FR1002026A - Procédé d'inhibition de l'action corrosive des acides halogencs et notamment de l'acide chlorhydrique vis-à-vis des métaux - Google Patents
Procédé d'inhibition de l'action corrosive des acides halogencs et notamment de l'acide chlorhydrique vis-à-vis des métauxInfo
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1002026T | 1946-07-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1002026A true FR1002026A (fr) | 1952-03-03 |
Family
ID=9561766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1002026D Expired FR1002026A (fr) | 1946-07-16 | 1946-07-16 | Procédé d'inhibition de l'action corrosive des acides halogencs et notamment de l'acide chlorhydrique vis-à-vis des métaux |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1002026A (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3671437A (en) * | 1969-10-15 | 1972-06-20 | Philips Corp | Etchant for selectively etching patterns in thin silicon dioxide layers and method of preparing such an etchant |
-
1946
- 1946-07-16 FR FR1002026D patent/FR1002026A/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3671437A (en) * | 1969-10-15 | 1972-06-20 | Philips Corp | Etchant for selectively etching patterns in thin silicon dioxide layers and method of preparing such an etchant |
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