ES2895672T3 - Amplificador - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 21
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 claims description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
- H04B1/0082—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands with a common local oscillator for more than one band
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/1638—Special circuits to enhance selectivity of receivers not otherwise provided for
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- H—ELECTRICITY
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/546—A tunable capacitance being present in an amplifier circuit
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45024—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are cascode coupled transistors
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- H03F2203/45236—Two dif amps realised in MOS or JFET technology, one of them being of the p-channel type and the other one of the n-channel type, are coupled in parallel with their gates
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/45241—Two dif amps realised in MOS or JFET technology, the dif amps being either both of the p-channel type or both of the n-channel type, are coupled in parallel with their gates
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45512—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more capacitors, not being switched capacitors, and being coupled between the LC and the IC
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45524—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more active resistors and being coupled between the LC and the IC
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- H03F2203/45526—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising a resistor-capacitor combination and being coupled between the LC and the IC
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Abstract
Un circuito integrado que comprende un amplificador (30) para un circuito (15) receptor, teniendo el amplificador (30) un nodo (Vin) de entrada y un nodo (Vout) de salida, comprendiendo el amplificador (30) un circuito (100) tanque ajustable conectado al nodo (Vout) de salida; una trayectoria (200) de circuito de realimentación conectada entre el nodo (Vout) de salida y el nodo (Vin) de entrada; caracterizado por que comprende, además un condensador (210) ajustable conectado entre un nodo interno de la trayectoria (200) de circuito de realimentación y un nodo de tensión de referencia.
Description
DESCRIPCIÓN
Amplificador
Campo técnico
La presente invención se refiere a un circuito amplificador.
Antecedentes
Los circuitos receptores de radio se usan en muchas aplicaciones diferentes, tales como las comunicaciones celulares. Las señales recibidas por un circuito receptor de radio pueden ser relativamente débiles y deben ser amplificadas. Por lo tanto, típicamente se incluye un amplificador en el circuito receptor de radio. Dicho amplificador no debería añadir demasiado ruido a la señal recibida. Por lo tanto, frecuentemente se usa lo que se denomina un amplificador de bajo ruido (Low-Noise Amplifier, LNA) para este propósito.
En algunos sistemas de comunicación de radio existentes, tales como sistemas de comunicaciones celulares de la cuarta generación (4G) y de la quinta generación (5G), el ancho de banda de señal usado es frecuentemente relativamente grande, tal como de decenas o cientos de MHz. Además, debería ser posible sintonizar una frecuencia central del receptor sobre un intervalo de frecuencias relativamente grande. Una tarea compleja en el diseño de amplificadores de receptor, tales como LNAs, es conseguir una adaptación de impedancia de entrada con suficiente ancho de banda de frecuencia. Dicha adaptación de impedancia de entrada de banda ancha relativamente debería obtenerse preferiblemente mientras se alcanza al mismo tiempo un rendimiento suficientemente alto en términos de otros parámetros del LNA, tales como la ganancia y la selectividad de frecuencias. En los documentos GB2490979 y US2009/039964 se describen ejemplos de amplificadores para un circuito receptor.
Sumario
Las realizaciones de la presente invención se refieren a un amplificador, tal como un LNA, para un circuito receptor, que tiene un circuito tanque sintonizable, tal como un circuito LC, conectado a un nodo de salida del amplificador. Dicho circuito tanque puede proporcionar un grado deseado de selectividad de frecuencia. Las realizaciones del amplificador comprenden además una red de realimentación entre el nodo de salida y un nodo de entrada. Dicha red de realimentación puede facilitar la provisión de adaptación de impedancia de entrada. El presente inventor ha descubierto que la fase de la tensión de salida, generada en el circuito tanque, cambios de manera relativamente abrupta en las proximidades de la frecuencia de resonancia del circuito tanque. La fase cambiada de manera relativamente brusca tiene un impacto sobre la realimentación, y dificulta el cumplimiento de los requisitos de adaptación de impedancia de entrada. Por ejemplo, la ganancia máxima del amplificador y la mejor adaptación de impedancia de entrada pueden ocurrir a frecuencias diferentes, lo cual no es deseable. Por lo tanto, se necesita algún tipo de ajuste. El presente inventor ha descubierto que puede obtenerse un ajuste relativamente eficiente conectando una trayectoria de circuito de realimentación de la red de realimentación entre el nodo de salida y el nodo de entrada, y conectando un condensador ajustable entre un nodo interno de la trayectoria de circuito de realimentación y un nodo de tensión de referencia, tal como tierra o señal de tierra. Una ventaja de este enfoque es que la capacidad de ajuste puede obtenerse con componentes, tales como el condensador ajustable, con un valor Q relativamente bajo. Dichos componentes son normalmente más fáciles y más baratos de fabricar que los componentes con un valor Q mayor.
