.
En una realizacion adicional, un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion adicional incluye: formar una capa de electrodos posteriores sobre un sustrato de soporte; formar una capa absorbente de luz sobre la capa de electrodos posteriores; formar una ranura pasante sobre la capa absorbente de luz; formar una capa tampon sobre una superficie superior de la capa absorbente de luz y una superficie interior de la ranura pasante; y formar una zona abierta sobre la capa tampon, exponiendo la zona abierta la capa de electrodos posteriores y solapando parcialmente la ranura pasante.
Los detalles de una o mas realizaciones se exponen en los dibujos adjuntos y en la siguiente descripcion. Otras caracteristicas seran evidentes a partir de la descripcion y los dibujos, y de las reivindicaciones.
Breve descripcion de los dibujos
La Fig. 1 es una vista en planta que ilustra un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion.
La Fig. 2 es una vista en seccion transversal tomada a lo largo de la linea A-A' de la Fig. 1.
Las Figs. 3 a 7 son vistas en seccion transversal que ilustran un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion.
La Fig. 8 es una vista en seccion transversal que ilustra un aparato fotovoltaico de acuerdo con otra realizacion. Las Figs. 9 a 11 son vistas en seccion transversal que ilustran un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico de acuerdo con otra realizacion.
Descripcion detallada de las realizaciones
En la descripcion de las realizaciones, debe comprenderse que cuando se hace referencia a que un sustrato, pelicula, electrodo, ranura, o capa esta "sobre" o "bajo" otro sustrato, pelicula, electrodo, ranura, o capa, la terminologia "sobre" y "bajo" incluye tanto el significado "directamente" como "indirectamente". Ademas, la referencia a estar "sobre" y "bajo" cada componente se hara en funcion de los dibujos. Ademas, los tamanos de los elementos y los tamanos relativos entre los elementos pueden exagerarse para una mayor comprension de la presente divulgacion.
La Fig. 1 es una vista en planta que ilustra un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion. La Fig. 2 es una vista en seccion transversal tomada a lo largo de la linea A-A' de la Fig. 1.
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Con referencia a las Figs. 1 y 2, el aparato fotovoltaico incluye un sustrato 100 de soporte, una capa 200 de electrodos posteriores, una capa 310 absorbente de luz, una primera capa tampon 320, una segunda capa tampon 330, una pelicula 303 de barrera, una capa 400 de ventanas, y una parte 500 de conexion.
El sustrato 100 de soporte tiene forma de placa y es compatible con la capa 200 de electrodos posteriores, la capa 310 absorbente de luz, la primera capa tampon 320, la segunda capa de tampon 330, la capa 400 de ventanas, y la parte 500 de conexion.
El sustrato 100 de soporte puede ser un aislante electrico. El sustrato 100 de soporte puede ser un sustrato de vidrio, un sustrato de plastico, o un sustrato de metal. En mas detalle, el sustrato 100 de soporte puede ser un sustrato de vidrio de sosa y cal. El sustrato 100 de soporte puede ser transparente. El sustrato 100 de soporte puede ser rigido o flexible.
La capa 200 de electrodo trasero esta dispuesta sobre el sustrato 100 de soporte. La capa 200 de electrodos posteriores es una capa conductora. Por ejemplo, la capa 200 de electrodos posteriores puede estar formada con un metal tal como molibdeno.
Ademas, la capa 200 de electrodos posteriores puede incluir dos o mas capas. En este caso, las dos o mas capas pueden estar formadas con el mismo metal, o con diferentes metales.
Una primera ranura pasante TH1 esta formada sobre la capa 200 de electrodos posteriores. La primera ranura pasante TH1 es una zona abierta que expone la superficie superior del sustrato 100 de soporte. La primera ranura pasante TH1 puede extenderse en una direccion vista en planta.
La primera ranura pasante TH1 puede tener una anchura de entre aproximadamente 80 pm y aproximadamente 200 pm.
La primera ranura pasante TH1 divide la capa 200 de electrodos posteriores en una pluralidad de electrodos posteriores 210, 220, .... Es decir, la primera ranura pasante TH1 define la pluralidad de electrodos posteriores 210, 220, .... En la Fig. 3, se muestran un primer electrodo posterior 210 y un segundo electrodo posterior 220 de los electrodos posteriores 210, 220, ....
Los electrodos posteriores 210, 220, ... estan separados unos de otros por la primera ranura pasante TH1. Los electrodos posteriores 210, 220, ... estan dispuestos en forma de tira.
Alternativamente, los electrodos posteriores 210, 220, ... pueden estar dispuestos en forma de matriz. En este caso, la primera ranura pasante TH1 puede tener forma de celosia, vista en planta.
