ES2959638T3 - Tarjeta de memoria y terminal - Google Patents

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ES2959638T3 ES19748275T ES19748275T ES2959638T3 ES 2959638 T3 ES2959638 T3 ES 2959638T3 ES 19748275 T ES19748275 T ES 19748275T ES 19748275 T ES19748275 T ES 19748275T ES 2959638 T3 ES2959638 T3 ES 2959638T3
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Abstract

El presente documento proporciona una tarjeta de memoria y un terminal. La tarjeta de memoria comprende: una unidad de memoria, una unidad de control y una interfaz de tarjeta de memoria. La unidad de memoria y la unidad de control están dispuestas dentro de un cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La interfaz de la tarjeta de memoria está dispuesta en el cuerpo de la tarjeta de memoria. La unidad de control está conectada eléctricamente a la unidad de memoria y a la interfaz de la tarjeta de memoria. El tamaño y la forma de la tarjeta de memoria son idénticos a los de las tarjetas nano-SIM. La invención proporciona una tarjeta nano-SD para permitir que la tarjeta de memoria proporcionada por la realización se inserte en una ranura para tarjeta nano-SIM. Es decir, la tarjeta de memoria y las tarjetas nano-SIM pueden compartir la misma ranura para tarjetas nano-SIM. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Tarjeta de memoria y terminal
Campo técnico
Esta solicitud está relacionada con tecnologías de comunicaciones, y en particular, con una tarjeta de memoria y un terminal.
Antecedentes
Con el desarrollo de tecnologías de terminales, los terminales se han convertido en importantes herramientas de comunicación en la vida y el trabajo de las personas. Actualmente, una tarjeta de módulo de identidad de abonado (Subscriber Identity Module, SIM) y una tarjeta de memoria digital segura (Secure Digital Memory, SD) se disponen en un terminal. Además, el terminal puede realizar comunicación al usar la tarjeta SIM, y el terminal puede almacenar datos en la tarjeta SD.
En la técnica anterior, en un terminal se configuran tarjetas nano SIM duales. Específicamente, el terminal proporciona dos soportes de tarjeta nano SIM, y las dos tarjetas nano SIM se pueden insertar por separado en los soportes de tarjeta nano SIM, de modo que el terminal implementa comunicación al usar las tarjetas nano SIM duales.
Sin embargo, cuando un usuario usa el terminal, el usuario usualmente configura únicamente una tarjeta nano SIM en el terminal y usa únicamente una tarjeta nano SIM. Por lo tanto, ninguna tarjeta nano SIM se inserta en el otro soporte de tarjeta en el terminal, desperdiciando espacio del terminal. Adicionalmente, una tarjeta SD proporcionada en la técnica anterior es una tarjeta Micro-SD, y formas y definiciones de interfaz de la tarjeta Micro-SD existente y la tarjeta nano SIM son completamente incompatibles. Por lo tanto, un soporte de tarjeta Micro-SD compatible con la tarjeta Micro-SD existente se dispone además en el terminal. Como un diseño de terminal es cada vez más compacto, la optimización del espacio de diseño se vuelve una cuestión difícil en la industria.
El documento US 2004/210715 A1 divulga que las funciones de SIM y memoria se proporcionan simplemente en una misma tarjeta.
El documento CN 106 127 285 A divulga un módulo SIM y un módulo intrabase de tarjeta SD Secure Digital de identificación de cliente se integran en una tarjeta de circuito integrado.
Compendio
La presente invención se define por la tarjeta de memoria de la reivindicación 1 independiente, por el terminal de la reivindicación 15 y por el sistema de la reivindicación 16.
Rasgos adicionales de la invención se presentan en las reivindicaciones dependientes. A continuación, partes de la descripción y los dibujos que hacen referencia a realizaciones, que no están cubiertas por las reivindicaciones no se presentan como realizaciones de la invención, sino como ejemplos útiles para entender la invención.
Esta solicitud proporciona una tarjeta de memoria y un terminal, para resolver el problema de que se desperdicia espacio de terminal porque no se usa un soporte de tarjeta nano SIM en un terminal que proporciona dos soportes de tarjeta nano SIM, y que una tarjeta Micra-SD existente es completamente incompatible con una tarjeta nano SIM.
En los aspectos anteriores, se proporciona la tarjeta de memoria que incluye la unidad de almacenamiento, la unidad de control, y la interfaz de tarjeta de memoria. La unidad de almacenamiento y la unidad de control se disponen dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La interfaz de tarjeta de memoria se dispone en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La unidad de control se conecta eléctricamente a la unidad de almacenamiento y la interfaz de tarjeta de memoria por separado. Como la forma de la tarjeta de memoria es la misma que la de la tarjeta nano SIM de módulo de identidad de abonado, y el tamaño de la tarjeta de memoria es el mismo que el de la tarjeta nano SIM, se proporciona una tarjeta nano SD, de modo que la tarjeta de memoria proporcionada en las realizaciones se puede insertar en un soporte de tarjeta nano SIM. Además, la tarjeta de memoria y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM.
Breve descripción de los dibujos
La FIG. 1 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 2 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta nano SIM en la técnica anterior;
la FIG. 3 es un diagrama estructural esquemático 1 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 3a es un diagrama estructural esquemático 2 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 3b es un diagrama estructural esquemático 3 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 3c es un diagrama estructural esquemático 4 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 4 es un diagrama estructural esquemático 1 de todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 4a es un diagrama estructural esquemático 2 de todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 5 es un diagrama estructural esquemático de incluso otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; la FIG. 6 es un diagrama estructural esquemático de todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
La FIG. 7 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud;
La FIG. 8 es un diagrama estructural esquemático de todavía una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud;
La FIG. 9 es un diagrama estructural esquemático de incluso una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud;
la FIG. 10 es un diagrama estructural esquemático de todavía incluso una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud;
la FIG. 11 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 12 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 13 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 14 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 15 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 16 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 17 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 18 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 19 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 20 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 21 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 22 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 23 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 24 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 25 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 26 es un diagrama de circuito de un terminal según una realización de esta solicitud;
la FIG. 27 es un diagrama estructural esquemático 1 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 28 es un diagrama estructural esquemático 2 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 29 es un diagrama estructural esquemático 3 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 30 es un diagrama estructural esquemático 4 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 31 es un diagrama estructural esquemático 5 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 32 es un diagrama estructural esquemático 6 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud;
la FIG. 33 es un diagrama estructural esquemático 7 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud; y
la FIG. 34 es un diagrama de circuito de detección para detectar la inserción y la retirada de una tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud.
Descripción de las realizaciones
Las realizaciones de esta solicitud se aplican a un aparato de comunicaciones. A continuación se explican y se describen algunos términos en esta solicitud, para facilitar el entendimiento de un experto en la técnica. Se debe observar que cuando las soluciones en las realizaciones de esta solicitud se aplican para un aparato de comunicaciones actual o un aparato de comunicaciones que puede emerger en el futuro, los nombres de una tarjeta de memoria y un terminal pueden cambiar, pero esto no afecta a la implementación de las soluciones en las realizaciones de esta solicitud.
Primero se explican términos técnicos mencionados en esta solicitud:
(1) Bus serie universal (Universal Serial Bus, USB): El bus serie universal es un estándar de bus de puerto serie para un conexión entre un sistema informático y un dispositivo externo, también es una especificación técnica para interfaces de entrada/salida, y se aplica ampliamente a productos de comunicación de información tales como un ordenador personal y un dispositivo móvil.
(2) Norma 1394 del Instituto de ingenieros eléctricos y electrónicos (Institute of Electrical And Electronics Engineers, IEEE): La norma IEEE 1394 es un estándar de serie.
(3) Terminal: El terminal puede incluir diversos dispositivos de mano con una función de comunicación, un dispositivo en un vehículo, un dispositivo portable, un dispositivo doméstico inteligente, un dispositivo informático u otro dispositivo de procesamiento conectado a un módem inalámbrico, y terminales en diversas formas, por ejemplo, una estación móvil (Mobile Station, MS), un terminal (Terminal), equipo de usuario (User Equipment, UE), y un terminal de software, tal como un medidor de agua, un medidor de potencia y un sensor.
Se debe observar que para nombres o términos mencionados en las realizaciones de esta solicitud, se pueden hacer referencia entre sí, y no se describen detalles de nuevo.