Según las realizaciones de la invención, que se define por la reivindicación independiente 1, se proporciona un circuito integrado que comprende un amplificador para un circuito receptor. El amplificador tiene un nodo de entrada y un nodo de salida. El amplificador comprende un circuito tanque ajustable conectado al nodo de salida. Además, el amplificador comprende una trayectoria de circuito de realimentación conectada entre el nodo de salida y el nodo de entrada. Además, el amplificador comprende un condensador ajustable conectado entre un nodo interno de la trayectoria de circuito de realimentación y un nodo de tensión de referencia.
En algunas realizaciones, la trayectoria de circuito de realimentación es un circuito pasivo.
La trayectoria de circuito de realimentación puede comprender una conexión en serie de al menos una resistencia y al menos un condensador.
En algunas realizaciones, la al menos una resistencia es ajustable. Esto facilita un grado de ajuste fino todavía mayor de la impedancia de entrada.
En algunas realizaciones, dicho al menos un condensador comprende un primer condensador, y dicha al menos una resistencia comprende una primera resistencia conectada entre el nodo de salida y el primer condensador y una segunda resistencia conectada entre el primer condensador y el nodo de entrada. Dicho nodo interno puede ser un nodo entre el primer condensador y la segunda resistencia.
El amplificador puede comprender un primer transistor en una configuración de fuente común. Además, el amplificador puede comprender un segundo transistor conectado en una configuración cascodo entre el primer transistor y el nodo de salida.
Según un segundo aspecto, se proporciona un amplificador diferencial para un circuito receptor, que comprende un primer amplificador y un segundo amplificador según cualquier reivindicación anterior. El primer amplificador y el segundo amplificador pueden compartir algunos componentes, tal como el circuito tanque.
Según un tercer aspecto, se proporciona un circuito receptor que comprende un amplificador según el primer aspecto o un amplificador diferencial según el segundo aspecto.
Según un cuarto aspecto, se proporciona un aparato de comunicación que comprende el circuito receptor según el tercer aspecto.
El aparato de comunicación puede ser un dispositivo de comunicación inalámbrica para una red de comunicación celular. El aparato de comunicación puede ser una estación base de radio para una red de comunicación celular. En las reivindicaciones dependientes se definen realizaciones adicionales. Es preciso subrayar que el término "comprende/que comprende", cuando se usa en la presente memoria descriptiva, se considera que especifica la presencia de características, números enteros, etapas o componentes indicados, pero no excluye la presencia o la adición de una o más características, números enteros, etapas, componentes o grupos de los mismos.
Breve descripción de los dibujos
Otros objetos, características y ventajas de las realizaciones de la invención surgirán a partir de la siguiente descripción detallada, con referencia a los dibujos adjuntos, en los que:
La Figura 1 ilustra un entorno de comunicación.
La Figura 2 ilustra un circuito transceptor.
Las Figuras 3 a 7 muestran diagramas de circuito de circuitos amplificadores.
La Figura 8 ilustra una implementación de una resistencia ajustable.
La Figura 9 ilustra una implementación de un condensador ajustable.
La Figura 10 muestra resultados de simulación.
Descripción detallada
La Figura 1 ilustra un entorno en el que pueden emplearse las realizaciones de la presente invención. En la Figura 1, un dispositivo 1 de comunicación inalámbrica está en comunicación inalámbrica con una estación 2 base de un sistema de comunicación celular. En la Figura 1, el dispositivo 1 de comunicación inalámbrica se ilustra como un teléfono móvil. Sin embargo, esto es sólo un ejemplo. El dispositivo de comunicación inalámbrica puede ser cualquier tipo de dispositivo equipado con capacidades de comunicación celular, tal como un ordenador de mesa, un ordenador portátil, un módem celular o un dispositivo de comunicación de tipo máquina (Machine-Type Communication, MTC). El dispositivo 1 de comunicación inalámbrica y la estación 2 base son ejemplos de lo que en esta descripción se denominan aparatos de comunicación. Cabe señalar que otros aparatos de comunicación distintos de los aparatos de comunicación celular, tales como terminales y puntos de acceso para redes de área local inalámbricas (Wireless Local Area Networks, WLANs), son también posibles dentro del alcance de la presente descripción.