La capa absorbente 310 de luz esta dispuesta sobre la capa 200 de electrodos posteriores. Ademas, la primera ranura pasante TH1 esta llena con un material que forma la capa absorbente 310 de luz.
La capa absorbente 310 de luz incluye compuestos del grupo I-III-VI. Por ejemplo, la capa absorbente 310 de luz puede tener una estructura cristalina a base de cobre-indio-galio-selenio (Cu(In,Ga)Se2) (a base de CIGS), una estructura cristalina a base de cobre-indio-selenio, o una estructura cristalina a base de cobre-galio-selenio.
La capa absorbente 310 de luz puede tener una banda prohibida de energia de entre aproximadamente 1 eV y aproximadamente 1,8 eV.
Una segunda ranura pasante TH2 esta formada en la capa absorbente 310 de luz. La segunda ranura pasante TH2 pasa a traves de la capa absorbente 310 de luz. Ademas, la segunda ranura pasante TH2 es una zona abierta que expone la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores.
La segunda ranura pasante TH2 es adyacente a la primera ranura pasante TH1. Es decir, la segunda ranura pasante TH2 es paralela a la primera ranura pasante TH1, vista en planta.
La segunda ranura pasante TH2 puede tener una anchura de entre aproximadamente 80 pm y aproximadamente 200 pm.
Ademas, la capa absorbente 310 de luz define una pluralidad de partes absorbentes 311, 312, ... de luz, con la segunda ranura pasante TH2. Es decir, la segunda ranura pasante TH2 divide la capa absorbente 310 de luz en la pluralidad de partes absorbentes 311,312, ... de luz.
La primera capa tampon 320 esta dispuesta sobre una superficie superior de la capa absorbente 310 de luz y sobre una superficie interior de la segunda ranura pasante TH2. La primera capa tampon 320 incluye sulfuro de cadmio (CdS) y tiene una banda prohibida de energia de entre aproximadamente 2,2 eV y aproximadamente 2,4 eV.
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La segunda capa tampon 330 esta dispuesta sobre la primera capa tampon 320. Ademas, la segunda capa tampon 330 puede estar dispuesta sobre la superficie interior de la segunda ranura pasante TH2. La segunda capa tampon 330 incluye oxido de zinc sin contaminacion por impurezas (i-ZnO). La segunda capa tampon 330 tiene una banda prohibida de energia de entre aproximadamente 3,1 eV y aproximadamente 3,3 eV.
La primera capa tampon 320 y la segunda capa tampon 330 llevan a cabo una funcion de amortiguacion entre la capa absorbente 310 de luz y la capa 400 de ventanas. Como ejemplo alternativo, entre la capa absorbente 310 de luz y la capa 400 de ventanas puede estar dispuesta solo la primera capa tampon 320, y llevar a cabo una funcion de amortiguacion de forma independiente. Alternativamente, entre la capa absorbente 310 de luz y la capa 400 de ventanas puede estar dispuesta solo la segunda capa tampon 330, y llevar a cabo una funcion de amortiguacion independiente.
La primera capa tampon 320 esta dividida en una pluralidad de tampones intermedios inferiores 321, 322, ..., una primera pelicula 323 de barrera, y una primera parte simulada 324, por una zona abierta OR que solapa la segunda ranura pasante TH2.
Del mismo modo, la segunda capa tampon 330 esta dividida en una pluralidad de tampones intermedios superiores 331,332, ..., una segunda pelicula 333 de barrera, y una segunda parte simulada 334, por una zona abierta OR.
La zona abierta OR elimina parcialmente la primera capa tampon 320 y la segunda capa tampon 330, para exponer la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores.
La primera pelicula 323 de barrera se extiende desde un primer tampon inferior 321 dispuesto sobre la primera parte absorbente 311 de luz, y esta dispuesta sobre la superficie lateral de la primera parte absorbente 311 de luz. La primera pelicula 323 de barrera esta formada integralmente con el primer tampon inferior 321 y esta dispuesta entre la superficie lateral de la primera parte absorbente 311 de luz y la segunda pelicula 333 de barrera.
La primera parte simulada 324 se extiende desde la primera pelicula 323 de barrera a lo largo de la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores. En mas detalle, la primera parte simulada 324 se extiende desde la primera pelicula 323 de barrera y esta en contacto con la superficie superior de una segunda capa 220 de electrodos posteriores. La primera parte simulada 324 esta formada integralmente con la primera pelicula 323 de barrera.
La segunda pelicula 323 de barrera se extiende desde un primer tampon superior 331 dispuesto sobre el primer tampon inferior 321, y esta dispuesta sobre la primera pelicula 323 de barrera. La segunda pelicula 333 de barrera esta formada integralmente con el primer tampon superior 331, y esta dispuesta entre la primera pelicula 323 de barrera y la primera parte 500 de conexion.