Se debe observar que en las realizaciones de esta solicitud cuando se usa una tarjeta de memoria en una misma forma y tamaño que las de una tarjeta nano SIM para implementar una función de almacenamiento, un tipo de la tarjeta de memoria no se limita a la tarjeta SD en los ejemplos anteriores. En las realizaciones de esta solicitud, la tarjeta de memoria puede ser como alternativa una tarjeta de memoria en función de un protocolo de interfaz tal como bus serie universal (Universal Serial Bus, USB), interconexión exprés de componentes periféricos (Peripheral Component Interconnect Express, PCIE), almacenamiento flash universal (Universal Flash Storage, UFS), tarjeta multimedia (Multimedia Card, m Mc ), o tarjeta multimedia incrustada (Embedded Multimedia Card, EMMC).
A continuación se describe una solución técnica en un ejemplo con referencia a un dibujo de referencia en el ejemplo. En la técnica anterior, una tarjeta Micro-SD o una tarjeta nano SIM se pueden configurar en un terminal actual. Un tamaño de la tarjeta Micro-SD es de 11 milímetros (mm) x 15 milímetros. Un tamaño de la tarjeta nano SIM es de 8,8 milímetros x 12,3 milímetros. El tamaño de la tarjeta Micro-SD es mayor que el de la tarjeta nano SIM en 56 mm2. Por lo tanto, un tamaño de un soporte de tarjeta Micro-SD es mayor que el de un soporte de tarjeta nano SIM en 130 mm2. Se puede aprender que la tarjeta Micro-SD no se puede insertar en el soporte de tarjeta nano SIM. Sin embargo, cuando el terminal proporciona dos soportes de tarjeta nano SIM, un usuario usualmente configura únicamente una tarjeta nano SIM en el terminal y usa únicamente la tarjeta nano SIM. Por lo tanto, ninguna tarjeta nano SIM se inserta en el otro soporte de tarjeta nano SIM en el terminal, desperdiciando espacio del terminal. Adicionalmente, como la tarjeta Micro-SD no se puede insertar en el soporte de tarjeta nano SIM, el terminal configurado con los soportes de tarjeta nano SIM duales no puede almacenar datos.
Un pin en las realizaciones de esta solicitud es un contacto metálico. Para ser específicos, el pin puede ser un contacto con un área de contacto y una función de conducción. Al pin en las realizaciones de esta solicitud se le puede hacer referencia como terminal de conexión. Un nombre específico del pin no está limitado específicamente.
En las realizaciones de esta solicitud, que A y B "son correspondientes" también se puede referir a que hay una asignación entre A y B. Esto indica que A y B son correspondientes/se han asignado a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM. Por ejemplo, una región, en un cuerpo de tarjeta de una tarjeta de memoria, en la que se ubica un pin de señal de reloj de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en un cuerpo de tarjeta de una tarjeta nano SIM, en la que se ubica un pin de señal de reloj de la tarjeta nano SIM. En esta memoria, "correspondiente" también se puede referir a que el pin de señal de reloj de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de reloj de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el pin de señal de reloj de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
En las realizaciones de esta solicitud, un "pin de suministro de energía" de una tarjeta de memoria es un "primer contacto metálico de la tarjeta de memoria", un "pin de transmisión de datos" de la tarjeta de memoria es un "segundo contacto metálico de la tarjeta de memoria", un "pin de señal de control" de la tarjeta de memoria es un "tercer contacto metálico de la tarjeta de memoria", un "pin de señal de reloj" de la tarjeta de memoria es un "cuarto contacto metálico de la tarjeta de memoria", un "pin de señal de tierra" de la tarjeta de memoria es un "quinto contacto metálico de la tarjeta de memoria", un "primer pin de transmisión de datos" de la tarjeta de memoria es el "segundo contacto metálico", un "segundo pin de transmisión de datos" de la tarjeta de memoria es un "sexto contacto metálico", un "tercer pin de transmisión de datos" de la tarjeta de memoria es un "séptimo contacto metálico", y un "cuarto pin de transmisión de datos" de la tarjeta de memoria es un "octavo contacto metálico".
En las realizaciones de esta solicitud, un "pin de señal de reloj" de una tarjeta nano SIM es un "primer contacto metálico de la tarjeta nano SIM", un "pin de señal de restablecimiento" de la tarjeta nano SIM es un "segundo contacto metálico de la tarjeta nano SIM", un "pin de suministro de energía" de la tarjeta nano SIM es un "tercer contacto metálico de la tarjeta nano SIM", un "pin de transmisión de datos" de la tarjeta nano SIM es un "cuarto contacto metálico de la tarjeta nano SIM", un "pin de señal/tensión de programación" de la tarjeta nano SIM es un "quinto contacto metálico de la tarjeta nano SIM", y un "pin de señal de tierra" de la tarjeta nano SIM es un "sexto contacto metálico de la tarjeta nano SIM".
La FIG. 1 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG 1, la tarjeta de memoria incluye: una unidad de almacenamiento, una unidad de control y una interfaz de tarjeta de memoria. La unidad de almacenamiento y la unidad de control se disponen dentro un cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La interfaz de tarjeta de memoria se dispone en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La unidad de control se conecta eléctricamente a la unidad de almacenamiento y la interfaz de tarjeta de memoria por separado. Una forma de la tarjeta de memoria es la misma que la de una tarjeta nano SIM, y un tamaño de la tarjeta de memoria es la misma que la de la tarjeta nano SIM.
La interfaz de tarjeta de memoria incluye al menos un pin de suministro de energía, un pin de transmisión de datos, un pin de señal de control, un pin de señal de reloj y un pin de señal de tierra.
En una implementación opcional, todos del pin de suministro de energía, el pin de transmisión de datos, el pin de señal de control, el pin de señal de reloj y el pin de señal de tierra se ubican en una misma superficie lateral del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, la tarjeta de memoria incluye la unidad de almacenamiento, la unidad de control y la interfaz de tarjeta de memoria. Adicionalmente, la tarjeta de memoria incluye además un circuito de accionamiento de interfaz. La unidad de almacenamiento, la unidad de control y el circuito de accionamiento de interfaz se disponen dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, y la interfaz de tarjeta de memoria se dispone en una superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
Adicionalmente, la unidad de control se conecta eléctricamente a la unidad de almacenamiento y la interfaz de tarjeta de memoria por separado. Específicamente, el circuito de accionamiento de interfaz se conecta eléctricamente a la interfaz de tarjeta de memoria y la unidad de control. Además, el circuito de accionamiento de interfaz conecta eléctricamente la interfaz de tarjeta de memoria y la unidad de control, y conecta eléctricamente la unidad de control y la unidad de almacenamiento.
La interfaz de tarjeta de memoria incluye al menos un pin de suministro de energía, cuatro pines de transmisión de datos, un pin de señal de control, un pin de señal de reloj y un pin de señal de tierra. Todos del pin de suministro de energía, los pines de transmisión de datos, el pin de señal de control, el pin de señal de reloj y el pin de señal de tierra se disponen en una misma superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. Como se muestra en la FIG. 1, cada uno de los pines anteriores se denota 11 en la FIG. 1. Opcionalmente, el pin de suministro de energía de la tarjeta de memoria, los pines de transmisión de datos de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra de la tarjeta de memoria son contactos planos conectados a una superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En una implementación opcional, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria se dispone al menos un cable. El al menos un cable se ubica entre los pines en la interfaz de tarjeta de memoria. El al menos un cable se configura para conectar la unidad de almacenamiento y la unidad de control. El al menos un cable se configura además para conectar la unidad de control y la interfaz de tarjeta de memoria.
Las ubicaciones de los pines de la interfaz de tarjeta de memoria en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria no están limitadas. Valores de longitud y valores de altura de los pines de la interfaz de tarjeta de memoria no están limitados. Formas de los pines (o contactos, o terminales de conexión) mencionados en esta realización pueden ser rectángulos regulares o puede ser formas irregulares. Las formas de los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) no están limitados en esta realización. Valores de distancia entre bordes de los pines de la interfaz de tarjeta de memoria y bordes laterales de la tarjeta de memoria no están limitados. Un valor de altura y un valor de longitud específicos de la tarjeta de memoria no están limitados.
Por ejemplo, en función de un ángulo de visión de la FIG. 1, una dirección longitudinal de la tarjeta de memoria es de izquierda a derecha, y una dirección de anchura de la tarjeta de memoria es de parte inferior a parte superior. Una longitud de la tarjeta de memoria es de 12,30 milímetros, con una tolerancia de 0,10 milímetros. Una anchura de la tarjeta de memoria es de 8,80 milímetros, con una tolerancia de 0,10 milímetros.
