ES2712992T3 - Dispositivo de flujo de gas para una instalación para el tratamiento de radiación de sustratos - Google Patents

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Abstract

Instalación para el tratamiento de radiación de sustratos, que en una cámara sobre los soportes de sustrato (11, 11') para colocar sustratos a tratar, comprende, al menos, una fuente de radiación (9, 9', 9"), la cámara comprende medios para el mantenimiento de un flujo de gas en la cámara en forma de un dispositivo de flujo de gas, en la que el dispositivo de flujo de gas comprende, al menos, una entrada de gas (421, 421') dispuesta en el área por debajo del soporte de sustrato (11, 11') y, al menos, una salida de gas (423) dispuesta en el área por debajo del soporte de sustrato (11, 11'), caracterizada porque el dispositivo de flujo de gas está diseñado de manera tal que la entrada de gas (421, 421') y la salida de gas indicada (423) comprenden elementos que conforman canales de circulación que se estrechan en el sentido del flujo y que se ensanchan nuevamente aguas abajo, por lo cual durante el funcionamiento de la instalación predomina un flujo laminar esencialmente, al menos, en el dispositivo de flujo de gas y, por este motivo, no se generan depósitos debido a turbulencias, en la que el dispositivo de flujo de gas está creado de manera que en la cámara se logra un flujo de gas que, inmediatamente después de entrar en la cámara y de pasar por los canales de circulación, circula a través de los sustratos, sin que circule previamente a través de las fuentes de radiación que eventualmente emiten calor.

Description

DESCRIPCION
Dispositivo de flujo de gas para una instalacion para el tratamiento de radiacion de sustratos
La presente invencion se refiere a una instalacion para irradiar un sustrato con radiacion electromagnetica como, por ejemplo, radiacion infrarroja (radiacion IR) para el secado de sustratos y/o radiacion ultravioleta (radiacion UV) para la reticulacion de pinturas de curado UV.
Esta clase de instalaciones se utilizan, por ejemplo, como parte de instalaciones de pintura. En esta clase de instalaciones de pintura, en una primera etapa, se limpia convencionalmente la superficie del sustrato. Esto se puede realizar, por ejemplo, con la ayuda de aire comprimido y/o con medios para la ionizacion de la superficie o bien, mediante la radiacion de la superficie con un medio lfquido, como agua o una solucion acuosa, alcoholica o que contenga disolvente, o con un cuerpo solido como material abrasivo o CO2 o mediante la inmersion de los sustratos en una solucion acuosa, alcoholica o que contenga disolvente, eventualmente bajo la influencia de ondas, como ondas ultrasonicas o microondas.
En el caso de la limpieza con medios lfquidos, se puede utilizar previamente radiacion termica IR para el secado que se realiza a continuacion.
En una segunda etapa, se aplica a continuacion la propia capa de pintura, por ejemplo, mediante la pulverizacion de una dispersion de pintura. Despues sigue una etapa durante la cual se cuece el sustrato ya pintado. Esto se puede realizar mediante el calentamiento del aire circulante y/o mediante el sometimiento con radiacion infrarroja (IR), por ejemplo, a 50-80 °C. Durante este proceso, se evapora esencialmente el disolvente que usualmente se encuentra en la dispersion de pintura. En el caso de una pintura de curado UV ampliamente extendida en la actualidad, es decir, una pintura que se reticula mediante luz UV, este curado se realiza en una etapa a continuacion de la evaporacion del disolvente. En correspondencia con la aplicacion, en estas etapas del proceso se utilizan lamparas IR y/o UV. En la presente descripcion, el proceso de secado mediante radiacion IR y/o el proceso de reticulacion mediante radiacion UV, se denominan de manera unificada como tratamiento de radiacion.