La segunda pelicula 333 de barrera tiene una alta resistencia, al igual que el primer tampon superior 331.
La segunda parte simulada 334 se extiende desde la segunda pelicula 333 de barrera a lo largo de la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores. En mas detalle, la segunda parte simulada 334 se extiende desde la segunda pelicula 333 de barrera, y esta en contacto con la superficie superior de la primera parte simulada 324. La segunda parte simulada 334 esta formada integralmente con la segunda pelicula 333 de barrera.
De esta manera, la primera capa 323 de barrera y la segunda pelicula 333 de barrera constituyen la pelicula 303 de barrera. Es decir, la pelicula 303 de barrera se extiende desde los tampones inferiores 321, 322, ... y los tampones superiores 331,332, ..., y esta dispuesta sobre la superficie lateral de las partes absorbentes 311,312, .... de luz.
Del mismo modo, la primera parte simulada 324 y la segunda parte simulada 334 constituyen una parte simulada. La parte simulada se extiende desde la pelicula 303 de barrera, a lo largo de la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores.
La capa 400 de ventanas esta dispuesta sobre la segunda capa tampon 330. La capa 400 de ventanas es una capa conductora electrica transparente. La resistencia de la capa 400 de ventanas es mas alta que la de la capa 200 de electrodos posteriores. Por ejemplo, la capa 400 de ventanas tiene una resistencia de entre aproximadamente 10 y 200 veces mas alta que la capa 200 de electrodos posteriores. Por ejemplo, la capa 400 de ventanas puede estar formada por oxido de zinc dopado con Al (AZO).
Una tercera ranura pasante TH3 esta formada en la capa 400 de ventanas. La tercera ranura pasante TH3 es una zona abierta que expone la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores. Por ejemplo, la tercera ranura pasante TH3 puede tener una anchura de entre aproximadamente 80 pm y aproximadamente 200 pm.
La tercera ranura pasante TH3 es adyacente a la segunda ranura pasante TH2. En mas detalle, la tercera ranura pasante TH3 esta dispuesta al lado de la segunda ranura pasante TH2. Es decir, la tercera ranura pasante TH3 es paralela a la segunda ranura pasante TH2, vista en planta.
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La tercera ranura pasante TH3 divide la capa 400 de ventanas en una pluralidad de ventanas 410, 420, .... Es decir, la tercera ranura pasante TH3 define las ventanas 410, 420, ....
Las ventanas 410, 420, ... tienen una forma correspondiente a los electrodos posteriores 210, 220, .... Es decir, las ventanas 410, 420, ... estan dispuestas en forma de tira. Alternativamente, las ventanas 410, 420, ... pueden estar dispuestas en forma de matriz.
Ademas, la tercera ranura pasante TH3 define una pluralidad de celulas C1, C2, .... En mas detalle, las celulas C1, C2, ... estan definidas por la segunda ranura pasante TH2 y la tercera ranura pasante TH3. Es decir, un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion esta dividido en las celulas C1, C2, ... por la segunda ranura pasante TH2 y la tercera ranura pasante TH3.
Es decir, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion incluye la pluralidad de celulas C1, C2, .... Por ejemplo, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion incluye una primera celula C1 y una segunda celula C2 dispuestas sobre el sustrato 100 de soporte.
La primera celula C1 incluye el primer electrodo posterior 210, la primera parte absorbente 311 de luz, el primer tampon inferior 321, el primer tampon superior 331, y la primera ventana 410.
El primer electrodo trasero 210 esta dispuesto sobre el sustrato 100 de soporte. La primera parte absorbente 311 de luz, el primer tampon inferior 321, y el primer tampon superior 331 se apilan secuencialmente sobre el primer electrodo posterior 210. La primera ventana 410 esta dispuesta sobre el primer tampon superior 331.
Esto es, el primer electrodo posterior 210 y la primera ventana 410 estan enfrentados entre si, con la primera parte absorbente 311 de luz entre los mismos.
Aunque no se ilustra en los dibujos, la primera parte absorbente 311 de luz y la primera ventana 410 cubren el primer electrodo posterior 210, quedando parcialmente expuesta la superficie superior del mismo.
La segunda celula C2 esta dispuesta adyacente a la primera celula C1 sobre el sustrato 100 de soporte. La segunda celula C2 incluye el segundo electrodo posterior 220, la segunda parte absorbente 312 de luz, el segundo tampon inferior 322, el segundo tampon superior 332, y la segunda ventana 420.
El segundo electrodo posterior 220 esta dispuesto separado del primer electrodo posterior 210 sobre el sustrato 100 de soporte. La segunda parte absorbente 312 de luz esta dispuesta separada de la primera parte absorbente 311 de luz, sobre el segundo electrodo posterior 220. La segunda ventana 420 esta dispuesta separada de la primera ventana 410 sobre el segundo tampon superior 332.
