ES2613004T3

ES2613004T3 - Módulo de suministro de potencia y método para empaquetar módulos de suministro de potencia

Info

Publication number: ES2613004T3
Application number: ES13824822.4T
Authority: ES
Inventors: Zhihua Duan; Zhaozheng Hou
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2012-07-30
Filing date: 2013-04-09
Publication date: 2017-05-19
Anticipated expiration: 2033-04-09
Also published as: EP3174185A1; EP2802064A4; EP2802064B1; ES2836188T3; CN102790513A; CN102790513B; EP3174185B1; WO2014019384A1; EP2802064A1

Abstract

Un módulo de suministro de potencia, que comprende un bastidor de plomo (1), un circuito integrado (5), dispositivos pasivos, y dos chip semiconductores desnudos (3, 4), donde al menos un dispositivo magnético en los dispositivos pasivos es un dispositivo magnético discreto obtenido montando un núcleo magnético (21, 22) y un arrollamiento eléctrico (23); y un extremo (231) del arrollamiento eléctrico (23) está conectado eléctricamente al bastidor de plomo (1), de manera que un extremo (231) del arrollamiento eléctrico (23) está conectado eléctricamente al circuito integrado (5) y a los dispositivos pasivos, excepto todos los dispositivos magnéticos por medio del bastidor de plomo (1), caracterizado por que una fuente de uno de los dos chips semiconductores desnudos está conectado eléctricamente a una puerta del otro chip semiconductor desnudo; y el otro extremo del arrollamiento eléctrico (23) está conectado eléctricamente a la fuente de un chip semiconductor desnudo directamente, y el otro extremo (232) del arrollamiento eléctrico (23) está conectado, además, eléctricamente a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente.

Description

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DESCRIPCION

Modulo de suministro de potencia y metodo para empaquetar modulos de suministro de potencia Campo tecnico

Formas de realizacion de la presente invencion se refieren a tecnolog^as electronicas y, en particular, a un modulo de suministro de potencia y a un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia.

Antecedentes

Muchos componentes de un modulo de suministro de potencia incluyen un conmutador de potencia, un circuito integrado (Intergrated Circuit, abreviado IC) con dispositivos pasivos. Los dispositivos pasivos incluyen un dispositivo magnetico, un resistor y un condensador. El dispositivo magnetico puede ser un inductor. Un conmutador de potencia utilizado comunmente es un transistor de efecto de campo semiconductor de oxido de metal (MOSFET Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, abreviado MOSFET) o un transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor, abreviado IGBT), y el IC puede ser un chip excitador, un chip de control PWM o una combinacion de un chip excitador y un chip de control PWM. Actualmente, los fabricantes de suministros de potencia y los fabricantes de semiconductores, en soluciones de envase e integracion para modulos de suministro de potencia, utilizan la mayona de las veces una estructura en la que estan integrados un MOSFET, un IC y dispositivos pasivos. Un PCB u otro bastidor de plomo utilizan una manera de interconexion adhesiva de alambre de oro o alambre de cobre. Como un conmutador, el MOSFET es controlado o accionado por el IC para realizar modulacion de la anchura del impulso sobre un suministro de potencia de entrada, y una vez realizada la filtracion por un inductor y un condensador, se emite una tension requerida por una carga.

Por ejemplo, el documento EP 2 482 312 A2 se refiere a un modulo de suministro de potencia y a un metodo de envase e integracion del mismo. El modulo de suministro de potencia incluye un bastidor de plomo, un elemento pasivo, un circuito integrado IC, y un conmutador de potencia Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de Oxido de Metal MOSFET. El elemento pasivo esta soldado sobre el bastidor de plomo utilizando una tecnologfa de montaje en la superficie. El IC es un chip volante y esta montado y estanado sobre el bastidor de plomo.

Ademas, el documento US 5.839.184 se refiere a un metodo para crear un inductor en el paquete para un circuito integrado. El inductor se forma utilizando uno o mas conductores unidos como el nucleo del inductor y arrollando una serie de bobinas alrededor del nucleo en conexion o bien con los terminales de union del propio circuito integrado o a otros conductores de union para conexion fuera del chip del circuito integrado.

Ademas, el documento WO 2008/011459 A2 se refiere a un dispositivo electronico con uno o mas chips semiconductores con un inductor montado sobre o debajo de los chips. El inductor incluye un cuerpo ferromagnetico y un alambre arrollado alrededor del cuerpo para formar al menos una porcion de un bucle. Los extremos del alambre estan conectados a los chips. El conjunto se fija a un sustrato, que puede ser un bastidor de cobre. El dispositivo puede ser encapsulado en compuesto de moldeo, de manera que el inductor se puede doblar como un propagador de calor, mejorando las caractensticas termicas del dispositivo.