Una forma de la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud es la misma que la de una tarjeta nano SIM. Por ejemplo, la forma de la tarjeta nano SIM es un rectángulo, cuatro esquinas del rectángulo son esquinas redondas, y una hendidura de ubicación se proporciona en una de las cuatro esquinas del rectángulo. Además, la forma de la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud también es un rectángulo, cuatro esquinas del rectángulo son esquinas redondas, se proporciona un chaflán en una de las cuatro esquinas del rectángulo, y además, una hendidura de ubicación 12 se proporciona en la esquina. Adicionalmente, un tamaño de la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud es el mismo que el de la tarjeta nano SIM. Específicamente, la longitud de la tarjeta de memoria es la misma que la de la tarjeta nano SIM, la anchura de la tarjeta de memoria es la misma que la de una tarjeta nano SIM, y un tamaño de la hendidura de ubicación en la tarjeta de memoria es el mismo que el de hendidura de ubicación de la tarjeta nano SIM. Por lo tanto, la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud se puede insertar en un soporte de tarjeta nano SIM. Además, la tarjeta de memoria y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM.
La tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud puede ser cortada, y básicamente se puede adaptar a un caso de corte de tarjeta y un caso sin corte de tarjeta. Por ejemplo, en función del ángulo de visión de la FIG.
1, una dirección X de la tarjeta de memoria es desde la parte superior a la parte inferior, y una dirección Y de la tarjeta de memoria es de izquierda a derecha. La Tabla 1 muestra el acople entre la tarjeta nano SIM y un soporte de tarjeta nano SIM de un terminal, y el acople entre la tarjeta de memoria en esta realización y el soporte de tarjeta nano SIM del terminal.
Tabla 1 Análisis sobre una tolerancia de acople entre la tarjeta de memoria en esta solicitud y el soporte de tarjeta nano SIM del terminal
De la Tabla 1 se puede aprender que una tolerancia generada durante el acople entre la tarjeta de memoria en esta realización y el soporte de tarjeta nano SIM del terminal es la misma que la generada durante el encaje entre la tarjeta nano SIM y el soporte de tarjeta nano SIM del terminal. Por lo tanto, la tarjeta de memoria en esta realización puede encajar bien en el soporte de tarjeta nano SIM.
En esta realización, se proporciona la tarjeta de memoria que incluye la unidad de almacenamiento, la unidad de control y la interfaz de tarjeta de memoria. La unidad de almacenamiento y la unidad de control se disponen dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La interfaz de tarjeta de memoria se dispone en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. La unidad de control se conecta eléctricamente a la unidad de almacenamiento y la interfaz de tarjeta de memoria por separado. Como la forma de la tarjeta de memoria es la misma que la de del módulo de identidad de abonado tarjeta nano SIM, y el tamaño de la tarjeta de memoria es el mismo que el de la tarjeta nano SIM, se proporciona una tarjeta nano SD. Como se muestra en la FIG. 1, en la tarjeta nano SD se proporciona una hendidura de ubicación 12. Por lo tanto, la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización se puede insertar en el soporte de tarjeta nano SIM. Además, la tarjeta de memoria y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 2 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta nano SIM en la técnica anterior. Como se muestra en la FIG. 2, un pin de señal de reloj 31, un pin de señal de restablecimiento 32, un pin de suministro de energía 33, un pin de transmisión de datos 34, un pin de señal/tensión de programación 35 y un pin de señal de tierra 36 se disponen en un cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM. En las siguientes realizaciones, durante la división de pines, una forma y un tamaño de un pin obtenido a través de división no están limitados, y una forma y un tamaño de otro pin no están limitados tampoco. Por ejemplo, los bordes de pines de una tarjeta de memoria pueden tener chaflanes, o pueden no tener chaflanes. En las siguientes realizaciones, cuando se divide el pin, una forma y un tamaño de la tarjeta de memoria no están limitados tampoco. Por ejemplo, una hendidura de ubicación se pueden proporcionar en una esquina de la tarjeta de memoria.
La FIG. 3 es un diagrama estructural esquemático 1 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG.
3, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, como se muestra en la FIG. 2, un pin de señal de reloj (Clock Signal, CLK) 31, un pin de señal de restablecimiento (Reset Signal, RST) 32, un pin de suministro de energía (Power Supply, VCC) 33, un pin de línea de datos (Data Line, DAT) 34, un pin de señal de entrada/tensión de programación (Programming Voltage/Input Signal, VPP) 35, y un pin de señal de tierra (Power Supply Ground, GND) 36 se disponen en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM existente. Por ejemplo, puntos centrales del pin CLK 31, el pin RST 32 y el pin VCC 33 se ubican en una misma línea recta; puntos centrales del pin DAT 34, el pin VPP 35 y el pin GND 36 se ubican en una misma línea recta; y las dos líneas son paralelas.
Como se muestra en la FIG. 3, una interfaz de tarjeta de memoria de la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización de esta solicitud incluye al menos el pin de señal de reloj 21, el pin de suministro de energía 22, el pin de señal de control (comando/respuesta, command/response, CMD) 23, el pin de señal de tierra 24, el primer pin de transmisión de datos 25, el segundo pin de transmisión de datos 26, el tercer pin de transmisión de datos 27 y el cuarto pin de transmisión de datos 28.
Como se muestra en la FIG. 3, en esta realización, la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM. En esta memoria, "correspondiente" también se pueden referir a que el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM. La región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. En esta memoria, "correspondiente" también se puede referir a que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte del soporte de tarjeta nano SIM. Además, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria. Adicionalmente, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. La región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 está adyacente y aislado del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria. En esta memoria, "correspondiente" también se puede referir a que el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se asignan al pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, los dos pines, esto es, el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte del soporte de tarjeta nano SIM. Además, una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM, asegurando de ese modo que la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria no están limitados.
La región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM. La región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. Además, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Adicionalmente, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. La región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 está adyacente y aislado del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Además, una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM, asegurando de ese modo que la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, la FIG. 3a es un diagrama estructural esquemático 2 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 3a, las formas de los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria no están limitadas. Los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) pueden tener formas irregulares. De la FIG. 3a se puede aprender que no hay espaciamiento entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) de la tarjeta de memoria. Además, un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. El cable se configura para conectar la unidad de almacenamiento y la unidad de control. El cable se configura además para conectar la unidad de control y la interfaz de tarjeta de memoria. La FIG. 3b es un diagrama estructural esquemático 3 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG.
3b, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y también puede haber espaciamientos entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) y bordes de la tarjeta de memoria. Se puede aprender que los pines de la tarjeta de memoria no cubren totalmente una superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. Todos estos espaciamientos son regiones en la superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. Además, estas regiones se pueden configurar para disponer un cable. Para ser específicos, el cable se enruta en los espaciamientos entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) y los espaciamientos entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) y los bordes de la tarjeta de memoria. Adicionalmente, el cable se configura para conectar la unidad de almacenamiento y la unidad de control. El cable se configura además para conectar la unidad de control y la interfaz de tarjeta de memoria.
Adicionalmente, la FIG. 3c es un diagrama estructural esquemático 4 de otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 3c, en caso de la FIG. 3a, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria tiene una forma mostrada en la FIG. 3a. Consúltese una región rellenada por rayas en la FIG. 3c. La región rellenada por las rayas en la FIG. 3c indica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Para formas y espaciamientos de pines (o contactos, o terminales de conexión) en las siguientes realizaciones, consúltense las descripciones de las formas y espaciamientos de los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) en esta realización.
En los dibujos adjuntos de las siguientes realizaciones, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se denota como CLK, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se denota como VCC, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria se denota como CMD, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se denota como GND, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria se denota como D0, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se denota como D1, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se denota como D2 y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se denota como D3.
La FIG. 4 es un diagrama estructural esquemático 1 de todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 4, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El segundo pin de transmisión de datos 26 está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM, asegurando de ese modo que la tarjeta de memoria proporcionada en esta realización y la tarjeta nano SIM pueden compartir un mismo soporte de tarjeta nano SIM. Por ejemplo, la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican los cuatro pines anteriores es la misma que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, la FIG. 4a es un diagrama estructural esquemático 2 de todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 4a, formas de los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria no están limitados. Los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) pueden tener formas irregulares. Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM significa que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 5 es un diagrama estructural esquemático de incluso otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 5, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El primer pin de transmisión de datos 25 está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 está adyacente al pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 está adyacente al pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o los contactos, o los terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM significa que el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG 6 es un diagrama estructural esquemático de todavía incluso otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG 6, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria. Un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. En esta realización, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Además, un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, y un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Por lo tanto, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria que se añaden recientemente se colocan en un lado exterior de la tarjeta tan lejos como sea posible. Adicionalmente, una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible; y una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible. Por lo tanto, se puede aumentar un margen de tolerancia de la tarjeta nano SD.