La segunda parte absorbente 312 de luz y la segunda ventana 420 cubren el segundo electrodo posterior 220, quedando parcialmente expuesta la superficie superior del mismo.
La parte 500 de conexion esta dispuesta sobre la superficie interior de la segunda ranura pasante TH2.
La parte 500 de conexion se extiende hacia abajo desde la capa 400 de ventanas, y esta en contacto directo con la capa 200 de electrodos posteriores. Por ejemplo, la parte 500 de conexion se extiende hacia abajo desde la primera ventana 410, y esta en contacto directo con el segundo electrodo posterior 220.
En consecuencia, la parte 500 de conexion conecta un electrodo posterior y una ventana, que estan incluidos en cada una de las celulas adyacentes C1, C2, .... Es decir, la parte 500 de conexion conecta la primera ventana 410 con el segundo electrodo posterior 220.
La parte 500 de conexion esta formada integralmente con las ventanas 410, 420, .... Es decir, la parte 500 de conexion y la capa 400 de ventanas estan formadas con el mismo material.
La pelicula 303 de barrera aisla las superficies laterales de las partes absorbentes 311, 312, .... de luz. Es decir, la pelicula 303 de barrera esta dispuesta entre la parte absorbente 311, 312, ... de luz y las partes 500 de conexion, respectivamente. Por lo tanto, la pelicula 303 de barrera puede bloquear las corrientes de fuga desde las superficies laterales de las partes absorbentes 311 y 132 de luz. Por ejemplo, la pelicula 303 de barrera puede evitar una corriente de fuga desde la parte 500 de conexion, a traves de la superficie lateral de la primera parte absorbente 311 de luz, hasta el primer electrodo posterior 210.
Para bloquear la corriente de fuga, no es necesario aumentar la anchura de la primera ranura pasante TH1. Es decir, aunque disminuya la anchura de la primera ranura pasante TH1, la pelicula 333 de barrera puede bloquear la corriente de fuga de manera eficiente.
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Por lo tanto, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion puede disminuir la anchura de la primera ranura pasante TH1, y reducir una zona muerta en el que no es posible la generacion de energia.
Por consiguiente, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion tiene una eficiencia mejorada de generacion de energia.
Las Figs. 3-7 son vistas en seccion transversal que ilustran un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion. Una descripcion del metodo se refiere a la descripcion anterior del aparato fotovoltaico.
Con referencia a la Fig. 3, una capa 200 de electrodos posteriores esta formada sobre un sustrato 100 de soporte. Ademas, la capa 200 de electrodos posteriores esta modelada para formar una primera ranura pasante TH1. Por lo tanto, una pluralidad de electrodos posteriores 210, 220, ... estan formados sobre el sustrato de soporte. La capa 200 de electrodos posteriores se modela con un laser.
La primera ranura pasante TH1 puede exponer la superficie superior del sustrato 100 de soporte, y tiene una anchura de entre aproximadamente 80 pm y aproximadamente 200 pm.
Ademas, puede disponerse una capa adicional entre el sustrato 100 de soporte y la capa 200 de electrodos posteriores, tal como una pelicula de barrera de difusion. En este caso, la primera ranura pasante TH1 expone la superficie superior de la capa adicional.
Con referencia a la Fig. 4, una capa absorbente 310 de luz esta formada sobre la capa 200 de electrodos posteriores.
La capa absorbente 310 de luz se puede formar mediante un proceso de pulverizacion catodica, o un metodo de evaporacion.
Por ejemplo, la capa absorbente 310 de luz de un compuesto semiconductor a base de cobre-indio-galio-selenio (Cu(In,Ga)Se2) (a base de CIGS) se puede formar por un metodo de evaporacion de cobre, indio , galio y selenio, de forma simultanea o por separado, o de formacion de una pelicula precursora de metal y utilizar a continuacion un proceso de selenizacion.
Mas detalladamente, en lo referente al metodo de formacion de una pelicula precursora de metal y al posterior uso de un proceso de selenizacion, la pelicula precursora de metal se forma sobre el electrodo posterior 200 a traves de un proceso de pulverizacion catodica usando un objetivo de cobre, un objetivo de indio, y un objetivo de galio.
A continuacion, se forma la capa absorbente 310 de luz de un compuesto semiconductor a base de cobre-indio- galio-selenio (Cu(In,Ga)Se2) (a base de CIGS), a traves de un proceso de selenizacion usando la pelicula precursora de metal.
Alternativamente, pueden llevarse a cabo de forma simultanea el proceso de pulverizacion catodica usando un objetivo de cobre, un objetivo de indio, y un objetivo de galio, y el proceso de selenizacion.