Con el fin de evitar la volatilizacion libre del disolvente en el medio ambiente o bien, en el entorno de trabajo, esta clase de procesos se realizan en camaras de tratamiento, segun el estado de la tecnica. Ademas, se debe garantizar que exista un intercambio de gas constante, por ejemplo, para mantener reducida la concentracion de disolvente en el entorno del sustrato y, de esta manera, tambien acelerar el proceso de secado y/o de reticulacion. Segun el estado de la tecnica, como se representa esquematicamente en la figura 1, el tratamiento de radiacion se realiza en una camara cerrada 1. Ademas, en la parte superior de la camara 1 se preven las fuentes de radiacion 9, 9', 9", y en la parte inferior se encuentran montados los soportes de sustrato 11, 11' para colocar los sustratos. En la figura 1, como soportes de sustrato se muestran dos husillos que pueden estar dotados de componentes a irradiar. El montaje de las fuentes de radiacion 9, 9', 9" tambien se podna realizar por debajo de los soportes de sustrato 11, 11', aunque generalmente se evita para no arriesgarse a que las fuentes de radiacion 9, 9', 9" se ensucien con restos de pintura que gotean de los sustratos.
Segun el estado de la tecnica, en la cubierta de la camara se preve un area de ingreso 7 a traves de la cual pasa gas, por ejemplo, aire hacia el interior de la camara, suministrado por una entrada 3. Segun el estado de la tecnica, el gas pasa por las fuentes de radiacion 9, 9', 9" y, a continuacion, por los sustratos 11, 11', hacia el area inferior de la camara, en la que escapa de la camara 1 a traves de la salida 5. Debido a esta disposicion segun el estado de la tecnica, la circulacion y la gravitacion interactuan de manera tal que las suciedades como, por ejemplo, polvo y tambien disolvente, se puedan aspirar de manera efectiva. En la figura 1, el flujo de gas y su direccion se representan esquematicamente mediante las flechas.
Una realizacion de esta clase se describe en la patente US 4591 724, que describe el preambulo de la reivindicacion 1. Allf se inyecta aire en una camara para la refrigeracion de espejos elfpticos, de la fuente de radiacion UV, asf como del dispositivo de ejecucion de sustratos a irradiar que presentan una forma lineal. En este caso, el aire se introduce en el interior del espejo desde arriba y circula alrededor de las fuentes de radiacion UV, antes de llegar al dispositivo de ejecucion de los sustratos a irradiar que presentan una forma lineal, para escapar a continuacion del sistema de espejos.
Sin embargo, en el caso de este sistema segun el estado de la tecnica, resulta una desventaja que el flujo de gas que pasa por los sustratos, en primer lugar, deba pasar por las fuentes de radiacion. Durante el funcionamiento dichas fuentes generalmente se encuentran calientes, lo cual provoca un calentamiento fuera de control del flujo de gas. Esto significa que los soportes de sustrato 11, 11' se exponen a un flujo de gas que no presenta una temperatura definida y en ese caso se puede esparcir a lo ancho de los soportes de sustrato, incluso pueden generar gradientes termicos. Sin embargo, el proceso de secado y/o de reticulacion es influenciado considerablemente por la temperatura predominante. Por lo tanto, las condiciones indefinidas de la temperatura provocan rapidamente un proceso fuera de control. En particular, cuando existen gradientes termicos, se generan inhomogeneidades. La problematica se agrava aun mas por el hecho de que las propias fuentes de radiacion generalmente no presentan una estabilidad respecto a la temperatura. En la fase inicial, las fuentes de radiacion se encuentran mas bien fnas, mientras que despues de un funcionamiento prolongado se calientan considerablemente. Este problema se podna reducir mediante medidas de refrigeracion expKcitas en las fuentes de radiacion. Sin embargo, esta clase de medidas estan asociadas a una cantidad considerable de aparatos tecnicos y, por lo tanto, es costosa.
Segun lo mencionado anteriormente, sena conveniente disponer de una instalacion para el tratamiento de radiacion con la cual se puedan mitigar los problemas descritos del estado de la tecnica y, preferentemente, con la cual se puedan solucionar por completo.
Por lo tanto, el objeto de la invencion consiste en indicar una instalacion de esta clase.