Ademas, el documento US 2007/0074386 A1 se refiere a un metodo de formacion de un modulo de potencia localizado sobre un sustrato conductor proporcionando circuitena de conversion de potencia. El metodo de proporcionar la circuitena de conversion de potencia incluye formar un dispositivo magnetico colocando un nucleo magnetico proximo a un sustrato conductor con una de sus superficies mirando hacia el sustrato conductor, y colocar un chip conductor proximo a una superficie del nucleo magnetico. El metodo de formacion del dispositivo magnetico incluye tambien acoplar electricamente extremos del clip conductor al sustrato conductor para formar cooperativamente un arrollamiento con el alrededor del nucleo magnetico. El metodo de proporcionar la circuitena de conversion de potencia incluye tambien proporcional al menos un conmutador sobre el sustrato conductor. El metodo de formacion del modulo de potencia incluye tambien depositar un medio de encapsulacion alrededor de la circuitena de conversion de potencia.

Ademas, el documento EO 1 091 404 A1 se refiere a un bastidor de plomo para uso en el envase de un circuito que tiene un componente discreto, y a un metodo de fabricacion del mismo. En una forma de realizacion, el bastidor de plomo incluye una estructura de soporte de plomo y una pluralidad de conductores rompibles que estan acoplados a la estructura de soporte de plomo. La pluralidad de conductores rompibles se extiende hacia dentro desde la estructura de soporte de plomo hasta localizaciones predeterminadas que corresponden a terminales del componente discreto.

Actualmente, un dispositivo magnetico en un modulo de suministro de potencia es generalmente un dispositivo magnetico montado en la superficie que incluye un material de nucleo magnetico. El dispositivo magnetico montado en la superficie tiene una inductancia pequena y no puede cumplir requerimientos de densidad de potencia y eficiencia del suministro de potencia, de manera que se deteriora la fiabilidad del modulo de suministro de potencia. Una inductancia del dispositivo magnetico de arrollamiento que incluye el material de nucleo magnetico es grande;

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sin embargo, un dispositivo magnetico de arrollamiento que ha sido empaquetado se utiliza en el modulo de suministro de potencia, lo que conduce a un riesgo alto de rotura de la union soldada, una probabilidad alta de fallo y baja fiabilidad.

Sumario

Formas de realizacion de la presente invencion proporcionan un modulo de suministro de potencia y un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia, para reducir una probabilidad de fallo de un dispositivo magnetico de arrollamiento en el modulo de suministro de potencia y mejorar la fiabilidad del modulo de suministro de potencia,

De acuerdo con un aspecto, una forma de realizacion de la presente invencion proporciona un modulo de suministro de potencia, que incluye:

un bastidor de plomo, un circuito integrado, dispositivos pasivos, y dos chip semiconductores desnudos, donde

al menos un dispositivo magnetico en los dispositivos pasivos es un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico; y

un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al bastidor de plomo, de manera que un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al circuito integrado y a los dispositivos pasivos, excepto todos los dispositivos magneticos por medio del bastidor de plomo, donde una fuente de uno de los dos chips semiconductores desnudos esta conectado electricamente a una puerta del otro chip semiconductor desnudo; y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente a la fuente de un chip semiconductor desnudo directamente, y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado, ademas, electricamente a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente.

De acuerdo con otro aspecto, una forma de realizacion de la presente invencion proporciona, ademas, un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia, que incluye:

montar en la superficie dos chips semiconductores desnudos, dispositivos pasivos, excepto un dispositivo magnetico, y un circuito integrado sobre un bastidor de plomo;

montar en la superficie, sobre el bastidor de plomo, un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico;

conectar electricamente una fuente de uno de los dos chips semiconductores desnudos a una puerta del otro chip semiconductor desnudo y conectar electricamente un extremo del arrollamiento electrico al bastidor de plomo, y conectar electricamente el otro extremo del arrollamiento electrico a la fuente del chip semiconductor desnudo directamente, y ademas conectar electricamente el otro extremo del arrollamiento electrico a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente; y

despues de que se ha realizado el empaquetado plastico sobre el bastidor de plomo, sobre el que estan montados los componentes en la superficie, cortar el bastidor de plomo para obtener un modulo de suministro de potencia individual.