Por ejemplo, en función de un ángulo de visión de la FIG. 6, de derecha a izquierda, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde, y la tarjeta de memoria tiene un primer borde lateral y un segundo borde lateral. Una longitud de una distancia desde el primer borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1 milímetro, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 4,9 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el primer borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 11,3 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 7,55 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros.
En función del ángulo de visión de la FIG. 6, de derecha a izquierda, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde. Una longitud de una distancia desde el primer borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 7,55 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 11,3 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el primer borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 4,9 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1 milímetro, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Para longitudes de distancias desde un primer borde y un segundo borde de otro pin en la FIG. 6 al primer borde lateral de la tarjeta de memoria y el segundo borde lateral de la tarjeta de memoria respectivamente, consúltense los datos anteriores.
En función del ángulo de visión de la FIG. 6, desde la parte superior a la parte inferior, la tarjeta de memoria tiene un tercer borde lateral y un cuarto borde lateral, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del cuarto pin de transmisión de datos<28>de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 0,2 milímetros, y una longitud máxima de una distancia desde el cuarto borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1,05 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1,4 milímetros, y una longitud máxima de una distancia desde el cuarto borde del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 2,6 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 3,35 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros; y una longitud máxima de una distancia desde el cuarto borde del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 5,25 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 6,05 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros; y una longitud máxima de una distancia desde el cuarto borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 7,95 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una distancia entre el tercer borde lateral de la tarjeta de memoria y el cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es de 8,8 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM significa que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 7 es un diagrama estructural esquemático de una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 7, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El tercer pin de transmisión de datos 27 se aísla del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 se aísla del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Por ejemplo, en función de un ángulo de visión de la FIG. 7, de izquierda a derecha, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde, la tarjeta de memoria tiene un primer borde lateral y un segundo borde lateral, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde, y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde. Una longitud máxima de una distancia desde el primer borde del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1,00 milímetro, y una longitud mínima de una distancia desde el segundo borde del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 3,00 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el primer borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 4,81 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el segundo borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 6,81 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el primer borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 8,62 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el segundo borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al primer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 10,02 milímetros. Un valor de distancia entre el primer borde lateral de la tarjeta de memoria y el segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 12,30 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Una longitud de una distancia desde el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1,65 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros. Un ángulo de una hendidura de ubicación de la tarjeta de memoria es un ángulo de 45 grados. Para longitudes de distancias desde un primer borde y un segundo borde de otro pin en la FIG. 7 al primer borde lateral de la tarjeta de memoria y el segundo borde lateral de la tarjeta de memoria respectivamente, colsúltense los datos anteriores.
En función del ángulo de visión de la FIG. 7, desde la parte superior a la parte inferior, la tarjeta de memoria tiene un tercer borde lateral y un cuarto borde lateral, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde, y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 0,81 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el cuarto borde del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 2,51 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 6,29 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el cuarto borde del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 7,99 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 1,01 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el cuarto borde del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 2,71 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 3,55 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el cuarto borde del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es 5,25 milímetros. Una longitud máxima de una distancia desde el tercer borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 6,09 milímetros, y una longitud mínima de una distancia desde el cuarto borde del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria al tercer borde lateral de la tarjeta de memoria es de 7,79 milímetros. Un valor de distancia entre el tercer borde lateral de la tarjeta de memoria y el cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es de 8,80 milímetros, con una tolerancia de 0,1 milímetros.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM significa que el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 8 es un diagrama estructural esquemático de todavía una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 8, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Además, una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM significa que el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 9 es un diagrama estructural esquemático de incluso una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 9, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. Un pin de señal de reloj de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El segundo pin de transmisión de datos 26 está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria.
En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Por ejemplo, que la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a la región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM significa que el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se asigna al pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Para ser específicos, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 3 de la tarjeta nano SIM son correspondientes/se asignan a un mismo resorte de un soporte de tarjeta nano SIM.
La FIG. 10 es un diagrama estructural esquemático de todavía incluso una tarjeta de memoria adicional según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG.
1, como se muestra en la FIG. 10, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El primer pin de transmisión de datos 25 está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG. 11 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 11, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos de la tarjeta de memoria. Un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. En esta realización, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Además, un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, y un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Por lo tanto, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria que se añaden recientemente se colocan en un lado exterior de la tarjeta tan lejos como sea posible. Adicionalmente, una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible; y una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible. Por lo tanto, se puede aumentar un margen de tolerancia de la tarjeta nano SD.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 12 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 12, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 se aísla del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. El tercer pin de transmisión de datos 27 se aísla del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 13 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 13, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 14 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 14, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, se ubican es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. En esta realización, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Además, un área del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es mayor que la del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, y un área del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es mayor que la del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Por lo tanto, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria que se añaden recientemente se colocan en un lado exterior de la tarjeta tan lejos como sea posible. Adicionalmente, una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible; y una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, de un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una ubicación, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM lo máximo posible. Por lo tanto, se puede aumentar un margen de tolerancia de la tarjeta nano SD.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 15 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 15, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos<26>de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 16 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 16, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
[El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 17 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 17, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 18 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 18, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el segundo pin de transmisión de datos 26 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 19 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 19, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 20 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 20, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 21 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 21, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El primer pin de transmisión de datos 25 está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria se conecta al pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 22 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 22, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 y el tercer pin de transmisión de datos 27 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM. El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria está adyacente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente y aislado del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Formas y tamaños del pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 23 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 23, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El tercer pin de transmisión de datos 27 se aísla del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 se aísla del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubican el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 24 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 24, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. El tercer pin de transmisión de datos 27 se aísla del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria.
El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 se aísla del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26.
En esta realización, específicamente, de la disposición de pines anterior se puede aprender que una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican tres pines, esto es, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM.
El tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y un punto central del pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria. El cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se dispone entre el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria. Opcionalmente, un punto central del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se ubica en una línea de conexión entre un punto central del pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria y un punto central del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La FIG 25 es un diagrama estructural esquemático de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Sobre la base de la tarjeta de memoria proporcionada en la realización mostrada en la FIG. 1, como se muestra en la FIG. 25, la tarjeta de memoria incluye cuatro pines de transmisión de datos. Los cuatro pines de transmisión de datos son un primer pin de transmisión de datos 25, un segundo pin de transmisión de datos 26, un tercer pin de transmisión de datos 27 y un cuarto pin de transmisión de datos 28.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de restablecimiento 32 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer pin de transmisión de datos 27 y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria ocupa una parte de una región del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se aísla del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. El pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria está adyacente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal/tensión de programación 35 de la tarjeta nano SIM.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto pin de transmisión de datos 28 y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria ocupa una parte de una región del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se aísla del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. El pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria está adyacente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria.
En esta realización, específicamente, además, una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, y el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de señal de reloj 31, el pin de señal de restablecimiento 32 y el pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de suministro de energía 33 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Adicionalmente, el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria ocupa una parte de una región del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. De la FIG. 25 se puede aprender que el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria ocupa una esquina del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria y el pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria y el primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubican cuatro pines, esto es, el segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, y el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria, es correspondiente a una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta nano SIM, en la que se ubica el pin de transmisión de datos 34, el pin de señal/tensión de programación 35 y el pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM. Se puede aprender que el cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria se obtienen al dividir la región del pin de señal de tierra 36 de la tarjeta nano SIM en dos pines. Adicionalmente, el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria ocupa una parte de una región del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. De la FIG. 25 se puede aprender que el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria ocupa una esquina del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria. Formas y tamaños del cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria no están limitados. Adicionalmente, formas y tamaños del segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria y el pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria no están limitados.
Adicionalmente, en esta realización, puede haber espaciamientos entre los pines (o contactos, o terminales de conexión) de la tarjeta de memoria, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria se puede disponer en una superficie de estos espaciamientos; o puede no haber espaciamiento, y por lo tanto un cable de la tarjeta de memoria puede estar dentro del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria. En esta realización, "correspondiente" también se puede denominar relación de asignación. Consúltense las descripciones en las realizaciones anteriores.
La tarjeta nano SIM en esta realización es una tarjeta micro SIM, también se denomina placa de circuito integrado de cuarto factor de forma, y también se denomina tarjeta NanoSIM, tarjeta Nano SIM, tarjeta nano SIM, tarjeta Nano Sim, tarjeta Nano Sim, tarjeta nano-SIM, tarjeta nanoSIM, tarjeta nano SIM, tarjeta nano-Sim, tarjeta nanoSim, tarjeta nano Sim, tarjeta nano-sim, tarjeta nanosim o tarjeta nano sim.