Segun la invencion, los problemas descritos anteriormente se resuelven mediante una instalacion segun la reivindicacion 1. Las reivindicaciones dependientes representan realizaciones preferidas de la presente invencion. En principio, los problemas se resuelven segun la invencion, mediante el hecho de que en la camara se logra un flujo de gas que, inmediatamente despues de entrar en la camara, circula a traves de los sustratos. Dado que el flujo de gas no circula previamente a traves de las fuentes de radiacion que eventualmente emiten calor, la temperatura del flujo de gas se encuentra definida de una manera optima y se puede ajustar tambien de una manera simple en un valor estable deseado.
La invencion y sus realizaciones ventajosas se describen ahora mediante las figuras, a modo de ejemplo y de manera detallada.
Figura 1 muestra una instalacion para el tratamiento de radiacion de sustratos, segun el estado de la tecnica. Figura 2 muestra una instalacion segun la invencion para el tratamiento de radiacion de sustratos, segun una realizacion no conforme a la invencion.
Figura 3 muestra una instalacion segun la invencion para el tratamiento de radiacion de sustratos, segun una realizacion no conforme a la invencion.
Figura 4 muestra una instalacion segun la invencion para el tratamiento de radiacion de sustratos, segun una realizacion conforme a la invencion.
Figura 5 muestra esquematicamente el posible diseno de una instalacion de pintura que comprende camaras de tratamiento de radiacion, segun la presente invencion.
La figura 2 muestra una instalacion no conforme a la invencion, segun una primera realizacion. Se muestra una camara 201 en la que se encuentran dispuestas fuentes de radiacion 9, 9',9" y sustratos a irradiar 11, 11'. En la camara se preve una entrada de gas 203 en la parte inferior, en las proximidades de los sustratos 11, 11'. En el area de la cubierta de la camara se preve la salida de gas 205, segun esta realizacion, a la cual se puede anteponer una camara de cubierta 207. Durante el funcionamiento de la instalacion, despues de entrar en la camara, el gas circula en primer lugar a traves de los sustratos 11, 11', antes de que rodee las fuentes de radiacion 9, 9', 9" y circule a traves de la camara de cubierta opcional 207 a traves de la salida de gas 205. De esta manera, la temperatura del gas que circula a traves de los sustratos 11, 11' esta definida de manera optima y el proceso se puede realizar con condiciones termicas predeterminadas con exactitud y estables. Resulta ventajoso prever hendiduras 209 en las areas marginales de la camara, que pueden cumplir la funcion de colectores de polvo.
En la figura 3 se muestra una segunda realizacion ventajosa, no conforme a la invencion, de la presente invencion. En este caso, una camara 301 con fuentes de radiacion 9, 9',9" que se encuentran dispuestas sobre sustratos 11, 11', es sometida a flujos de gas tanto a traves de una primera entrada 303 en el area inferior de la camara, por debajo de los sustratos 11, 11', asf como a traves de una segunda entrada 305 en el area superior de la camara, por encima de las fuentes de radiacion 9, 9', 9". Preferentemente, a la mitad de la altura de la camara se preven salidas 311, 311' que se encuentran dispuestas preferentemente de manera simetrica. En esta realizacion, como se indica en la figura mediante flechas, ambos flujos de gas se encuentran aproximadamente a la mitad de la altura, es decir, entre las fuentes de radiacion 9, 9', 9" y los sustratos 11, 11', y escapan del interior de la camara a traves de las salidas dispuestas lateralmente 311, 311'. Esta realizacion no conforme a la invencion presenta en particular la ventaja de que las partfculas de polvo que se transportan junto con el flujo de gas se transportan tendencialmente al borde de la camara. Si en dicho lugar aun se preven hendiduras 309 que pueden cumplir la funcion de colectores de polvo, de esta manera el polvo que se encuentra eventualmente en la camara y que se transporta principalmente en direccion hacia las salidas 311, 311', en el camino se separa del flujo de gas, principalmente se recoge en los colectores de polvo. Segun una realizacion adicional, no conforme a la invencion, en las hendiduras 309 se preve respectivamente un receptaculo extrafble 313, de manera que el polvo se acumule en este receptaculo y se pueda eliminar de una manera simple mediante la extraccion y el vaciado del receptaculo. Naturalmente, un receptaculo de esta clase se puede utilizar tambien de manera ventajosa en las demas realizaciones.