Alternativamente, para formar una capa absorbente 310 de luz de un compuesto semiconductor a base de CIS o de CIG pueden llevarse a cabo un proceso de bombardeo ionico utilizando un objetivo de cobre y un objetivo de indio, o usando un objetivo de cobre y un objetivo de galio, y el proceso de selenizacion.
La capa absorbente 310 de luz se retira parcialmente para formar una segunda ranura pasante TH2.
La segunda ranura pasante TH2 puede formarse utilizando un dispositivo mecanico, tal como una punta, o un dispositivo laser.
Por ejemplo, la capa absorbente 310 de luz y la primera capa tampon 320 pueden modelarse usando una punta que tenga una anchura de entre aproximadamente 40 pm y aproximadamente 180 pm. La segunda ranura pasante TH2 puede formarse utilizando un dispositivo laser que tenga una longitud de onda de entre aproximadamente 200 nm y aproximadamente 600 nm.
En este caso, la segunda ranura pasante TH2 puede tener una anchura de entre aproximadamente 100 pm y aproximadamente 200 pm. Ademas, la segunda ranura pasante TH2 expone parcialmente la superficie superior de la capa 200 de electrodos posteriores.
Con referencia a la Fig. 5, se deposita sulfuro de cadmio sobre la superficie superior de la capa absorbente 310 de luz y la superficie interior de la segunda ranura pasante TH2, mediante un proceso de bombardeo ionico o un metodo de deposicion de bano quimico (CDB) para formar la primera capa tampon 320.
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En lo sucesivo, se deposita el oxido de zinc sobre la primera capa tampon 320 a traves de un proceso de pulverizacion para formar la segunda capa tampon 330.
Con referencia a la Fig. 6, se retiran parcialmente la primera capa tampon 320 y la segunda capa tampon 330 a traves de incision laser o mecanica, para formar una zona abierta OR. La zona abierta OR solapa parcialmente la segunda ranura pasante TH2. Es decir, la zona abierta OR esta dislocada con respecto a la segunda ranura pasante TH2.
Por lo tanto, se forma una pelicula 303 de barrera sobre cada una de las superficies laterales de las partes absorbentes 311,312, ... de luz, y se forma una parte simulada sobre el electrodo posterior 200.
Es decir, en un proceso de formacion de la zona abierta OR resulta dificil controlar con precision una posicion para el trazado o modelado por laser, para dejar la pelicula 303 de barrera. Por lo tanto, ya que la segunda capa tampon 330 se modela para dejar un pequeno margen, se forma la parte simulada.
Con referencia a la Fig. 7, se forma una capa 400 de ventanas sobre la segunda capa tampon 330. En este caso, se llena la segunda ranura pasante con un material que forma la capa 400 de ventanas.
Para formar la capa 400 de ventanas, se apila un material conductor transparente sobre la segunda capa tampon 330. La segunda ranura pasante TH2 se llena con el material conductor transparente. Por ejemplo, el material conductor transparente puede ser oxido de zinc dopado con aluminio (AZO).
Por lo tanto, se forma sobre la superficie interior de la segunda ranura pasante TH2 la parte 500 de conexion, que se extiende desde la capa 400 de ventanas y que esta en contacto con la capa 200 de electrodos posteriores.
A continuacion, se retira parcialmente la capa 400 de ventanas para formar una tercera ranura pasante TH3. Es decir, se modela la capa 400 de ventanas para definir una pluralidad de ventanas 410, 420, ... y una pluralidad de celulas C1, C2, ....
La tercera ranura pasante TH3 puede tener una anchura de entre aproximadamente 80 pm y aproximadamente 200 pm.
De esta manera puede formarse la pelicula de barrera, proporcionando de este modo un aparato fotovoltaico que tiene una alta eficiencia.
La Fig. 8 es una vista en seccion transversal que ilustra un aparato fotovoltaico de acuerdo con otra realizacion. La presente realizacion se refiere a las realizaciones anteriormente descritas, y describe una primera ranura pasante y ademas una segunda ranura pasante. Es decir, la descripcion de la realizacion anterior se puede incorporar en la siguiente descripcion de la presente realizacion, excepto por las partes diferentes.
Con referencia a la Fig. 8, una primera ranura pasante TH1 y una segunda ranura pasante TH2 se solapan entre si. Asi, una pelicula 303 de barrera cubre por completo las superficies laterales de las partes absorbentes 311, 312, .... de luz. Ademas, las partes simuladas 324 y 334 estan en contacto con un sustrato 100 de soporte.
Es decir, una primera capa tampon 320 y una segunda capa tampon 330 pueden extenderse dentro de la primera ranura pasante TH1. Ademas, la primera capa tampon 320 y la segunda capa tampon 330 pueden estar dispuestas sobre una superficie interior de la primera ranura pasante TH1.