La tarjeta de memoria en esta realización es una tarjeta de memoria en básicamente la misma forma y básicamente el mismo tamaño que la tarjeta nano SIM en esta realización de la presente invención.
Un pin en las siguientes realizaciones puede ser un contacto metálico. Para ser específicos, el pin puede ser un contacto con un área de contacto y una función de conducción. Al pin en las realizaciones de esta solicitud se le puede hacer referencia como terminal de conexión. Un nombre específico del pin no está limitado específicamente.
La FIG. 27 es un diagrama estructural esquemático 1 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. La FIG 28 es un diagrama estructural esquemático 2 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 27 y la FIG. 28, la FIG. 27 muestra una estructura de la tarjeta de memoria, y la FIG. 28 muestra que en la tarjeta de memoria se disponen ocho pines. Para cada pin se proporciona una denotación de pin. Las denotaciones de pin son 1,2, 3, 4, 5, 6, 7 y 8. Desde un ángulo de visión de la FIG. 28, un pin 4 se dispone debajo de un pin 3, y el pin 4 tiene forma de "L"; y un pin 5 se dispone debajo de un pin 6, y el pin 5 tiene forma de "L".
Tabla 2 Manera de configuración de los pines en la tarjeta de memoria
Como se muestra en la Tabla 2, la tarjeta de memoria puede estar en dos modos de trabajo: el modo de tarjeta de memoria y el modo SPI.
Como se muestra en la Tabla 2, cuando la tarjeta de memoria está en el modo de tarjeta de memoria, los pines de la tarjeta de memoria son de la siguiente manera: Un pin con la denotación de pin de 1 es DAT1, el pin es correspondiente a la línea de datos [bit 1] línea de datos [Bit 1], el pin DAT1 se configura para transmitir datos, y DAT es un pin de datos (data pin). Un pin con la denotación pin de 2 es CMD (pin de comando, pin de comando), el pin es un pin de comando/respuesta (command/response), y el pin CMD se configura para transmitir una señal de comando de control. Un pin con la denotación de pin de 3 es GND, el pin es un pin de tierra (ground), y el pin GND se configura para transmitir una señal de tierra de referencia. Un pin con la denotación de pin de 4 es CD/DAT3, el pin es correspondiente a la línea de datos/detección de tarjeta [bit 3] (línea de datos/detección de tarjeta [Bit 3]), el pin CD se configura para transmitir una señal de detección de tarjeta, y el pin DAT3 se configura para transmitir datos. Un pin con la denotación de pin de 5 es DAT2, el pin es correspondiente a la línea de datos [bit 2] (línea de datos [Bit 2]), y el pin DAT2 se configura para transmitir datos. Un pin con la denotación de pin de 6 es VDD, el pin es una señal de pin de suministro de energía, y el pin VDD se configura para transmitir una señal de suministro de energía. Un pin con la denotación de pin de 7 es DAT0, el pin es correspondiente a la línea de datos [bit 0] línea de datos [Bit 0], y el pin DAT0 se configura para transmitir datos. Un pin con la denotación de pin de 8 es CLK (pin de entrada de reloj, pin de entrada de reloj), el pin es correspondiente al reloj (clock), y el pin CLK se configura para transmitir una señal de reloj.
Como se muestra en la Tabla 2, cuando la tarjeta de memoria está en el modo SPI, los pines de la tarjeta de memoria son de la siguiente manera: Un pin con la denotación de pin de 1 es RSV, y el pin es un elemento reservado (reserved). Un pin con la denotación de pin de 2 es DI, el pin es correspondiente a la entrada de datos (data imput), y el pin DI se configura para transmitir una señal de entrada de datos. Un pin con la denotación de pin de 3 es GND, el pin es un pin de tierra (ground), y el pin GND se configura para transmitir una señal de tierra de referencia. Un pin con la denotación de pin de 4 es CS, el pin es correspondiente a la selección de chip, y el pin CS se configura para transmitir una señal de selección de chip. Un pin con la denotación de pin de 5 es RSV, y el pin es un elemento reservado (reserved). Un pin con la denotación de pin de 6 es VDD, el pin es una señal de pin de suministro de energía, y el pin VDD se configura para transmitir una señal de suministro de energía. Un pin con la denotación de pin de 7 es DO, el pin es correspondiente a la salida de datos (data output), y el pin DO se configura para transmitir una señal de datos de salida. Un pin con la denotación de pin de 8 es CLK, el pin es correspondiente al reloj (clock), y el pin CLK se configura para transmitir una señal de reloj.
Adicionalmente, la FIG. 29 es un diagrama estructural esquemático 3 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 29, hay distancias específicas entre los pines de la tarjeta de memoria. La FIG. 30 es un diagrama estructural esquemático 4 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. La FIG. 30 muestra una estructura lateral de la tarjeta de memoria, y la tarjeta de memoria tiene un grosor específico.
Como se muestra en la FIG. 27, se puede proporcionar una esquina redonda en al menos un bisel de la tarjeta de memoria. Por ejemplo, como se muestra en la FIG. 27, se puede proporcionar una esquina redonda R1 en una esquina superior izquierda de la tarjeta de memoria, se puede proporcionar una esquina redonda R2 en una esquina superior derecha de la tarjeta de memoria, se pueden proporcionar por separado esquinas redondas R3 y R4 en una esquina inferior izquierda de la tarjeta de memoria, y se puede proporcionar una esquina redonda R5 en una esquina inferior derecha de la tarjeta de memoria. La tarjeta de memoria tiene una anchura A y una altura B. Para valores de la anchura A y la altura B, consúltese la Tabla 3.
Como se muestra en la FIG. 29, en función de un ángulo de visión de la FIG. 29, de derecha a izquierda, la tarjeta de memoria tiene un primer borde lateral y un segundo borde lateral; de derecha a izquierda, el pin 8 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde; y de derecha a izquierda, el pin 1 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde. Una longitud de una distancia desde el primer borde del pin 8 al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es A1. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del pin 8 al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es A2. Una longitud de una distancia desde el primer borde del pin 1 al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es A3. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del pin 1 al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es A4. Adicionalmente, de derecha a izquierda, el pin 7 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde; y de derecha a izquierda, el pin 2 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde.
Como se muestra en la FIG. 29, en función del ángulo de visión de la FIG. 29, de derecha a izquierda, hay un primer borde y un segundo borde en la parte superior del pin 5 en forma de "L", y hay un tercer borde en la izquierda del pin 5; de derecha a izquierda, el pin 6 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde; de derecha a izquierda, el pin 3 de la tarjeta de memoria tiene un primer borde y un segundo borde; de derecha a izquierda, hay un primer borde en la derecha del pin 4 en forma de "L"; y de derecha a izquierda, hay un segundo borde y un tercer borde en la parte superior del pin 4. Una longitud de una distancia desde el primer borde lateral de la tarjeta de memoria al primer borde del pin 5 es A11. Una longitud de una distancia desde el primer borde del pin 5 al segundo borde del pin 5 es A12. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del pin 5 al primer borde del pin 6 es A9. Una longitud de una distancia desde el primer borde del pin 6 al tercer borde del pin 5 es A10. Una longitud de una distancia desde el primer borde del pin 4 al segundo borde del pin 3 es A8. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del pin 3 al segundo borde del pin 4 es A7. Una longitud de una distancia desde el segundo borde del pin 4 al tercer borde del pin 4 es A6. Una longitud de una distancia desde el tercer borde del pin 4 al segundo borde lateral de la tarjeta de memoria es A5.
Como se muestra en la FIG. 29, en función del ángulo de visión de la FIG. 29, desde la parte superior a la parte inferior, la tarjeta de memoria tiene un tercer borde lateral y un cuarto borde lateral; desde la parte superior a la parte inferior, el pin 8 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, el pin 7 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, el pin 6 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, hay un cuarto borde en la parte superior del pin 5 en forma de "L"; y desde la parte superior a la parte inferior, hay un quinto borde y un sexto borde en la parte inferior del pin 5. De manera semejante, desde la parte superior a la parte inferior, el pin 1 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, el pin 2 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, el pin 3 de la tarjeta de memoria tiene un tercer borde y un cuarto borde; desde la parte superior a la parte inferior, hay un cuarto borde en la parte superior del pin 4 en forma de "L"; y desde la parte superior a la parte inferior, hay un quinto borde y un sexto borde en la parte inferior del pin 4. Una longitud de una distancia desde el tercer borde lateral de la tarjeta de memoria al primer borde del pin 8 es B10. Una longitud de una distancia desde el tercer borde del pin 8 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B1. Una longitud de una distancia desde el cuarto borde del pin 8 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B2. Una longitud de una distancia desde el tercer borde del pin 7 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B3. Una longitud de una distancia desde el cuarto borde del pin 7 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B4. Una longitud de una distancia desde el tercer borde del pin 6 al cuarto borde del pin 6 es B5. Una longitud de una distancia desde el cuarto borde del pin 6 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B6. Una longitud de una distancia desde el quinto borde del pin 5 al sexto borde del pin 5 es B7. Una longitud de una distancia desde el sexto borde del pin 5 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B8. Una longitud de una distancia desde el tercer borde del pin 3 al cuarto borde lateral de la tarjeta de memoria es B9.