Según las realizaciones de la presente descripción, un aparato de comunicación, tal como los descritos anteriormente, comprende un circuito receptor. El circuito receptor puede ser, por ejemplo, parte de un circuito transceptor. La Figura 2 ilustra un ejemplo de dicho un circuito 10 transceptor. En la Figura 2, el circuito 10 transceptor comprende un circuito 15 receptor, dispuesto para ser conectado a una antena 20. En la Figura 2, el circuito 15 receptor comprende un filtro 25 de radiofrecuencia (RF) dispuesto para ser conectado a la antena 20. En algunas realizaciones, el filtro 25 de RF es un filtro de paso banda. Además, en la Figura 2, el circuito 15 receptor comprende un amplificador 30. Las realizaciones del amplificador 30 se describen más detalladamente a continuación. El amplificador 30 puede ser, por ejemplo, lo que se conoce normalmente como un LNA. En la Figura 2, el circuito receptor comprende un mezclador 35 de conversión descendente, alimentado por una señal de un oscilador local (Local Oscillator, LO), conectado a un nodo de salida del amplificador 30. El mezclador 35 de conversión descendente está configurado para aplicar una conversión descendente a la señal de RF emitida desde el amplificador 30 a una frecuencia de banda base o una frecuencia intermedia. Además, en la Figura 2, el circuito 15 receptor comprende un filtro 40 dispuesto para filtrar los componentes no deseados de la señal desde la señal
con conversión descendente emitida desde el mezclador 35. En algunas realizaciones, el filtro 40 es un filtro paso bajo. Además, en la Figura 2, el circuito 15 receptor comprende un convertidor 45 analógico-a-digital (Analog-To-Digital, ADC) configurado para convertir la señal con conversión descendente emitida desde el filtro 40 al dominio digital.
Tal como se ilustra en la Figura 2, el circuito 10 transceptor puede comprender un procesador 50 de señal digital (Digital Signal Processor, DSP), tal como un procesador de banda base, configurado para procesar la señal de salida digital desde el ADC 45, por ejemplo, para recuperar los datos recibidos.
Tal como se ilustra también en la Figura 2, el circuito 10 transceptor puede comprender un circuito 55 transmisor, dispuesto para ser conectado a una antena 60 para la transmisión de señales de RF. El DSP 50 puede estar configurado para generar datos de entrada al circuito 55 transmisor.
El diagrama del circuito 15 receptor es meramente un ejemplo usado para poner las realizaciones del amplificador 30 en un contexto. Las realizaciones del amplificador 30 pueden usarse también en otras arquitecturas de receptor. Las realizaciones del amplificador 30 se integran en un circuito integrado, por ejemplo, junto con algunos o todos los otros componentes del circuito 15 receptor.
La Figura 3 ilustra una realización del amplificador 30. En la Figura 3, el amplificador 30 tiene un nodo Vin de entrada y un nodo Vout de salida. Además, comprende un circuito 100 tanque ajustable conectado al nodo Vout de salida. Además, comprende una red 110 de realimentación entre el nodo Vout de salida y el nodo Vin de entrada. Con el fin de proporcionar amplificación, generalmente se usa un elemento activo, tal como un transistor, en un amplificador. La realización del amplificador 30 ilustrado en la Figura 3 comprende un transistor 120 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor, semiconductor de óxido metálico) en la configuración de fuente común. En la Figura 3, el terminal de puerta del transistor 120 está conectado al nodo Vin de entrada. Son posibles también otros tipos de transistores, tales como transistores de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJTs). Además, en la Figura 3, el amplificador 30 comprende un transistor 130 MOS conectado en una configuración cascodo entre el transistor 120 y el nodo Vout de salida. El terminal de puerta del transistor 130 está conectado a un nodo Vb2 de tensión de polarización. En algunas realizaciones, el transistor 120 cascodo puede omitirse. Otras realizaciones pueden incluir más de un transistor cascodo.
Tal como se ilustra en la Figura 3, el amplificador 30 puede comprender un inductor 140 de degeneración de fuente, conectado entre la fuente del transistor 120. Puede comprender también una resistencia 150 de polarización conectada entre el nodo Vin de entrada y un nodo Vb1 de tensión de polarización. La Figura 3 ilustra también algunos componentes reactivos, tales como un inductor 160 y un condensador 170, conectados en serie con el inductor 160 entre el nodo Vin de entrada y los componentes anteriores, tales como el filtro 25 (Figura 2). Dichos componentes 160, 170 reactivos facilitan la adaptación de la impedancia de entrada para el amplificador 30.