En las soluciones tecnicas de las forma de realizacion de la presente invencion, al menos un dispositivo magnetico en un modulo de suministro de potencia es un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico en un proceso de envase del modulo de suministro de potencia en lugar de empaquetar independientemente un dispositivo magnetico empaquetado. Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente a un chip semiconductor desnudo directamente y no tiene que conectarse electricamente al chip semiconductor desnudo por medio de un bastidor de plomo. El dispositivo magnetico en el modulo de suministro de potencia previsto en las formas de realizacion de la presente invencion es un dispositivo magnetico discreto, que reduce la tension mecanica de una conexion electrica entre el dispositivo magnetico y el bastidor de plomo, mejora la actuacion de disipacion del calor y reduce la probabilidad de fallo del dispositivo magnetico. Mientras tanto, un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente, lo que reduce adicionalmente los cables de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reduce la impedancia, y mejora la eficiencia del modulo de suministro de potencia.

Breve descripcion de los dibujos

La figura 1 es un diagrama estructural esquematico de un modulo de suministro de potencia de acuerdo con una forma de realizacion de la presente invencion.

La figura 2 es un diagrama estructural esquematico de otro modulo de suministro de potencia de acuerdo con una

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forma de realizacion de la presente invencion.

La figura 3 es un diagrama de flujo de un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia de acuerdo con una forma de realizacion de la presente invencion; y

La figura 4 es un diagrama de flujo de la etapa 32 en la figura 3.

Descripcion de formas de realizacion

Un modulo de suministro de potencia proporcionado en una forma de realizacion de la presente invencion incluye un bastidor de plomo, un circuito integrado, dispositivos pasivos, y al menos un chip semiconductor desnudo. El chip semiconductor desnudo puede ser un MOSFET, o un IGBT, o una combinacion de un IGBT y un MOSFET. El modulo de suministro de potencia proporcionado en la forma de realizacion de la presente invencion puede montarse sobre un cuadro madre PCB por medio del bastidor de plomo.

Al menos un dispositivo magnetico en los dispositivos pasivos es un dispositivo magnetico discreto que incluye un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico. El modulo de suministro de potencia proporcionado en la forma de realizacion de la presente invencion tiene al menos un dispositivo magnetico discreto, y el dispositivo magnetico discreto es un dispositivo magnetico obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico en un proceso de empaquetado del modulo de suministro de potencia no es empaquetado en el exterior, y no es un dispositivo magnetico empaquetado independientemente. Un material del arrollamiento electrico puede ser metal, tal como oro, aluminio o cobre, y puede ser de cualquier anchura y espesor adecuados.

Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al bastidor de plomo, de manera que un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al circuito integrado y los dispositivos pasivos, excepto todos los dispositivos magneticos, por medio del bastidor de plomo. El otro extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo por medio del bastidor de plomo.

El arrollamiento electrico puede estar conectado electricamente al bastidor de plomo y el chip semiconductor desnudo por soldadura, por union o por adhesion con un adhesivo conductor, que no esta limitado a estas tres maneras. Con preferencia, el arrollamiento electrico es una tira de aluminio; un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al bastidor de plomo por union o adhesion, y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente por union o adhesion. La conexion electrica se realiza por union o adhesion, que puede reducir los cables de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reducir parametros parasitos, reducir las perdidas, y mejorar la eficiencia del suministro de potencia.

El circuito integrado esta conectado al chip semiconductor desnudo y a los dispositivos pasivos por medio del bastidor de plomo.

Ademas, el modulo de suministro de potencia puede incluir dos chips semiconductores desnudos, y una fuente de un chip semiconductor desnudo esta conectada electricamente a una puerta del otro chip semiconductor desnudo; y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente a la fuente de un chip semiconductor desnudo directamente, y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado, ademas, electricamente a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente.

En el modulo de suministro de potencia proporcionado en esta forma de realizacion, al menos un dispositivo magnetico es un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico en un proceso de empaquetado del modulo de suministro de potencia, en lugar de empaquetar un dispositivo magnetico independientemente. Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente a un chip semiconductor desnudo directamente y no tiene que ser conectado electricamente al chip semiconductor desnudo por medio de un bastidor de plomo. El dispositivo magnetico en el modulo de suministro de potencia proporcionado en la forma de realizacion de la presente invencion es un dispositivo magnetico discreto, que reduce la tension mecanica de una conexion electrica entre el dispositivo magnetico y el bastidor de plomo, mejora la actuacion de disipacion del calor, y reduce la probabilidad de fallo del dispositivo magnetico. Mientras tanto, un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente, lo que reduce adicionalmente los cables de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reduce la impedancia y mejora la eficiencia del modulo de suministro de potencia.