En la presente, se ha descrito una instalacion para el tratamiento de radiacion de sustratos que en una camara comprende, al menos, una fuente de radiacion sobre los soportes de sustrato para colocar sustratos a tratar, y la camara comprende medios para el mantenimiento de un flujo de gas en la camara con, al menos, una entrada de gas y, al menos, una salida de gas, caracterizada porque la, al menos una, entrada de gas se encuentra dispuesta en el area de los soportes de sustrato, de manera tal que el gas que ingresa a traves de la, al menos una, entrada de gas circula en primer lugar alrededor de los soportes de sustrato, antes de que abandone nuevamente la camara a traves de la salida de gas ya sea de manera directa y/o despues de circular alrededor de la, al menos una, fuente de radiacion.
En el caso de la instalacion, la salida de gas puede estar prevista en el area de la, al menos una, fuente de radiacion, de manera tal que despues de haber circulado alrededor de los soportes de sustrato, el gas circule alrededor de la, al menos una, fuente de radiacion, antes de que abandone la camara a traves de la salida de gas. La salida de gas se puede prever a una altura entre los soportes de sustrato y, al menos, una fuente de radiacion. En el area de la, al menos una, fuente de radiacion se puede prever una segunda entrada de gas, de manera tal que el gas que ingresa a traves de la segunda entrada de gas circule en primer lugar alrededor de la, al menos una, fuente de radiacion, antes de que se encuentre con el gas proviene de los soportes de sustratos y de que salga de la camara junto con dicho gas a traves de la salida de gas.
En el borde inferior de la camara, se pueden prever hendiduras de manera tal que en el area de las hendiduras el flujo sea reducido y las hendiduras cumplan la funcion correspondiente de colectores de polvo.
En las hendiduras se pueden prever receptaculos extrafbles.
En la figura 4 se muestra una realizacion de la presente invencion. En este caso, una camara 401 con fuentes de radiacion 9, 9',9" que se encuentran dispuestas sobre sustratos 11, 11', es sometida a flujos de gas a traves de entradas 421, 421' en el area inferior de la camara, por debajo de los sustratos 11, 11'. El gas o los gases circulan alrededor de los sustratos 11, 11' y salen, en parte, a traves de una salida de gas 423 en el area inferior de la camara y, en parte, a traves de una salida de gas 405 en el area superior de la camara. Segun la presente realizacion, los dispositivos de entrada de gas y/o de salida de gas 421,421' o bien 423, comprenden canales de circulacion que en una dimension se estrechan en el sentido del flujo y que se ensanchan nuevamente mas adelante en el sentido del flujo, de manera tal que esencialmente, al menos, en los dispositivos de flujo de gas existe un flujo laminar y, por este motivo, no se generan depositos debido a turbulencias (como por ejemplo, polvo o suciedad). En una variante particularmente preferida de esta realizacion, los canales de circulacion estan compuestos por material deformable en forma de placas, por ejemplo, de chapa. En la figura 4, estos canales presentan un diseno con pared doble, en los que las dos paredes se encuentran distanciadas una de otra por un espacio S de, por ejemplo, 20 mm. El espacio proporciona un aislamiento termico que resulta ventajoso, entre otros, porque en la camara pueden generarse temperaturas de 100 °C y superiores debido al aire caliente aplicado durante un proceso de secado. El gas ingresa a traves de los orificios circulares 21, 21' de los dispositivos de entrada de gas 421, 421' y sale, en parte, a traves de los orificios circulares 23 de los dispositivos de salida de gas 423.
Segun una realizacion preferida, cada dispositivo de flujo de gas presenta salientes en la parte superior que permiten mantener unidos respectivamente dos dispositivos de flujo de gas mediante, por ejemplo, un riel, abrazaderas o tapas 30, 30', con lo cual, por ejemplo, tambien se logra el mantenimiento del flujo laminar tambien en esta area.