En función del ángulo de visión de la FIG. 29, hay una esquina redonda R6 en una esquina superior derecha de la tarjeta de memoria, hay una esquina redonda R7 en una esquina superior izquierda del pin 1, hay una esquina redonda R8 en una esquina inferior izquierda del pin 3, hay una esquina redonda R9 en una curva del pin 4 en forma de "L", y hay una esquina redonda R10 en una esquina inferior izquierda del pin 4.
Como se muestra en la FIG. 30, el grosor de la tarjeta de memoria es C.
Para las longitudes y grosores anteriores, consúltese la Tabla 3. Los números mostrados en la Tabla 3 están en unidad de milímetro (mm).
Tabla 3 Distancias entre los pines en la tarjeta de memoria
Opcionalmente, la FIG. 31 es un diagrama estructural esquemático 5 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 31, para mejorar la fiabilidad de la tarjeta, a lo largo de un borde de la tarjeta de memoria se proporciona un área de exclusión (Keep Out Area) que se extiende hacia dentro. El área de exclusión es una región en la que se prohíbe la disposición de líneas de transmisión. Las líneas de transmisión pueden incluir una línea de señal, una línea de alimentación, una línea de control y similares. Por ejemplo, como se muestra en la FIG. 31, la tarjeta de memoria tiene cuatro bordes, y en los cuatro bordes se proporcionan áreas de exclusión. Las cuatro áreas de exclusión se denotan por el símbolo D1, el símbolo D2, el símbolo D3 y el símbolo D4. D1, D2, D3 y D4 también pueden identificar distancias a las que las cuatro áreas de exclusión se extienden hacia dentro a lo largo de los bordes de la tarjeta de memoria.
Un tamaño mínimo de una anchura de cada una del área de exclusión D1, el área de exclusión D2, el área de exclusión D3, y el área de exclusión D4 de la tarjeta de memoria puede ser de 0,15 milímetros (mm).
Una longitud de la tarjeta de memoria en esta realización de la presente invención puede ser aproximadamente 12,3 milímetros, y una desviación de un tamaño de longitud puede ser aproximadamente 0,1 milímetros. En otras palabras, la longitud de la tarjeta de memoria en esta realización de la presente invención puede ir de 12,2 milímetros a 12,4 milímetros.
Una anchura de la tarjeta de memoria en esta realización de la presente invención puede ser aproximadamente 8,8 milímetros, y una desviación de un tamaño de anchura puede ser aproximadamente 0,1 milímetros. En otras palabras, la anchura de la tarjeta de memoria en esta realización de la presente invención puede ir de 8,7 milímetros a 8,9 milímetros.
El grosor de la tarjeta de memoria en esta realización de la presente invención puede ser aproximadamente 0,7 milímetros, una desviación positiva de un tamaño grosor puede ser 0,14 milímetros, y una desviación negativa del tamaño de grosor puede ser aproximadamente 0,1 milímetros. En otras palabras, el grosor de la tarjeta de memoria puede ir de 0,6 milímetros a 0,84 milímetros.
La FIG. 32 es un diagrama estructural esquemático 6 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 32, se disponen pines en regiones sombreadas mostradas en la FIG. 32. Se pueden disponer materiales conductores en las regiones sombreadas, de modo que los materiales conductores constituyen los pines de la tarjeta de memoria. Materiales no conductores se disponen en regiones no sombreadas mostradas en la FIG. 31, para constituir regiones no conductoras.
La FIG. 33 es un diagrama estructural esquemático 7 de incluso todavía otra tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 33, se disponen pines en regiones no sombreadas mostradas en la FIG. 33. Se pueden disponer materiales conductores en las regiones no sombreadas, de modo que los materiales conductores constituyen los pines de la tarjeta de memoria. Se disponen materiales no conductores en regiones sombreadas mostradas en la FIG. 33, para constituir regiones no conductoras.
Para constituir cada pin se puede usar uno o más tipos de materiales conductores. Por ejemplo, el material conductor puede ser oro o cobre. Adicionalmente, un material conductor no está suspendido, y una altura de la tarjeta de memoria en una región en la que se ubica el material conductor es menor o igual a la de una región en la que se ubica un material no conductor. El material conductor no sobresale de un borde de la tarjeta de memoria. En otras palabras, el material conductor no se ubica en un borde lateral de la tarjeta de memoria. Una anchura de la tarjeta de memoria en la región en la que se ubica el material conductor es menor o igual a la de la región en la que se ubica el material no conductor. Una longitud de la tarjeta de memoria en la región en la que se ubica el material conductor es menor o igual a la de la región en la que se ubica el material no conductor.
Opcionalmente, se puede proporcionar una vía en un área de exclusión de la tarjeta de memoria. La vía no se proporciona en una ubicación de un pin.
La tarjeta de memoria proporcionada en esta realización se puede insertar en un soporte de tarjeta nano SIM de un terminal. El soporte de tarjeta nano SIM también se puede referir a conector de tarjeta o una conector de tarjeta de memoria. Un resorte se dispone en el soporte de tarjeta nano SIM. Como se ha descrito anteriormente, el resorte es correspondiente a un pin en la tarjeta de memoria.
Cuando la tarjeta de memoria se inserta en el soporte de tarjeta nano SIM, o la tarjeta de memoria se retira del soporte de tarjeta nano SIM, el pin es raspado por el resorte. Por ejemplo, cuando la tarjeta de memoria mostrada en la FIG. 28 se inserta horizontalmente en el soporte de tarjeta nano SIM, cuatro pines en un lado de la tarjeta de memoria entran primero al soporte de tarjeta nano SIM, y por lo tanto los cuatro pines ser raspan continuamente dos veces por los resortes más exteriores en el soporte de tarjeta nano SIM. Por ejemplo, los pines 1, 2, 3 y 4 entran primero al soporte de tarjeta nano SIM, y los pines 1, 2, 3 y 4 se raspan continuamente dos veces por los resortes más exteriores en el soporte de tarjeta nano SIM. Por ejemplo, cuando la tarjeta de memoria mostrada en la FIG. 28 se inserta verticalmente en el soporte de tarjeta nano SIM, dos pines que entran primer al soporte de tarjeta nano SIM se raspan continuamente por resortes más exteriores en el soporte de tarjeta nano SIM. Por ejemplo, los pines 1 y 8 entran primero al soporte de tarjeta nano SIM, los pines 1 y 8 se raspan continuamente cuatro veces por los resortes más exteriores en el soporte de tarjeta nano SIM, los pines 2 y 7 se raspan continuamente tres veces por los resortes más exteriores en el soporte de tarjeta nano SIM, y los pines 3 y 6 se raspan continuamente dos veces por los resortes más exterior en el soporte de tarjeta nano SIM. Por lo tanto, la durabilidad de la tarjeta de memoria tiene que ser asegurada, para asegurar una vida útil relativamente larga de la tarjeta de memoria.
Adicionalmente, se tiene que asegurar que la tarjeta de memoria no se vea sometida a exceso de temperatura. La tarjeta de memoria tiene una pluralidad de modos de trabajo, por ejemplo, un modo de alta velocidad y un modo de ultra alta velocidad (ultra high speed-I, UHS-I). En el modo de alta velocidad, una tensión de trabajo de la tarjeta de memoria es de 3,3 voltios (V). En el modo UHS-I, la tensión de trabajo de la tarjeta de memoria es de 1,8 voltios (V). En los diferentes modos de trabajo anteriores, el consumo de potencia de la tarjeta de memoria varía, y por lo tanto el calor generado por la tarjeta de memoria varía. Para asegurar un funcionamiento normal de la tarjeta de memoria, independientemente de un modo de trabajo de la tarjeta de memoria, se tiene que asegurar que el consumo de potencia de la tarjeta de memoria está dentro de 0,72 vatios (W).