La figura 1 es un diagrama estructural esquematico de un modulo de suministro de potencia de acuerdo con una forma de realizacion de la presente invencion. El modulo de suministro de potencia proporcionado en esta forma de realizacion incluye un dispositivo magnetico, y el dispositivo magnetico es un dispositivo magnetico discreto obtenido montando dos seminucleos magneticos y un arrollamiento electrico. Un nucleo magnetico del dispositivo magnetico discreto incluye dos seminucleos magneticos dispuestos acoplados, y el arrollamiento electrico esta dispuesto en el

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espacio entre los dos seminucleos magneticos acoplados. Con preferencia, una parte saliente, tal como un cilindro saliente, esta dispuesto en un centro de una superficie de cada seminucleo magnetico, y los otros dos nucleos magneticos estan dispuestos por acoplamiento por medio de las partes salientes centrales.

Como se muestra en la figura 1, el dispositivo magnetico discreto en esta forma de realizacion incluye un seminucleo magnetico 21, un seminucleo magnetico 22, y un arrollamiento electrico 23. Una parte saliente esta dispuesta en un centro de cada uno del seminucleo magnetico 21 y el seminucleo magnetico 22, y el seminucleo magnetico 21 y el seminucleo magnetico 22 estan dispuestos por acoplamiento por medio de las partes salientes centrales. El arrollamiento electrico 23 esta dispuesto en el espacio entre el seminucleo magnetico 21 y el seminucleo magnetico 22 que estan acoplados juntos. Por lo tanto, el arrollamiento electrico 23 esta envuelto por el seminucleo magnetico 21 y el seminucleo magnetico 22. Un extremo 231 del arrollamiento electrico 23 esta conectado electricamente al bastidor de plomo 1, es decir, que un extremo 231 del arrollamiento electrico 23 esta conectado electricamente a un circuito integrado 5 y a dispositivos pasivos, excepto el dispositivo magnetico, por medio del bastidor de plomo 1.

Como se muestra en la figura 1, el modulo de suministro de potencia incluye dos chips semiconductores desnudos en cascada, y una fuente de un chip semiconductor desnudo 3 esta conectado electricamente a una puerta de un chip semiconductor desnudo 4. El otro extremo 232 del arrollamiento electrico 23 esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo 3 y al chip semiconductor desnudo 4 directamente, el otro extremo 232 del arrollamiento electrico 23 esta conectado electricamente a la fuente del chip semiconductor desnudo 3 directamente, y, ademas, esta conectado electricamente a la puerta del chip semiconductor desnudo 4 directamente. El chip semiconductor desnudo 3 y el chip semiconductor desnudo 4 estan conectados, ademas, electricamente al circuito integrado 5 por medio del bastidor de plomo.

El dispositivo magnetico discreto en esta forma de realizacion no esta fabricado independientemente, sino obtenido por montaje en un proceso de empaquetado de modulos. Un seminucleo magnetico con una parte saliente central se monta primero sobre el bastidor de plomo, y una superficie del seminucleo magnetico, sin una parte saliente se dispone sobre el bastidor de plomo, y luego se tiende el arrollamiento electrico sobre el seminucleo magnetico. Luego, se conecta un extremo del arrollamiento electrico al bastidor de plomo, y se conecta el otro extremo electricamente al chip semiconductor desnudo directamente. Luego se acopla una parte saliente central del otro seminucleo magnetico a la parte saliente del seminucleo magnetico que habfa sido montado, para cerrar un circuito magnetico del arrollamiento electrico.

La figura 2 es un diagrama estructural esquematico de otro modulo de suministro de potencia de acuerdo con una forma de realizacion de la presente invencion. En el modulo de suministro de potencia proporcionado en esta forma de realizacion, se obtiene un dispositivo magnetico discreto montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico, y el arrollamiento electrico es arrollado alrededor de un exterior del nucleo magnetico.

Como se muestra en la figura 2, se arrolla un arrollamiento electrico 62 alrededor de un exterior de un nucleo magnetico 61, y el nucleo magnetico arrollado con el arrollamiento electrico 62 forma un dispositivo magnetico discreto por montaje. Un extremo 621 del arrollamiento electrico 62 esta conectado electricamente a un bastidor de plomo 1, es decir, que un extremo 621 del arrollamiento electrico 62 esta conectado electricamente a un circuito integrado 5 y a dispositivos pasivos, excepto el dispositivo magnetico, por medio del bastidor de plomo 1.