El presente inventor ha descubierto que la fase de la tensión de salida, generada en el circuito tanque, cambia de manera relativamente abrupta en las proximidades de la frecuencia de resonancia del circuito tanque. La fase cambiada de manera relativamente brusca tiene un impacto sobre la realimentación, y dificulta el cumplimiento de los requisitos de adaptación de impedancia de entrada. Puede ser particularmente difícil en aplicaciones con un ancho de banda relativamente alto, tales como en el intervalo de GHz, y con frecuencias portadoras relativamente altas, tal como varias decenas de GHz, por ejemplo, tal como se usarán probablemente para sistemas 5G en el futuro. Por ejemplo, la ganancia máxima del amplificador y la mejor adaptación de impedancia de entrada pueden ocurrir a frecuencias diferentes, lo cual no es deseable. Por lo tanto, se necesita algún tipo de ajuste. La Figura 4 ilustra una implementación ventajosa de la red 110 de realimentación proporcionada por el presente inventor. Comprende una trayectoria 200 de circuito de realimentación conectada entre el nodo Vout de salida y el nodo Vin de entrada. Además, comprende un condensador 210 ajustable conectado entre un nodo interno de la trayectoria 200 de circuito de realimentación y un nodo de tensión de referencia, tal como tierra o señal de tierra.
El condensador 210 ajustable facilita la compensación de la fase cambiada de manera relativamente abrupta de la tensión de salida en las proximidades de la frecuencia de resonancia del circuito 100 tanque. Permite ajustar el amplificador 30 de manera que, por ejemplo, la ganancia máxima del amplificador 30 y la mejor adaptación de impedancia de entrada del amplificador 30 puedan ajustarse, en frecuencia, de manera que ocurran a sustancialmente la misma frecuencia. Además, las simulaciones han demostrado que el condensador 210 puede implementarse con un valor Q relativamente bajo, mientras que todavía proporciona esta capacidad de ajuste deseada. Esto es ventajoso, ya que la capacidad de ajuste puede obtenerse a un coste relativamente bajo con componentes relativamente pequeños.
El presente inventor ha descubierto además que la trayectoria 200 de circuito de realimentación puede implementarse como un circuito pasivo. El uso de una trayectoria de circuito de retroalimentación pasiva facilita relativamente la obtención de una combinación de ganancia y estabilidad relativamente altas, lo que puede ser un objetivo de diseño muy difícil si se usa una trayectoria de circuito de realimentación activa. Además, un circuito de
realimentación pasivo típicamente no requiere ningún circuito de polarización complejo. Sin embargo, puede obtenerse también una adaptación de impedancia de entrada deseada en realizaciones con componentes activos en la trayectoria de circuito de realimentación.
Por ejemplo, la trayectoria de circuito de realimentación puede implementarse usando una conexión en serie de al menos una resistencia y al menos un condensador. Esto se ilustra en la Figura 5 con una realización en la que dicho al menos un condensador comprende un primer condensador 240, y dicha al menos una resistencia comprende una primera resistencia 220 conectada entre el nodo Vout de salida y el primer condensador 240 y una segunda resistencia 230 conectada entre el primer condensador 240 y el nodo Vin de entrada. Además, en la Figura 5, el nodo interno, al que está conectado el condensador 210, es un nodo entre el primer condensador 240 y la segunda resistencia 230.
Tal como se ilustra en la Figura 5, la al menos una resistencia (por ejemplo, 220, 230) puede ser también ajustable. Esto proporciona un mayor grado de capacidad de ajuste para facilitar el ajuste de la impedancia de entrada implementado con componentes relativamente baratos y pequeños.
La Figura 6 ilustra una realización del circuito 100 de tanque ajustable. Tal como puede verse a partir de la Figura 6, el circuito 100 tanque ajustable puede comprender un circuito LC paralelo, que comprende un condensador 250 conectado en paralelo con un inductor 260. Tal como se ilustra adicionalmente en la Figura 6, la capacidad de ajuste del circuito 100 tanque puede proporcionarse haciendo que el condensador 250 sea ajustable, de manera que pueda ajustarse la frecuencia de resonancia del circuito 100 tanque. Preferiblemente, la frecuencia de resonancia del circuito tanque se ajusta en las proximidades de la frecuencia central de una banda de frecuencias deseada de la señal.