Primero, se tiene que detectar si la tarjeta de memoria está insertada en el soporte de tarjeta nano SIM o está retirada del soporte de tarjeta nano SIM. Esta solicitud proporciona dos maneras de detección para detectar si la tarjeta de memoria está insertada o retirada.
Una primera manera de detección se describe de la siguiente manera: Un interruptor de detección de tarjeta (card detection switch) se dispone en el soporte de tarjeta nano SIM del terminal. En este caso, el interruptor de detección de tarjeta es de tipo normalmente abierto, como se muestra en la Tabla 4. Cuando se retira la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta se abre; o cuando se inserta la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta se cierra. Específicamente, la FIG. 34 es un diagrama de circuito de detección para detectar la inserción y la retirada de una tarjeta de memoria según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG. 34, se proporciona un controlador anfitrión (host controller) 01, un suministro de energía de detección (VDD) 02, y el interruptor de detección de tarjeta 03. El controlador anfitrión 01 y el suministro de energía de detección 02 se disponen en el terminal, y el interruptor de detección de tarjeta 03 se dispone en el soporte de tarjeta nano SIM del terminal. Un extremo del interruptor de detección de tarjeta 03 se conecta al controlador anfitrión 01, y el otro extremo del interruptor de detección de tarjeta 03 se conecta a tierra. Un extremo de salida del suministro de energía de detección 02 se conecta entre el controlador anfitrión 01 y el interruptor de detección de tarjeta 03. Cuando se inserta la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta 03 se cierra, el controlador anfitrión 01 detecta una señal de nivel bajo, y el controlador anfitrión 01 permite un suministro de energía que proporciona energía eléctrica para la tarjeta de memoria; o cuando se retira la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta 03 se abre, el controlador anfitrión 01 detecta una señal de nivel alto, y el controlador anfitrión 01 inhabilita un suministro de energía que proporciona energía eléctrica para la tarjeta de memoria.
Una segunda manera de detección se describe de la siguiente manera: De manera semejante, un interruptor de detección de tarjeta se dispone en el soporte de tarjeta nano SIM del terminal. En este caso, el interruptor de detección de tarjeta es de tipo normalmente cerrado, como se muestra en la Tabla 4. Cuando se retira la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta se cierra; o cuando se inserta la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta se abre. Específicamente, como se muestra en la FIG. 34, cuando se inserta la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta 03 se abre, el controlador anfitrión 01 detecta una señal de nivel alto, y el controlador anfitrión 01 permite un suministro de energía que proporciona energía eléctrica para la tarjeta de memoria; o cuando se retira la tarjeta de memoria, el interruptor de detección de tarjeta 03 se cierra, el controlador anfitrión 01 detecta una señal de nivel bajo, y el controlador anfitrión 01 inhabilita un suministro de energía que proporciona energía eléctrica para la tarjeta de memoria.
Por lo tanto, se puede detectar si la tarjeta de memoria está insertada o retirada. Cuando se detecta que se retira la tarjeta de memoria, se inhabilita el suministro de energía que proporciona energía eléctrica para la tarjeta de memoria, ahorrando de ese modo energía eléctrica y logrando bajo consumo de potencia.
Tabla 4 Estado del interruptor de detección de tarjeta
La expresión mencionada anteriormente "insertar la tarjeta de memoria" significa que cuando todos los pines en la tarjeta de memoria están en contacto con correspondientes resortes, se determina que la tarjeta de memoria está insertada. La expresión mencionada anteriormente "retirar la tarjeta de memoria" significa que cuando uno cualquiera o más de los pines en la tarjeta de memoria ya no están en contacto con un correspondiente resorte, se determina que la tarjeta de memoria está retirada.
Las funciones de la tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud son compatibles con las de una tarjeta de memoria en la técnica anterior. Sin embargo, como la tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud se puede insertar en el soporte de tarjeta nano SIM del terminal, un tamaño de la tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud es menor que el de la tarjeta de memoria en la técnica anterior.
La tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud es un micro tarjeta de memoria, y también se puede denominar tarjeta de memoria nanoSD, tarjeta de memoria nano SD, una tarjeta de memoria nano SD, una tarjeta de memoria nano SD, una tarjeta de memoria nano-SD, o tarjeta de memoria nanoSD.
Una forma de la tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud es básicamente la misma que la de una tarjeta nano SIM. Adicionalmente, el tamaño de la tarjeta de memoria proporcionada en esta solicitud es básicamente el mismo que el de la tarjeta nano SIM.
Esta solicitud proporciona además un terminal que incluye la anterior tarjeta de memoria. Usualmente, la tarjeta de memoria se usa por aplicaciones usadas junto con diversos productos (por ejemplo, el terminal) para almacenar datos digitales. Regularmente, la tarjeta de memoria puede ser retirada del terminal, de modo que datos digitales almacenados en la tarjeta de memoria son portátiles. La tarjeta de memoria según esta solicitud puede tener un factor de forma relativamente pequeño, y se puede configurar para almacenar datos digitales para el terminal. Por ejemplo, el terminal es una cámara, un ordenador pequeño o de mano, un aparato de aplicaciones de red, un aparato descodificador, un reproductor/grabadora de audio de mano u otro compacto, o un monitor médico.
La FIG. 26 es un diagrama de circuito de un terminal según una realización de esta solicitud. Como se muestra en la FIG.
26, la tarjeta de memoria se puede insertar en el soporte de tarjeta nano SIM del terminal. Un primer punto de conexión 41 correspondiente al pin de señal de reloj 21 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 42 correspondiente al pin de suministro de energía 22 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 43 correspondiente al pin de señal de control 23 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 44 correspondiente al pin de señal de tierra 24 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 45 correspondiente al primer pin de transmisión de datos 25 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 46 correspondiente al segundo pin de transmisión de datos 26 de la tarjeta de memoria, un segundo punto de conexión 47 correspondiente al tercer pin de transmisión de datos 27 de la tarjeta de memoria, y un segundo punto de conexión 48 correspondiente al cuarto pin de transmisión de datos 28 de la tarjeta de memoria se disponen en el soporte de tarjeta nano SIM. Cuando la tarjeta de memoria se inserta en el soporte de tarjeta nano SIM, los pines de la tarjeta de memoria están en contacto con correspondientes puntos de conexión. Un primer pin 51 conectado al primer punto de conexión 41, un segundo pin 52 conectado al segundo punto de conexión 42, un tercer pin 53 conectado al segundo punto de conexión 43, un cuarto pin 54 conectado al segundo punto de conexión 44, un quinto pin 55 conectado al segundo punto de conexión 45, un sexto pin 56 conectado al segundo punto de conexión 46, un séptimo pin 57 conectado al segundo punto de conexión 47, y un octavo pin 58 conectado al segundo punto de conexión 48 se disponen en un chip de control del terminal. El segundo pin 52 puede ser un pin de suministro de energía del chip de control, y el cuarto pin 54 puede ser un pin de señal de tierra del chip de control.
Adicionalmente, una interfaz SD y una interfaz SIM se proporcionan en el terminal. Seis pines se disponen en la interfaz SD: un primer pin de SD, un segundo pin de SD, un tercer pin de SD, un cuarto pin de SD, un quinto pin de SD, y un sexto pin de SD. Tres pines se disponen en la interfaz SIM: un primer pin de SIM, un segundo pin de SIM, y un tercer pin de SIM.
En el chip de control tres interruptores 61. Un extremo de cada uno de los tres interruptores 61 se conecta a cada uno de cualesquiera tres del primer pin 51, el tercer pin 53, el quinto pin 55, el sexto pin 56, el séptimo pin 57, y el octavo pin 58 en una correspondencia de biunívoca. Otros pines, en el primer pin 51, el tercer pin 53, el quinto pin 55, el sexto pin 56, el séptimo pin 57 y el octavo pin 58, que no se conectan a los interruptores 61 se conectan a tres pines en la interfaz de SD en una correspondencia biunívoca.
Cada uno de restantes tres pines en la interfaz SD que no se conectan a los pines del chip control están en correspondencia biunívoca con el otro extremo de cada uno de los tres interruptores 61. Cada uno de los tres pines en la interfaz SIM está en una correspondencia biunívoca con el otro extremo de cada uno de los tres interruptores 61.
El chip de control controla, en función de la detección en la tarjeta de memoria, una conexión biunívoca entre el otro extremo de cada uno de los tres interruptores 61 y cada uno de los restantes tres pines en la interfaz SD que no se conectan a los pines del chip de control. Además, la tarjeta de memoria implementa actualmente una función de almacenamiento. Como alternativa, el chip de control controla, en función de detección en la tarjeta de memoria, la conexión biunívoca entre el otro extremo de cada uno de los tres interruptores 61 y cada uno de los tres pines en la interfaz SIM. Además, la tarjeta de memoria cambia a una tarjeta SIM para implementar una función de comunicación.