Como se muestra en la figura 2, el modulo de suministro de potencia incluye dos chips semiconductores desnudos en cascada, y una fuente de un chip semiconductor desnudo 3 esta conectada electricamente a una puerta de un chip semiconductor desnudo 4. El otro extremo 622 del arrollamiento electrico 62 esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo 3 y el chip semiconductor desnudo 4 directamente, es decir, que el otro extremo 622 del arrollamiento electrico 62 esta conectado electricamente a la fuente del chip semiconductor desnudo 3 directamente y, ademas, esta conectado electricamente a la puerta del chip semiconductor desnudo 4 directamente. El otro extremo 622 del arrollamiento electrico 62 esta conectado a la porcion superior de un chip semiconductor desnudo, y la porcion inferior del chip semiconductor desnudo esta conectada al bastidor de plomo utilizando estano de soldar, y se conecta a un arrollamiento electrico en una porcion inferior del nucleo magnetico 61. El dispositivo magnetico discreto en esta forma de realizacion no se fabrica independientemente, sino que se obtiene por montaje en un proceso de empaquetado del modulo. Se monta en primer lugar un nucleo magnetico, cuyo exterior esta arrollado con el arrollamiento electrico sobre el bastidor de plomo, y luego se conecta un extremo expuesto del arrollamiento electrico al bastidor de plomo, y se conecta electricamente el otro bastidor de plomo al chip semiconductor desnudo directamente.

Con preferencia, en las formas de realizacion que corresponden a la figura 1 y la figura 2, el arrollamiento electrico puede ser un alambre en forma de tira metalica con una o mas vueltas. Cuado el arrollamiento electrico tiene multiples vueltas, las vueltas se conectan entre sf en serie o en paralelo, y un extremo de cada vuelta esta conectado electricamente al bastidor de plomo por ajuste de presion mecanica.

Con preferencia, en las formas de realizacion que corresponden a la figura 1 y la figura 2, el arrollamiento electrico es una tira de aluminio; y un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al bastidor de plomo

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por union o por adhesion, y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo por union o por adhesion directamente.

Con preferencia, en las formas que corresponden a la figura 1 y la figura 2, el chip semiconductor desnudo es un dispositivo semiconductor vertical.

En las formas de realizacion anteriores, se puede obtener un bastidor de plomo utilizando una tecnica de estampacion conocida en la tecnica, o pude ser un grafo predeterminado obtenido utilizando una placa conductora decapada, o se puede obtener con referencia a la tecnica de estampacion y una tecnica de decapado. Por lo tanto, una estructura del bastidor de plomo en las formas de realizacion puede ser una estructura metalica continua o discontinua. La estructura del bastidor de plomo incluye cualquier forma y espesor adecuados e incluye, ademas, una capa de revestimiento metalica sobre el bastidor de plomo, tal como capa de revestimiento de plata, o capa de revestimiento de mquel-oro, o una capa de revestimiento de mquel-paladio-oro. Como ejemplo, un material del cuerpo del bastidor de plomo incluye cobre, aluminio y aleacion de aluminio, ferromquel, y similares. El bastidor de plomo es inicialmente una de muchas unidades de una matriz de bastidores de plomo que se conectan entre sf utilizando una barra de union. En una tecnica para empaquetar una estampa semiconductora fabricada, la matriz de bastidores de plomo se puede cortar o troquelar de manera que se realiza el empaquetado por separado. Ademas, la estructura del bastidor de plomo puede tener multiples areas de terminales de la matriz, en las que se puede formar un terminal de soporte de la estampa, DAP, y un conductor puede estar coplanar o no coplanar con una superficie del terminal de soporte de la estampa DAP.

En las formas de realizacion anteriores, un material de empaquetado de modulos utilizado para empaquetar el modulo de suministro de potencia puede incluir un material adecuado, tal como un material compuesto de resina epoxido reticulada multifuncional. El material de empaquetado de modulos se ablanda a partir de una forma de torta de material fijo a alta temperatura hasta un estado coloidal, en el que coexisten solidos y lfquidos, se transfiere y se inyecta en un molde para configuracion con un bastidor de plomo colocado en el molde, y se solidifica y configura despues de una reaccion de reticulacion.