La pelicula 303 de barrera y las partes simuladas 324 y 334 estan dispuestas entre los electrodos posteriores 210, 220, .... Es decir, la pelicula 303 de barrera y las partes simuladas 324 y 334 estan dispuestas sobre la superficie interna de la primera ranura pasante TH1.
Dado que la pelicula 303 de barrera cubre completamente las superficies laterales de las partes absorbentes 311, 312, ... de luz, la pelicula 303 de barrera puede bloquear facilmente las corrientes de fuga entre los electrodos posteriores 210, 220, .... Es decir, la pelicula 303 de barrera aisla de manera eficiente la primera parte absorbente 311 de luz de la segunda parte absorbente 312 de luz.
Ademas, el aparato fotovoltaico de acuerdo con la presente invencion puede bloquear facilmente las corrientes de fuga utilizando la pelicula 303 de barrera, disminuyendo de ese modo la anchura de la primera ranura pasante TH1. Por lo tanto, el aparato fotovoltaico de acuerdo con la presente realizacion puede reducir una zona muerta y presentar una eficiencia mejorada de generacion de energia.
Las Figs. 9-11 son vistas en seccion transversal, que ilustran un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico de acuerdo con otra realizacion. La presente realizacion se refiere al aparato fotovoltaico anteriormente descrito y al metodo de fabricacion del mismo. Es decir, la descripcion de la realizacion anterior se puede incorporar a una descripcion del metodo de fabricacion de la presente realizacion, excepto por las partes diferentes.
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Con referenda a la FIG. 9, para formar la primera capa tampon 320 se deposita sulfuro de cadmio sobre la superficie superior de la capa absorbente 310 de luz, y sobre el lado interno y las superficies inferiores de la segunda ranura pasante TH2, utilizando un proceso de bombardeo ionico o un metodo de deposicion de bano quimico (CDB).
A continuacion, para formar la segunda capa tampon 330 se deposita sobre la primera capa tampon 320 oxido de galio dopado con cinc, oxido de estano dopado con galio, u oxido de zinc sin contaminar por impurezas, a traves de un proceso de pulverizacion.
En este caso, puede depositarse un material para la formacion de la segunda capa tampon 330 sobre la primera capa tampon 320 en una direccion inclinada con respecto al sustrato 100 de soporte. Por ejemplo, la direccion en la que se deposita el material de formacion de la segunda capa tampon 330 esta inclinada entre aproximadamente 10 ° y aproximadamente 40 °, con respecto al sustrato 100 de soporte.
La segunda capa tampon 330 se describe como formada a traves de un proceso de deposicion oblicua, pero la presente divulgacion no se limita a ello. Es decir, la primera capa tampon 320 puede formarse a traves del proceso de deposicion oblicua, o tanto la primera capa tampon 320 como la segunda capa tampon 330 pueden formarse a traves del proceso de deposicion oblicua.
Asi, puede formarse una segunda pelicula 335 de barrera con un gran espesor T2. Es decir, la segunda pelicula 335 de barrera puede tener un espesor mayor que el espesor T1 de la segunda capa tampon 335, formada sobre la superficie superior de la capa absorbente 310 de luz. Es decir, en la segunda capa tampon 330, un espesor T1 de las segundas capas tampon 331 y 332 formadas sobre la capa absorbente 310 de luz puede ser inferior a un espesor T2 de una segunda capa tampon 335 formada sobre la superficie lateral de la parte absorbente 311 de luz.
Con referencia a la Fig. 10, se retiran parcialmente la primera capa tampon 320 y la segunda capa tampon 330 a traves de incision por laser o mecanica para formar una zona abierta OR. La zona abierta OR solapa parcialmente la segunda ranura pasante TH2. Es decir, la zona abierta OR esta dislocada con respecto a la segunda ranura pasante TH2.
Con referencia a la Fig. 11, sobre la segunda capa tampon 330una capa 400 de ventanas y una tercera ranura pasante TH3 estan formadas.
El aparato fotovoltaico de acuerdo con la presente realizacion incluye una pelicula 304 de barrera relativamente gruesa, es decir, una segunda pelicula 335 de barrera. Por lo tanto, se puede mejorar ademas el aislamiento de las superficies laterales de la parte absorbente 311 de luz.
Por consiguiente, el aparato fotovoltaico de acuerdo con la presente realizacion mejora ademas la conexion entre las celulas, y presenta una mejor eficiencia de generacion de energia.
Por consiguiente, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion presenta una pelicula de barrera. Una superficie lateral de una parte absorbente de luz puede estar aislada por la pelicula de barrera. Por lo tanto, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion evita que la fuga de corrientes a traves de la superficie lateral de la parte absorbente de luz.