En particular, la presente invencion describe una instalacion para el tratamiento de radiacion 401 de sustratos, que en una camara comprende, al menos, una fuente de radiacion 9, 9', 9" sobre los soportes de sustratos 11, 11' para colocar los sustratos a tratar, y la camara comprende medios para el mantenimiento de un flujo de gas en la camara con un dispositivo de flujo de gas con, al menos, una entrada de gas 421, 421' y, al menos, una salida de gas 423, 405, en la que el dispositivo de flujo de gas se encuentra dispuesto en el area por debajo del soporte de sustrato 11, 11' y esta disenado de manera tal que la entrada de gas 421, 421 ' y la salida de gas 423, 405 comprenden elementos que conforman canales de circulacion que se estrechan en el sentido del flujo y que se ensanchan nuevamente aguas abajo, por lo cual durante el funcionamiento de la instalacion predomina un flujo laminar esencialmente, al menos, en el dispositivo de flujo de gas y, por este motivo, no se generan depositos debido a turbulencias. Preferentemente, los elementos de la instalacion para el tratamiento de radiacion 401, que conforman los canales de circulacion, estan conformados por placas deformables, preferentemente de chapa.
Preferentemente, al menos, dos de los elementos que conforman los canales de circulacion, se mantienen unidos en el area superior mediante rieles, abrazaderas y/o tapas 30, 30', lo cual permite un montaje y/o desmontaje simples. Preferentemente, los elementos que conforman los canales de circulacion presentan, al menos, una pared doble, en la que las, al menos dos, paredes se encuentran separadas, con lo cual se conforma un espacio S que afsla termicamente.

Claims (5)

REIVINDICACIONES
1. Instalacion para el tratamiento de radiacion de sustratos, que en una camara sobre los soportes de sustrato (11, 11') para colocar sustratos a tratar, comprende, al menos, una fuente de radiacion (9, 9', 9"), la camara comprende medios para el mantenimiento de un flujo de gas en la camara en forma de un dispositivo de flujo de gas, en la que el dispositivo de flujo de gas comprende, al menos, una entrada de gas (421, 421') dispuesta en el area por debajo del soporte de sustrato (11, 11') y, al menos, una salida de gas (423) dispuesta en el area por debajo del soporte de sustrato (11, 11'), caracterizada porque el dispositivo de flujo de gas esta disenado de manera tal que la entrada de gas (421, 421') y la salida de gas indicada (423) comprenden elementos que conforman canales de circulacion que se estrechan en el sentido del flujo y que se ensanchan nuevamente aguas abajo, por lo cual durante el funcionamiento de la instalacion predomina un flujo laminar esencialmente, al menos, en el dispositivo de flujo de gas y, por este motivo, no se generan depositos debido a turbulencias, en la que el dispositivo de flujo de gas esta creado de manera que en la camara se logra un flujo de gas que, inmediatamente despues de entrar en la camara y de pasar por los canales de circulacion, circula a traves de los sustratos, sin que circule previamente a traves de las fuentes de radiacion que eventualmente emiten calor.
2. Instalacion segun la reivindicacion 1, caracterizada porque los elementos que conforman los canales de circulacion estan conformados por placas deformables, preferentemente de chapa.
3. Instalacion segun la reivindicacion 1 o 2, caracterizada porque, al menos, dos de los elementos que conforman los canales de circulacion, se mantienen unidos en el area superior (30, 30') mediante rieles, abrazaderas y/o tapas, con lo cual se logra un montaje y/o desmontaje simple.
4. Instalacion segun una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque los elementos que conforman los canales de circulacion presentan, al menos, dos paredes, en la que las, al menos, dos paredes se encuentran distanciadas entre sf, con lo cual se obtiene una ranura (S) que afsla termicamente.
5. Instalacion segun la reivindicacion 1, caracterizada porque el dispositivo de flujo de gas presenta una salida de gas adicional (405) por encima de la, al menos una, fuente de radiacion.
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