Tal como se ilustra adicionalmente en la Figura 6, el circuito 100 tanque puede comprender otro inductor 270 acoplado magnéticamente al inductor 260 con una inductancia M mutua. Dicha solución puede proporcionar una inductancia total deseada del circuito tanque con bobinas inductoras más pequeñas en comparación con realizaciones en las que el inductor 260 se usa solo, sin el inductor 270 adicional. Los inductores 260 y 270 forman un devanado primario y secundario, respectivamente, de un transformador. En una realización ejemplar, los nodos S1 y S2 del inductor 270 se usan para alimentar las etapas posteriores en el circuito 15 receptor, mientras que el nodo S0 está conectado a un nodo de tensión de polarización.
Según algunas realizaciones, dos de los amplificadores 30 se combinan en un amplificador diferencial. Por supuesto, dicho amplificador diferencial puede usarse en un circuito receptor, por ejemplo, como un LNA diferencial. Un ejemplo de dicha realización se ilustra en la Figura 7. La realización del amplificador diferencial ilustrada en la Figura 7 puede considerarse como una versión diferencial de la realización del amplificador 30 ilustrada en la Figura 6. Los componentes 110a, 120a, 130a, 140a, 150a, 160a, 170a, 200a, y 210a corresponden a los componentes 110, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 200 y 210 (Figura 6) de un primer amplificador de los dos amplificadores que componen el amplificador diferencial. De manera similar, los componentes 110b, 120b, 130b, 140b, 150b, 160b, 170b, 200b y 210b corresponden a los componentes 110, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 200 y 210 (Figura 6) de un segundo amplificador de los dos amplificadores que componen el amplificador diferencial. En la Figura 7, el amplificador diferencial comprende un circuito 100 tanque compartido. Sin embargo, en otras realizaciones, puede haber circuitos tanque separados para los dos amplificadores que componen el amplificador diferencial. Los nodos Vina y Vinb componen un puerto de entrada diferencial. De manera similar, los nodos Vouta y Voutb componen un puerto de salida diferencial.
La Figura 8 ilustra una posible implementación de una resistencia 400 ajustable. Ilustra que una resistencia 400 ajustable puede implementarse con un número de resistencias conmutables conectadas en paralelo, cada una comprendiendo una resistencia 410-i en serie con un conmutador 420-i. Al seleccionar cuáles de los conmutadores 420-i están cerrados y cuáles están abiertos, la resistencia total de la resistencia 400 ajustable puede ajustarse a un valor deseado, tal como entenderá fácilmente una persona experta en el diseño de circuitos electrónicos. Los conmutadores 420-i pueden controlarse, por ejemplo, con una palabra de control digital, donde cada bit de la palabra de control controla un único conmutador de los conmutadores 420-i. Cualquiera de las resistencias ajustables descritas en la presente descripción puede diseñarse de esta manera.
De manera similar, la Figura 9 ilustra una posible implementación de un condensador ajustable. Ilustra que un condensador 500 ajustable puede implementarse con un número de condensadores conmutables conectados en paralelo, cada uno comprendiendo un condensador 510-i en serie con un conmutador 520-i. Al seleccionar cuáles de los conmutadores 520-i están cerrados y cuáles están abiertos, la capacitancia total del condensador 500 ajustable puede ajustarse a un valor deseado, tal como entenderá fácilmente una persona experta en el diseño de circuitos electrónicos. Los conmutadores 520-i pueden controlarse, por ejemplo, con una palabra de control digital, donde cada bit de la palabra de control controla un único conmutador de los conmutadores 520-i. Cualquiera de los condensadores ajustables descritos en la presente descripción puede diseñarse de esta manera.