La figura 3 es un diagrama de flujo de un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia de acuerdo con una forma de realizacion de la presente invencion. El metodo de empaquetado proporcionado en esta forma de realizacion incluye:

Etapa 31: Montar en la superficie al menos un chip semiconductor desnudo, dispositivos pasivos, excepto un dispositivo magnetico, y un circuito integrado sobre un bastidor de plomo.

Etapa 32: Montar en la superficie, sobre el bastidor de plomo, un dispositivo magnetico discreto montado usando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico.

El dispositivo magnetico discreto es un dispositivo magnetico obtenido montando el nucleo magnetico y el arrollamiento electrico en un proceso para empaquetar el modulo de suministro de potencia, no es empaquetado exteriormente, y no es un dispositivo magnetico empaquetado independientemente. Un material del arrollamiento electrico anterior puede ser metal, tal como oro, aluminio o cobre, y puede ser de cualquier anchura y espesor adecuados.

Etapa 33: Conectar electricamente un extremo del arrollamiento electrico al bastidor de plomo, y conectar electricamente el otro extremo del arrollamiento electrico a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente.

Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al bastidor de plomo, de manera que un extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al circuito integrado y los dispositivos pasivos, excepto el dispositivo magnetico por medio del bastidor de plomo. El otro extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente, y no tiene que conectarse electricamente al chip semiconductor desnudo por medio del bastidor de plomo.

El arrollamiento electrico puede estar conectado electricamente al bastidor de plomo y al chip semiconductor desnudo por soldadura, por union o por adhesion con un adhesivo conductor, pero no esta limitado a estas maneras. Con preferencia, el arrollamiento electrico es una tira de aluminio; y un extremo del arrollamiento electrico esta conectado al bastidor de plomo por union o por adhesion, y el otro extremo del arrollamiento electrico esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente por union o por adhesion. La conexion electrica se realiza por union o adhesion, lo que puede reducir los cables de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reducir parametros parasitos, reducir perdidas y mejorar la eficiencia del suministro de potencia.

Etapa 34: Despues de que se ha realizado el empaquetado plastico sobre el bastidor de plomo, sobre el que estan

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montados los componentes en la superficie, cortar el bastidor de plomo para obtener un modulo de suministro de potencia individual.

Con preferencia, el arrollamiento electrico puede ser un alambre en forma de tira metalica con una o mas vueltas. Cuan d el arrollamiento electrico tiene multiples vueltas, las vueltas se conectan entre sf en serie o en paralelo y un extremo de cada vuelta es conectado electricamente al bastidor de plomo por ajuste a presion mecanica.

Con preferencia, el chip semiconductor desnudo es un dispositivo semiconductor vertical.

De acuerdo con el metodo de empaquetado proporcionado en esta forma de realizacion, un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico se monta en la superficie sobre un bastidor de plomo en lugar de montar en la superficie un dispositivo magnetico empaquetado independientemente sobre el bastidor de plomo. Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto se conecta electricamente a un chip semiconductor desnudo directamente en lugar de conectarlo electricamente al chip semiconductor desnudo por medio del bastidor de plomo. El dispositivo magnetico en el modulo de suministro de potencia proporcionado en la forma de realizacion de la presente invencion es un dispositivo magnetico discreto, que reduce la tension mecanica de una conexion electrica entre el dispositivo magnetico y el bastidor de plomo y mejora la actuacion de disipacion del calor. Mientras tanto, un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente, lo que reduce adicionalmente los cables de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reduce la impedancia y mejora la eficiencia del modulo de suministro de potencia.

La figura 4 es un diagrama de flujo de la etapa 32 en la figura 3. En esta forma de realizacion, dos seminucleos magneticos y el arrollamiento electrico se utilizan para ensamblar el dispositivo magnetico discreto, y el metodo de empaquetado proporcionado en esta forma de realizacion es un metodo para empaquetar el modulo de suministro de potencia proporcionado en la figura 1. Como se muestra en la figura 4, la etapa 32 incluye:

Etapa 321: Montar en la superficie un seminucleo magnetico sobre el bastidor de plomo

Etapa 322: Tender el arrollamiento electrico sobre el seminucleo magnetico

Etapa 323: Disponer el otro seminucleo magnetico por acoplamiento sobre el seminucleo magnetico que ha sido montado en la superficie sobre el bastidor de plomo.