Por consiguiente, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion evita las corrientes de fuga y presenta una eficiencia mejorada de generacion de energia.
En particular, la pelicula de barrera puede estar formada por oxido de zinc y por sulfuro de cadmio no contaminados por impurezas, y por lo tanto la pelicula de barrera presenta una alta resistencia. En consecuencia, la pelicula de barrera puede prevenir eficazmente las corrientes de fuga.
Ademas, la pelicula tampon y de barrera se pueden formar a traves un proceso de deposicion oblicua. Por lo tanto, la pelicula de barrera puede ser relativamente mas gruesa que el tampon. De acuerdo con ello, el aparato fotovoltaico de acuerdo con una realizacion impide de manera mas eficiente las corrientes de fuga, y cuenta con una eficiencia mejorada de generacion de energia.
Las caracteristicas, funciones, estructuras y efectos descritos en las realizaciones anteriores se incorporan en al menos una realizacion de la presente divulgacion, pero no se limitan a una sola realizacion. Ademas, los expertos en la materia pueden combinar y modificar facilmente las caracteristicas, estructuras, y efectos ejemplificados en una realizacion para otra realizacion. Por lo tanto, estas combinaciones y modificaciones deben interpretarse como dentro del alcance de la presente divulgacion.
Aunque las realizaciones se han descrito con referencia a un numero de realizaciones ilustrativas de la misma, debe entenderse que los expertos en la materia podran idear muchas otras modificaciones y realizaciones que caen dentro del alcance de los principios de la presente divulgacion. Mas en particular, son posibles varias variaciones y modificaciones de las partes y/o disposiciones de la combinacion del objeto dentro del alcance de la divulgacion, los
dibujos y las reivindicaciones adjuntas. Ademas de las variaciones y modificaciones a las partes y/o disposiciones de componentes, tambien seran evidentes usos alternativos para los expertos en la tecnica.
El aparato fotovoltaico de acuerdo con realizaciones se puede usar en un campo fotovoltaico solar.

Claims (11)

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    REIVINDICACIONES
    1. Un aparato fotovoltaico, que comprende:
    un sustrato (100) de soporte;
    un primer electrodo posterior (210) dispuesto sobre el sustrato (100) de soporte; una parte absorbente (310) de luz dispuesta sobre el primer electrodo posterior (210); un tampon (321,331) dispuesto sobre la parte absorbente (310) de luz; y
    una pelicula (323, 333) de barrera dispuesta sobre una superficie lateral de la parte absorbente (310) de luz y que se extiende desde el tampon (321,331), en el que el tampon (321,331) comprende:
    un primer tampon (321) dispuesto sobre la parte absorbente (310) de luz; y un segundo tampon (331) dispuesto sobre el primer tampon (321), caracterizado por que la pelicula (303) de barrera comprende:
    una primera pelicula (323) de barrera que se extiende desde el primer tampon (321); y una segunda pelicula (333) de barrera que se extiende desde el segundo tampon (331).
  2. 2. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 1, que comprende ademas:
    un segundo electrodo posterior (220) dispuesto junto al primer electrodo posterior (210); una ventana (410) dispuesta sobre el tampon (321 331); y
    una parte (500) de conexion que se extiende desde la ventana (410) y que conecta el segundo electrodo posterior (220),
    en el que la pelicula (303) de barrera esta dispuesta entre la parte absorbente (310) de luz y la parte (500) de conexion.
  3. 3. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 2, que comprende ademas una parte simulada (324, 334) que se extiende a partir de la pelicula (303) de barrera, a lo largo de una superficie superior del segundo electrodo posterior (220).
  4. 4. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 2, en el que la pelicula (303) de barrera esta dispuesta entre el primer electrodo posterior (210) y el segundo electrodo posterior (220).
  5. 5. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 1, en el que la primera pelicula (323) de barrera esta formada integralmente con el primer tampon (321), y la segunda pelicula (333) de barrera esta formada integralmente con el segundo tampon (331).
  6. 6. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 1, en el que la primera pelicula (323) de barrera comprende sulfuro de cadmio, y la segunda pelicula (333) de barrera comprende oxido de zinc sin contaminacion por impurezas.
  7. 7. El aparato fotovoltaico de la reivindicacion 1, en el que la pelicula (303) de barrera es mas gruesa que el tampon (321,331).