La Figura 10 ilustra la manera en la que la fase de la corriente de realimentación, desde la red 110 de realimentación, al nodo Vin de entrada, varía con la frecuencia y la capacitancia C del condensador 210 según un ejemplo de simulación. En el ejemplo de simulación, se ha usado la topología de circuito de la Figura 5, y se ha usado una fuente de tensión de CA de RF con una resistencia de salida 50 Q para alimentar el nodo izquierdo del condensador 170. El comportamiento cuantitativo de la curva depende naturalmente de los valores de los parámetros de los componentes para los componentes del circuito. La selección de dichos valores de los parámetros de los componentes para una especificación de requisitos determinada, por ejemplo, basada en la simulación del circuito, se considera una tarea rutinaria para una persona experta en la técnica del diseño de circuitos analógicos de RF y no se describe en la presente memoria más detalladamente. Una observación interesante, en el contexto de esta descripción, que puede realizarse a partir de la Figura 10 es el comportamiento cualitativo de las curvas. Una de las curvas está etiquetada con C = 0. Este caso, en el que la capacitancia C del condensador 210 es 0, corresponde a un caso en el que el condensador 210 está ausente. Puede observarse que hay una variación de fase relativamente abrupta en las proximidades de la frecuencia de resonancia para el circuito 100 tanque, que en esta simulación es de aproximadamente 30 GHz. Esta variación de fase relativamente brusca dificulta la consecución de una buena adaptación de impedancia de entrada sobre más que un intervalo de frecuencias relativamente estrecho. Además, la mejor adaptación de impedancia de entrada puede ocurrir en una frecuencia distinta a la frecuencia de resonancia del circuito 100 tanque, en particular en aplicaciones en las que el circuito 15 receptor es ajustable a bandas de frecuencia diferentes y, por lo tanto, el circuito 100 tanque es ajustable a frecuencias de resonancia diferentes. A medida que se aumenta el valor de C, puede observarse que la variación de fase se reduce, lo que permite una adaptación de la impedancia de entrada en un intervalo de frecuencias más amplio. Además, es posible ajustar el valor de C de manera que se proporcione la mejor, o al menos una buena y adecuada, adaptación de impedancia de entrada en la frecuencia central del circuito 100 tanque. Tal como se ha indicado anteriormente, dicho ajuste puede obtenerse usando componentes ajustables con un valor Q relativamente bajo.
La presente invención se ha descrito anteriormente con referencia a realizaciones específicas. Sin embargo, otras realizaciones distintas de las descritas anteriormente son posibles dentro del alcance de la invención, que se define por el alcance de las reivindicaciones. Las diferentes características de las realizaciones pueden combinarse en combinaciones diferentes a las descritas.
Claims (13)
1. Un circuito integrado que comprende un amplificador (30) para un circuito (15) receptor, teniendo el amplificador (30) un nodo (Vin) de entrada y un nodo (Vout) de salida, comprendiendo el amplificador (30)
un circuito (100) tanque ajustable conectado al nodo (Vout) de salida;
una trayectoria (200) de circuito de realimentación conectada entre el nodo (Vout) de salida y el nodo (Vin) de entrada;
caracterizado por que comprende, además
un condensador (210) ajustable conectado entre un nodo interno de la trayectoria (200) de circuito de realimentación y un nodo de tensión de referencia.
2. El circuito integrado según la reivindicación 1, en el que la trayectoria (200) de circuito de realimentación es un circuito pasivo.
3. El circuito integrado según la reivindicación 1 o 2, en el que la trayectoria (200) de circuito de realimentación comprende una conexión en serie de al menos una resistencia (220, 230) y al menos un condensador (240).
4. El circuito integrado según la reivindicación 3, en el que la al menos una resistencia (220, 230) es ajustable.
5. El circuito integrado según la reivindicación 3 o 4, en el que dicho al menos un condensador (240) comprende un primer condensador (240), dicha al menos una resistencia comprende una primera resistencia (220) conectada entre el nodo (Vout) de salida y el primer condensador (240) y una segunda resistencia (230) conectada entre el primer condensador (240) y el nodo (Vin) de entrada.
6. El circuito integrado según la reivindicación 5, en el que el nodo interno es un nodo entre el primer condensador (240) y la segunda resistencia (230).
7. El circuito integrado según cualquier reivindicación anterior, en el que el amplificador (30) comprende un primer transistor (120) en una configuración de fuente común.
8. El circuito integrado según la reivindicación 7, en el que el amplificador (30) comprende un segundo transistor (130) conectado en una configuración cascodo entre el primer transistor (120) y el nodo (Vout) de salida.
9. El circuito integrado según cualquier reivindicación anterior, que comprende un amplificador diferencial para un circuito (15) receptor, comprendiendo el amplificador diferencial dicho amplificador (30) y otro amplificador (30).
10. El circuito integrado según cualquier reivindicación anterior, que comprende dicho circuito receptor (15).
11. Un aparato (1,2) de comunicación que comprende el circuito integrado según cualquier reivindicación anterior.
12. El aparato (1) de comunicación según la reivindicación 11, en el que el aparato (1) de comunicación es un dispositivo (1) de comunicación inalámbrica para una red de comunicación celular.