Un proceso de empaquetado espedfico es el siguiente: preparar el bastidor de plomo, revestir una pasta de soldar sobre el bastidor de plomo, montar en la superficie el chip semiconductor desnudo y los dispositivos pasivos, excepto el dispositivo magnetico sobre el bastidor de plomo, y realizar un lavado; luego realizar, sobre el bastidor de plomo, dispensacion para montar el circuito integrado y el seminucleo magnetico, y montar en la superficie el circuito integrado y el seminucleo magnetico con una parte saliente central sobre el bastidor de plomo, donde la parte saliente central del seminucleo magnetico mira hacia arriba; llenar las porciones inferiores del circuito integrado y el seminucleo magnetico con un adhesivo de relleno u solidificar las porciones inferiores; tender el arrollamiento electrico sobre el seminucleo magnetico, y conectar, respectivamente, los dos extremos del arrollamiento electrico al bastidor de plomo y el chip semiconductor desnudo por union; conectar el circuito integrado y el chip semiconductor desnudo por union; realizar la dispensacion sobre la parte saliente central del seminucleo magnetico que ha sido montado en la superficie sobre el bastidor de plomo, y montar en la superficie una parte saliente central del otro seminucleo magnetico sobre la parte saliente central que ha sido montada en la superficie sobre el bastidor de plomo, de manera que los dos seminucleos magneticos se disponen por acoplamiento; y despues de que se ha realizado el empaquetado plastico sobre el bastidor de plomo, sobre el que estan montados los componentes en la superficie, cortar el bastidor de plomo para obtener un modulo de suministro de potencia individual.

Ademas, la presente invencion puede utilizar tambien un nucleo magnetico, cuyo exterior esta arrollado con el arrollamiento electrico para ensamblar el dispositivo magnetico discreto. En este caso, la etapa 32 puede ser espedficamente montar en la superficie, sobre el bastidor de plomo, el nucleo magnetico, cuyo exterior esta arrollado con el arrollamiento electrico. Un proceso de empaquetado espedfico es el siguiente: preparar el bastidor de plomo, revestir una pasta de soldar sobre el bastidor de plomo, montar en la superficie el chip semiconductor desnudo y los dispositivos pasivos, excepto el dispositivo magnetico sobre el bastidor de plomo, y realizar el lavado; luego realizar, sobre el bastidor de plomo, la dispensacion para montar el circuito integrado y el nucleo magnetico, y montar en la superficie el circuito integrado y el nucleo magnetico, cuyo exterior esta arrollado con el arrollamiento electrico sobre el bastidor de plomo; conectar, respectivamente, los dos extremos del arrollamiento electrico al bastidor de plomo y el chip semiconductor desnudo por union; conectar el circuito integrado y el chip semiconductor desnudo por union; y despues de que se ha realizado empaquetado de plastico sobre el bastidor de plomo, sobre el que estan montados componentes en la superficie, cortar el bastidor de plomo para obtener un modulo de suministro de potencia individual. El metodo de empaquetado anterior puede ser un metodo para empaquetar el modulo de suministro de potencia proporcionado en la figura 2.

De acuerdo con el metodo de empaquetado proporcionado en las formas de realizacion, un dispositivo magnetico

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discrete obtenido ensamblado un nucleo magnetico y un arrollamiento electrico se montan en la superficie sobre un bastidor de plomo, en lugar de montar en la superficie un dispositivo magnetico empaquetado independientemente sobre el bastidor de plomo. Un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente a un chip semiconductor desnudo directamente y no tiene que conectarse electricamente a un chip 5 semiconductor desnudo por medio del bastidor de plomo. El dispositivo magnetico en un modulo de suministro de potencia previsto en las formas de realizacion de la presente invencion es un dispositivo magnetico discreto, que reduce la tension mecanica de una conexion electricamente el dispositivo magnetico y el bastidor de plomo y mejora la actuacion de disipacion de calor. Mientras tanto, un extremo del arrollamiento electrico del dispositivo magnetico discreto esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo directamente, lo que reduce, ademas, los 10 cable de conexion entre dispositivos internos del modulo de suministro de potencia, reduce la impedancia y mejora la eficiencia del modulo de suministro de potencia.