  8. 8. Un metodo de fabricacion de un aparato fotovoltaico, comprendiendo el metodo:
    formar una capa (200) de electrodos posteriores sobre un sustrato (100) de soporte; formar una capa absorbente (310) de luz sobre la capa (200) de electrodos posteriores; formar una ranura pasante sobre la capa absorbente (310) de luz;
    formar una capa tampon (320, 330) sobre una superficie superior de la capa absorbente (310) de luz y una superficie interior de la ranura pasante, y
    formar una zona abierta sobre la capa tampon (320, 330), exponiendo la zona abierta la capa (200) de electrodos posteriores y solapando parcialmente la ranura pasante. en el que la capa tampon (320, 330) formada comprende:
    un primer tampon (321) dispuesto sobre la parte absorbente (310) de luz; un segundo tampon (331) dispuesto sobre el primer tampon (321): caracterizado por una primera pelicula (323) de barrera que se extiende desde el primer tampon (321); y una segunda pelicula (333) de barrera que se extiende desde el segundo tampon (331).
  9. 9. El metodo de la reivindicacion 8, en el que la formacion de la ranura pasante comprende modelar la capa absorbente (310) de luz para exponer parcialmente la capa (200) de electrodos posteriores, mediante el uso de un dispositivo mecanico o de laser.
  10. 10. El metodo de la reivindicacion 9, en el que la formacion de la zona abierta comprende modelar la capa tampon (320, 330) para exponer parcialmente la capa (200) de electrodos posteriores, mediante el uso de un dispositivo mecanico o de laser.
    5 11. El metodo de la reivindicacion 8, en el que la formacion de la capa tampon (320, 330) comprende depositar un
    material de formacion de la capa tampon (320, 330) sobre la superficie superior de la capa absorbente (310) de luz y sobre la superficie interior de la ranura pasante, en una direccion inclinada con respecto al sustrato (100) de soporte.
  11. 12. El metodo de la reivindicacion 11, en el que la formacion de la capa tampon (320, 330) comprende depositar 10 oxido de zinc no contaminado por impurezas sobre la superficie superior de la capa absorbente (310) de luz y sobre la superficie interior de la ranura pasante, en la direccion inclinada con respecto al sustrato (100) de soporte.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012256881A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Korea Electronics Telecommun 太陽電池モジュールの製造方法
KR101283053B1 (ko) * 2011-10-18 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
DE102012205378A1 (de) * 2012-04-02 2013-10-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarmodulen sowie nach diesem Verfahren erhältliche Dünnschichtsolarmodule
KR101349417B1 (ko) * 2012-04-18 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP6035618B2 (ja) 2012-06-04 2016-11-30 エルジー・ケム・リミテッド 多層フィルム及び光電池モジュール
KR101405639B1 (ko) * 2012-07-27 2014-06-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
WO2014152556A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 First Solar, Inc. Photovoltaic device interconnection and method of manufacturing
KR102098100B1 (ko) * 2013-09-17 2020-04-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
CN104143517A (zh) * 2014-06-20 2014-11-12 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种两阶段式制备硫化镉缓冲层的工艺
JP7058460B2 (ja) * 2016-06-30 2022-04-22 ソーラーフロンティア株式会社 光電変換モジュール
EP3493274A1 (de) * 2017-12-04 2019-06-05 Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Dünnschichtsolarmodul mit verbessertem shunt-widerstand
US11329177B2 (en) 2018-11-08 2022-05-10 Swift Solar Inc Stable perovskite module interconnects
US11631777B2 (en) * 2019-03-11 2023-04-18 Swift Solar Inc. Integration of bypass diodes within thin film photovoltaic module interconnects
US12094663B2 (en) 2021-09-30 2024-09-17 Swift Solar Inc. Bypass diode interconnect for thin film solar modules
US12154727B2 (en) 2022-12-22 2024-11-26 Swift Solar Inc. Integrated bypass diode schemes for solar modules

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4826977A (es) 1971-08-13 1973-04-09
JPS59220979A (ja) 1983-05-31 1984-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPH11312815A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法
JP2002094089A (ja) 2000-09-11 2002-03-29 Honda Motor Co Ltd 化合物薄膜太陽電池の製造方法
US7141863B1 (en) * 2002-11-27 2006-11-28 University Of Toledo Method of making diode structures
US20070079866A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. System and method for making an improved thin film solar cell interconnect
KR100656738B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
CN1866546A (zh) 2006-05-18 2006-11-22 威海蓝星玻璃股份有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
JP5156090B2 (ja) * 2008-03-07 2013-03-06 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の集積構造
JP5366154B2 (ja) 2008-03-21 2013-12-11 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池及びその製造方法
KR101011228B1 (ko) 2008-08-27 2011-01-26 주식회사 티지솔라 태양전지 및 그 제조방법
KR101144808B1 (ko) 2008-09-01 2012-05-11 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 제조방법 및 이를 이용한 박막형 태양전지
EP2200097A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
JP5245034B2 (ja) 2009-02-20 2013-07-24 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系太陽電池の製造方法

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