13. El aparato (2) de comunicación según la reivindicación 11, en el que el aparato (2) de comunicación es una estación (2) base de radio para una red de comunicación celular.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP20159736.6A EP3678293B1 (en) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplifier |
| PCT/EP2016/059791 WO2017190764A1 (en) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2895672T3 true ES2895672T3 (es) | 2022-02-22 |
Family
ID=55860875
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES20159736T Active ES2895672T3 (es) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplificador |
| ES16719433T Active ES2794774T3 (es) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplificador |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES16719433T Active ES2794774T3 (es) | 2016-05-02 | 2016-05-02 | Amplificador |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10320341B2 (es) |
| EP (2) | EP3453111B1 (es) |
| JP (1) | JP7002468B2 (es) |
| KR (1) | KR102136020B1 (es) |
| CN (2) | CN109075747B (es) |
| AR (1) | AR108261A1 (es) |
| AU (1) | AU2016405599B2 (es) |
| BR (1) | BR112018071277B1 (es) |
| CA (1) | CA3022783C (es) |
| DK (2) | DK3453111T3 (es) |
| ES (2) | ES2895672T3 (es) |
| MX (1) | MX384510B (es) |
| MY (1) | MY188631A (es) |
| PL (1) | PL3678293T3 (es) |
| RU (1) | RU2726828C1 (es) |
| SG (1) | SG11201811284YA (es) |
| WO (1) | WO2017190764A1 (es) |
| ZA (1) | ZA201806723B (es) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11881828B2 (en) * | 2017-04-04 | 2024-01-23 | Psemi Corporation | Tunable effective inductance for multi-gain LNA with inductive source degeneration |
| CN112106293B (zh) * | 2018-05-17 | 2024-01-02 | 株式会社村田制作所 | 放大电路 |
| US10707817B2 (en) * | 2018-05-30 | 2020-07-07 | Speedlink Technology Inc. | Wideband low noise amplifier (LNA) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5G communication |
| US11245372B2 (en) * | 2019-08-30 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable-gain amplifier with degeneration circuit |
| US11942912B2 (en) * | 2019-09-18 | 2024-03-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier with tunable impedance circuit |
| RU2759317C1 (ru) * | 2021-02-08 | 2021-11-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный институт кино и телевидения" (СПбГИКиТ) | Универсальный электрический эквивалент громкоговорителя |
| TWI864339B (zh) * | 2021-10-18 | 2024-12-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 放大電路 |
| US20240178798A1 (en) * | 2022-11-29 | 2024-05-30 | Psemi Corporation | Amplifier with Improved Power Supply Rejection in Feedback Circuits |
| US12170506B2 (en) * | 2022-12-28 | 2024-12-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LNA architecture with configurable feedback filtering |
| US20240297627A1 (en) * | 2023-03-03 | 2024-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Tunable transconductor |
| US20240364267A1 (en) * | 2023-04-28 | 2024-10-31 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | System and method for energy efficient line driver boost stage with high output swing |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3701034A (en) * | 1971-03-23 | 1972-10-24 | Collins Radio Co | Equalizer circuit for multistage feedback amplifier |
| JPS5536067A (en) | 1978-09-08 | 1980-03-13 | Nippon Oil Co Ltd | Addition for casting material |
| JPS595709B2 (ja) | 1981-09-02 | 1984-02-06 | 丸山工業株式会社 | 導電性床材とその製造方法 |
| CA1187949A (en) * | 1982-06-18 | 1985-05-28 | Stephen G. Harman | Negative feedback amplifiers including directional couplers |
| JPS6035811A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体式放射線測定装置用前置増幅器 |
| JPS6327104A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Sharp Corp | 並列帰還型増幅器 |
| US6809581B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-10-26 | Broadcom Corp. | Integrated circuit low noise amplifier and applications thereof |
| JP2005124175A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅装置および周波数変換装置 |
| JP2005175819A (ja) | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sony Corp | 増幅器並びに通信装置 |
| JP2008512926A (ja) | 2004-09-10 | 2008-04-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 広い周波数帯域にわたって平坦な利得応答で調節可能なカスコードlna |