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REIVINDICACIONES

1. -Un modulo de suministro de potencia, que comprende un bastidor de plomo (1), un circuito integrado (5), dispositivos pasivos, y dos chip semiconductors desnudos (3, 4), donde

al menos un dispositivo magnetico en los dispositivos pasivos es un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico (21, 22) y un arrollamiento electrico (23); y

un extremo (231) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente al bastidor de plomo (1), de manera que un extremo (231) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente al circuito integrado (5) y a los dispositivos pasivos, excepto todos los dispositivos magneticos por medio del bastidor de plomo (1), caracterizado por que una fuente de uno de los dos chips semiconductores desnudos esta conectado electricamente a una puerta del otro chip semiconductor desnudo; y el otro extremo del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente a la fuente de un chip semiconductor desnudo directamente, y el otro extremo (232) del arrollamiento electrico (23) esta conectado, ademas, electricamente a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente.
2. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con la reivindicacion 1, en el que el nucleo magnetico comprende dos seminucleos magneticos (21, 22) dispuestos de una manera acoplada, y el arrollamiento electrico esta dispuesto en el espacio entre los dos seminucleos magneticos acoplados (21, 22).
3. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con la reivindicacion 1, en el que el arrollamiento electrico (23) esta arrollado alrededor de un exterior del nucleo magnetico (21, 22).
4. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en el que el arrollamiento electrico (23) es un chip de aluminio, un extremo (231) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente al bastidor de plomo (1) de una manera unida o de una manera adhesiva, y el otro extremo (232) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo por union o por adhesion directamente directamente.
5. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, en el que el chip semiconductor desnudo esta conectado electricamente al bastidor de plomo (1) en una union con tira de aluminio o por adhesion.
6. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, en el que el arrollamiento electrico (23) tiene una o dos vueltas.
7. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, en el que el arrollamiento electrico (23) tiene multiples vueltas, las vueltas estan conectadas entre sf en serie o en paralelo.
8. - El modulo de suministro de potencia de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, en el que el chip semiconductor desnudo es un dispositivo semiconductor vertical.
9. - Un metodo para empaquetar un modulo de suministro de potencia, que comprende:

montar en la superficie dos chips semiconductores desnudos (3, 4), dispositivos pasivos, excepto un dispositivo magnetico, y un circuito integrado (5) sobre un bastidor de plomo (1) (etapa 31);

montar en la superficie, sobre el bastidor de plomo (1), un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico (21, 22) y un arrollamiento electrico (23) (etapa 32);

conectar electricamente una fuente de uno de los dos chips semiconductores desnudos a una puerta del otro chip semiconductor desnudo y conectar electricamente un extremo (231) del arrollamiento electrico (23) al bastidor de plomo (1), y conectar electricamente el otro extremo (232) del arrollamiento electrico (23) a la fuente del chip semiconductor desnudo directamente, y ademas conectar electricamente el otro extremo (232) del arrollamiento electrico (23) a la puerta del otro chip semiconductor desnudo directamente (etapa 33); y

despues de que se ha realizado el empaquetado plastico sobre el bastidor de plomo, sobre el que estan montados los componentes en la superficie, cortar el bastidor de plomo (1) para obtener un modulo de suministro de potencia individual (etapa 34).
10. - El metodo de acuerdo con la reivindicacion 9, en el que el montaje en la superficie, sobre el bastidor de plomo (1), de un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico (21, 22) y un arrollamiento electrico (23) comprende:

montar en la superficie un seminucleo magnetico (21) sobre el bastidor de plomo (1) (etapa 321);

tender el arrollamiento electrico (23) sobre el seminucleo magnetico (21) (etapa 322); y

disponer otro seminucleo magnetico (22) por acoplamiento sobre el seminucleo magnetico (21) que ha sido montado en la superficie sobre el bastidor de plomo (1) (etapa 323).
11. - El metodo de acuerdo con la reivindicacion 9, en el que el montaje en la superficie, sobre el bastidor de plomo

5 (1) de un dispositivo magnetico discreto obtenido montando un nucleo magnetico (21, 22) y un arrollamiento electrico

(23) comprende:

montar en la superficie, sobre el bastidor de plomo (1), un nucleo magnetico (21, 22), cuyo exterior esta arrollado con el arrollamiento electrico (23).
12. - El metodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 9 a 11, en el que el arrollamiento electrico (23) 10 es una tira de aluminio, uno de cuyos extremos (231) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente

al bastidor de plomo (1) por union o por adhesion, y el otro extremo (232) del arrollamiento electrico (23) esta conectado electricamente al chip semiconductor desnudo por union o por adhesion directamente.
13. - El metodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 9 a 12, en el que el chip semiconductor desnudo esta conectado electricamente al bastidor de plomo (1) en una tira de aluminio por union o por adhesion.

15 14.- El metodo de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 9 a 13, en el que cuando el arrollamiento

electrico (23) tiene multiples vueltas, las vueltas estan conectadas entre sf en serie o en paralelo.