Opcionalmente, se proporciona una estructura de comunicación de campo cercano (Near Field Communication, NFC) 71. Un extremo de salida de la estructura NFC 71 es correspondiente a un extremo de otro interruptor. Adicionalmente, el séptimo pin 57 es correspondiente a un extremo del otro interruptor. El otro extremo del otro interruptor se conecta al segundo punto de conexión 47. Por lo tanto, el extremo de salida de la estructura NFC 71 se conecta a un extremo del otro interruptor, o el séptimo pin 57 se conecta a un extremo del otro interruptor.
Las realizaciones anteriores describen especialmente la tarjeta de memoria y el terminal. La descripciones anteriores pretenden ilustrar ejemplos de realizaciones de la tarjeta de memoria pero no constituyen un limitación sobre esta solicitud. Las tecnologías descritas en esta solicitud pueden usarse además para aplicar la tarjeta de memoria a un aparato informático, y el aparato informático controla o hace funcionar la tarjeta de memoria. Además del terminal, ejemplos de aplicaciones que se pueden implementar en la tarjeta de memoria incluyen un aparato de comunicaciones inalámbricas, un aparato de sistema de posicionamiento global (global positioning system, GPS), un aparato celular, una interfaz de red, un módem, un sistema de almacenamiento de disco magnético, y similares.

Claims (16)

REIVINDICACIONES
1. Una tarjeta de memoria, que comprende: una unidad de almacenamiento, una unidad de control, y una interfaz de tarjeta de memoria, en donde la unidad de almacenamiento y la unidad de control se disponen dentro un cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, la interfaz de tarjeta de memoria se dispone en una primera superficie del cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria caracterizada por que
una forma de la tarjeta de memoria es la misma que la de una tarjeta nano SIM de módulo de identidad de abonado, y un tamaño de la tarjeta de memoria es la misma que la de la tarjeta nano SIM; y
la interfaz de tarjeta de memoria comprende al menos un primer contacto metálico (22) de la tarjeta de memoria, un segundo contacto metálico (25) de la tarjeta de memoria, un tercer contacto metálico (23) de la tarjeta de memoria, un cuarto contacto metálico (21) de la tarjeta de memoria, un quinto contacto metálico (24) de la tarjeta de memoria, un sexto contacto metálico (26) de la tarjeta de memoria, un séptimo contacto metálico (27) de la tarjeta de memoria, y un octavo contacto metálico (28) de la tarjeta de memoria, en donde:
el primer contacto metálico (22) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una señal de suministro de energía; el segundo contacto metálico (25) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una primera señal de datos; el tercer contacto metálico (23) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una señal de control;
el cuarto contacto metálico (21) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una señal de reloj;
el quinto contacto metálico (24) de la tarjeta de memoria es para conexión a tierra;
el sexto contacto metálico (26) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una segunda señal de datos;
el séptimo contacto metálico (27) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una tercera señal de datos; y el octavo contacto metálico (28) de la tarjeta de memoria se configura para transmitir una cuarta señal de datos; en donde el primer contacto metálico y el séptimo contacto metálico están adyacentes entre sí y dispuestos de manera que la región en la que se ubica el primer contacto metálico y el séptimo contacto metálico corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica el contacto de suministro de energía de la tarjeta nano SIM;
en donde el quinto contacto metálico y el octavo contacto metálico están adyacentes entre sí y dispuestos de manera que la región en la que se ubica el quinto contacto metálico y el octavo contacto metálico corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica el contacto de tierra de la tarjeta nano SIM.
2. La tarjeta de memoria según la reivindicación 1, en donde:
una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el segundo contacto metálico (25) corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica un contacto de restablecimiento (32) de la tarjeta nano SIM,
una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el tercer contacto metálico (23) corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica un contacto de señal de entrada/tensión de programación (35) de la tarjeta nano SIM,
una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el cuarto contacto metálico (21) corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica un contacto de reloj (31) de la tarjeta nano SIM,
una región, en el cuerpo de tarjeta de la tarjeta de memoria, en la que se ubica el sexto contacto metálico (26) corresponde a una región de la tarjeta nano SIM en la que se ubica un contacto de datos (34) de la tarjeta nano SIM.
3. La tarjeta de memoria según la reivindicación 1 o 2, en donde una longitud de la tarjeta de memoria es de 12,30 milímetros, una anchura de la tarjeta de memoria es de 8,80 milímetros.
4. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en donde una esquina de la tarjeta de memoria es un chaflán, y la primera superficie de la tarjeta de memoria comprende un primer lado, un segundo lado, un tercer lado y un cuarto lado;
el chaflán ubicado entre el tercer lado y el cuarto lado;
el primer lado es paralelo al tercer lado;
el segundo lado es paralelo al cuarto lado;
una longitud del primer lado es mayor que una longitud del segundo lado.
5. La tarjeta de memoria según la reivindicación 4, en donde el sexto contacto metálico (26), el tercer contacto metálico (23), el quinto contacto metálico (24) y el octavo contacto metálico (28) se distribuyen a lo largo de una dirección longitudinal del cuarto lado;
el cuarto contacto metálico (21), el segundo contacto metálico (25), el primer contacto metálico (22) y el séptimo contacto metálico (27) se distribuyen a lo largo de una dirección longitudinal del segundo lado.
6. La tarjeta de memoria según la reivindicación 4 o 5, en donde el séptimo contacto metálico (27) está adyacente al octavo contacto metálico (28) en una dirección longitudinal del primer lado;
en donde el cuarto contacto metálico (21) está adyacente al sexto contacto metálico (26) en una dirección longitudinal del tercer lado.
7. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 6, en donde el tercer contacto metálico (23) está adyacente al quinto contacto metálico (24) a lo largo de una dirección longitudinal de un cuarto lado, el tercer contacto metálico (23) y el quinto contacto metálico (24) no están adyacentes al primer lado a lo largo de una dirección longitudinal del cuarto lado, y el tercer contacto metálico (23) y el quinto contacto metálico (24) no están adyacentes al tercer lado a lo largo de una dirección longitudinal del cuarto lado;
en donde el primer contacto metálico (22) está adyacente al segundo contacto metálico (25) a lo largo de una dirección longitudinal del segundo lado, el primer contacto metálico (22) y el segundo contacto metálico (25) no están adyacentes al primer lado a lo largo de una dirección longitudinal del segundo lado, y el primer contacto metálico (22) y el segundo contacto metálico (25) no están adyacentes al tercer lado a lo largo de una dirección longitudinal del segundo lado. 8. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, en donde los ocho contactos metálicos están aislados entre sí.
9. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, en donde se proporciona una esquina redonda en al menos un bisel de la tarjeta de memoria.
10. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, en donde al menos uno de los ocho contactos metálicos comprende al menos una esquina redondeada.
11. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 10, en donde un área del primer contacto metálico (22) expuesta en la superficie del cuerpo de tarjeta es mayor que un área del séptimo contacto metálico (27) expuesta en la superficie del cuerpo de tarjeta; en donde un área del quinto contacto metálico (24) expuesta en la superficie del cuerpo de tarjeta es mayor que un área del octavo contacto metálico (28) expuesta en la superficie del cuerpo de tarjeta.
12. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 4 a 11, una distancia entre el séptimo contacto metálico (27) y el primer lado es una primera distancia; una distancia entre el cuarto contacto metálico (21) y el tercer lado es una segunda distancia, la primera distancia es menor que la segunda distancia;
una distancia entre el octavo contacto metálico (28) y el primer lado es una tercera distancia;
una distancia entre el sexto contacto metálico (26) y el tercer lado es una cuarta distancia, la tercera distancia es menor que la cuarta distancia.
13. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 12, en donde una forma del séptimo contacto metálico (27) tiene forma de L, una forma del octavo contacto metálico (28) tiene forma de L.
14. La tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13, en donde un protocolo de interfaz de la tarjeta de memoria que comprende al menos uno de: memoria digital segura (SD), bus serie universal (USB), interconexión exprés de componentes periféricos (PCIE), almacenamiento flash universal (UFS), tarjeta multimedia (MMC), o tarjeta multimedia incrustada (EMMC).
15. Un terminal, que comprende una tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 14.
16. Un sistema que comprende una tarjeta de memoria según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 14, una tarjeta nano SIM y un conector.
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