| DE102005007876B4 (de) | 2005-02-21 | 2013-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verstärkerschaltung mit reduzierter Temperaturabhängingkeit der Verstärkung |
| JPWO2007026572A1 (ja) * | 2005-08-30 | 2009-03-26 | パナソニック株式会社 | 低雑音増幅回路、および受信システム |
| US7949322B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-05-24 | Qualcomm, Incorporated | Frequency selective amplifier with wide-band impedance and noise matching |
| JP2009021938A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Alps Electric Co Ltd | 負帰還増幅回路 |
| KR20090022260A (ko) * | 2007-08-30 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | 가변 캐패시터를 이용한 광대역 저잡음 증폭기 |
| JP2009207031A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Hitachi Ltd | 増幅回路 |
| CN101594124B (zh) * | 2008-05-26 | 2012-05-16 | 财团法人工业技术研究院 | 协调性可调式滤波装置及其无线通信前端电路 |
| US8306494B2 (en) | 2008-08-14 | 2012-11-06 | Broadcom Corporation | Method and system for a single-ended input low noise amplifier with differential output |
| JP4903834B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2012-03-28 | 株式会社日立製作所 | 利得可変増幅回路及びそれを用いた無線通信機器用の集積回路 |
| JP5375521B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 高周波増幅器および無線通信装置 |
| US8217723B2 (en) * | 2009-11-05 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Low noise amplifier circuit |
| CN101789760A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-07-28 | 复旦大学 | 采用并联反馈式结构的窄带低噪声放大器 |
| JP5228017B2 (ja) | 2010-09-16 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 高周波差動増幅回路 |
| RU110212U1 (ru) * | 2011-05-10 | 2011-11-10 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет кино и телевидения" | Эквивалент нагрузки усилителей сигналов звуковой частоты |
| GB2490979B (en) * | 2011-05-19 | 2013-05-29 | Renesas Mobile Corp | Amplifier |
| US8493154B1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-07-23 | Berex Corporation | Linearity enhancement on cascode gain block amplifier |
| EP2947769B1 (en) * | 2012-02-01 | 2017-04-05 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier |
| US9374043B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-06-21 | Qualcomm Incorporated | Dual stage carrier-aggregation (CA) low noise amplifier (LNA) having harmonic rejection and high linearity |
| CN104579196B (zh) * | 2015-01-28 | 2018-06-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种射频信号放大器 |
| WO2016133896A1 (en) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Northeastern University | Linearity enhancement method for low-power low-noise amplifiers biased in the subthreshold region |
-
2016
- 2016-05-02 AU AU2016405599A patent/AU2016405599B2/en not_active Ceased
- 2016-05-02 WO PCT/EP2016/059791 patent/WO2017190764A1/en not_active Ceased
- 2016-05-02 KR KR1020187033907A patent/KR102136020B1/ko active Active
- 2016-05-02 CA CA3022783A patent/CA3022783C/en active Active
- 2016-05-02 MX MX2018012644A patent/MX384510B/es unknown
- 2016-05-02 PL PL20159736T patent/PL3678293T3/pl unknown
- 2016-05-02 US US15/316,562 patent/US10320341B2/en active Active
- 2016-05-02 RU RU2018142123A patent/RU2726828C1/ru active
- 2016-05-02 ES ES20159736T patent/ES2895672T3/es active Active
- 2016-05-02 EP EP16719433.1A patent/EP3453111B1/en active Active
- 2016-05-02 SG SG11201811284YA patent/SG11201811284YA/en unknown
- 2016-05-02 BR BR112018071277-9A patent/BR112018071277B1/pt active IP Right Grant
- 2016-05-02 MY MYPI2018703785A patent/MY188631A/en unknown
- 2016-05-02 DK DK16719433.1T patent/DK3453111T3/da active
- 2016-05-02 EP EP20159736.6A patent/EP3678293B1/en active Active
- 2016-05-02 JP JP2018554548A patent/JP7002468B2/ja active Active
- 2016-05-02 DK DK20159736.6T patent/DK3678293T3/da active
- 2016-05-02 CN CN201680085263.4A patent/CN109075747B/zh active Active
- 2016-05-02 CN CN202210723190.4A patent/CN115208333A/zh active Pending
- 2016-05-02 ES ES16719433T patent/ES2794774T3/es active Active
-
2017
- 2017-04-28 AR ARP170101108A patent/AR108261A1/es active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-09 ZA ZA2018/06723A patent/ZA201806723B/en unknown
-
2019
- 2019-05-29 US US16/425,691 patent/US10673393B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-28 US US16/861,132 patent/US11290064B2/en active Active
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